JPH0331673B2 - - Google Patents

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JPH0331673B2
JPH0331673B2 JP22577285A JP22577285A JPH0331673B2 JP H0331673 B2 JPH0331673 B2 JP H0331673B2 JP 22577285 A JP22577285 A JP 22577285A JP 22577285 A JP22577285 A JP 22577285A JP H0331673 B2 JPH0331673 B2 JP H0331673B2
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Japan
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molten metal
crucible
single crystal
rod
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JP22577285A
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JPS6287481A (en
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Shoichi Konno
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、チヨクラルスキー法による単結晶
の製造過程に用いて好適な単結晶引上装置におけ
る溶湯初期位置設定方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Industrial Application Field" The present invention relates to a method for setting the initial position of a molten metal in a single crystal pulling apparatus suitable for use in a single crystal manufacturing process using the Czyochralski method.

「従来の技術」 第3図は、従来の単結晶引上装置の構成を示す
断面図である。第3図において、1は炉体であ
り、炉体1内のほぼ中央部に石英ルツボ2が設け
られている。この石英ルツボ2は黒鉛サセプタ3
によつて保持されており、黒鉛サセプタ3の下端
部は軸4の上端に所定の接合部材によつて取り付
けられている。この場合、軸4の下端部にはルツ
ボ回転モータおよびルツボ昇降モータの駆動力が
伝達されるようになつており、これにより、ルツ
ボ2は所定方向に回転し得るとともに、上下方向
に昇降自在となつている。6,6は、ルツボ2内
の溶湯(シリコン多結晶溶湯)7の温度を制御す
るヒータであり、ルツボ2の外方に所定距離隔て
て設けられており、このヒータ6と炉体1との間
〓に保温材8が設けられている。
"Prior Art" FIG. 3 is a sectional view showing the configuration of a conventional single crystal pulling apparatus. In FIG. 3, 1 is a furnace body, and a quartz crucible 2 is provided approximately in the center of the furnace body 1. This quartz crucible 2 is a graphite susceptor 3
The lower end of the graphite susceptor 3 is attached to the upper end of the shaft 4 by a predetermined joining member. In this case, the driving force of the crucible rotating motor and the crucible lifting motor is transmitted to the lower end of the shaft 4, so that the crucible 2 can rotate in a predetermined direction and can also move up and down in the vertical direction. It's summery. 6, 6 are heaters that control the temperature of the molten metal (silicon polycrystalline molten metal) 7 in the crucible 2, and are provided at a predetermined distance apart from the outside of the crucible 2; A heat insulating material 8 is provided in between.

次に、10は炉体1の上端に接合されている中
空円柱状の上部ケーシングであり、この上部ケー
シングの上端部分に引上ヘツド11が水平旋回自
在に設けられている。引上ヘツド11内には、ワ
イア引上機構(図示略)が設けられており、この
ワイア引上機構からはワイアケーブル13がルツ
ボ2の回転中心に向つて延びている。また、ワイ
ア引上機構には引上モータ15の駆動力が伝達さ
れるようになつており、引上モータ15の回転方
向によつて、ワイアケーブル13の引き上げ、ま
たは、引き下げを行うようになつている。また、
引上ヘツド11は、ヘツド回転モータ(図示略)
の駆動力が伝達されると矢印TG方向に回転する
ようになつている。
Next, reference numeral 10 denotes a hollow cylindrical upper casing joined to the upper end of the furnace body 1, and a lifting head 11 is provided at the upper end of the upper casing so as to be horizontally pivotable. A wire pulling mechanism (not shown) is provided in the pulling head 11, and a wire cable 13 extends from this wire pulling mechanism toward the center of rotation of the crucible 2. Further, the driving force of the pulling motor 15 is transmitted to the wire pulling mechanism, and the wire cable 13 is pulled up or down depending on the direction of rotation of the pulling motor 15. ing. Also,
The lifting head 11 is a head rotation motor (not shown).
When the driving force is transmitted, it rotates in the direction of arrow TG.

次に、20はワイアケーブル13の下端に取り
付けられているシードホルダであり、図示のよう
にシード(単結晶の種)21を保持するものであ
る。
Next, 20 is a seed holder attached to the lower end of the wire cable 13, which holds a seed (single crystal seed) 21 as shown.

上記構成において、シード21を溶湯7に浸漬
させた後に、ヘツド回転モータを駆動し、かつ、
引上モータ15を引上方向に駆動すると、ワイア
ケーブル13は矢印TG方向に駆動されながら上
方に引き上げられてゆき、このシード21の上昇
に伴つて単結晶シリコン22が図示のように成長
してゆく。また、この単結晶成長工程において
は、軸4が矢印TGと逆方向に回転され、これに
より、単結晶シリコン22と溶湯7とが互いに逆
方向に回転するように構成されている。
In the above configuration, after the seed 21 is immersed in the molten metal 7, the head rotation motor is driven, and
When the pulling motor 15 is driven in the pulling direction, the wire cable 13 is pulled upward while being driven in the direction of the arrow TG, and as the seed 21 rises, the single crystal silicon 22 grows as shown in the figure. go. Further, in this single crystal growth step, the shaft 4 is rotated in a direction opposite to the arrow TG, so that the single crystal silicon 22 and the molten metal 7 are rotated in opposite directions.

さて、引き上げられて行く単結晶シリコン22
の成長形状は、上端部(以下、トツプという)お
よび下端部(以下、ボトムという)においては
各々目的とする形状に一致させるのが望ましく、
また、直胴部分においては設定した直径値に均一
にするのが望ましい。そして、成長形状および直
径を決定するのは、引上速度、溶湯温度などであ
るから、これらのパラメータを調整しながら単結
晶シリコン22の形状および直径を所望形状とな
るように制御を行う必要がある。
Now, single crystal silicon 22 is being pulled up.
It is desirable that the growth shape of the upper end (hereinafter referred to as "top") and lower end (hereinafter referred to as "bottom") correspond to the desired shape.
In addition, it is desirable that the diameter of the straight body portion be uniform to a set diameter value. Since the growth shape and diameter are determined by the pulling speed, molten metal temperature, etc., it is necessary to control the shape and diameter of the single crystal silicon 22 to obtain the desired shape while adjusting these parameters. be.

そこで、直径制御を行う場合は、炉体1の上端
部分に設けた窓部1aからテレビカメラ25によ
り溶湯7の上面を撮影し、さらに、テレビカメラ
25の画像データを解析して単結晶シリコン22
と溶湯液面との境界位置を検出し、この検出結果
に基づいて単結晶シリコン22の直径を求め、求
めた直径が所定値に適合するように上記各パラメ
ータを制御している。
Therefore, when controlling the diameter, the upper surface of the molten metal 7 is photographed using the television camera 25 through the window 1a provided at the upper end of the furnace body 1, and the image data of the television camera 25 is further analyzed to ensure that the monocrystalline silicon 22
The boundary position between the molten metal and the molten metal surface is detected, the diameter of the single crystal silicon 22 is determined based on the detection result, and each of the above parameters is controlled so that the determined diameter conforms to a predetermined value.

ところで、溶湯7の表面位置が第4図に示すL
1の位置にある場合と、L2の位置にある場合と
では、テレビカメラ25による境界位置検出方向
にΔθのずれが生じ、この結果、単結晶シリコン
22の直径検出値にはΔlのずれが生じる。した
がつて、直径制御中に溶湯表面位置がずれると、
単結晶シリコン22の直径が設定値からずれてし
まい極めて問題となる。そこで、結晶成長中は溶
湯表面の位置を常に基準位置に保持するように、
軸4を適宜上昇させて上記不都合を解消するよう
にしている。すなわち、単結晶シリコン22が成
長して行くと、ルツボ2内の溶湯量が減少して溶
湯表面が低下しようとするが、溶湯減少量に対応
する分だけ軸4を上昇させて溶湯表面位置を保つ
ようにしている。この場合、初期設定された溶湯
表面位置を保持するように制御が行なわれるた
め、初期設定位置がずれていると、直胴部の直径
は均一にはなるものの、その値が設定値とは異な
つたものとなつてしまう。
By the way, the surface position of the molten metal 7 is L shown in FIG.
Between the case of position 1 and the case of position L2, a deviation of Δθ occurs in the direction in which the boundary position is detected by the television camera 25, and as a result, a deviation of Δl occurs in the detected diameter value of the single crystal silicon 22. . Therefore, if the molten metal surface position shifts during diameter control,
The diameter of the single crystal silicon 22 deviates from the set value, which is extremely problematic. Therefore, during crystal growth, the position of the molten metal surface should always be maintained at the reference position.
The above-mentioned inconvenience is solved by raising the shaft 4 appropriately. That is, as the single crystal silicon 22 grows, the amount of molten metal in the crucible 2 decreases and the molten metal surface tends to lower, but the shaft 4 is raised by an amount corresponding to the amount of molten metal decrease to lower the molten metal surface position. I try to keep it. In this case, control is performed to maintain the initially set molten metal surface position, so if the initial set position is shifted, the diameter of the straight body will be uniform, but the value will differ from the set value. It becomes a vine.

また、一方において、溶湯表面の初期位置が異
なると、溶湯7とヒータ6との相対的な位置関係
にずれが生じ、この結果、単結晶成長過程におけ
る熱条件(溶湯の対流追等)が変化して、単結晶
中における酸素濃度等が異なつてしまい、製品の
品質が不均一となつてしまうという問題が生じ
た。
On the other hand, if the initial position of the molten metal surface is different, a deviation occurs in the relative positional relationship between the molten metal 7 and the heater 6, and as a result, the thermal conditions (convection tracking of the molten metal, etc.) during the single crystal growth process change. As a result, a problem arose in that the oxygen concentration, etc. in the single crystal varied, resulting in non-uniform product quality.

そこで従来は、溶湯表面位置の初期設定を正確
に行うために、レーザ光を用いるレベル計測シス
テム等を用い、これによつて、溶湯表面位置の初
期設定を行つていた。
Conventionally, in order to accurately initialize the molten metal surface position, a level measurement system using laser light or the like has been used to initialize the molten metal surface position.

「発明が解決しようとする問題点」 しかしながら、上述した従来の溶湯表面位置の
初期設定方法においては、レベル計測システム自
体が高価となるとともに、計測用レーザ光の通路
となる専用の窓部を炉体に設けなければならない
という欠点があつた。
``Problems to be Solved by the Invention'' However, in the conventional method for initializing the molten metal surface position described above, the level measurement system itself is expensive, and a dedicated window section that serves as a passage for the measurement laser beam is required to be installed in the furnace. The disadvantage was that it had to be installed on the body.

この発明は上述した事情に鑑みてなされたもの
で、高価なレベル計測システムを不要とし、か
つ、炉体に初期位置設定用の窓部等を設ける必要
がなく、さらに、位置決め精度を高くすることが
できる単結晶引上装置における溶湯初期位置設定
方法を提供することを目的としている。
This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to eliminate the need for an expensive level measurement system, eliminate the need to provide a window for initial position setting on the furnace body, and further improve positioning accuracy. The purpose of this invention is to provide a method for setting the initial position of molten metal in a single crystal pulling apparatus.

「問題点を解決するための手段」 この発明は上述した問題点を解決するために、
ルツボ内で溶解している多結晶の溶湯から単結晶
を回転させながら成長させる単結晶引上装置にお
いて、端面に接する物体の色を反映する耐火性の
棒状体を前記ルツボが収納される炉体の上部から
前記溶湯の表面近傍に延びるように予め配置し、
かつ、前記ルツボを上昇させて前記溶湯表面を前
記棒状体の端面に接触させ、さらに、前記接触に
よつて前記棒状体の色が変化した時点から前記ル
ツボを予め定めた所定量だけ下降させ、この下降
位置における前記溶湯の表面位置を初期位置とす
ることを特徴としている。
"Means for Solving the Problems" In order to solve the above-mentioned problems, this invention
In a single-crystal pulling device that rotates and grows a single crystal from polycrystalline molten metal melted in a crucible, a refractory rod-shaped body that reflects the color of an object in contact with the end surface is attached to the furnace body in which the crucible is housed. arranged in advance so as to extend from the top of the molten metal to near the surface of the molten metal,
and raising the crucible to bring the surface of the molten metal into contact with the end face of the rod-shaped body, further lowering the crucible by a predetermined amount from the time when the color of the rod-shaped body changes due to the contact, The method is characterized in that the surface position of the molten metal at this lowered position is set as the initial position.

「作用」 予め配置された棒状体の端面位置は、所定の固
定位置にあるから、この位置から所定量下降した
溶湯表面位置は常に一定の位置となる。
"Function" Since the end face position of the rod-shaped body arranged in advance is at a predetermined fixed position, the molten metal surface position lowered by a predetermined amount from this position is always at a constant position.

「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例につい
て説明する。
"Embodiments" Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、この発明の一実施例を適用した単結
晶引上装置の構成を示す断面図である。なお、第
1図において、前述した第3図の各部と対応する
部分には同一の符号を付しその説明を省略する。
FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of a single crystal pulling apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. In FIG. 1, the same reference numerals are given to the parts corresponding to those in FIG. 3 described above, and the explanation thereof will be omitted.

第1図において、30は炉体1の上端部から下
方に延びる支持棒であり、支持棒30の下端部に
は、取付部材31の一端が固定されている。ま
た、取付部材31の他端には垂直方向に延びる石
英棒32の上端部が接合されている。この石英棒
32はその下端の径が2mm程度の丸棒であり、下
端面は水平方向に平坦に形成されている。また、
石英棒32が設けられている位置は、テレビカメ
ラ25の撮影範囲から外れており、直径検出に悪
影響を与えないようになつている。そして、図か
ら明らかなように、この図に示す装置が第3図に
示す従来装置と異なる点は、上述した構成要素3
0〜32が付加されている点のみである。
In FIG. 1, 30 is a support rod extending downward from the upper end of the furnace body 1, and one end of a mounting member 31 is fixed to the lower end of the support rod 30. Further, the upper end portion of a quartz rod 32 extending in the vertical direction is joined to the other end of the mounting member 31. This quartz rod 32 is a round rod with a diameter of about 2 mm at the lower end, and the lower end surface is formed flat in the horizontal direction. Also,
The position where the quartz rod 32 is provided is outside the photographing range of the television camera 25 so as not to adversely affect diameter detection. As is clear from the figure, the difference between the apparatus shown in this figure and the conventional apparatus shown in FIG.
The only difference is that 0 to 32 are added.

次に、この実施例による溶湯表面の初期位置決
め方法について第2図イ〜ハを参照して説明す
る。なお、第2図イ〜ハに示す40は、軸4の上
下位置を示す指示部であり、軸4に連動して上下
動する指針40aと、目盛り40bとを有してい
る。
Next, a method for initial positioning of the molten metal surface according to this embodiment will be explained with reference to FIGS. Note that 40 shown in FIGS. 2A to 2C is an indicator indicating the vertical position of the shaft 4, and has a pointer 40a that moves up and down in conjunction with the shaft 4 and a scale 40b.

まず、初期位置決め開始時には、軸4の位置を
下方に設定しておき、溶湯7の表面が石英棒32
の下端面に対して充分に下方にくるようにする。
次に、軸4を徐々に上昇させ溶湯7の表面を石英
棒32の下端面に近付けて行く。そして、溶湯7
の表面が上昇して行くと、ある時点においては第
2図イに示すように、石英棒7の下端面と溶湯7
の表面とが接して密着状態になる。この場合、溶
湯7の色は、黄色味を帯びた朱色であり、一方、
石英棒32の色は、溶湯7と接触する以前におい
ては透明もしくは半透明である。そして、溶湯7
の表面が石英棒32の下端面に接すると、石英棒
32が溶湯7の色をその内部において反映し、こ
の結果、石英棒32の色が透明(あるいは半透
明)から朱色に変化する。すなわち、第2図イに
示す状態は、石英棒32が朱色に変化した瞬間の
状態である。
First, at the start of initial positioning, the position of the shaft 4 is set downward, so that the surface of the molten metal 7 is aligned with the quartz rod 3.
Make sure that it is sufficiently below the bottom edge of the .
Next, the shaft 4 is gradually raised to bring the surface of the molten metal 7 closer to the lower end surface of the quartz rod 32. And molten metal 7
As the surface of the quartz rod 7 rises, at a certain point, as shown in FIG.
comes into close contact with the surface of the In this case, the color of the molten metal 7 is yellowish vermillion;
The color of the quartz rod 32 is transparent or translucent before it comes into contact with the molten metal 7. And molten metal 7
When the surface of the quartz rod 32 comes into contact with the lower end surface of the quartz rod 32, the quartz rod 32 reflects the color of the molten metal 7 inside, and as a result, the color of the quartz rod 32 changes from transparent (or translucent) to vermilion. That is, the state shown in FIG. 2A is the state at the moment when the quartz rod 32 turns vermilion.

次に、オペレータは窓部1aから石英棒32の
色変化を認識し、この時点で軸4の上昇を停止す
るとともに、指示部40の指示値を確認し、この
指示値をゼロ位置Poとする。次いで、オペレー
タは第2図ロに示すように、軸4を降下させて指
示値がゼロ位置PoよりΔlsだけ低くなるようにす
る。この結果、溶湯7の表面位置は、石英棒32
の下端面よりΔlsに対応する分だけ低くなる(表
示は実際の移動より拡大したものとなつている)。
そして、この場合のΔlsは、溶湯表面の初期位置
に対応して予め設定された移動量である。すなわ
ち、この実施例における溶湯7の表面初期位置
は、石英棒32の下端面から垂直方向にΔlsに対
応する分だけ下がつた位置(同図に示す位置Ps)
に設定されている。したがつて、第2図ロに示す
指示部40の指示位置が、この場合の規準初期位
置となる。
Next, the operator recognizes the color change of the quartz rod 32 from the window 1a, stops the raising of the shaft 4 at this point, checks the indicated value of the indicating section 40, and sets this indicated value as the zero position Po. . Next, as shown in FIG. 2B, the operator lowers the shaft 4 so that the indicated value becomes lower than the zero position Po by Δls. As a result, the surface position of the molten metal 7 is
It will be lower than the lower end surface by an amount corresponding to Δls (the display is an enlarged version of the actual movement).
In this case, Δls is a movement amount that is preset corresponding to the initial position of the molten metal surface. That is, the initial surface position of the molten metal 7 in this embodiment is a position vertically lowered by an amount corresponding to Δls from the lower end surface of the quartz rod 32 (position Ps shown in the figure).
is set to . Therefore, the indicated position of the indicating section 40 shown in FIG. 2B becomes the standard initial position in this case.

そして、第2図ロに示す状態において、シード
21が溶湯7の表面に接し、この状態から単結晶
引上動作が開始される。この単結晶引上動作が開
始されると、引き上げられて行く単結晶の量に応
じて、溶湯7の表面位置が下がろうとするため、
前述したように、溶湯減少量に対応する分だけ軸
4を上昇させて溶湯表面位置を保つようにしてい
る。第2図ハは溶湯表面位置の保持動作状態を示
しており、この図に示すように溶湯表面位置を一
定とするように軸4が上昇している。
Then, in the state shown in FIG. 2B, the seed 21 comes into contact with the surface of the molten metal 7, and from this state, the single crystal pulling operation is started. When this single crystal pulling operation starts, the surface position of the molten metal 7 tends to lower depending on the amount of the single crystal being pulled up.
As described above, the shaft 4 is raised by an amount corresponding to the amount of decrease in the molten metal to maintain the molten metal surface position. FIG. 2C shows a state in which the molten metal surface position is maintained, and as shown in this figure, the shaft 4 is raised so as to keep the molten metal surface position constant.

上述した方法によれば、初期状態における溶湯
7の量にバラツキがある場合でも、溶湯7の表面
初期位置は、常に、石英棒32の下端面よりΔls
に対応する分だけ下方の位置に正確に設定され
る。そして、実験によれば、この場合の位置設定
精度は、レーザ計測システムを用いた場合(±1
mm程度)の2〜4倍の精度(±0.5mm以下)であ
つた。
According to the method described above, even if the amount of molten metal 7 in the initial state varies, the initial surface position of molten metal 7 is always Δls from the lower end surface of quartz rod 32.
It is set exactly at the lower position by the amount corresponding to . According to experiments, the positioning accuracy in this case is as follows when using a laser measurement system (±1
The accuracy was 2 to 4 times (±0.5 mm or less) that of

なお、上述した実施例においては、オペレータ
の目視によつて石英棒32の色変化を検出するよ
うにしたが、これに代えて、たとえば、フオトセ
ンサ等を石英棒32の上端部に取り付け、、この
フオトセンサの出力信号の変化から、石英棒32
の色変化、すなわち、溶湯7と石英棒32の接触
を検出するように構成してもよい。さらに、軸4
の上下位置を、ポテンシヨメータ等を用いて電気
的に検出してもよく、また、上記フオトセンサと
組み合わせて、溶湯7の表面初期位置設定を完全
自動化するように構成してもよい。
In the above-described embodiment, the color change of the quartz rod 32 is detected visually by the operator, but instead of this, for example, a photo sensor or the like may be attached to the upper end of the quartz rod 32. Based on the change in the output signal of the photo sensor, the quartz rod 32
The quartz rod 32 may be configured to detect a color change, that is, a contact between the molten metal 7 and the quartz rod 32. Furthermore, axis 4
The vertical position of the molten metal 7 may be detected electrically using a potentiometer or the like, or the initial surface position setting of the molten metal 7 may be completely automated in combination with the photo sensor.

「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、ルツ
ボ内で溶解している多結晶の溶湯から単結晶を回
転させながら成長させる単結晶引上装置におい
て、端面に接する物体の色を反映する耐火性の棒
状体を前記ルツボが収納される炉体の上部から前
記溶湯の表面近傍に延びるように予め配置し、か
つ、前記ルツボを上昇させて前記溶湯表面を前記
棒状体の端面に接触させ、さらに、前記接触によ
つて前記棒状体の色が変化した時点から前記ルツ
ボを予め定めた所定量だけ下降させ、この下降位
置における前記溶湯の表面位置を初期位置とした
ので、高価なレベル計測システムを不要とし、か
つ、炉体に初期位置設定用の窓部等を設ける必要
がないという効果が得られ、また、位置決め精度
を高くし得る利点も得られる。
"Effects of the Invention" As explained above, according to the present invention, in a single crystal pulling apparatus that grows a single crystal while rotating it from a polycrystalline molten metal melted in a crucible, the color of the object in contact with the end surface is A refractory rod-shaped body reflecting the above-mentioned temperature is placed in advance so as to extend from the upper part of the furnace body in which the crucible is housed to near the surface of the molten metal, and the crucible is raised so that the surface of the molten metal is exposed to the end face of the rod-shaped body. The crucible was then lowered by a predetermined amount from the time when the color of the rod-shaped body changed due to the contact, and the surface position of the molten metal at this lowered position was set as the initial position. This eliminates the need for a level measurement system, eliminates the need to provide a window for setting the initial position on the furnace body, and also provides the advantage of increasing positioning accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の機械的構成を示
す断面図、第2図イ〜ハは各々同実施例における
溶湯表面初期位置の設定方法を説明するための断
面図、第3図は従来の単結晶引上装置の構成を示
す断面図、第4図は単結晶の直径制御を説明する
ための溶湯表面の概略図である。 30……支持棒、31……取付部材、32……
石英棒(棒状体)。
FIG. 1 is a sectional view showing the mechanical configuration of an embodiment of the present invention, FIGS. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional single crystal pulling apparatus, and is a schematic view of a molten metal surface for explaining diameter control of a single crystal. 30...Support rod, 31...Mounting member, 32...
Quartz rod (rod-shaped body).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ルツボ内で溶解している多結晶の溶湯から単
結晶を回転させながら成長させる単結晶引上装置
において、端面に接する物体の色を反映する耐火
性の棒状体を前記ルツボが収納される炉体の上部
から前記溶湯の表面近傍に延びるように予め配置
し、かつ、前記ルツボを上昇させて前記溶湯表面
を前記棒状体の端面に接触させ、さらに、前記接
触によつて前記棒状体の色が変化した時点から前
記ルツボを予め定めた所定量だけ下降させ、この
下降位置における前記溶湯の表面位置を初期位置
とすることを特徴とする単結晶引上装置における
溶湯初期位置設定方法。
1. In a single crystal pulling device that rotates and grows a single crystal from a polycrystalline molten metal melted in a crucible, a refractory rod-shaped body that reflects the color of an object in contact with the end surface is placed in a furnace in which the crucible is housed. The crucible is placed in advance so as to extend from the upper part of the body to near the surface of the molten metal, and the crucible is raised to bring the surface of the molten metal into contact with the end face of the rod-shaped body, and the color of the rod-shaped body is changed by the contact. 1. A method for setting an initial position of molten metal in a single crystal pulling apparatus, characterized in that the crucible is lowered by a predetermined amount from the time when the molten metal changes, and the surface position of the molten metal at this lowered position is set as the initial position.
JP22577285A 1985-10-09 1985-10-09 Method of setting the initial melting position in single crystal-pulling-up apparatus Granted JPS6287481A (en)

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