JPH0330318A - 分子線蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体デバイスや超電導素子等の電子部品の
薄膜製造に使用される分子線蒸着装置において、特に蒸
着源内へ侵入してくる異物を低減させるための構造、配
置、形状に関する。

【従来の技術〕

従来の分子線蒸着装置については例えば特開昭６１−２
６１２９５．６２−５７２１１等に蒸着源に対するシャ
ッタ板の形状、配置などが記載され、これらの分子線蒸
着装置では、蒸着源の上方にシャッタ板が配置されてい
るために、シャッタ板に付着した異物は容易に蒸着房：
（に落下する配置となっている。

また特開昭６３−２８２１９０では重力落下物による蒸
着源の汚染を防止するために蒸着源の先端開口部を鉛直
面で切った形とし、蒸着源の上方にはシュラウドを配置
しないようにした例があるが、蒸着源とシャッタ板との
位置関係については何ら述べられていない。

さらに特開昭６３−６０５２１では、基板ホルダから放
出されるガスのトラップを目的として、基板ホルダの周
囲を取り囲むシュラウドを下方に出した例がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術においては、蒸着源である分子線セルやガ
スソースセルに対する汚染防止、つまり重力落下する付
着異物や槽内駆動部の運動によって飛散する異物が蒸着
源の材料中に混入して蒸着源を汚染することに対する対
策が十分に図られていない。

例えば、分子線蒸着′！Ａ置の蒸着源の開口部の上方に
はシャッタ板が配置されているが、このシャッタ板には
多量の蒸着物が付着しており、蒸着源を覆っている間に
付着異物が落下して蒸着源に入ったり、次のステップと
してシャッタ板が開いた時にその動きにより付着異物が
飛散して隣接する他の蒸着源に混入したりして蒸着源の
材料を汚染させることがあるが、この不具合に対する対
策は従来は考慮されてなかった。

異種の材料が混入した場合には基板上に得られる薄膜デ
バイスの不純物のドーピングレベルがＬＩ標とする値か
らずれたり、欠陥の核になったりして好ましくない。ま
た同じ材料が落下した場合でもフレーク状の塊として混
入すると、付着時の温度が低いために蒸着源の温度を低
下させて蒸発量が）成少するため基板上に得ようとした
目標の膜厚より；違くなるといった問題が生じる。

また基板ホルダには直接基板もしくは基板を収納したサ
セプタを取付けるための駆動機構があるが、この部位に
付着した蒸着物や駆動により発生する異物が飛散して蒸
着源中に混入して前述と同様の不具合を引き起こすとい
う問題があった７市出の特昭６３−２８２１９０のよう
に重力落下する異物が蒸着源に侵入しないように配慮さ
れた例もあるが５蒸着源の形状を変化させることにより
分子線の放出分布が従来の蒸着源を用いた場合に得られ
る放出分布から大きく変化してしまうことが判った。

この放出分布を補正し従来と回等の膜厚均一性を得るた
めには、分子線源の取付は軸（長手中心軸方向）の延長
線と基板面との交点の位［６、これら線と面のなす角度
、蒸着源と交点までの距蒲等を変化させて、つまり基板
に対する蒸着源の取付は位置と取付は姿勢を変えること
になる。。

従来の装置にこの鉛直面の開口部を有する蒸着源を取付
けようとすると、従来と放出分布が異なるため膜厚が不
均一となる不具合が生じる。もちろん、鉛直面の開口部
を有する蒸着源の放出分布を最初から考慮しておけば均
一性の問題を克服した装置を製作することもできようが
、しかしながらもっと大きな問題はこの鉛直面を有する
蒸着源の先端が突き出ているために空間に対するｎ皇が
大きく、ふ（射によりこの部位の温度が蒸着源の内部の
温度に比べて低下してしまうことである。

このため蒸着物が徐々に付着堆積して開口部の形状が変
わり、放出分布を経時的に変化させてしまう。また、蒸
着源の先端に付着した物が内部に落下して前述と同様の
不具合を生じさせるため好ましくない。

本発明の目的は、蒸着源に侵入する異物や付着落下物を
低減させて蒸着源を清浄に保ち、ひいては基板上に高品
位の薄膜を形成でき、さらには高い生産性を有する分子
線蒸着装置を堤供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために本発明は、真空にＪＪｌ：気
される蒸着室に、蒸着材料を充填した複数の蒸着源と基
板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸着源から分子線
を照射して該基板上に蒸着材料の薄膜を形成する分子線
蒸着装置において、前記蒸着室内に、前記蒸着源と前記
基板ホルダとを隔てるシュラウドが設けられ、該シュラ
ウドは、該蒸着源の開口部と該基板ホルダに保持された
基板とを結ぶ線上に分子線通過孔を有し、該分子線通過
孔を通過した分子線のみが該基板上に薄１摸を形成する
ものであることを特徴とする。

また、前記蒸着室は、釦直に設けられた基板ホルダの下
面に、前記基板の取付けられたサセプタを搬送し７て水
平に取付ける手段を具備したものであって、該サセプタ
が該基板ホルダの下面より大きい寸法のものであること
を特徴とするものである。

また、上記目的は、前記蒸着室は、前記蒸着源の開口部
と前記基板ホルダの基板取付部とを取り囲むシュラウド
を設けたものであって、該シュラウドは該蒸着源の開口
部の鉛直上方に開孔を有し。

該開孔の上方に取り外し可能なプレートを設けたもので
あることによって達成することができる。

更にまた、前記蒸着室は、内面を遮蔽するシュラウドを
備えると共に、前記蒸、１！源の開口部に近接して前記
基板を照射する分子線を遮断するシャッタ板が設けられ
たものであって、該シャッタ板は、該分子線の基板を照
射する中心軸に対して所定の角度を有し、該所定の角度
は該シャッタ板の軌跡延長線上が該蒸着源及び他の蒸：
ｒｆ源の開口部でなく直接前記シュラウドとなる角度の
ものであること、あるいは、前記蒸着室は、内面を遮蔽
するシュラウドを備えると共に、前記基板ホルダは回動
して前記基板面の角度を変化させるものであって、該基
板ホルダの回動方向に前記蒸着源の開口部がなく直接前
記シュラウドであること、あるいは、前記蒸着室は、前
記基板ホルダに前記基板の取付けられたサセプタを搬送
して取付ける手段を具備したものであって、該搬送路の
下方を除いた部位に前記蒸着源の開口部を配設したもの
であることによっても達成することができる。

〔作用〕

上記構成によれば１分子線を照射すると、分子線透過孔
のあるシュラウドによって、基板を照射する以外の分子
線がカットされ、内部の汚染が低減される。

またサセプタが大きいので、基板ホルダを伝って落下す
る異物がこのサセプタに付着し、交換、洗浄を容易にす
ることができる。

また蒸着源の開口部上方のプレートに付着した蒸着物は
、落下する前に処理をすることが可能となる。

更にまた、開口部に近接したシャッタ板の移動による飛
散物や、基１反ホルダの回動による飛散物、あるいはサ
セプタ搬送時の落下異物などが蒸着ガ（に混入すること
が防止される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図において、まず基本的に蒸着源２の開口１部２Ａ
を次に記すような場所に配置しないこととした。

（１）　　基板４もしくはサセプタ６の搬送経路の鉛直
下方。

（２）　　シャッタ板８の鉛直下方およびシャッタ板８
の駆動軌跡延長上。

（３）基板ホルダ１０が回動して首振り可能なものにつ
いては、基板ホルダ１０の先端の姿勢変更時の運動軌跡
延長上。

これにより表面に付着して成長したフレークが自重を支
えきれなくなって落下したり、摺動や運動により飛散し
たりして発生する異物が蒸着源に侵入することがなくな
り、材料を純度良く保つことができる。

また基板ホルダ１０の位置における基板４もしくはサセ
プタ６の着脱時や、基板４を回転させろ（自転）ときに
発生する異物に対しては、基板ホルダ１０を円筒形のシ
ュラウド１２で囲んで蒸５ｎ源２と隔絶し、基板４上に
のみ分子線を効率よく照射させるための孔１４をシュラ
ウド１２に設けるようにした。

このようにシュラウド１２を配置することにより次に述
べるような効果もある。ある蒸着凋１２から出た分子線
の内、蒸着に寄与しない物の大部分は主に蒸着源２の前
方のシュラウド１２に付着する。またわずかに基板４の
周囲のサセプタ６や基板ホルダ１０の前面および側面に
付着した各蒸７ａ源の成分を含む混合物は、はとんど全
て円筒形のシュラウド１２の内部に落下するため、どの
蒸着源に対しても他の蒸着源の材料の成分しこよって、
・り染させることがなくクロスコンタミネーションを防
止できる。

さらにサセプタ６を用いて基板４を搬送する場合には、
サセプタ６の鍔を拡げるとともにサセプタ６の裏面で基
板ホルダ１０との着脱ができるようにした。こうするこ
とにより、蒸着物はサセプタ６の鍔に付着するため基板
ホルダ１０の保持部やヒータ部への付着は軽微となる。

サセプタ６の表面に着いたものは搬送して回収し洗、負
により除去できる。

また蒸着源２の開口部２ＡとそのＱＢ直上方のシュラウ
ド１日との間の距離をできるだけ大きくして、単位面積
当りの付着量を低減させる。さらに付符異物を回収する
ためにシュラウド１６に穴１８を１投けその穴１８を再
生可能なプレート２０で蔽い、このブＩノート２０に蒸
着物を付着させる。

このプレート２０に冷却手段を設ければ積極的に付着さ
せることができるし、加熱手段を設ければ付着させずに
清浄な表面を保つことができる。

さらに、真空中で穴１８に対する露呈位置を変化させる
機能や表面に着いた蒸若物を取り除いて再生させる機能
を設けてもよい。このようなプレート２０を用いれば蒸
着源開口部２Ａの鉛直上方の体積物が１Ｒ力降下する前
にｌ収できるので蒸着源２を清浄に保つことができる。

各蒸着源開口部２Ａの前方に設けるシャッタ板８は、略
鉛直に保つことにより異物の飛散範囲を狭くすることが
できるので蒸着′ｒＡ２の配置上優位なものである。

ここに、分子線蒸着装はの廓動部として基板ホルダ１０
、シャッタ板８および搬送物に関して述べてきたが、ビ
ューイングポート川シャッタやｒ＜ＨＥＥＤ用シャッタ
等の他の廓肋部についても前述と同じように蒸着源２へ
の汚染防止を配慮した配はとすることはいうまでもない
。

ところで、例えば■−■族の材料を蒸着する分子線蒸着
装置において、Ｉｌｌ族であるＧａの蒸着源より発した
Ｇａ分子は基板に付着する他にシュラウドや基板ボルダ
やシャッタ板に付着する。Ｇａは活性でありＩｔ２．ｌ
Ｉ２０．Ｃ○等の槽内の残留ガスや池の蒸着源から発し
たＡｓ、Ａｌ、Ｓｉ等と反応して安定化する。

いっぽう、■旗であるＡｓは通常Ｇａよりも過剰に供給
されるため、基板以外に付着しているフレーク状の付着
物の主成分はＡｓである。またその中には、前述の不純
物と一緒にＯａも混在する。

このフレークが表面との付着力にまさる自身を支さえき
れない重さにまで成長した場合に重力落下したり、装置
の機構部の運動によって加速度を与えられた場合には主
に運動方向に飛散したりする。

剥離落下したフレークが例えば１く−ピング用のＳｉの
蒸着源の中に侵入したときには上述の不純物やＡｓやＧ
ａなどと反応し基板上で結晶欠陥の核と成るような物質
を生成させる１、また蒸着源の温度を低下させてドーピ
ング濃度がずれる不都合が生じる。

従って、良質の薄膜を得るためには蒸着源に異物を混入
させないことが肝要であり、本実施例のようにすること
によって蒸着源への異物混入が低減される。

以下、いくつかの実施例について更に詳細に説明する。

第１図において真空に排気された蒸着室２２には、基板
ホルダ１０と蒸着源２とシュラウド１２゜１６．２４と
シャッタ叩動機構２６とシャッタ板８、搬送用シャッタ
晩動機構２８と搬送用シャッタ３０、およびプレート２
０の回転１駆動機構コ３２が取付けられている。また第
１図には示していないがこの他にも真空計測定子や四重
極質量分析計ヘッド、およびＰ　ＨＥ　Ｅ　Ｄやオージ
ェ電子分光）（Ｈのヘッドなどが取付けられていても良
い。

基本ホルダ１０は基板４を加熱させるヒータ（符号を付
せず）と基板４が収納されたサセプタ６！！！−自転さ
せるための回転駆動機構（符号を付せず）とサセプタ６
を保持する機（１ｉ（符号を付せず）をもっている。

蒸着′ｒＡ２は分子線セルとしたが、ガスソースセル、
ＥＢガンもしくはスパッタガンのどれであってもよい。

蒸着室２２はゲートバルブ３４を介して搬送準備室３６
と連結されており、搬送準備室３６の中には被搬送物で
あるサセプタ６が収納できる構造、および隈送のための
手段例えばトランスファマニピュレータ（図示せず）が
設けられている。

本実施例における基板４への薄膜の蒸着手順は通常の分
子線蒸着装置と同様である１、すなオ〕ち、あらかじめ
蒸着室２２は真空排気され、不純物ガスはベーキング等
の手段により可能な限り除去されている。次にゲートバ
ルブ３４と１般送川シヤツタ板３０を開き、シュラウド
１２，１Ｇに設けられた搬送用開口部３８．４０によっ
て搬送路を形成し、搬送の手段を用いてサセプタ６を基
板ホルダ１０へ取付け、しかる後、搬送路は閉じられる
。

これより先に蒸着ｇ２は蒸着のための昇温や、スパッタ
等の準備が成されており、ついで基板４を昇温さ仕る。

所定の温度に制御されたのを確認した後、シャッタ板８
を分子線通過用孔１４から外れた位置へ移動させ、基板
上に薄膜を蒸着させる。

所定の時間経過するとシャッタＦｉ８を閉じて地板４を
降温させる。降温後、隈入時と同様に搬送経路を形成し
てサセプタ６を蒸着室２２から搬送準備室３６に取り出
す。続いて蒸着する別のサセプタ６を蒸着室２２に新た
に搬入する。この基板に対する降温から搬送、昇温に到
る間、蒸；？：ｉ源２は次の蒸着に備えて蒸着時と同一
かまたは若干小さな出力にコントロールされている。こ
れを繰り返すことにより、薄膜を連続して形成できる。

本実施例において、サセプタ６は、基板ホルダ１０の最
下面の取付は部より拡がっており、このため基板ホルダ
１ｏの下面への蒸着物の付着が防止されている。またサ
セプタ６の回転に伴って発生する摺動異物や基板ホルダ
１０の側面のカバーに付着して落下する蒸着異物はサセ
プタ６の裏面で回収されるので、蒸着源２の内部に侵入
することがない。

またシュラウド１２は基板ホルダ１０を取り囲み、蒸着
源２との間を仕切るように配置された円筒形とした。さ
らに分子線の通過する位置には、分子５腺通過用孔１４
を設けた。基板４の表面での蒸着に寄与しない分子線の
大部分はシュラウド１２の外側に付着するが付着物の着
ている面が鉛直になっており蒸着源２と離れているため
蒸着物が蒸着源２の内部に落下することがない６第１図
においてシャッタｆ２８はシュラウド１２の内側に設け
たが、シュラウド１２の外側に設けてもよい。

シャッタ板８の蒸着物が付着する部位の面は鉛直面とし
、分子線通過用孔１４に対して出入りさせる構成とした
。このためシャッタ板８に付着した蒸着物は蒸着源２の
内部に落下することがない。

第６図に従来の分子線蒸着装置の構造の１例を示す。搬
送準備中にある搬送のための磁気結合装置によりなるト
ランスファマニピュレータ４２と、サセプタ４４を複数
枚保持できるカセット−ヒ下機構４６とを加えて示した
。従来の装置では、第６図で示す左側の蒸着源４８Ａよ
り発した分子は第６図の破線のように飛来しシュラウド
５０の内側へ付着する。シュラウド５０の表面の付着物
はやがて厚くなると剥がれて右側の蒸着源４８Ｂに源落
下する。蒸着源４８　、Ａと蒸着＠４８Ｂとの蒸着材料
は通常異なるため蒸着１１Ｊ１４８Ｂの材料の純度が低
下してしまう。尚、符号５２はシャッタ板、５４はその
駆動機構である。

これに対して、本実施例の第１図に示す装置では蒸着ｇ
２と基板ホルダ１０との間に円筒形のシュラウド１２が
あるため、蒸着′ｇ２の開口部２Ａに対して露呈してい
る壁面には主に蒸着’ｔＪＦａ　２の材料のみが付着し
ているので、もしもフレーク状の異物が混入しても蒸着
材料の汚染は最ノ」１限に抑えることができ、クロスコ
ンタミネーションの防止が図られている。

また蒸着源２と隣合う他の蒸着源（図示せず）との間は
シュラウド１２に設けた隔壁またはフィンで隔絶し、各
蒸着源間の相互汚染の防止をはかった。

また第１図において右側の基板が搬送される経路部のサ
セプタ６やトランスファマニピュレータの構造物の通過
する最大幅での鉛直下方の位置には、蒸着源を設けない
ことにした。

ところで蒸着源２の開口部２Ａの鉛直上方に照射された
分子線による付着物は、通常時間とともにノブ＜なりつ
いには落下するが、本実施例においてはシュラウド１６
の蒸着源２の開口部２Ａの鉛直下方に当る位置に穴１８
を設け、さらに防着プレート２０とその回転駆動機構３
２を設けて穴１８からシュラウド１６内を覗く防着プレ
ート２０の面を変えることができるようにした。

この防着プレート２０は常温としたが、冷却もしくは加
熱のできる構造としてもよい。サセプタ６を順次搬送し
て一定の回転蒸着が行われたら、回転駆動機構３６を約
１／４回転させて防着プレート２０の付着物が落下する
前にシュラウド１６の裏面へ移動させ、穴１８へは蒸着
物の７ηいていない面を露呈させることにした。これに
より、蒸着源２の開口部２Ａへ蒸着物のの落下を低減さ
せた。

他の実施例を第２図により説明する。第２図には蒸着Ｎ
／Ｘ　２と基板ホルダ５６との位置関係を模式的に示し
た。基板ホルダ５６に対して水平な真横の位置から見た
（ａ）図に対して、基板ホルダ５６の裏面側から見たも
のが（ｂ）図である。公転可能な基板ホルダ５６は（ａ
）図で基板取付は面を下方にした２点鎖線で示した位置
で基板が取付けられる。次に成長のため実線で図示した
位）ａに公転され基板上に蒸着が成されるが、この公転
時の運動により異物を飛散させる。そこで基板ホルダ５
６の最大幅の運動軌跡の延長上に当る範囲（図中の斜線
で示した範囲）には蒸着源２の開口部２Ａを配置しない
ことにした。

また他の実施例を第３図および第４図を用いて説明する
。本実施例では回転によるシャッタ板の駆動方式を採用
した。第３図の隣合った蒸着源のシャッタ板５８Ａ、５
８Ｂの蒸着面はほぼ鉛直に保た九、シャッタ板５８Ａ、
５８Ｂは回転軸６０に対してほぼ垂直に取付けられてい
る。言い換えると回転軸６０は第３図（ｂ）のように略
水平になっている。こうしたことにより回・航中も１用
いたときも閉じたときもシャッタ板５８Ａ、５８Ｂの面
を鉛直に保つことができる。

第３し１と同じ方式のシャッタ板の配置を有する装置の
蒸着源とシャッタ板５８Ａ〜５８Ｇを上方より見降ろし
た模式図が第４図である。シャッタ板の軌跡の延長線を
図中に破線で示した。各シャッタ板５８Ａ〜５８Ｇの破
線で示した軌跡延長７腺上に全ての蒸着源２の開口部２
Ａがないために開閉動作時に発生する異物は蒸着源２の
材料中に混入することがない。もちろん各シャッタ板５
８　Ａ〜５８Ｇはそれぞれの対応する蒸着源と鉛直方向
に重ならないようにしているのは言うまでもない。

ところで第２図に示したような各蒸着源の取付は位置が
同一高さにない装置の場合でも、シャッタ板を略鉛直に
、回転軸を略水平に保ちシャッタ板の開閉時の運動軌跡
の延長線上に他の蒸着源の開口部を配置しないようにす
ることができる。

第５図により他の実施例を説明する。第１図に示した装
置において、回転駐動機構３２を開動させて防着プレー
ト２０を回転させながら表面に付着した蒸着物のフレー
ク６０をカッター６２で除去しシュラウド１６の裏面側
へ落下させる。このフレーク６０は蒸着源２の開口部２
Ａに落下することがなく蒸着材料を清浄に保つことがで
きる。

またこの防着プレート２０に対して積極的に蒸着物を回
収するために冷却手段を設けてもよい。これとは逆に積
極的に加熱して防着プレート２０の表面から蒸着物を揮
発させる方法を選択してもよい。

〔発明の効果〕

以上、本発明によれば蒸着源の材料中に混入する異物を
低減し材料の純度を保ことかできるので、基板に甚品位
の薄膜が形成できる。この結果電子部品等の生産におけ
る歩留まりが向上し、高い生産性を有する分子線蒸着装
置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は基
板ホルダの運動軌跡と蒸着源の配Ｅ１．を模式的に示し
た図、第３図は本発明によるシャッタの配置図、第４図
は第３図と同一方法のシャッタの配置における蒸着源と
の位置関係を示すための鉛直上方より見降ろした模式図
、第５図は蒸着源と防着プレートとの位置関係を示す分
子線蒸着装置の部分的な縦断面図、第６図は従来例の縦
断面略図である。 ２・・蒸着源、２Ａ・・・蒸着源開口部、４・・・裁板
、６・・・サセプタ、８．５８Ａ〜５８Ｇ・・シャッタ
手入、１０．５６・基本ホルダ、１２，１６．２４シユ
ラウド、１４・・・分子線通過孔、１８・・穴、２０・
・防着プレート、２２・・・蒸着室。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に蒸着材料の薄膜を
   形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室内に、前記蒸着源と前記基板ホルダとを隔て
   るシュラウドが設けられ、該シュラウドは、該蒸着源の
   開口部と該基板ホルダに保持された基板とを結ぶ線上に
   分子線通過孔を有し、該分子線通過孔を通過した分子線
   のみが該基板上に薄膜を形成するものであることを特徴
   とする分子線蒸着装置。 ２、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に蒸着材料の薄膜を
   形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室内に、前記蒸着源と前記基板ホルダとを隔て
   ると共に該蒸着源の開口部どうしの間に隔壁を有するシ
   ュラウドを設け、該シュラウドは、該蒸着源と該基板ホ
   ルダに保持された基板とを結ぶ線上に分子線通過孔を有
   し、該分子線通過孔を通過した分子線のみが該基板上に
   薄膜を形成するものであることを特徴とする分子線蒸着
   装置。 ３、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、鉛直に設けられた基板ホルダの下面に、
   前記基板の取付けられたサセプタを搬送して水平に取付
   ける手段を具備したものであって、該サセプタが該基板
   ホルダの下面より大きい寸法のものであることを特徴と
   する分子線蒸着装置。 ４、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、前記蒸着源の開口部と前記基板ホルダの
   基板取付部とを取り囲むシュラウドを設けたものであっ
   て、該シュラウドは該蒸着源の開口部の鉛直上方に開孔
   を有し、該開孔の上方に取り外し可能なプレートを設け
   たものであることを特徴とする分子線蒸着装置。 ５、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、前記蒸着源の開口部と前記基板ホルダの
   基板取付部とを取り囲むシュラウドを設けたものであっ
   て、該シュラウドは該蒸着源の開口部の鉛直上方に開孔
   を有し、該開孔の上方に駆動機構によって移動可能なプ
   レートを設けると共に、該プレートは該開孔を外れた位
   置の下面に接してカッターを設けたものであることを特
   徴とする分子線蒸着装置。 ６、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、前記蒸着源の開口部と前記基板ホルダの
   基板取付部とを取り囲むシュラウドを設けたものであっ
   て、該シュラウドは該蒸着源の開口部の鉛直上方に開孔
   を有し、該開孔の上方に駆動機構によって移動可能なプ
   レートを設けると共に、該プレートは冷却又は加熱され
   るものであることを特徴とする分子線蒸着装置。 ７、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は内面を遮蔽するシュラウドを備えると共に
   、前記蒸着源の開口部に近接して前記基板を照射する分
   子線を遮断するシャッタ板が設けられたものであって、
   該シャッタ板は、該分子線の基板を照射する中心軸に対
   して所定の角度を有し、該所定の角度は該シャッタ板の
   軌跡延長線上が該蒸着源及び他の蒸着源の開口部でなく
   直接前記シュラウドとなる角度のものであることを特徴
   とする分子線蒸着装置。 ８、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は内面を遮蔽するシュラウドを備えると共に
   、前記蒸着源の開口部に近接して前記基板を照射する分
   子線を遮断するシャッタ板が設けられたものであって、
   該シャッタ板は、該蒸着源の開口部の遮蔽時、露呈時及
   び移動時共に表面が略鉛直に保持され、且つ該シャッタ
   板の軌跡延長線上が該蒸着源及び他の蒸着源の開口部で
   なく直接前記シュラウドとなる角度のものであることを
   特徴とする分子線蒸着装置。 ９、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した複
   数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該蒸
   着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は内面を遮蔽するシュラウドを備えると共に
   、前記基板ホルダは回動して前記基板面の角度を変化さ
   せるものであって、該基板ホルダの回動方向に前記蒸着
   源の開口部がなく直接前記シュラウドであることを特徴
   とする分子線蒸着装置。 １０、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した
   複数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該
   蒸着源から分子線を照射して該基板上に蒸着材料の薄膜
   を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、前記基板ホルダに前記基板の取付けられ
   たサセプタを搬送して取付ける手段を具備したものであ
   って、該搬送路の下方を除いた部位に前記蒸着源の開口
   部を配設したものであることを特徴とする分子線蒸着装
   置。 １１、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した
   複数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該
   蒸着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄
   膜を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、内面を遮蔽する第１のシュラウド及び前
   記蒸着源と前記基板ホルダとを隔てる第２のシュラウド
   が設けられ、該第２のシュラウドは、該蒸着源の開口部
   と該基板ホルダに保持された基板とを結ぶ線上に分子線
   通過孔を有し、該分子線通過孔を通過した分子線のみが
   該基板上に薄膜を形成するものであると共に、該分子線
   通過孔に近接して該基板を照射する分子線を遮断するシ
   ャッタ板を設け、該シャッタ板は該分子線通過孔の遮蔽
   時、露呈時及び移動時共に表面が略鉛直に保持され、且
   つ該シャッタ板の軌跡延長線上が該蒸着源及び他の蒸着
   源の開口部でなく直接前記第１あるいは第２のシュラウ
   ドとなるものであることを特徴とする分子線蒸着装置。 １２、真空に排気される蒸着室に、蒸着材料を充填した
   複数の蒸着源と基板を保持する基板ホルダとを備え、該
   蒸着源から分子線を照射して該基板上に該蒸着材料の薄
   膜を形成する分子線蒸着装置において、 前記蒸着室は、内面を遮蔽する第１のシュラウド及び前
   記蒸着源と前記基板ホルダとを隔てる第２のシュラウド
   が設けられ、該第２のシュラウドは、該蒸着源の開口部
   と該基板ホルダに保持された基板とを結ぶ線上に分子線
   通過孔を有し、該分子線通過孔を通過した分子線のみが
   該基板上に薄膜を形成するものであると共に、該分子線
   通過孔に近接して該基板を照射する分子線を遮断するシ
   ャッタ板を設け、該シャッタ板は該分子線通過孔の遮蔽
   時、露呈時及び移動時共に表面が略鉛直に保持され、且
   つ該シャッタ板の軌跡延長線上が該蒸着源及び他の蒸着
   源の開口部でなく直接前記第１あるいは第２のシュラウ
   ドとなるものであり、更に該第１のシュラウドは、該蒸
   着源の開口部の鉛直上方に開孔を有し、該開孔の上方に
   取り外し可能なプレートを設けたものであることを特徴
   とする分子線蒸着装置。