JPH03294478A - Formation of compound layer - Google Patents
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- JPH03294478A JPH03294478A JP30534089A JP30534089A JPH03294478A JP H03294478 A JPH03294478 A JP H03294478A JP 30534089 A JP30534089 A JP 30534089A JP 30534089 A JP30534089 A JP 30534089A JP H03294478 A JPH03294478 A JP H03294478A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、基材の表面内部に窒化物、酸化物。
ハロゲン化物等の化合物層をイオン注入法により形成す
る方法に間し、特に上記化合物を高濃度に含む層を形成
する方法に関する。The present invention uses nitrides and oxides inside the surface of the base material. The present invention relates to a method of forming a layer of a compound such as a halide by ion implantation, and particularly to a method of forming a layer containing a high concentration of the above compound.
従来、イオン注入による化合物の形成方法として、珪緊
および窒素を同時または順次または相互に基体にイオン
注入することにより、基体内部に高濃度の酸窒化珪素層
を形成し、注入した窒素の熱的安定性を大きく向上する
方法が知られている。
（例えばＭａｔ、 Ｒｅｓ、 Ｓｏｃ、 Ｓｙｍｐ、
Ｐｒｏｃ、 Ｖｏｌ、＋２８゜ｐ５１９． （＋９８９
））Conventionally, as a method for forming compounds by ion implantation, silicon and nitrogen are ion-implanted into a substrate simultaneously, sequentially, or mutually to form a highly concentrated silicon oxynitride layer inside the substrate, and the thermal effects of the implanted nitrogen are Methods are known to greatly improve stability. (For example, Mat, Res, Soc, Symp,
Proc, Vol, +28°p519. (+989
))
しかしながら、上記従来の窒化珪素層の形成方法におい
て、窒素をさらに高濃度に含む酸窒化珪素層を形成する
ために、窒素と珪素の注入量を増加させると、第３図に
示すように注入層内部にバブルが発生するという重大な
問題があった。However, in the above-described conventional method for forming a silicon nitride layer, when the amount of nitrogen and silicon implanted is increased in order to form a silicon oxynitride layer containing a higher concentration of nitrogen, the implanted layer becomes larger as shown in FIG. There was a serious problem of a bubble forming inside.
上記従来の問題を解決するために、本発明は、基材の表
面に、少なくとも２種以上の元素をイオン注入すること
により、該注入元素の化合物を含む層を基材内部に形成
する方法において、該注入元素の内の気体元素または容
易に気化する元素のイオン注入を、加速エネルギーを変
えながら行なうか、またはイオンビームの入射を基材に
対して特定の入射角度をもたせながら行なうか、または
該入射角度を変えながら行なっている。
また、本発明は基材の表面に第１の元素および第２の元
素をそれぞれイオン注入することにより、該第１の元素
と該第２の元素との化合物を含む層を基材内部に形成す
る方法において、加速エネルギーの設定値により該２種
の元素の注入濃度のピーク位置を同じにした時に、分散
が小さくなる元素の注入を、段階的または連続的に、加
速エネルギーまたは入射角度を変えながら行なう化合物
層の形成方法である。
本発明は、窒素、酸素、ハロゲン元素等の、過剰にイオ
ン打ち込みを行なうと基体内にバブル（気胞）を発生す
る、気体元素または容易に気化する元素のイオン注入に
おいて、これら元素あるいは金属元素の投影飛程の分散
を増加させ、例えば同時に注入する金属元素の深さ方向
分布に対して、各深さにおいて化学量論比を越えないよ
うに注入条件を工夫するものである。
第１の方法は、窒素、酸素、ハロゲン元素等のイオン注
入において、これと結合して化合物を形成する金属元素
濃度のピーク深さ付近に注入元素を分散させるために、
加速エネルギーを２段階以上に変化させる（たとえば注
入した金属元素濃度のピーク深さに対し、より深い位置
および浅い位置に各々ピーク濃度が来るように加速エネ
ルギーを設定する）方法である。加速エネルギーの変化
は、２段階以上であっても、また連続的に変化させても
構わない。ただし、各注入エネルギーで注入した元素量
の総和の分布が金属元素の注入分布と一致し、各深さで
の濃度が両者の化学量論比を満たすよう、注入エネルギ
ーと注入量を決定することが望ましい。
通常の条件においては、該加速エネルギーを５％より少
なく変化させたのでは、本発明の効果が明らかとなりに
くいので５％以上変えることが好ましい。特に５％〜１
００％変化させることにより、本発明の効果が、顕著と
なるので望ましい。
第２の方法は、窒素、酸素、ハロゲン元素等のイオン注
入において、これと結合して化合物を形成する金属元素
濃度のピーク深さ付近に注入元素を分散させるために、
基材を傾斜させ、イオンビームの入射角を段階的または
連続的に変化させる方法であり、注入エネルギーと注入
量、イオンビームの入射角は、各深さでの注入元素濃度
が金属元素濃度と化学量論比を満たすよう決定すること
が望ましい。
イオンビームを、基材に対して入射角度を持つように入
射させる、または該入射角度を段階的または連続的に変
化させることは、到達するイオンの基材表面からの距離
が変化し、イオンの濃度分散を増加させることができる
。
該イオンの入射角（垂直入射を０°とする）は、加速エ
ネルギー 加速イオン種、基材の材質等の条件によって
Ｓｌ！Ｉ整されるが、該角度を５°より小さくすると、
本発明の効果が明らかとなりにくい。
また８０°より大きくすると注入した元素が基村内に残
留する割合が著しく低下するので、５°〜８０°の範囲
の入射角度で注入するのが好ましい。
また、前記範囲内で入射角度を段階的または連続的に変
化させることによっても、本発明の効果が現れる。
また、第１の方法と第２の方法を朝合せることも有効で
ある。さらに、金属のイオン注入において、注入エネル
ギーおよび／またはイオンビームの入射角度を変化させ
た場合においても、金属元素の分布に合わせて上記方法
を実施することにより、バブルの抑制が可能である。
また、イオン注入時に基板を加熱（基板の融点未満の温
度）し、注入した窒素、酸素、ハロゲン元素の拡散を促
進させることは、上記方法の効果を高め、イオン注入時
に生した欠陥の回復に効果的である。イオン注入時に生
じた欠陥の回復に間しては、基板の融点未満の温度で注
入後に熱処理することも有効である。In order to solve the above conventional problems, the present invention provides a method for forming a layer containing a compound of the implanted elements inside the base material by ion-implanting at least two or more elements into the surface of the base material. , the ion implantation of a gaseous element or an easily vaporized element among the implanted elements is performed while changing the acceleration energy, or the ion beam is implanted at a specific angle of incidence with respect to the base material, or This is done while changing the incident angle. Moreover, the present invention forms a layer containing a compound of the first element and the second element inside the base material by ion-implanting the first element and the second element into the surface of the base material. In this method, when the peak positions of the implanted concentrations of the two types of elements are made the same according to the set value of acceleration energy, the element whose dispersion becomes smaller is implanted by changing the acceleration energy or the incident angle stepwise or continuously. This is a method for forming a compound layer while The present invention is applicable to the ion implantation of gaseous elements or elements that easily vaporize, such as nitrogen, oxygen, and halogen elements, which generate bubbles within the substrate if excessive ion implantation is performed. The dispersion of the projected range is increased and, for example, the implantation conditions are devised so that the stoichiometric ratio is not exceeded at each depth with respect to the depth distribution of metal elements implanted at the same time. The first method is to disperse the implanted element near the peak depth of the concentration of the metal element that combines with the ion implantation of nitrogen, oxygen, halogen elements, etc. to form a compound.
This is a method in which the acceleration energy is changed in two or more steps (for example, the acceleration energy is set so that the peak concentration is at a deeper position and a shallower position, respectively, with respect to the peak depth of the implanted metal element concentration). The acceleration energy may be changed in two or more steps, or may be changed continuously. However, the implantation energy and implantation amount must be determined so that the distribution of the total amount of elements implanted at each implantation energy matches the implantation distribution of the metal element, and the concentration at each depth satisfies the stoichiometric ratio of both. is desirable. Under normal conditions, if the acceleration energy is changed by less than 5%, the effects of the present invention will not be apparent, so it is preferable to change it by 5% or more. Especially 5%~1
00% change is desirable because the effect of the present invention becomes remarkable. The second method is to disperse the implanted element near the peak depth of the concentration of the metal element that combines with the ion implantation of nitrogen, oxygen, halogen elements, etc. to form a compound.
This is a method in which the base material is tilted and the incident angle of the ion beam is changed stepwise or continuously.The implantation energy, implantation amount, and ion beam incidence angle are determined so that the implanted element concentration at each depth is the same as the metal element concentration. It is desirable to determine the stoichiometric ratio. Making the ion beam incident on the substrate at an incident angle, or changing the incident angle stepwise or continuously, changes the distance of the arriving ions from the substrate surface, causing the ions to Concentration dispersion can be increased. The incident angle of the ions (vertical incidence is 0°) depends on conditions such as acceleration energy, accelerated ion species, and substrate material. However, if the angle is made smaller than 5°,
The effects of the present invention are difficult to become clear. Furthermore, if the angle of incidence is greater than 80°, the proportion of the implanted element remaining in the base layer will be significantly reduced, so it is preferable to implant at an incident angle in the range of 5° to 80°. Further, the effects of the present invention can also be obtained by changing the incident angle stepwise or continuously within the above range. It is also effective to combine the first method and the second method in the morning. Furthermore, even when the implantation energy and/or the incident angle of the ion beam are changed in metal ion implantation, bubbles can be suppressed by implementing the above method in accordance with the distribution of the metal element. In addition, heating the substrate (to a temperature below the melting point of the substrate) during ion implantation to promote the diffusion of the implanted nitrogen, oxygen, and halogen elements increases the effectiveness of the above method and helps recover defects caused during ion implantation. Effective. For recovery from defects caused during ion implantation, it is also effective to perform heat treatment after implantation at a temperature below the melting point of the substrate.
本発明において、窒素、酸素、ハロゲン元素等のイオン
注入を加速エネルギーを変えながら行なうか、またはイ
オンビームの入射を入射角度をもたせながら行なうか、
または該入射角度を変えながら行なっているので、注入
元素の分散を増加させ、これら元素が効率良く金属死票
と結合するよう作用する。また、イオン注入時の基板の
加熱は、注入した窒素、酸素、ハロゲン元素の拡散を促
進させ、金属原子との結合を促進し、さらにイオン注入
によって生じた基板中の欠陥を回復するよう作用する。In the present invention, the ion implantation of nitrogen, oxygen, halogen elements, etc. is performed while changing the acceleration energy, or the ion beam is implanted while changing the angle of incidence.
Alternatively, since the injection is performed while changing the incident angle, the dispersion of the implanted elements is increased and these elements are efficiently combined with the metal dead chip. In addition, heating the substrate during ion implantation promotes the diffusion of the implanted nitrogen, oxygen, and halogen elements, promotes bonding with metal atoms, and also acts to recover defects in the substrate caused by ion implantation. .
実施例−１
石英ガラス基板をイオン注入装置内に挿入し、まずはじ
めに珪素イオンを加速エネルギー：１００ ｋ ｅ Ｖ
、 注入量： １． ７１ Ｘ １０”１ｏｎｓ／
ｃｍ２の条件で基板に対して垂直に打ち込んだ。
イオン注入した珪素の深さ方向分布のＬＳＳ理論による
計算結果を第１図（ａ）に示す。
この後、窒素のイオン注入を２段階に分け、加速エネル
ギー：６０ｋｅＶ、 注入量：１．３１Ｘ１０ ”
１ｏｎｓ／ ｃ ｍ２、および加速エネルギー： ４０
ｋ ｅ Ｖ、 注入量： ０． ９８Ｘ １０１
７ｉｏｎｓ／ｃｍ２の２つの条件でそれぞれ基板に対し
て垂直に打ち込んだ。
この方法でイオン注入した窒素の深さ方向分布のＬＳＳ
理論による計算結果を、第１図（Ｃ）に示す。第１図（
ｃ）中の点線は、２段階で注入された窒素濃度の総和を
示している。
この試料の断面を走査電子顕６１鏡により観察した結果
を第２図に示す。
比較例
石英ガラス基板をイオン注入装置内に挿入し、実施例と
同様の条件で珪素イオンを打ち込んだ。
次に、窒素を加速エネルギー：５０ｋｅＶ、 注入量
： ２．２９ＸＩＯ１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２の条件でイ
オン注入した。
珪素および窒素注入後の試料の断面を走査電子顕微鏡に
より観察した結果を第３図に示す。
第１図（ｂ）は本比較例の窒素の深さ方向分布のＬＳＳ
理論による計算結果である。
第１図（ｃ）の点線で示す実施例−１の窒素の濃度分布
と、第１図（ｂ）の比較例の窒素の濃度分布とを比較す
ると、窒素の総注入量は同しであるが、窒素のピーク濃
度が第１図（Ｃ）の方が第１図（ｂ）より低下し、分散
が大きくなっていたことがわかる。
また、第２図と第３図を比較すると、第３図には、窒素
と珪素の注入ピーク付近にバブルが多数発生しているの
に対し、第２図に示された断面にはバブル構造はほとん
ど認められず、本発明がバブル発生の抑制に大きな効果
を有することが解る。
実施例−２
次にイオン注入の入射角度を変化させた場合の実施例に
ついて説明する。
石英ガラス基板をイオン注入装置内に挿入し、実施例−
１と同様の条件で、珪素をイオン注入した。
次に、窒素を加速エネルギー＋６０ｋｅＶ、 注入量
： ２．２９Ｘ１０” １ｏｎｓ／ｃｍ２． イオ
ンビームの入射角度（基板垂線に対する角度）３０゜の
条件でイオン注入した。
珪素および窒素注入後の試料の断面を走査電子顕微鏡に
より観察した結果、実施例−１と同様本発明がバブル発
生を抑制する効果があることが確認された。Example-1 A quartz glass substrate is inserted into an ion implanter, and silicon ions are first accelerated at an energy of 100 k e V.
, Injection amount: 1. 71 x 10”1oz/
It was implanted perpendicularly to the substrate under the condition of cm2. FIG. 1(a) shows calculation results of the depth distribution of ion-implanted silicon using the LSS theory. After this, nitrogen ion implantation was divided into two stages, acceleration energy: 60 keV, implantation amount: 1.31X10''
1ons/cm2, and acceleration energy: 40
k e V, injection volume: 0. 98X 101
The implantation was performed perpendicularly to the substrate under two conditions of 7 ions/cm2. LSS of the depth distribution of nitrogen ion-implanted using this method
The theoretical calculation results are shown in FIG. 1(C). Figure 1 (
The dotted line in c) shows the total nitrogen concentration implanted in two stages. The cross section of this sample was observed using a scanning electron microscope 61, and the results are shown in FIG. Comparative Example A quartz glass substrate was inserted into an ion implanter, and silicon ions were implanted under the same conditions as in the example. Next, nitrogen ions were implanted at an acceleration energy of 50 keV and an implantation amount of 2.29XIO17 ions/cm2. FIG. 3 shows the results of observing a cross section of the sample after implanting silicon and nitrogen using a scanning electron microscope. Figure 1(b) shows the LSS of the nitrogen depth distribution in this comparative example.
These are calculation results based on theory. Comparing the nitrogen concentration distribution of Example-1 shown by the dotted line in Figure 1(c) with the nitrogen concentration distribution of the comparative example in Figure 1(b), the total amount of nitrogen implanted is the same. However, it can be seen that the peak concentration of nitrogen in FIG. 1(C) was lower than in FIG. 1(b), and the dispersion was larger. Furthermore, when comparing Figures 2 and 3, in Figure 3 many bubbles are generated near the injection peaks of nitrogen and silicon, whereas in the cross section shown in Figure 2 there is no bubble structure. It can be seen that the present invention has a great effect on suppressing bubble generation. Example 2 Next, an example in which the incident angle of ion implantation is changed will be described. Inserting the quartz glass substrate into the ion implanter, Example
Silicon ions were implanted under the same conditions as in No. 1. Next, nitrogen ions were implanted at an acceleration energy of +60 keV and an implantation amount of 2.29 x 10" 1 ounce/cm2. The incident angle of the ion beam (angle with respect to the normal to the substrate) was 30 degrees. The cross section of the sample after silicon and nitrogen implantation was As a result of observation using a scanning electron microscope, it was confirmed that the present invention has the effect of suppressing bubble generation as in Example-1.
本発明によれば、化合物（望化物、酸化物、ハロゲン化
物）を高濃度に含む層を、バブルを形成することなしに
、ガラス等任意の基板の表面層内部に形成することがで
きる。According to the present invention, a layer containing a compound (desirable compound, oxide, halide) at a high concentration can be formed inside the surface layer of any substrate such as glass without forming bubbles.
第１図はイオン注入した珪素および窒素の分布のＬＳＳ
理論による計算結果てあり、 （ａ）は注入した珪素の
分布を、 （ｂ）は注入した窒素の分布を、 （ｃ）は
２段階に注入した窒素の分布を各々示す。第２図は石英
ガラスに珪素 （Ｓｉ”、 加速エネルギー：１００
ｋｅＶ、 注入量＝１．７１ Ｘ、１０１７ｉｏｎｓ
／ ｃ ｍ２）と窒素を（Ｎ４．加速エネルギー：
６０． ４０ ｋ ｅ Ｖ、 注入量＝１．３１．０
．９ＱＸ１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２）注入した試料断面
の走査電子顕微鏡による写真である。第３図は石英ガラ
スに珪素 （Ｓ’ｊ’＋加速エネルギー＝１００ ｋ
ｅ Ｖ、 注入量： １． ７１ Ｘ １０１７ｉ
ｏｎｓ／ｃｍ２）と窒素を （Ｎ゛、加速エネルギー＝
５０ｋ ｅ Ｖ、 注入量： ２． ２９Ｘ１０”
１ｏｎｓ／ｃｍ２）注入した試料断面の走査電子顕微
鏡による写真である。
１
図
手続補正書
平成３年１月２ 日
１、事件の表示
特願平１−３０５３４０号
２、発明の名称
化合物層の形成方法
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 大阪市中央区道修町３丁目５番１１号名称 （４
００） 日本板硝子株式会社代表者 中 島 連
二
４、代理人
住所 東京都港区新橋５丁目１１番３号新橋住友ピル
日本板硝子株式会社 特許部内
７、補正の内容
ｌ）明細書の第８頁の第２０行から第９頁の第１行の「
この試料の断面を走査電子顕微鏡により観察した結果を
第２図に示す。」を削除する。
２）明細書の第９頁の第８〜９行の「珪素および窒素注
入後の試料の断面を走査電子顕微鏡により観察した結果
を第３図に示す。」を削除する。
３）明細書の第９頁の第１８行から第１０頁の第１行の
「第２図と第３図を比較すると、第３図には、窒素と珪
素の注入ピーク付近にバブルが多数発生いしているのに
対し、第２図に示された断面には」を「実施例と比較例
で得たサンプルの断面を走査電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、比較例で得たサンプルには窒素と珪素の注入ピーク
付近にバブルが多数発生しているのに対し、実施例で得
たサンプルには」と訂正する。
６、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄
補正の内容
第２図、第３図を削除する。
明細書の第１１頁の第７行〜第１２行の「穿２図は・・
による写真である。」を削除する。
明細書の第１１頁の第１２行〜第１８行の「第３図は・
・による写真である。」を削除する。
住所 大阪市中央区道修町３丁目５番１１号氏名 （４
００） 日本板硝子株式会社代表者 中高 達二 １
１碑Ｆ
４、代理人
住所 東京都港区新橋６丁目１１番３号新橋住友ビル
日本板硝子株式会社 特許部 内Figure 1 shows the LSS distribution of ion-implanted silicon and nitrogen.
The results of theoretical calculations are shown: (a) shows the distribution of implanted silicon, (b) shows the distribution of implanted nitrogen, and (c) shows the distribution of nitrogen implanted in two stages. Figure 2 shows silicon (Si”) in quartz glass, acceleration energy: 100
keV, injection volume = 1.71X, 1017ions
/ cm m2) and nitrogen (N4. Acceleration energy:
60. 40 k e V, injection volume = 1.31.0
．． 9QX1017 ions/cm2) is a photograph taken by a scanning electron microscope of a cross section of the injected sample. Figure 3 shows silicon on quartz glass (S'j' + acceleration energy = 100 k
e V, injection volume: 1. 71 x 1017i
ons/cm2) and nitrogen (N゛, acceleration energy =
50k e V, injection volume: 2. 29X10”
1 ons/cm2) is a photograph taken by a scanning electron microscope of a cross section of an injected sample. 1. Written amendment to figure procedure January 2, 1991 1. Indication of the case Japanese Patent Application No. 1-305340 2. Name of the invention Method for forming a compound layer 3. Person making the amendment Relationship with the case Patent applicant address Osaka City 3-5-11 Doshomachi, Chuo-ku Name (4
00) Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Representative Ren Nakajima 24, Agent Address 5-11-3 Shinbashi, Minato-ku, Tokyo Shinbashi Sumitomo Pill Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Patent Department 7 Contents of the amendment l) Page 8 of the specification From line 20 to line 1 of page 9, “
The cross section of this sample was observed using a scanning electron microscope and the results are shown in FIG. ” to be deleted. 2) Delete "The results of observing the cross section of the sample after silicon and nitrogen implantation with a scanning electron microscope are shown in FIG. 3" in lines 8 and 9 on page 9 of the specification. 3) From line 18 on page 9 to line 1 on page 10 of the specification, "Comparing Figures 2 and 3, there are many bubbles near the injection peaks of nitrogen and silicon in Figure 3. However, in the cross section shown in Figure 2, when the cross sections of the samples obtained in Examples and Comparative Examples were observed using a scanning electron microscope, it was found that nitrogen was present in the sample obtained in Comparative Example. In contrast, many bubbles were generated near the injection peak of silicon, whereas in the sample obtained in the example.'' 6. Contents of the amendment in the Detailed Description of the Invention column of the specification to be amended, Figures 2 and 3 are deleted. On page 11 of the specification, lines 7 to 12, “Figure 2 is...
This photo is by ” to be deleted. "Figure 3 is..." in lines 12 to 18 on page 11 of the specification
This is a photo by ・. ” to be deleted. Address 3-5-11 Doshomachi, Chuo-ku, Osaka Name (4
00) Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Representative Tatsuji Nakataka 1
1 Monument F4, Agent address: Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Patent Department, Shinbashi Sumitomo Building, 6-11-3 Shinbashi, Minato-ku, Tokyo
Claims (3)
ン注入することにより、該注入元素の化合物を含む層を
基材内部に形成する方法において、該注入元素の内の気
体元素または容易に気化する元素のイオン注入を、加速
エネルギーを変えながら行なうか、またはイオンビーム
の入射を基材に対して特定の入射角度をもたせながら行
なうか、または該入射角度を変えながら行なうことを特
徴とする化合物層の形成方法。(1) A method of ion-implanting at least two or more elements onto the surface of a base material to form a layer containing a compound of the implanted elements inside the base material, in which gaseous elements or easily The method is characterized in that the ion implantation of an element that vaporizes into the base material is performed while changing the acceleration energy, or the ion beam is implanted at a specific angle of incidence with respect to the base material, or the ion beam is implanted while changing the angle of incidence. A method for forming a compound layer.
酸素およびハロゲン元素よりなる群より選ばれた少なく
とも１種の元素である請求項１記載の化合物層の形成方
法。(2) The gaseous element or easily vaporized element is nitrogen,
2. The method for forming a compound layer according to claim 1, wherein the at least one element selected from the group consisting of oxygen and halogen elements.
ぞれイオン注入することにより、該第１の元素と該第２
の元素との化合物を含む層を基材内部に形成する方法に
おいて、加速エネルギーの設定値により該２種の元素の
注入濃度のピーク位置を同じにした時に、分散が小さく
なる元素のイオン注入を、段階的または連続的に、加速
エネルギーまたは入射角度を変えながら行なうことを特
徴とする化合物層の形成方法。(3) By ion-implanting the first element and the second element into the surface of the base material, the first element and the second element are ion-implanted.
In the method of forming a layer containing a compound with the two elements inside the base material, the ion implantation of the element whose dispersion becomes smaller when the peak positions of the implanted concentrations of the two elements are made the same by the setting value of the acceleration energy is performed. A method for forming a compound layer, which is performed stepwise or continuously while changing acceleration energy or incident angle.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305340A JPH089781B2 (en) | 1989-11-25 | 1989-11-25 | Method for forming compound layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305340A JPH089781B2 (en) | 1989-11-25 | 1989-11-25 | Method for forming compound layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03294478A true JPH03294478A (en) | 1991-12-25 |
| JPH089781B2 JPH089781B2 (en) | 1996-01-31 |
Family
ID=17943935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305340A Expired - Lifetime JPH089781B2 (en) | 1989-11-25 | 1989-11-25 | Method for forming compound layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089781B2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744746A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Toyota Motor Corp | Controlling device of air-fuel ratio |
| JPS62122044A (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | Ion accelerator |
-
1989
- 1989-11-25 JP JP1305340A patent/JPH089781B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744746A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Toyota Motor Corp | Controlling device of air-fuel ratio |
| JPS62122044A (en) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | Ion accelerator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH089781B2 (en) | 1996-01-31 |
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