JPH032941A - Picture memory device - Google Patents

Picture memory device

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JPH032941A
JPH032941A JP1135805A JP13580589A JPH032941A JP H032941 A JPH032941 A JP H032941A JP 1135805 A JP1135805 A JP 1135805A JP 13580589 A JP13580589 A JP 13580589A JP H032941 A JPH032941 A JP H032941A
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JP
Japan
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picture data
data
image
reading
read
Prior art date
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Pending
Application number
JP1135805A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuhiko Demura
出村 達彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH032941A publication Critical patent/JPH032941A/en
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Image Input (AREA)

Abstract

PURPOSE:To read out the picture data in a short access time without increasing the number of complicated peripheral circuits nor increasing the power consumption by reading out the picture data on a designated position of a storage means together with the adjacent picture data. CONSTITUTION:The n-bit picture data inputted via an input means 106 is written into a storage means 101 via a writing means 104 with the adjacent relation kept among the picture elements of the picture data. When the written picture data is read out, (m) pieces of reading means 105a - 105m read out the picture data on an optional designated position (m) of the means 101 and those picture data on (m - 1) positions adjacent to the position (m). These read picture data are sent to an output means 107. Thus plural pieces of adjacent picture element data are read out at one time with a single reading access. As a result, the time required for reading the picture data out of the means 101 is extremely shortened.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、デジタル画像処理用のメモリ装置に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) This invention relates to a memory device for digital image processing.

(従来の技術) ′近年、デジタル画像処理技術が急速に発展している。(Conventional technology) 'In recent years, digital image processing technology has developed rapidly.

デジタル画像処理では、数走査線分の画像信号を半導体
メモリに記憶、再生して処理を行うことが可能であり、
従来のアナログ信号処理技術では困難であったライン間
やフィールド(またはフレーム)間の実時間処理を行う
ことが可能となっている。
In digital image processing, it is possible to store and reproduce several scanning lines of image signals in semiconductor memory and process them.
It has become possible to perform real-time processing between lines and between fields (or frames), which was difficult with conventional analog signal processing technology.

このような半導体ICメモリのうち、1ライン分の容量
を持ったものをフィールドメモリと呼び、これらの画像
メモリは半導体チップとして入手可能である。現在のテ
レビジョンセットでは、信号処理を実行する論理LSI
とは別に、上記の半導体メモリチップを複数個実装して
いるのが実情であり、処理速度やスペースの点からも上
記の画像メモリを、信号処理を実行するLSIと同じチ
ッブ内に納めたいと言う要求が強い。実際、論理LSI
に内蔵可能な画像メモリが種々開発されており、最近の
画像信号処理用LSIには画像メモリを内蔵したものが
増えている。
Among such semiconductor IC memories, those having a capacity for one line are called field memories, and these image memories are available as semiconductor chips. Current television sets use logic LSIs that perform signal processing.
Separately, the reality is that multiple semiconductor memory chips are mounted, and in terms of processing speed and space, it is desirable to house the image memory described above in the same chip as the LSI that performs signal processing. There is a strong demand to speak. In fact, logic LSI
A variety of image memories that can be built into a computer have been developed, and an increasing number of recent LSIs for image signal processing have built-in image memories.

画像メモリを用いたデジタル画像信号処理の一例として
、2次元フィルタがある。このようなフィルタでは、第
4図(a)に示すような3×3画素の画像データと、第
4図(b)に示す係数データとの間で、第4図(c)に
示す演算を行うことにより、2次元のフィルタリングを
行っている。
A two-dimensional filter is an example of digital image signal processing using an image memory. In such a filter, the calculation shown in FIG. 4(c) is performed between the 3×3 pixel image data shown in FIG. 4(a) and the coefficient data shown in FIG. 4(b). By doing this, two-dimensional filtering is performed.

ここで、上記デジタル画像処理において、画像のある画
素のデータとその画素に隣接する画素のデータとを画像
メモリより読み出す場合がある。
Here, in the digital image processing described above, data of a certain pixel of an image and data of pixels adjacent to that pixel may be read out from the image memory.

しかしながら、一般的に、上記画像の各画素のデータは
、各画素の隣接関係を保たないで上記画像メモリに書き
込まれているため、上記隣接する画素のデータを読み出
す場合、nXn画素の2次元フィルタの場合では02回
のメモリアクセスが必要となり、かなりのアクセス時間
を要すると言、う欠点がある。
However, generally, the data of each pixel of the image is written in the image memory without maintaining the adjacency relationship of each pixel, so when reading the data of the adjacent pixel, it is necessary to read out the data of the adjacent pixel. In the case of a filter, 02 memory accesses are required, which has the drawback of requiring a considerable amount of access time.

(発明が解決しようとする課題) このように従来のICメモリでは、例えば2次元フィル
タ等に利用した場合に端的に示されるように、nXn画
素の領域のデータを得るためにはn2回のメモリアクセ
スを必要とし、処理を行うまでに多くの時間を費やすと
言う欠点があった。
(Problem to be Solved by the Invention) In this way, in the conventional IC memory, as clearly shown when used in a two-dimensional filter, etc., in order to obtain data in an area of nXn pixels, it is necessary to use the memory n2 times. The drawback is that it requires access and takes a lot of time to process.

この発明は、従来装置の以上のような欠点に関してなさ
れたもので、現在開発されているメモリセルアレイに簡
単な周辺回路を設けるだけで、メモリセルの面積の増大
や消費電力の増大を招くことな〈従来よりもより短いア
クセス時間で画像データを読み出すことができる、画像
メモリ装置を提供することを目的としている。
This invention was made to address the above-mentioned drawbacks of conventional devices, and by simply providing a simple peripheral circuit to the currently developed memory cell array, it is possible to avoid an increase in the area of the memory cell or the increase in power consumption. <The object is to provide an image memory device that can read image data in a shorter access time than conventional ones.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 上記課題を解決するために、この発明の画像メモリ装置
では、デジタル化されたnビットの画像データを記憶す
る記憶手段と、画像データを入力するためのn (1m
の端子を有する入力手段と、n×m個の端子を有する出
力手段と、上記入力手段から入力された上記nビットの
画像データを画像の各画素の隣接関係を保ったまま記憶
手段の指定位置に書き込む書き込み手段と、上記記憶手
段の各ビットにおける任意の指定位置とこの指定位置に
隣接する(m−1)個の位置からm In nビットの
画像データを上記出力手段に導くための少なくともm個
の読み出し手段、とを具備し、上記記憶手段の指定位置
の画像データを隣接した(m−1)個の画像データと共
に読み出すようにしたことを要旨とするものである。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the image memory device of the present invention includes a storage means for storing digitized n-bit image data, and an n ( 1m
an input means having terminals, an output means having n×m terminals, and a storage means for storing the n-bit image data inputted from the input means at a designated position of the storage means while maintaining the adjacency relationship of each pixel of the image. at least m for guiding m In n bits of image data from an arbitrary specified position in each bit of the storage means and (m-1) positions adjacent to the specified position to the output means; The present invention is characterized in that the image data at the specified position of the storage means is read out together with (m-1) adjacent image data.

(作用) この発明の装置では、入力手段を介して入力されたnビ
ットの画像データをまず画像の各画素の隣接関係を保っ
たまま書き込み手段により記憶手段に書き込む。次にこ
のようにして書き込まれた画像データを読み出す場合は
、m個の読み出し手段によって、記憶手段の任意の指定
位置mとこの位置に隣接する(m−1)個の位置の画像
データを共に読み出し、出力手段に導く。このようにし
て1回の読み出しアクセスにより複数個の隣接画素デー
タを1度に読み出すことにより、記憶手段から画像デー
タの読み出し時間を大幅に緩和する。
(Operation) In the apparatus of the present invention, the n-bit image data inputted through the input means is first written into the storage means by the writing means while maintaining the adjacency relationship of each pixel of the image. Next, when reading out the image data written in this way, the image data at any specified position m in the storage means and (m-1) positions adjacent to this position are read out by m reading means. Read and lead to output means. In this way, by reading out a plurality of pieces of adjacent pixel data at once with one read access, the time required to read out image data from the storage means is greatly reduced.

(実施例) 以下に、この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明
する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はこの発明の1実施例にかかる画像メモリ装置の
概略構成を示すブロック図である。図において、101
は1ビツトのメモリセルアレイであって、図示してはい
ないが全体でnビットの画像情報を記憶するためにn枚
設けられている。なお、自・黒1ビットの画像データの
場合は、1ビツトに対応してメモリセルアレイ101は
1枚でよく、従ってnは1以上の整数を示すものとする
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an image memory device according to an embodiment of the present invention. In the figure, 101
is a 1-bit memory cell array, and although not shown, n cells are provided to store a total of n bits of image information. Note that in the case of image data of 1 bit for self and black, only one memory cell array 101 is required for 1 bit, and therefore n is an integer of 1 or more.

102は読み出し/書き込み兼用のロウアドレスデコー
ダ、103は読み出し/書き込み兼用のカラムアドレス
デコーダ(以下アドレスデコーダと呼ぶ)、104はn
ビット画像データの書き込み回路、105 a〜105
mは各メモリセルアレイ101に記憶されたデータを読
み出すためのm個のデータ読み出し回路である。なお読
み出し/書き込み兼用ロウ、カラムアドレスデコーダ1
02.103は各メモリセルアレイ101に内蔵される
のが一般的である。また、アドレスデコーダ102.1
03とデータ書き込み回路104によって、メモリセル
アレイへの書き込み手段が構成されており、この書き込
み手段は、nビットの画像データを画像の各画素の隣接
関係を保ったままメモリセルアレイ101に書き込む様
になっている。そして、アドレスデコーダ102.10
3とデータ読み出し回路105によってメモリセルアレ
イからのデータの読み出し手段が構成されている。この
実施例では、データ書き込み回路104およびデータ読
み出し回路105は、各メモリセルアレイ101に対し
て共通に設けられているので、データ書き込み回路10
4は1個、データ読み出し回路105はm個が存在して
いる。
102 is a row address decoder for reading/writing, 103 is a column address decoder for reading/writing (hereinafter referred to as address decoder), and 104 is n.
Bit image data writing circuit, 105 a to 105
m represents m data read circuits for reading data stored in each memory cell array 101. In addition, read/write combined row and column address decoder 1
02.103 is generally built into each memory cell array 101. Additionally, the address decoder 102.1
03 and the data writing circuit 104 constitute a writing means to the memory cell array, and this writing means writes n-bit image data to the memory cell array 101 while maintaining the adjacency relationship of each pixel of the image. ing. and address decoder 102.10
3 and the data read circuit 105 constitute means for reading data from the memory cell array. In this embodiment, the data write circuit 104 and the data read circuit 105 are provided in common for each memory cell array 101, so the data write circuit 104 and the data read circuit 105 are provided in common for each memory cell array 101.
There is one data reading circuit 105 and m data reading circuits 105.

さらに、106はメモリセルアレイ101にnビットの
画像情報を入力するための入力手段で、具体的にはnビ
ット情報に対応するn個の入力端r・から構成されてい
る。107は各メモリセルアレイ101からのm個のデ
ータを出力するための、総計rn x n例の端子から
なる出力手段である。なお、ロウアドレスデコーダ10
2にはYアドレス信号108が、カラムアドレスデコー
ダ103にはXアドレス信号109が入力されており、
メモリセルアレイ101のアドレス(a、b)を指定す
る。また、書き込みおよび読み出し回路104.105
にはコントロール信号110が入力され、各回路の動作
を制御する。
Furthermore, 106 is an input means for inputting n-bit image information to the memory cell array 101, and specifically, it is composed of n input terminals r.corresponding to n-bit information. Reference numeral 107 is an output means for outputting m pieces of data from each memory cell array 101, and is composed of a total of rn x n terminals. Note that the row address decoder 10
The Y address signal 108 is input to the column address decoder 2, and the X address signal 109 is input to the column address decoder 103.
Specify the address (a, b) of the memory cell array 101. Also, write and read circuits 104.105
A control signal 110 is input to control the operation of each circuit.

次に、上記装置の動作を説明する。Next, the operation of the above device will be explained.

第2図は、上記装置への画像データの入力方法を概念的
に示す図である。この発明の装置では、入力手段106
を介したnビットの画像入力信号をメモリセルアレイ1
01へ書き込む場合、古き込み回路104によって第2
図に示すように画像201の各画素202の情報は、基
本的に各画素の隣接関係を保ったままメモリセルアレイ
101の各メモリセル203に格納されるようにメモリ
セルのアドレスを指定して行われる。
FIG. 2 is a diagram conceptually showing a method of inputting image data to the above device. In the device of this invention, the input means 106
The n-bit image input signal is sent to the memory cell array 1 via
When writing to 01, the old write circuit 104 writes the second
As shown in the figure, information on each pixel 202 of an image 201 is basically stored in each memory cell 203 of the memory cell array 101 while maintaining the adjacency relationship between the pixels. be exposed.

次に、以上のようにしてメモリセルアレイ101に書き
込まれた画像データの読み出し動作を説明する。ここで
説明をわかりやすくするために、画像データの1フレー
ムの構成を8×8画素×1ビットとし、その中から隣接
する3×3画素を抽出するものとする。この条件に合わ
せ、第1図に示した実施例をより具体化した装置のブロ
ック図を第3図に示す。
Next, a reading operation of the image data written to the memory cell array 101 as described above will be explained. To make the explanation easier to understand, it is assumed here that one frame of image data has a configuration of 8×8 pixels×1 bit, and adjacent 3×3 pixels are extracted from the frame. In accordance with this condition, FIG. 3 shows a block diagram of an apparatus that is a more specific version of the embodiment shown in FIG. 1.

第3図において、301は8X8X 1ビツト構成のメ
モリセルアレイであり、図示するように合計84個のメ
モリセル300を有している。302は読み出し/書き
込み兼用のロウアドレスデコーダ、303は読み出し/
書き込み兼用のカラムアドレスデコーダであり、ロウア
ドレスデコーダ302には3ビツトのYアドレス信号3
08が、カラムアドレスデコーダ303には3ビ・ント
のXアドレス信号309が入力される。304は、入力
手段(図示せず)からの1ビツトの入力データ306を
メモリセルアレイ301に書き込むための書き込み回路
、305aは指定されたアドレス(a、b)のメモリセ
ルからデータを読み出す読み出し回路、305 b 、
  305 cはメモリセルアレイ301の上記指定さ
れたアドレス(a、b)の前後ノアドレス(a−1,b
)、(a+1.b)におけるメモリセルからデータを読
み出す読み出し回路である。なお読み出し回路305a
、b。
In FIG. 3, numeral 301 is a memory cell array having an 8×8×1 bit configuration, and has a total of 84 memory cells 300 as shown. 302 is a read/write row address decoder, and 303 is a read/write row address decoder.
This column address decoder is also used for writing, and the row address decoder 302 receives a 3-bit Y address signal 3.
08, a 3-bit X address signal 309 is input to the column address decoder 303. 304 is a write circuit for writing 1-bit input data 306 from an input means (not shown) into the memory cell array 301; 305a is a read circuit for reading data from a memory cell at a designated address (a, b); 305b,
305c is the address (a-1, b) before and after the specified address (a, b) in the memory cell array 301.
), (a+1.b). Note that the readout circuit 305a
,b.

Cからの1ビツトの出力データ307a、b、cは、適
当な出力端子(図示せず)を介して外部に出力される。
The 1-bit output data 307a, b, c from C is outputted to the outside via an appropriate output terminal (not shown).

310は書き込み回路304と読み出し回路305a、
b、cを制御するための制御信号の入力を示している。
310 is a write circuit 304 and a read circuit 305a,
It shows the input of control signals for controlling b and c.

また、X、Yアドレスa、bはそれぞれカラム、ロウア
ドレスデコーダに入力される。
Further, X and Y addresses a and b are input to column and row address decoders, respectively.

以上の装置において、上述したように書き込み時は書き
込み回路304により指定されたアドレス(a、b)の
メモリセルに画像データを画像の各画素の隣接関係を保
った状態で書き込む。従来の読み出し方法では、アドレ
スデコーダ302は従来と同様に指定されたロウbのす
べてのメモリセルを読み出し、そのロウの中の1つをカ
ラムアドレスデコーダで選択してアドレス(a、b)を
指定し読み出すが、この実施例の装置では指定されたX
アドレスaの前後a−1,a+lをも読み出し回路30
5b、cによって同時に読み出し出力する。このように
することにより、3つの隣接したデータを1度に読み出
すことが可能となる。
In the above device, as described above, during writing, image data is written into the memory cell at the address (a, b) specified by the writing circuit 304 while maintaining the adjacency relationship between each pixel of the image. In the conventional read method, the address decoder 302 reads all the memory cells in the specified row b in the same manner as in the conventional method, selects one of the rows with the column address decoder, and specifies the address (a, b). However, in the device of this embodiment, the specified
The circuit 30 also reads out a−1 and a+l before and after address a.
5b and 5c read and output simultaneously. By doing so, it becomes possible to read three adjacent pieces of data at once.

従って、この動作を3繰り返すことによって、3回のメ
モリアクセスで3×3画素のデータを読み出すことがで
きる。
Therefore, by repeating this operation three times, 3×3 pixel data can be read out with three memory accesses.

以上のように、上述した従来の装置では3×3画素のデ
ータを読み出すのに9回のメモリアクセスが必要であっ
たのに対し、上記実施例装置では3回でよく、従ってア
クセス時間が大幅に緩和される。
As described above, while the conventional device described above required 9 memory accesses to read 3×3 pixel data, the device of the embodiment requires only 3 accesses, which significantly increases the access time. will be relaxed.

なお上記装置では、メモリセルは従来のシングルポート
メモリを用いることができるので、メモリセルサイズを
小さくすることができる。また、上記第1図の実施例で
は、書き込み回路と読み出し回路をn個のメモリセルア
レイに共通に設けているが、これらの回路は各メモリセ
ルアレイに一体に組み込んでもよく、これは設計上の都
合により、f丁意に選択することができる。なお、メモ
リセルアレイに一体に組み込んだ場合は、メモリセルア
レイのビット数に対応して書き込み回路はn個、読み出
し回路はn X m個が必要となる。
Note that in the above device, since a conventional single port memory can be used as the memory cell, the memory cell size can be reduced. Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 1 above, the write circuit and the read circuit are provided in common for n memory cell arrays, but these circuits may be integrated into each memory cell array, depending on design convenience. Therefore, f can be selected carefully. Note that when integrated into a memory cell array, n write circuits and n×m read circuits are required corresponding to the number of bits of the memory cell array.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のようにこの発明の画像メモリ装置では、複雑な周
辺回路の増大や消費電力の増加を招くことなく、従来の
装置よりもより短いアクセス時間で画像データを読み出
すことができるので、各種画像信号処理に適した画像メ
モリ装置を実現することができる。
As described above, the image memory device of the present invention can read out image data in a shorter access time than conventional devices without increasing the number of complex peripheral circuits or increasing power consumption. An image memory device suitable for processing can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の1実施例にかかる画像メモリ装置の
概略tM成を示すブロック図、第2図は第1図の装置の
動作説明図、 第3図は第1図の装置をより具体化した装置の概略を示
すブロック図、 第4図は2次元フィルタの概略tM成を示す図である。 101 ・ 102  ・ 103 ・ 104 番 105 番 106 ・ 107 ・ ・メモリセルアレイ ・読み出し/書き込み兼用ロウアド レスデコーダ ・読み出し/書き込み兼用カラムア ドレスデコーダ ・データ書き込み回路 ・データ読み出し回路 ・・入力手段 ・出力手段 、−−\、5
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic tM configuration of an image memory device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of the device in FIG. 1, and FIG. 3 is a more detailed diagram of the device in FIG. FIG. 4 is a block diagram showing an outline of the apparatus in which the tM structure of the two-dimensional filter is shown. 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, memory cell array, read/write row address decoder, read/write column address decoder, data write circuit, data read circuit, input means, output means, - -\, 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 デジタル化されたnビットの画像データを記憶する記憶
手段と、 画像データを入力するためのn個の端子を有する入力手
段と、 n×m個の端子を有する出力手段と、 上記入力手段から入力された上記nビットの画像データ
を記憶手段の指定位置に画像の各画素の隣接関係を保っ
た状態で書き込む書き込み手段と、上記記憶手段の各ビ
ットにおける任意の指定位置とこの指定位置に隣接する
(m−1)個の位置からm組nビットの画像データを上
記出力手段に導くための少なくもm個の読み出し手段、
とを具備し、上記記憶手段の指定位置の画像データを隣
接した(m−1)個の画像データと共に読み出すことを
特徴とする画像メモリ装置。
[Claims] Storage means for storing digitized n-bit image data, input means having n terminals for inputting image data, and output means having n×m terminals. , writing means for writing the n-bit image data inputted from the input means into a specified position of the storage means while maintaining the adjacency relationship of each pixel of the image; and an arbitrary specified position of each bit of the storage means; at least m reading means for guiding m sets of n-bit image data from (m-1) positions adjacent to the designated position to the output means;
An image memory device, characterized in that the image data at a specified position in the storage means is read out together with (m-1) adjacent image data.
JP1135805A 1989-05-31 1989-05-31 Picture memory device Pending JPH032941A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9208859B1 (en) 2014-08-22 2015-12-08 Globalfoundries Inc. Low power static random access memory (SRAM) read data path

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9208859B1 (en) 2014-08-22 2015-12-08 Globalfoundries Inc. Low power static random access memory (SRAM) read data path

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