JPH03289131A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03289131A JPH03289131A JP2090357A JP9035790A JPH03289131A JP H03289131 A JPH03289131 A JP H03289131A JP 2090357 A JP2090357 A JP 2090357A JP 9035790 A JP9035790 A JP 9035790A JP H03289131 A JPH03289131 A JP H03289131A
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- annealing
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係わり、特に、イオン
注入後のアニール方法に関する。
注入後のアニール方法に関する。
以下、本発明による製造方法を用いた半導体装置の一例
として、Ｂｅイオン注入をガードリングに用いたＩｎＰ
／ ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤ（アバランシェ−ホト・ダイ
オード）を例にして説明する。
として、Ｂｅイオン注入をガードリングに用いたＩｎＰ
／ ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤ（アバランシェ−ホト・ダイ
オード）を例にして説明する。
ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤにおいて、Ｂｅイオン
注入をガードリングに用いる方法は公知である（第３１
回応用物理学学術講演会予稿集３１ ｐ−Ｌ−２（昭５
９．３））、これは、ｎ型ＩｎＰ層中にリング状に主接
合を囲む形でＢｅをイオン注入・アニールしてガードリ
ング接合を得る方法である。
注入をガードリングに用いる方法は公知である（第３１
回応用物理学学術講演会予稿集３１ ｐ−Ｌ−２（昭５
９．３））、これは、ｎ型ＩｎＰ層中にリング状に主接
合を囲む形でＢｅをイオン注入・アニールしてガードリ
ング接合を得る方法である。
従来、Ｂｅイオン注入後のアニール処理は、ＰＳＧ膜を
キャップ材とするか、例えばＰＨ，雰囲気でキャップレ
スで、約７００℃で行なわれるのが一般的であった。
キャップ材とするか、例えばＰＨ，雰囲気でキャップレ
スで、約７００℃で行なわれるのが一般的であった。
上記従来技術では、ＩｎＰ層中のＢｅプロファイルがア
ニール時間によってあまり変らず、ＩｎＰ層厚のバラツ
キに応じたｐｎ接合位置の調整が困難であった。また、
主接合はＺｎ、Ｃｄ等の通常拡散法を用いて形成される
が、その接合位置はガードリング接合よりも浅く、なお
かつ相対位置を厳密に制御しなければならない。通常、
Ｂｅによる接合深さは、例えば７００℃、２０分のアニ
ールで、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”■−３のｎ型Ｉｎ
Ｐで約２．５μｍ、４ Ｘ Ｉ Ｑ １ｓａｍ−３では
約１．５ μｍと浅く、これより浅い位置に主接合を制
御性良く形成する事は非常に困難であり、Ｂｅ接合位置
はより深くする事が望ましい。しかし、Ｂｅ接合位置を
深くするには、従来技術では７００℃程度の高温で長時
間のアニールが必要であり、結晶欠陥の成長を生じると
いう弊害があった。
ニール時間によってあまり変らず、ＩｎＰ層厚のバラツ
キに応じたｐｎ接合位置の調整が困難であった。また、
主接合はＺｎ、Ｃｄ等の通常拡散法を用いて形成される
が、その接合位置はガードリング接合よりも浅く、なお
かつ相対位置を厳密に制御しなければならない。通常、
Ｂｅによる接合深さは、例えば７００℃、２０分のアニ
ールで、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”■−３のｎ型Ｉｎ
Ｐで約２．５μｍ、４ Ｘ Ｉ Ｑ １ｓａｍ−３では
約１．５ μｍと浅く、これより浅い位置に主接合を制
御性良く形成する事は非常に困難であり、Ｂｅ接合位置
はより深くする事が望ましい。しかし、Ｂｅ接合位置を
深くするには、従来技術では７００℃程度の高温で長時
間のアニールが必要であり、結晶欠陥の成長を生じると
いう弊害があった。
本発明の目的は、上記問題を解決し、Ｂｅ接合位置を制
御性良く、結晶欠陥の成長を生じる事なく深く形成する
事にある。
御性良く、結晶欠陥の成長を生じる事なく深く形成する
事にある。
〔１１１題を解決するための手段〕
上記目的は、第２の絶縁膜、望ましくは強調拡散速度の
速い膜、例えばＳｉＮｘ膜をキャップ材として、６５０
℃以下の比較的低温で、強調拡散法を用いた第２のアニ
ールを行なう事によって達成される。
速い膜、例えばＳｉＮｘ膜をキャップ材として、６５０
℃以下の比較的低温で、強調拡散法を用いた第２のアニ
ールを行なう事によって達成される。
上記手段は、以下の様に作用する。すなわち、７００℃
程度の第１のアニールによって、ｎ型ＩｎＰ中に注入さ
れたＢｅは活性化し、かつ拡散される。その後、例えば
ＳｉＮｘ膜をキャップ材として、６５０℃以下、例えば
６００℃で第２のアニールを行なう事により、Ｂｅは強
調拡散されてより深い位置にｐｎ接合を形成する。例え
ば、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”国−３のｎ型ＩｎＰ中
では、接合深さが２．５μｍ程度から、６０分の第２の
アニールによって３．５μｍ程度になる。第２のアニー
ルには強調拡散を用いているため、深さ制御性が良く、
結晶厚みに合わせた微調が可能である。また、第２のア
ニールは比較的低温が行なうため、結晶欠陥の成長も生
じない。
程度の第１のアニールによって、ｎ型ＩｎＰ中に注入さ
れたＢｅは活性化し、かつ拡散される。その後、例えば
ＳｉＮｘ膜をキャップ材として、６５０℃以下、例えば
６００℃で第２のアニールを行なう事により、Ｂｅは強
調拡散されてより深い位置にｐｎ接合を形成する。例え
ば、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”国−３のｎ型ＩｎＰ中
では、接合深さが２．５μｍ程度から、６０分の第２の
アニールによって３．５μｍ程度になる。第２のアニー
ルには強調拡散を用いているため、深さ制御性が良く、
結晶厚みに合わせた微調が可能である。また、第２のア
ニールは比較的低温が行なうため、結晶欠陥の成長も生
じない。
以下、本発明による製造方法を用いて作製した半導体素
子の一例として、ＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤの
例を第１図を用いて説明する。
子の一例として、ＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤの
例を第１図を用いて説明する。
第１図において、ｎ”−ＩｎＰ基板１上にＭＯＶＰＥ法
を用いて、ｎ”’−ＩｎＰバッファー層２．ｎＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層３、ｎ −−ＩｎＧａＡｓ Ｐ降壁緩和層
４、ｎ−ＩｎＰ電界緩和層（増倍層）５、ｎ−−ＩｎＰ
窓層６を順次連続成長した。ホトレジストをマスクにし
てＢｅイオンを選択注入した後、ＰＳＧ膜をキャップ材
として、７００℃、２０分の第１のアニール、Ｓ ｉ
Ｎｘ膜をマスク材として、６００℃、６０分の第２のア
ニールを行ない、ｐ型ガードリング領域７を形成した。
を用いて、ｎ”’−ＩｎＰバッファー層２．ｎＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層３、ｎ −−ＩｎＧａＡｓ Ｐ降壁緩和層
４、ｎ−ＩｎＰ電界緩和層（増倍層）５、ｎ−−ＩｎＰ
窓層６を順次連続成長した。ホトレジストをマスクにし
てＢｅイオンを選択注入した後、ＰＳＧ膜をキャップ材
として、７００℃、２０分の第１のアニール、Ｓ ｉ
Ｎｘ膜をマスク材として、６００℃、６０分の第２のア
ニールを行ない、ｐ型ガードリング領域７を形成した。
その後、Ｚｎの通常選択拡散によってｐ＋型主接合領域
８を形成し、絶縁膜９、ｐ電極１０Ｊｎ電極１１を形成
してぢでＡＰＤとした。
８を形成し、絶縁膜９、ｐ電極１０Ｊｎ電極１１を形成
してぢでＡＰＤとした。
本素子では、０．９ＶＢでの暗電流的１０ｎＡ。
ＧＢ積内的５０、良好な特性を示した。また、ガードリ
ング接合、主接合の制御性が良くなったため、歩留りが
５０％向上した。
ング接合、主接合の制御性が良くなったため、歩留りが
５０％向上した。
本発明によれば、イオン注入後のアニールによるｐｎ接
合位置を容易に制御性良く形成でき、生産性も向上する
。また、第２のアニールを比較的低温で行なうため、結
晶欠陥の成長を生じないという利点もある。
合位置を容易に制御性良く形成でき、生産性も向上する
。また、第２のアニールを比較的低温で行なうため、結
晶欠陥の成長を生じないという利点もある。
また、説明に用いたＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤにお
いては、Ｂｅガードリング接合深さを深くできるため、
主接合深さも深くでき、その分制御性が良くなり、生産
性がさらに向上するという効果も得られる。
いては、Ｂｅガードリング接合深さを深くできるため、
主接合深さも深くでき、その分制御性が良くなり、生産
性がさらに向上するという効果も得られる。
第１図は本発明の一実施例の製造方法によるＡＰＤの縦
断面図である。 ７・・・Ｂｅガードリング。
断面図である。 ７・・・Ｂｅガードリング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハーにイオン注入する工程と、該ウェハ
ーを６８０℃以上で保持する第１の熱処理工程と、該ウ
ェハーの少なくともイオン注入部をおおう絶縁膜を被着
する工程と、該ウェハーを６５０℃以下で保持する第２
の熱処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 ２、第１の熱処理工程に先立ち、該ウェハーの少なくと
もイオン注入部をおおうＰＳＧ絶縁膜を被着することを
特徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ３、絶縁膜としてＳｉＮ＿ｘ膜を用いることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ４、半導体ウェハー材料は少なくともＩｎＰを含むこと
を特徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。 ５、イオン注入物質はＢｅであることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。 ６、請求項１記載の工程により、ガードリングを形成し
たことを特徴とするＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤ素子
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090357A JPH03289131A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2090357A JPH03289131A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03289131A true JPH03289131A (ja) | 1991-12-19 |
Family
ID=13996284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2090357A Pending JPH03289131A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03289131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040032026A (ko) * | 2002-10-08 | 2004-04-14 | (주)엑스엘 광통신 | 애벌란치 포토다이오드 및 그 제조 방법 |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2090357A patent/JPH03289131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040032026A (ko) * | 2002-10-08 | 2004-04-14 | (주)엑스엘 광통신 | 애벌란치 포토다이오드 및 그 제조 방법 |
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