JPH03285842A - Ｈｉｐ処理方法 - Google Patents
Ｈｉｐ処理方法Info
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- JPH03285842A JPH03285842A JP8302890A JP8302890A JPH03285842A JP H03285842 A JPH03285842 A JP H03285842A JP 8302890 A JP8302890 A JP 8302890A JP 8302890 A JP8302890 A JP 8302890A JP H03285842 A JPH03285842 A JP H03285842A
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＨＩＰ処理方法に係り、特に銅導体ガラスセラミック焼
成体をＨＩＰ （熱間等方プレス）処理する際の反り防
止に関し、 ＨＩＰ処理中に反りを生ぜず、しかも拡散を防止したＨ
ＩＰ処理方法を提供することを目的とし、支持板上に被
処理基板を載置して該被処理基板に高温・高圧の熱間等
方プレス（ＨＩＰ）を施すＨＩＰ処理方法において、 前記被処理基板上にも第２の支持板を載置し、前記被処
理基板を、前記上下２つの支持板に挾持させるようにし
て処理することを構成とする。
成体をＨＩＰ （熱間等方プレス）処理する際の反り防
止に関し、 ＨＩＰ処理中に反りを生ぜず、しかも拡散を防止したＨ
ＩＰ処理方法を提供することを目的とし、支持板上に被
処理基板を載置して該被処理基板に高温・高圧の熱間等
方プレス（ＨＩＰ）を施すＨＩＰ処理方法において、 前記被処理基板上にも第２の支持板を載置し、前記被処
理基板を、前記上下２つの支持板に挾持させるようにし
て処理することを構成とする。
本発明はＨＩＰ処理方法に係り、特に銅導体ガラスセラ
ミック焼成体をＨＩＰ （熱間等方プレス）処理する際
の反り防止に関するものである。
ミック焼成体をＨＩＰ （熱間等方プレス）処理する際
の反り防止に関するものである。
多層銅導体ガラスセラミック基板の製造は例えばアルミ
ナ、ガラス等の原料を整粒、混練し、ドクターブレード
法によりグリーンシートに成形し、穴開け、バイア形成
、内導体形成、積層工程を経て焼成、切断後ＨＩ Ｐ
（Ｈｏｔ ｌ５ｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ ：
熱間等方プレス）を行なうことによってなされる。
ナ、ガラス等の原料を整粒、混練し、ドクターブレード
法によりグリーンシートに成形し、穴開け、バイア形成
、内導体形成、積層工程を経て焼成、切断後ＨＩ Ｐ
（Ｈｏｔ ｌ５ｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ ：
熱間等方プレス）を行なうことによってなされる。
ＨＩＰ処理はバイアホール内に発生するボアを消失する
ために行われる。このＨＩＰ処理はアルミナ（Ａｌ２Ｏ
２）や窒化シリコン（３１３Ｎ４）等の焼成体をセッタ
ーとして製品の下に敷き約１０００気圧、８５０℃の温
度で行う。
ために行われる。このＨＩＰ処理はアルミナ（Ａｌ２Ｏ
２）や窒化シリコン（３１３Ｎ４）等の焼成体をセッタ
ーとして製品の下に敷き約１０００気圧、８５０℃の温
度で行う。
しかしながらＨＩＰ処理中被処理製品の表裏の温度差に
より温度の高い表面側にその両端を反らす。
より温度の高い表面側にその両端を反らす。
第２図は従来法により製品が反った状態を示す斜視図で
ある。
ある。
第２図においてアルミナからなるセッター１上の処理基
板２がＨＩＰ処理により反っているのがわかる。最大反
り高さＨは１８０Ｘ１４０ ｍｍ角、１．８ｍｍ厚さで
約３証であった。また本方法では銅等の拡散が生じ基板
の絶縁性が劣化する問題がある。
板２がＨＩＰ処理により反っているのがわかる。最大反
り高さＨは１８０Ｘ１４０ ｍｍ角、１．８ｍｍ厚さで
約３証であった。また本方法では銅等の拡散が生じ基板
の絶縁性が劣化する問題がある。
本発明はＨＩＰ処理中に反りを生ぜず、しかも拡散を防
止したＨＩＰ処理方法を提供することを目的とする。
止したＨＩＰ処理方法を提供することを目的とする。
上記課題は本発明によれば、
支持板上に被処理基板を載置して該被処理基板に高温・
高圧の熱間等方プレス（ＨＩＰ＞を施すＨＩＰ処理方法
において、 前記被処理基板上にも第２の支持板を載置し、前記被処
理基板を、前記上下２つの支持板に挟持させるようにし
て処理することを特徴とするＨＩＰ処理方法によって解
決される。
高圧の熱間等方プレス（ＨＩＰ＞を施すＨＩＰ処理方法
において、 前記被処理基板上にも第２の支持板を載置し、前記被処
理基板を、前記上下２つの支持板に挟持させるようにし
て処理することを特徴とするＨＩＰ処理方法によって解
決される。
本発明では被処理基板として多層ガラスセラミック基板
が好ましく用いられ、支持板の材料は該基板と同質の材
料が好ましく、アルミナ、窒化シリコンがよく用いられ
る。
が好ましく用いられ、支持板の材料は該基板と同質の材
料が好ましく、アルミナ、窒化シリコンがよく用いられ
る。
本発明によれば、従来上方に反った基板上にも支持板を
配置しているため反りが防止され、しかも基板表面が支
持板と密着しているため、炉内雰囲気、特に水分の影響
を受けにくいため、銅の拡散も防止できる。
配置しているため反りが防止され、しかも基板表面が支
持板と密着しているため、炉内雰囲気、特に水分の影響
を受けにくいため、銅の拡散も防止できる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の方法を説明するた約の斜視図である。
アルミナとホウ珪酸ガラスを含むグリーンシートを約８
層積層・焼成してなる、１８０Ｘ１４０ ｍｍ高さ１．
８ ｍｍの被処理基板（ガラスセラミック）１０を用い
、アルミナからなるセッター１１．１２を該基板１０の
それぞれ上下に挟持配置する。セッター１１・１２の各
大きさは２００Ｘ２００ ｍｍ高さ６闘とした。このよ
うな状態でアルミするつぼ内底部に配置し、るつぼ上部
に同じアルミナのふたをしてＡｒガスを用いてＨＩＰ処
理を施した。
層積層・焼成してなる、１８０Ｘ１４０ ｍｍ高さ１．
８ ｍｍの被処理基板（ガラスセラミック）１０を用い
、アルミナからなるセッター１１．１２を該基板１０の
それぞれ上下に挟持配置する。セッター１１・１２の各
大きさは２００Ｘ２００ ｍｍ高さ６闘とした。このよ
うな状態でアルミするつぼ内底部に配置し、るつぼ上部
に同じアルミナのふたをしてＡｒガスを用いてＨＩＰ処
理を施した。
ＨＩＰ処理条件は１０００気圧、８５０℃とした。この
結果セッター１１．１２に挾持された基板１０にはほと
んど反りが発生せずしかも銅の拡散も防止できた。
結果セッター１１．１２に挾持された基板１０にはほと
んど反りが発生せずしかも銅の拡散も防止できた。
以上説明した様に本発明によればＨＩＰ処理工程におい
て反りと銅の拡散を有効に防止できる。
て反りと銅の拡散を有効に防止できる。
第１図は本発明の詳細な説明するための斜視図であり、
第２図は従来法により製品が反った状態を示す斜視図で
ある。 １．１１．１２・・・セッター ２・・・処理基板
、１０・・・被処理基板。
ある。 １．１１．１２・・・セッター ２・・・処理基板
、１０・・・被処理基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持板上に被処理基板を載置して該被処理基板に高
温・高圧の熱間等方プレス（ＨＩＰ）を施すＨＩＰ処理
方法において、 前記被処理基板上にも第２の支持板を載置し、前記被処
理基板を、前記上下２つの支持板に挟持させるようにし
て処理することを特徴とするＨＩＰ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8302890A JPH03285842A (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | Ｈｉｐ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8302890A JPH03285842A (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | Ｈｉｐ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285842A true JPH03285842A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13790783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8302890A Pending JPH03285842A (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | Ｈｉｐ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285842A (ja) |
-
1990
- 1990-03-31 JP JP8302890A patent/JPH03285842A/ja active Pending
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