JPH03285067A - スパッタターゲットユニット - Google Patents
スパッタターゲットユニットInfo
- Publication number
- JPH03285067A JPH03285067A JP8596290A JP8596290A JPH03285067A JP H03285067 A JPH03285067 A JP H03285067A JP 8596290 A JP8596290 A JP 8596290A JP 8596290 A JP8596290 A JP 8596290A JP H03285067 A JPH03285067 A JP H03285067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yoke
- target
- magnets
- poles
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空ドライメツキ、半導体および表示体等の成
膜に用いられるスパッタリング装置に用いられているス
パッタターゲットユニットに関するものである。
膜に用いられるスパッタリング装置に用いられているス
パッタターゲットユニットに関するものである。
本発明は従来のマグネトロン方式において、ターゲット
の利用効率、および膜厚分布が悪いという問題点を磁石
の配列の工夫とそれらを回転又は往復運動させることに
よりターゲットの利用効率を上げ、膜厚の均一性をよく
するようにしたものである。
の利用効率、および膜厚分布が悪いという問題点を磁石
の配列の工夫とそれらを回転又は往復運動させることに
よりターゲットの利用効率を上げ、膜厚の均一性をよく
するようにしたものである。
従来においては、第4図にみられるように、ターゲット
41が電極板42に保持され、電極板42の下部にはマ
グネット43が配置されている。このマグネット43は
、N極、S極がヨーク44上に同心状に配置され、同心
状のマグネット43に対し偏心して設置された回転軸4
5により、マグネット43はターゲット4に対しモータ
46の回転で偏心回転するようになっている。
41が電極板42に保持され、電極板42の下部にはマ
グネット43が配置されている。このマグネット43は
、N極、S極がヨーク44上に同心状に配置され、同心
状のマグネット43に対し偏心して設置された回転軸4
5により、マグネット43はターゲット4に対しモータ
46の回転で偏心回転するようになっている。
ところで、マグネットを移動させないでスパッタリング
を行った場合は、第5図falに示すように、ターゲッ
トはf(イ)部のように局所的に減少し利用効率が悪い
ことが知られている。そのためスパッタリングの際にマ
グネット43を上記した機構により偏心回転させること
により、第5図rb)に示すように減少部分を拡大させ
(図中(2))部)利用効率のアンプをはかりつつ、タ
ーゲットと対向して基板側電極48に設置された基板4
7上に薄膜を形成していた。
を行った場合は、第5図falに示すように、ターゲッ
トはf(イ)部のように局所的に減少し利用効率が悪い
ことが知られている。そのためスパッタリングの際にマ
グネット43を上記した機構により偏心回転させること
により、第5図rb)に示すように減少部分を拡大させ
(図中(2))部)利用効率のアンプをはかりつつ、タ
ーゲットと対向して基板側電極48に設置された基板4
7上に薄膜を形成していた。
しかしながら、従来技術においても小改善にとどまって
おり、利用効率の向上にはまだ不十分であった。そして
加工物の大口径化に伴うターゲットの大形化、ターゲツ
ト材の高純度化による高価格化、スパッタリング装置の
連続運転、長時間稼働化、等によるターゲットの利用効
率の向上が要求されている。
おり、利用効率の向上にはまだ不十分であった。そして
加工物の大口径化に伴うターゲットの大形化、ターゲツ
ト材の高純度化による高価格化、スパッタリング装置の
連続運転、長時間稼働化、等によるターゲットの利用効
率の向上が要求されている。
また、局所的にターゲットが減少することは、基板47
に形成される薄膜49の膜厚分布の均一化にも影響し、
大きな基板に均一な膜厚分布が得られることも要求され
てきている。
に形成される薄膜49の膜厚分布の均一化にも影響し、
大きな基板に均一な膜厚分布が得られることも要求され
てきている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ターゲットの利用効率の飛躍的改善と膜厚分
布を良くすることを目的として、複数の磁石をN極とS
極が交互になるようにヨーク上にセントし、そのヨーク
と磁石が一体になったものを回転又は往復運動させ得る
構造にしたことを特徴とする。
布を良くすることを目的として、複数の磁石をN極とS
極が交互になるようにヨーク上にセントし、そのヨーク
と磁石が一体になったものを回転又は往復運動させ得る
構造にしたことを特徴とする。
複数の磁石をN極とS極が交互になるようにセットして
いるので、ターゲツト面上に磁力線が平行になる磁場が
いくつか生し、そこでプラズマ密度が濃くなり、その下
のターゲツト面がライン状にスパツクされる。そこで、
ヨークに一体化された磁石を上記ラインに直角方向に回
転又は往復運動を行うことによりターゲットを面状にス
パツクすることができる。
いるので、ターゲツト面上に磁力線が平行になる磁場が
いくつか生し、そこでプラズマ密度が濃くなり、その下
のターゲツト面がライン状にスパツクされる。そこで、
ヨークに一体化された磁石を上記ラインに直角方向に回
転又は往復運動を行うことによりターゲットを面状にス
パツクすることができる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は実施例の断面図であって、lはスパックターゲ
ット、2は水冷されている電極板、3は磁石、4はヨー
ク、5と6はスヘリ軸受、7はナツト、8と9は平歯車
、10は電動モータ、11は水冷用コネクタ、12と1
3は真空用ソール、14と15は絶縁物、16は導電性
ブラケット、17はボルト、18は真空フランジである
。
ット、2は水冷されている電極板、3は磁石、4はヨー
ク、5と6はスヘリ軸受、7はナツト、8と9は平歯車
、10は電動モータ、11は水冷用コネクタ、12と1
3は真空用ソール、14と15は絶縁物、16は導電性
ブラケット、17はボルト、18は真空フランジである
。
構造は1のターゲットが2の電極板にネジ止めされてお
り、その裏側に3の磁石が吸着された4のヨークを7の
ナンドで5と6のスヘリ軸受を介してセットしている。
り、その裏側に3の磁石が吸着された4のヨークを7の
ナンドで5と6のスヘリ軸受を介してセットしている。
8は平歯車でヨーク4にネジ止めされており、モータ1
0のモータ軸に取りつけられていた平歯車9が平歯車8
に噛み合っている。電極板2は14と15の絶縁物には
さまれ、ブラケット16を介してボルト17で真空フラ
ンジ1日に固定されている。このような構造になってい
るので、モータ10を駆動させると平歯車9と平歯車8
により、5と6のスヘリ軸受に保持されているヨーク4
と磁石3を一緒にゆっくりと回転させることができる。
0のモータ軸に取りつけられていた平歯車9が平歯車8
に噛み合っている。電極板2は14と15の絶縁物には
さまれ、ブラケット16を介してボルト17で真空フラ
ンジ1日に固定されている。このような構造になってい
るので、モータ10を駆動させると平歯車9と平歯車8
により、5と6のスヘリ軸受に保持されているヨーク4
と磁石3を一緒にゆっくりと回転させることができる。
次に磁石3について説明する。
第2図と第3図は本発明の実施例における磁石の配置例
を示している。
を示している。
第2図(Il+、 (blはN極とS極を交互に放射状
に並べた例の平面図と断面図であり、このように配置さ
れた磁石によれば、磁力線は中心Qから外周りの半径方
向にわたって発生しており、さらに回転することにより
ターゲットに対しほぼその全面を磁力線がカバーできる
ようになる。従って、スパッタリングの際にプラズマ化
された気体は、タゲノト面のほぼ全面で均一になり、タ
ーゲットの局所的な減少はなくなり、ターゲットの利用
効率は上がり、また基板20上の膜厚分布をより均一と
することができる。
に並べた例の平面図と断面図であり、このように配置さ
れた磁石によれば、磁力線は中心Qから外周りの半径方
向にわたって発生しており、さらに回転することにより
ターゲットに対しほぼその全面を磁力線がカバーできる
ようになる。従って、スパッタリングの際にプラズマ化
された気体は、タゲノト面のほぼ全面で均一になり、タ
ーゲットの局所的な減少はなくなり、ターゲットの利用
効率は上がり、また基板20上の膜厚分布をより均一と
することができる。
第3図(al、 11は、N極とS極を同心円状に組み
合わせたものを4セツト配置した例を示したもので、こ
の例によっても、回転することによりターゲットのほぼ
前面を磁力線がカバーできる。
合わせたものを4セツト配置した例を示したもので、こ
の例によっても、回転することによりターゲットのほぼ
前面を磁力線がカバーできる。
以上の例ではターゲットが円形の例について説明したが
、ターゲットが矩形の場合は回転運動を往復運動にして
やれば同様な効果が得られる。この場合、速度変化がサ
イン関数である場合は、時々、往復位置を2ピツチずら
してやるとさらに均一なターゲツト面の減少が得られる
。
、ターゲットが矩形の場合は回転運動を往復運動にして
やれば同様な効果が得られる。この場合、速度変化がサ
イン関数である場合は、時々、往復位置を2ピツチずら
してやるとさらに均一なターゲツト面の減少が得られる
。
以上説明したような構造にして磁石を回転させることに
より、磁石線の強い位置(プラズマ密度が最も濃い)を
ターゲット全面に動かすことにより、ターゲットの利用
効率の向上とスパッタ成膜の膜厚分布の向上を図ること
ができた。
より、磁石線の強い位置(プラズマ密度が最も濃い)を
ターゲット全面に動かすことにより、ターゲットの利用
効率の向上とスパッタ成膜の膜厚分布の向上を図ること
ができた。
18・
・真空フランジ
Claims (2)
- (1)マグネトロン方式スパッタ装置のターゲットユニ
ットにおいて、複数の磁石をN極とS極が交互になるよ
うにヨーク上にセットされ、そのヨークと磁石が一体に
回転又は往復運動する構造を有することを特徴とするス
パッタターゲットユニット。 - (2)磁石のN極とS極が同心軸を有するように、少な
くとも2組以上ヨークにセットされ、それらが回転する
ことを特徴とする請求項1記載のスパッタターゲットユ
ニット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8596290A JPH03285067A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | スパッタターゲットユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8596290A JPH03285067A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | スパッタターゲットユニット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03285067A true JPH03285067A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13873367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8596290A Pending JPH03285067A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | スパッタターゲットユニット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03285067A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6179973B1 (en) | 1999-01-05 | 2001-01-30 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling plasma uniformity across a substrate |
US6193854B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source |
US6217716B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-04-17 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source |
US20090026073A1 (en) * | 2005-02-08 | 2009-01-29 | Keitaro Harada | Sputtering system |
JP2012184511A (ja) * | 2007-03-01 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8596290A patent/JPH03285067A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6217716B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-04-17 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source |
US6179973B1 (en) | 1999-01-05 | 2001-01-30 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling plasma uniformity across a substrate |
US6193854B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source |
US20090026073A1 (en) * | 2005-02-08 | 2009-01-29 | Keitaro Harada | Sputtering system |
US8597479B2 (en) * | 2005-02-08 | 2013-12-03 | Tohoku Seiki Industries, Ltd. | Sputtering system |
JP2012184511A (ja) * | 2007-03-01 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5833815A (en) | Sputter deposition system | |
CN1147619C (zh) | 溅射成膜装置及溅射成膜方法 | |
CN1743498A (zh) | 一种旋转磁场平面靶磁控溅射装置 | |
KR100212087B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
TW201404911A (zh) | 用於塗佈一基板之方法及塗佈機 | |
JP2001254175A (ja) | 平板マグネトロンスパッタリング装置 | |
JPH03285067A (ja) | スパッタターゲットユニット | |
JP4213777B2 (ja) | スパッタリング装置及び方法 | |
JPS6289864A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
US8597479B2 (en) | Sputtering system | |
JPH0240739B2 (ja) | Supatsutasochi | |
JP2549291B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JP2006233240A (ja) | スパッタ用カソード及びスパッタ装置 | |
US7625472B2 (en) | Plasma-assisted sputter deposition system | |
US7223322B2 (en) | Moving magnetic/cathode arrangement and method | |
CN109983150A (zh) | 用于在基板上沉积层的设备和方法 | |
TW201742943A (zh) | 塗佈一基板之方法及用以塗佈一基板之塗佈設備 | |
CN114481060A (zh) | 一种ito导电膜玻璃板材溅射腔体结构 | |
JPH04371575A (ja) | スパッタ装置 | |
JPS62230971A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
CN215163068U (zh) | 一种真空蒸镀机的行星盘限位结构 | |
JPH04371577A (ja) | マグネトロン型スパッタリング装置 | |
JP2001020067A (ja) | スパッタ方法及び装置 | |
JPH11340165A (ja) | スパッタリング装置及びマグネトロンユニット | |
CN217536138U (zh) | 一种新型的共溅双平面磁控靶 |