JPH03284656A - アミン誘導体 - Google Patents
アミン誘導体Info
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- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYDJEQRTZSCIOI-LJGSYFOKSA-N tranexamic acid Chemical compound NC[C@H]1CC[C@H](C(O)=O)CC1 GYDJEQRTZSCIOI-LJGSYFOKSA-N 0.000 description 1
- 229960000401 tranexamic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、新規な液晶を呈する化合物、その製造法お
よびこれら化合物を使用した液晶素子を提供するもので
ある。
よびこれら化合物を使用した液晶素子を提供するもので
ある。
液晶化合物として数多く知られているものに、ネマチッ
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在液
晶表示装置に使用される化合物又は組成物の主流を成し
ているけれども、短所の一つに、応答速度が遅く、数l
5eCのオーダーの応答速度しか得られないということ
があり、そのため表示の大型化に対して限界に近づいて
いるといわれている。
ク液晶と呼ばれているものがある。このものは、現在液
晶表示装置に使用される化合物又は組成物の主流を成し
ているけれども、短所の一つに、応答速度が遅く、数l
5eCのオーダーの応答速度しか得られないということ
があり、そのため表示の大型化に対して限界に近づいて
いるといわれている。
このような従来型の液晶表示素子の欠点を改善するもの
として、双安定性を有する液晶の使用がクラーク及びラ
ガウェルにより提案されている(特開昭56−1072
16号)。この双安定性を有する液晶は、強誘電性液晶
と呼ばれ、高速応答性とメそり性が得られることが注目
され、特に近年において、その実用化の検討が活発であ
り、実用強誘電性液晶物質の開発か急務になっている。
として、双安定性を有する液晶の使用がクラーク及びラ
ガウェルにより提案されている(特開昭56−1072
16号)。この双安定性を有する液晶は、強誘電性液晶
と呼ばれ、高速応答性とメそり性が得られることが注目
され、特に近年において、その実用化の検討が活発であ
り、実用強誘電性液晶物質の開発か急務になっている。
一般に、強誘電性液晶は、光学活性部位を有する化合物
で、かつその分子長軸が層の法線方向からチルトした分
子配向を有する一連のスメクチック相において発現され
る。中でも、キラルスメクチックC(以下S *と略記
する)相は、比較的低電圧動作性のため実用上優位とさ
れる。
で、かつその分子長軸が層の法線方向からチルトした分
子配向を有する一連のスメクチック相において発現され
る。中でも、キラルスメクチックC(以下S *と略記
する)相は、比較的低電圧動作性のため実用上優位とさ
れる。
このように強誘電性液晶は、自発分極を有するために非
常に速い応答速度を有する上に、メモリ性のある双安定
状態を発現させることができ、さらに視野角が優れてい
ることから、大容量大画面のデイスプレィ用材料として
適している。
常に速い応答速度を有する上に、メモリ性のある双安定
状態を発現させることができ、さらに視野角が優れてい
ることから、大容量大画面のデイスプレィ用材料として
適している。
このような強誘電性液晶として1975年、R,B。
Meyerらにより合成された4−(4−n−デシルオ
キシベンジリデンアミノ)桂皮酸−2−メチルブチルエ
ステル(以下DOBAMBCと略記する。)が知られて
いる(J、 Physique 38 L−89(19
75) )。
キシベンジリデンアミノ)桂皮酸−2−メチルブチルエ
ステル(以下DOBAMBCと略記する。)が知られて
いる(J、 Physique 38 L−89(19
75) )。
このDOBAMBCは、シッフベースを構造内に含むた
め、その化学的安定性に難がある。そこで、強誘電性液
晶材料として、物理的、化学的に安定な種々の化合物が
探索され、現在、4(4−nアルキルオキシフェニル)
−1−カルボン酸−2−メチルブチルエステル(以下C
Nと略記する。)を始めとするエステル系化合物の探索
にその主力が移ってきている。しかし、二〇CNを始め
とするエステル系化合物は、S *相を示さないか、示
したとしてもそのS 零相を示す温度範囲が狭く、しか
も液晶を加熱、冷却したときで異なる相系列を示すモノ
トロピック液晶であるため、実用に耐えるものは少ない
(LjqujdCrystals and 0rder
ecl Fluids 4 (1984))。
め、その化学的安定性に難がある。そこで、強誘電性液
晶材料として、物理的、化学的に安定な種々の化合物が
探索され、現在、4(4−nアルキルオキシフェニル)
−1−カルボン酸−2−メチルブチルエステル(以下C
Nと略記する。)を始めとするエステル系化合物の探索
にその主力が移ってきている。しかし、二〇CNを始め
とするエステル系化合物は、S *相を示さないか、示
したとしてもそのS 零相を示す温度範囲が狭く、しか
も液晶を加熱、冷却したときで異なる相系列を示すモノ
トロピック液晶であるため、実用に耐えるものは少ない
(LjqujdCrystals and 0rder
ecl Fluids 4 (1984))。
一方、ヘテロ原子を含む強誘電性液晶化合物は数多く知
られているが、窒素原子を含む化合物としては、ピリミ
ジン環などのへテロ環として含むもの(特開昭61−2
2072.24578.12917Ω)、およびDOB
AMBCを始めとしたシップ塩基などを結合基として含
むものが知られている。
られているが、窒素原子を含む化合物としては、ピリミ
ジン環などのへテロ環として含むもの(特開昭61−2
2072.24578.12917Ω)、およびDOB
AMBCを始めとしたシップ塩基などを結合基として含
むものが知られている。
結合基として窒素原子を含む化合物のうち、シッフ塩基
は先に述べたように化学的安定性に難がある。また、ア
ミド結合を含む化合物は一般に融点が高く、液晶性を示
しにくいため有効とは言えなかった。
は先に述べたように化学的安定性に難がある。また、ア
ミド結合を含む化合物は一般に融点が高く、液晶性を示
しにくいため有効とは言えなかった。
アミンの形で窒素原子を導入した例としては、まず、ア
ルキル鎖中にトラネキサム酸を原料としてアミンを導入
し、安価で広い液晶温度節回を示す液晶化合物を提供し
た例がある(特願平1−158993)。また、芳香族
アミンとして導入した例として、芳香族2級アミンを導
入した例がある(特開昭63−2981特開平2−53
756)。
ルキル鎖中にトラネキサム酸を原料としてアミンを導入
し、安価で広い液晶温度節回を示す液晶化合物を提供し
た例がある(特願平1−158993)。また、芳香族
アミンとして導入した例として、芳香族2級アミンを導
入した例がある(特開昭63−2981特開平2−53
756)。
しかし、液晶性を示す温度範囲が狭く、しかも高温で示
す例が開示されているだけで、実用段階にはまだ至って
いない。
す例が開示されているだけで、実用段階にはまだ至って
いない。
本発明は化学的に安定で、かつ広い温度範囲で液晶性を
示す新規なアミン誘導体を提供することを目的とする。
示す新規なアミン誘導体を提供することを目的とする。
更に、アルキル基の種類の変更が容易なN、N−ジ置換
アミン誘導体を中間体とした新規な液晶化合物の製造方
法を提供する。また、アルキル基の種類および長さおよ
びエステル基の種類を容易に変更でき、液晶状態におい
て発現する液晶相の種類や温度範囲の制御が可能な液晶
化合物、およびそれを少なくとも1種類配合成分として
含有する液晶組成物を提供する。
アミン誘導体を中間体とした新規な液晶化合物の製造方
法を提供する。また、アルキル基の種類および長さおよ
びエステル基の種類を容易に変更でき、液晶状態におい
て発現する液晶相の種類や温度範囲の制御が可能な液晶
化合物、およびそれを少なくとも1種類配合成分として
含有する液晶組成物を提供する。
本発明ではN、N−ジ置換アミン誘導体を中間体として
、これにビフェニル誘導体を反応させエステル化を行な
うことにより、広範囲に亘る温度範囲で安定した液晶性
を示す化合物を合成することに成功した。
、これにビフェニル誘導体を反応させエステル化を行な
うことにより、広範囲に亘る温度範囲で安定した液晶性
を示す化合物を合成することに成功した。
すなわち一般式(1)
〔式中R1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアルキ
ル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されたものも
含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜2oの直鎖アルキル基を表わし、Xは
COO又はOC,Oを表わし、 m、nはそれぞれO又は1を表わす。〕で表わされる化
合物のR,、R2、R3,rn、 nXの値の組み合
わせを変えることによって、さまざまな液晶性を示す化
合物を得ることが可能になった。
ル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されたものも
含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜2oの直鎖アルキル基を表わし、Xは
COO又はOC,Oを表わし、 m、nはそれぞれO又は1を表わす。〕で表わされる化
合物のR,、R2、R3,rn、 nXの値の組み合
わせを変えることによって、さまざまな液晶性を示す化
合物を得ることが可能になった。
本発明のアミン誘導体は、芳香族環を隣接したN、N−
ジ置換アミン誘導体部分、 とビフェニル誘導体部分 (1) の2つに分けられ、この2つがXで表わされるエステル
結合により結びついている。
ジ置換アミン誘導体部分、 とビフェニル誘導体部分 (1) の2つに分けられ、この2つがXで表わされるエステル
結合により結びついている。
R1についていえば、炭素数1〜12の不斉炭素を有す
るアルキル基であり、その一部がハロゲン置換されたも
のも含み、好ましくは炭素数3〜8である。R1の具体
例としては、2−オクチル基、2−クロルプロピル基、
(S)−2−メチルブチル基などが挙げられ、(S)−
2−メチルブチル基は、安価に入手できる点で好ましい
。
るアルキル基であり、その一部がハロゲン置換されたも
のも含み、好ましくは炭素数3〜8である。R1の具体
例としては、2−オクチル基、2−クロルプロピル基、
(S)−2−メチルブチル基などが挙げられ、(S)−
2−メチルブチル基は、安価に入手できる点で好ましい
。
このようにR1で光学活性基を導入することにより、化
合物に強誘電性をもたせている。
合物に強誘電性をもたせている。
R2は、メチル基又はエチル基である。メチル基におい
て好ましい結果が得られ、エチル基の場合も同様の効果
が得られる。R2の炭素数が3以上になると液晶性が低
下し好ましくない。
て好ましい結果が得られ、エチル基の場合も同様の効果
が得られる。R2の炭素数が3以上になると液晶性が低
下し好ましくない。
R3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わすが、炭
素数は7〜18が望ましく、炭素数が6以下又は19以
上ではスメクチック相の温度範囲が狭くなる傾向がある
。
素数は7〜18が望ましく、炭素数が6以下又は19以
上ではスメクチック相の温度範囲が狭くなる傾向がある
。
Xは、COO又はOCOを表わし、XがCOOのときは
コレステリック性が増し、Xがocoのときは、スメク
チック性が増す傾向が見られる。
コレステリック性が増し、Xがocoのときは、スメク
チック性が増す傾向が見られる。
m、21はそれぞれ0又は1を表わすが、mが1のとき
は0のときに比べ、エナンチオトロビラフタ しい(実施例1と実施例2〜−4F参照)。
は0のときに比べ、エナンチオトロビラフタ しい(実施例1と実施例2〜−4F参照)。
本発明の化合物は、次の製造方法に従って製造すること
ができる。
ができる。
まず一般式(1)において、Xで表わされるエステル結
合がCOoであるが又はocoで、あるかによって、製
造方法が異なる。X−Coo (一般式(Ia)で表わ
される)の場合は、3級アミン誘導体部分のフェニル基
のパラ位にカルボキシル基が付いたもの(一般式(IT
)で表わされる)と、ビフェニル誘導体のビフェニル基
の4位に水#基が付いたもの(一般式(III)で表わ
される)を反応させる。X−0CO(一般式1bで表わ
される)の場合は、上述のカルボキシル基と水酸基が入
れ替わった化合物(一般式(IV)、 (V)で表わ
される)を同様に反応させることにより得られる。
合がCOoであるが又はocoで、あるかによって、製
造方法が異なる。X−Coo (一般式(Ia)で表わ
される)の場合は、3級アミン誘導体部分のフェニル基
のパラ位にカルボキシル基が付いたもの(一般式(IT
)で表わされる)と、ビフェニル誘導体のビフェニル基
の4位に水#基が付いたもの(一般式(III)で表わ
される)を反応させる。X−0CO(一般式1bで表わ
される)の場合は、上述のカルボキシル基と水酸基が入
れ替わった化合物(一般式(IV)、 (V)で表わ
される)を同様に反応させることにより得られる。
すなわち、Xがcooで表わされる化合物の場合は一般
式(II) 2 ・・・・・・・・・・・・・・・ (II)で表わされ
る化合物又はその塩と、一般式(III)・・・・・・
・・・・・・・・・ Cm)1氏 一般式(宇→ ・・・・・・ (Ia) 〔式中R1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアルキ
ル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されさたもの
も含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜2oの直鎖アルキル基を表わし、m、
ilはそれぞれ0又は1を表わす。〕で表わされる化合
物を得る。
式(II) 2 ・・・・・・・・・・・・・・・ (II)で表わされ
る化合物又はその塩と、一般式(III)・・・・・・
・・・・・・・・・ Cm)1氏 一般式(宇→ ・・・・・・ (Ia) 〔式中R1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアルキ
ル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されさたもの
も含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜2oの直鎖アルキル基を表わし、m、
ilはそれぞれ0又は1を表わす。〕で表わされる化合
物を得る。
またXがOcoで表わされる化合物の場合は一般式(I
V) 2 ・・・・・・・・・・・・・・・ (■)で表わされる
化合物又はその塩と、一般式(V)・・・・・・・・・
・・・・・・ (V)で表わされる化合物をエステル化
することにより、一般式(1b) R2・・・・・・(1b) C式中R1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアルキ
ル基を表わし、その一部がノ10ゲンで置換されたもの
も含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、mn
はそれぞれ0又は1を表わす。〕 で表わされる化合物を得ることができる。
V) 2 ・・・・・・・・・・・・・・・ (■)で表わされる
化合物又はその塩と、一般式(V)・・・・・・・・・
・・・・・・ (V)で表わされる化合物をエステル化
することにより、一般式(1b) R2・・・・・・(1b) C式中R1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアルキ
ル基を表わし、その一部がノ10ゲンで置換されたもの
も含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、mn
はそれぞれ0又は1を表わす。〕 で表わされる化合物を得ることができる。
エステル化は、ジシクDへキシルカルボジイミド(以下
DCCと略す)あるいは塩化チオニルを用いて行なう。
DCCと略す)あるいは塩化チオニルを用いて行なう。
一般式(II)及び(IV)で表わされるアミン中間体
は、各々相当する −==鱈性水酸基に保護基を付
けた後、R,、R2に相当するアルキル基ヲモったハロ
ゲン化アルキルを水素化ナトリウムなどの塩基を用いて
N−アルキル化することにより得られる。
は、各々相当する −==鱈性水酸基に保護基を付
けた後、R,、R2に相当するアルキル基ヲモったハロ
ゲン化アルキルを水素化ナトリウムなどの塩基を用いて
N−アルキル化することにより得られる。
すなわち、一般式(IN)で表わされる化合物は、まず
相当する市販の一級アミンを原料として用いアミンの保
護基としてt−ブチルオキシカルボニル基などを導入し
、R2に相当するハロゲン化アルキルでN−アルキル化
を行ない、同時にエステル化することで、カルボキシル
基の保護基を形成することができる(第1図(A)参照
)。次いで塩酸で脱保護し、R1に相当するハロゲン化
アルキルでN−アルキル化し、最後にエステルを加水分
解して化合物(II)を得ることができる(第1図(B
)参照)。
相当する市販の一級アミンを原料として用いアミンの保
護基としてt−ブチルオキシカルボニル基などを導入し
、R2に相当するハロゲン化アルキルでN−アルキル化
を行ない、同時にエステル化することで、カルボキシル
基の保護基を形成することができる(第1図(A)参照
)。次いで塩酸で脱保護し、R1に相当するハロゲン化
アルキルでN−アルキル化し、最後にエステルを加水分
解して化合物(II)を得ることができる(第1図(B
)参照)。
特にm−00場合で、R2がメチルのときは市販のN−
メチルアミノ安息香酸を用い、メタノールあるいはエタ
ノールでエステル化することで1ステップ反応を短縮す
ることが可能である(第1図(C)参照)。(IV)で
示される化合物は、m −1のときはニトリルの還元、
m−0のときはニトロ基の還元によってアミン部位を導
き(第2図(D) 、 (E)参照)、(II)の場合
とほぼ同様にフェノール性水酸基とアミン部分に保護基
を付けた後、R,、R2に相当するハロゲン化アルキル
でN−アルキル化して得ることができる(第2図(F)
参照)。このとき、フェノール性水酸基の保護基を必要
とするが、m−1のときはp−)ルエンスルホニル基、
m−0のときはベンジル基を用いることで、還元反応及
び脱保護反応を収率よく行なうことができる。
メチルアミノ安息香酸を用い、メタノールあるいはエタ
ノールでエステル化することで1ステップ反応を短縮す
ることが可能である(第1図(C)参照)。(IV)で
示される化合物は、m −1のときはニトリルの還元、
m−0のときはニトロ基の還元によってアミン部位を導
き(第2図(D) 、 (E)参照)、(II)の場合
とほぼ同様にフェノール性水酸基とアミン部分に保護基
を付けた後、R,、R2に相当するハロゲン化アルキル
でN−アルキル化して得ることができる(第2図(F)
参照)。このとき、フェノール性水酸基の保護基を必要
とするが、m−1のときはp−)ルエンスルホニル基、
m−0のときはベンジル基を用いることで、還元反応及
び脱保護反応を収率よく行なうことができる。
第1図、第2図にアミン中間体(If)、 (IV)
を紅白した一般式(Ia)、 (Ib)で表わされる
化合物の反応ルートを示す。
を紅白した一般式(Ia)、 (Ib)で表わされる
化合物の反応ルートを示す。
上述した方法にて製造した化合物は、カラムクロマトグ
ラフィーおよび再結晶にて精製する。
ラフィーおよび再結晶にて精製する。
一般式(III)で表わされる化合物は、特願平1−1
58993に示された方法と同様にして得ることができ
る。また一般式(V)で表わされる化合物は市販のもの
を用いることが可能である。
58993に示された方法と同様にして得ることができ
る。また一般式(V)で表わされる化合物は市販のもの
を用いることが可能である。
本発明における一般式(1)
〔式中R1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアルキ
ル基を表わし、その一部がl\ロゲンて置換されたもの
も含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、Xは
C00又はOCOを表わし、 m、nはそれぞれO又は1を表わす。〕の化合物は低融
点で且つ非常に安定な液晶性を示すアミン誘導体である
。
ル基を表わし、その一部がl\ロゲンて置換されたもの
も含み、 R2はメチル又はエチル基を表わし、 R3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、Xは
C00又はOCOを表わし、 m、nはそれぞれO又は1を表わす。〕の化合物は低融
点で且つ非常に安定な液晶性を示すアミン誘導体である
。
特に、メチレン基をはさんで存在するアミノ基をもつ化
合物(一般式(1)においてm−1の化合物)において
は、エナンチオトロピックな液晶性を示すがこれはアミ
ノ基が分子の分極を促し、液晶配列を取り品<シている
ためと推定される。
合物(一般式(1)においてm−1の化合物)において
は、エナンチオトロピックな液晶性を示すがこれはアミ
ノ基が分子の分極を促し、液晶配列を取り品<シている
ためと推定される。
又、芳香族アミンの形で存在するアミノ基をもつ化合物
(一般式(1)においてm−0の化合物)においては、
一般式(I)におけるXの値によって液晶性が大きく異
なっている(実施例8,9参照)。このことは、ベンゼ
ン環を介しての共役系が、分子の分極状態および成品配
列状態に大きく関与しているためと考えられる。
(一般式(1)においてm−0の化合物)においては、
一般式(I)におけるXの値によって液晶性が大きく異
なっている(実施例8,9参照)。このことは、ベンゼ
ン環を介しての共役系が、分子の分極状態および成品配
列状態に大きく関与しているためと考えられる。
これらのことから、分子内にアミンを有する化合物は、
強い分子間水素結合をもつアミド結合などと異なり液晶
性を向上させる効果をもっことがわかった。
強い分子間水素結合をもつアミド結合などと異なり液晶
性を向上させる効果をもっことがわかった。
さらに、窒素原子の近傍に不斉炭素を導入することによ
って、安定かつ広い温度範囲で強誘電性を発現させる効
果がある。
って、安定かつ広い温度範囲で強誘電性を発現させる効
果がある。
本発明の化合物は、上記理由により応答性、メモリ性に
優れた液晶表示素子の利用可能性を有する新規なアミン
誘導体である。
優れた液晶表示素子の利用可能性を有する新規なアミン
誘導体である。
また本発明の化合物は、既に知られている強誘電性液晶
と配合して強誘電性を示す温度領域を上下に広げたり、
応答性を改善したりすることができ、又光学活性でない
液晶に配合して強誘電性を持たせたりすることができる
。
と配合して強誘電性を示す温度領域を上下に広げたり、
応答性を改善したりすることができ、又光学活性でない
液晶に配合して強誘電性を持たせたりすることができる
。
[実 施 例コ
以下、実施例により本発明の化合物について更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
以下、Cry、 Ch、 S S ’ Is
o相はそれA’ C’ ぞれ結晶、コレステリック相、スメクチックA相、キシ
ルスメクチックC相、等方性液体を示し、Sxはスメク
チック相の高次構造を示す。
o相はそれA’ C’ ぞれ結晶、コレステリック相、スメクチックA相、キシ
ルスメクチックC相、等方性液体を示し、Sxはスメク
チック相の高次構造を示す。
本発明の化合物の精製はシリカゲルクロマトグラフィー
およびアルコール、ヘキサン等による再結晶にて行なっ
た。
およびアルコール、ヘキサン等による再結晶にて行なっ
た。
以下に示す相転移点の測定値は、物質の純度により若干
の影響を受けることもある。
の影響を受けることもある。
〔実施例1〕
4− [N−(S)−2−メチルブチル−N−メチル
アミノメチル〕 −安息香酸4″・ヘプチルオキシカル
ボニル−4′−ビフェニルエステルの合成。
アミノメチル〕 −安息香酸4″・ヘプチルオキシカル
ボニル−4′−ビフェニルエステルの合成。
(1−1)4− (N−t−ブチルオキシカルボニル
アミノメチル)安息香酸の合成。
アミノメチル)安息香酸の合成。
4−アミノメチル安息香酸7,6gをジオキサン−水(
2: 1) 150m1に溶解し、水冷下1モル水酸
化ナトリウム水溶液50m1とジ−t−ブチルジカーボ
ネート12.0gのジオキサン(25ml)溶液を10
分間を要して滴下した。室温に戻し、2.5時間撹拌し
た後、反応液を外温50〜60℃の水溶上でおよそl/
3に減圧濃縮し、水冷下IN塩酸およそ40m1滴下し
、pH3〜4に調整した。酢酸エチル(4[1ml x
3 )で抽出し、有機層を精製水(30ml)、飽和
食塩水(30ml)で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後溶媒を減圧留去した。得られた粗結晶をイソプロピル
エーテルで洗浄した後、酢酸エチルから再結晶すること
により無色粉末の4−(N−1−ブチルオキシカルボニ
ルアミノメチル)安息香酸9.9g (収率79%)を
得た。
2: 1) 150m1に溶解し、水冷下1モル水酸
化ナトリウム水溶液50m1とジ−t−ブチルジカーボ
ネート12.0gのジオキサン(25ml)溶液を10
分間を要して滴下した。室温に戻し、2.5時間撹拌し
た後、反応液を外温50〜60℃の水溶上でおよそl/
3に減圧濃縮し、水冷下IN塩酸およそ40m1滴下し
、pH3〜4に調整した。酢酸エチル(4[1ml x
3 )で抽出し、有機層を精製水(30ml)、飽和
食塩水(30ml)で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後溶媒を減圧留去した。得られた粗結晶をイソプロピル
エーテルで洗浄した後、酢酸エチルから再結晶すること
により無色粉末の4−(N−1−ブチルオキシカルボニ
ルアミノメチル)安息香酸9.9g (収率79%)を
得た。
(1−2) 4− (N −t−ブチルオキシカル
ボニル−N−メチルアミノメチル)安息香酸メチルエス
テルの合成。
ボニル−N−メチルアミノメチル)安息香酸メチルエス
テルの合成。
(1−1)で得た化合物8.8gとヨウ化メチル17.
4mlをDMF (80ml)に溶解し、水冷下ゆっく
り撹拌しながら60%水素化ナトリウム4.2gを少し
ずつ加えた。
4mlをDMF (80ml)に溶解し、水冷下ゆっく
り撹拌しながら60%水素化ナトリウム4.2gを少し
ずつ加えた。
室温に戻し、−夜撹拌を続けた後エチルエーテル80m
1で希釈し、水冷下積製水5mlを滴下した。
1で希釈し、水冷下積製水5mlを滴下した。
有機層を精製水(20ml x 3 ) 、飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液(20ml) 、飽和食塩水(20
ml)で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥上溶媒を
減圧留去することにより黄色油状の粗4− (N〜t−
ブチルオキシカルボニル−N−メチルアミノメチル)安
息香酸メチルエステル12.1 (収率100%)を得
た。
素ナトリウム水溶液(20ml) 、飽和食塩水(20
ml)で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥上溶媒を
減圧留去することにより黄色油状の粗4− (N〜t−
ブチルオキシカルボニル−N−メチルアミノメチル)安
息香酸メチルエステル12.1 (収率100%)を得
た。
(1−3) 4− (N −(S)−2−メチルブ
チル−N−メチルアミノメチル)安息香酸メチルエステ
ルの合成。
チル−N−メチルアミノメチル)安息香酸メチルエステ
ルの合成。
(1−2)で得た化合物12.2gに水冷下4N塩酸−
酢酸エチル溶液20m1を加え、1時間撹拌した後、生
じた結晶をff5取し、4− (N−メチルアミノメチ
ル)安息香酸メチルエステル塩酸塩6.8g (収率9
0%)を得た。得られた結晶6.5gをDMF30m1
に溶解し、水冷下トリエチルアミン4.2ml、(S)
−2−メチルブチルプロミド5.0gを加えた。
酢酸エチル溶液20m1を加え、1時間撹拌した後、生
じた結晶をff5取し、4− (N−メチルアミノメチ
ル)安息香酸メチルエステル塩酸塩6.8g (収率9
0%)を得た。得られた結晶6.5gをDMF30m1
に溶解し、水冷下トリエチルアミン4.2ml、(S)
−2−メチルブチルプロミド5.0gを加えた。
60%水素化ナトリウム1.3gを少しずつ加え、80
℃で1〜2時間加温lまた。4後、エチルエーテル80
m1で希釈し、精製水5mlをゆっくりと滴下した。
℃で1〜2時間加温lまた。4後、エチルエーテル80
m1で希釈し、精製水5mlをゆっくりと滴下した。
有機層を精製水(20ml) 、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(20ml) 、飽和食塩水(20ml)で順
次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧留去し
た。
ム水溶液(20ml) 、飽和食塩水(20ml)で順
次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧留去し
た。
得られた黄色油状物80gのシリカゲルを用いてカラム
クロマトグラフィーに付し、酢酸エチル−ヘキサン(1
:6)の留分から無色油状の4−(N−(S)−2−メ
チルブチル−N−メチルアミノメチル)安息香酸メチル
エステル3.9g (収率52%)を得た。
クロマトグラフィーに付し、酢酸エチル−ヘキサン(1
:6)の留分から無色油状の4−(N−(S)−2−メ
チルブチル−N−メチルアミノメチル)安息香酸メチル
エステル3.9g (収率52%)を得た。
(1−4) 4− (N−(S)−2−メチルブチ
ル−N−メチルアミノメチル)安息香酸塩酸塩の合成。
ル−N−メチルアミノメチル)安息香酸塩酸塩の合成。
(1−3)で得た化合物3.9gを6N塩酸10m1に
溶解し、50℃で6時間撹拌した。溶媒を減圧留去した
後、イソプロパノ−ルーエーテルから再結晶し、無色粉
末の4−(N−(S)−2−メチルブチルN−メチルア
ミノメチル)安息香酸塩酸塩3,4g(収率80%)を
得た。
溶解し、50℃で6時間撹拌した。溶媒を減圧留去した
後、イソプロパノ−ルーエーテルから再結晶し、無色粉
末の4−(N−(S)−2−メチルブチルN−メチルア
ミノメチル)安息香酸塩酸塩3,4g(収率80%)を
得た。
(1−5) 目標化合物の合成。
(1−4)で得た化合物147■と、常法により得られ
た4−ヒドロキシ−4′−ビフェニルカルボン酸ヘプチ
ルエステル1851gをジクロロメタン3mlに溶解し
、シンクロヘキシルカルボジイミド134鳳gと4−ピ
ロリジノピリジン8■を加え、室温で一夜撹拌した。溶
媒を減圧留去し、酢酸エチル2011gを加えてしばら
く撹拌後濾過した。得られた結晶を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液30m1に溶解し、不溶物を除いた後、酢酸
エチル(20ml X 3 )で抽出した。有機層を飽
和食塩水(20ml)で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥後溶媒を減圧留去した。
た4−ヒドロキシ−4′−ビフェニルカルボン酸ヘプチ
ルエステル1851gをジクロロメタン3mlに溶解し
、シンクロヘキシルカルボジイミド134鳳gと4−ピ
ロリジノピリジン8■を加え、室温で一夜撹拌した。溶
媒を減圧留去し、酢酸エチル2011gを加えてしばら
く撹拌後濾過した。得られた結晶を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液30m1に溶解し、不溶物を除いた後、酢酸
エチル(20ml X 3 )で抽出した。有機層を飽
和食塩水(20ml)で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥後溶媒を減圧留去した。
得られた粗結晶をヘキサンから2回再結晶して無色粉末
の標記化合物43+ag (収率15%)を得た。
の標記化合物43+ag (収率15%)を得た。
得られた化合物は、’H−NMR,IRでその構造を確
認した。
認した。
次に、この物質の相転移温度を測定した結果を第1表に
示す。相転移温度は、偏光顕微鏡による目視観察と示差
走査熱量計を併用して判定した。
示す。相転移温度は、偏光顕微鏡による目視観察と示差
走査熱量計を併用して判定した。
さらに、第1表に自発分極の値を併記した。自発分極の
測定は以下の方法に依った。
測定は以下の方法に依った。
(自発分極の測定)
化合物を加熱して等方性液体とした後、ポリイミドを塗
布しラビング処理を施した透明電極付ガラス板からなる
厚さ3.3−のセルに注入し、等方性液体の状態からゆ
るやかに降温し、スメクチソ三角波電圧印加法(Mly
asaLo et al、、 JapaneseJou
rnal of Applied Physics、
Vol、22. No、 10゜p、i、ee
l、 1983)により自発分極値を測定した(印加電
圧30V 、 5011z)。
布しラビング処理を施した透明電極付ガラス板からなる
厚さ3.3−のセルに注入し、等方性液体の状態からゆ
るやかに降温し、スメクチソ三角波電圧印加法(Mly
asaLo et al、、 JapaneseJou
rnal of Applied Physics、
Vol、22. No、 10゜p、i、ee
l、 1983)により自発分極値を測定した(印加電
圧30V 、 5011z)。
−p
〔実施例2〜6〕
4−(N−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミ
ノメチル)安息香酸4〜アルコキシ−4′−ビフェニル
エステルの合成。
ノメチル)安息香酸4〜アルコキシ−4′−ビフェニル
エステルの合成。
一般式(1)においてXがCoo、mが]、/
R,、R2,R3,nがそれぞれ第1表に示す基である
実施例2〜6の化合物を実施例1と同様にしてそれぞれ
合成した。
実施例2〜6の化合物を実施例1と同様にしてそれぞれ
合成した。
得られた化合物はそれぞれ’H−NMRおよびIRでそ
の構造を確認した。
の構造を確認した。
これらの化合物について実施例1に示した方法で相転移
温度、自発分極を測定した結果を第1表に示す。
温度、自発分極を測定した結果を第1表に示す。
〔実施例7〕
4−テトラデシルオキシ−4′−ビフェニルカルボン酸
4−[N−(S)−2−メチルブチル−Nメチルアミノ
メチル〕フェニルエステルの合成。
4−[N−(S)−2−メチルブチル−Nメチルアミノ
メチル〕フェニルエステルの合成。
(7−1) 4−アミノメチルフェニルトンレートの
合成。
合成。
p−シアノフェノール3.64gをジクロロメタン60
m1に溶解し水冷下トリエチルアミン4.2mlとp−
トルエンスルホニルクロリドのジクロロメタン溶液(1
0ml)を滴下し、室温で2時間撹拌した。反応液を精
製水(10mlX2)、飽和食塩水(10ml)で順次
洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し
て4−シアノフェニルトシレートの粗結晶8.0gを得
た。
m1に溶解し水冷下トリエチルアミン4.2mlとp−
トルエンスルホニルクロリドのジクロロメタン溶液(1
0ml)を滴下し、室温で2時間撹拌した。反応液を精
製水(10mlX2)、飽和食塩水(10ml)で順次
洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し
て4−シアノフェニルトシレートの粗結晶8.0gを得
た。
リチウムアルミニウムヒドリド2.28g−をTHF2
00 mlに懸濁し、水冷下、濃硫酸8.1gのTHF
(20ml)溶液を滴下して室温で1時間撹拌した溶液
に、4−シアノフェニルトシレート8.OgのTHF
(80ml)溶液を滴下し、50℃で2時間加温した。
00 mlに懸濁し、水冷下、濃硫酸8.1gのTHF
(20ml)溶液を滴下して室温で1時間撹拌した溶液
に、4−シアノフェニルトシレート8.OgのTHF
(80ml)溶液を滴下し、50℃で2時間加温した。
再び水冷し、THF−精製水(1:1)30mlをゆっ
くり滴下し気体の発生が静まるまで撹拌し、さらに10
%水酸化ナトリウム水溶液50m1を加えた。有機層を
分岐し、水層をエーテル(50mlx2)で抽出した。
くり滴下し気体の発生が静まるまで撹拌し、さらに10
%水酸化ナトリウム水溶液50m1を加えた。有機層を
分岐し、水層をエーテル(50mlx2)で抽出した。
有機層を合わせて精製水(30ml×2)、飽和食塩水
(30ml)で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒
を減圧留去して4−アミノメチルフェニルトシレートの
粗結晶8.8g (収率100%)を得た。
(30ml)で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒
を減圧留去して4−アミノメチルフェニルトシレートの
粗結晶8.8g (収率100%)を得た。
(7−2) 4− [N−(S)−2−メチルブチ
ル−N−メチルアミノメチル〕 −フェニルトシレート
の合成。
ル−N−メチルアミノメチル〕 −フェニルトシレート
の合成。
(7−1)で得た化合物を用い、(1−1)〜(1−1
)に記した手法でN−アルキル化し、無色油状の4−[
N−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミノメチ
ル〕 −フェニルトシレートを得た。
)に記した手法でN−アルキル化し、無色油状の4−[
N−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミノメチ
ル〕 −フェニルトシレートを得た。
<7−8)4− rN−(S)−2−メチルブチル−
Nメチルアミノ〕 −フェノール塩酸塩の合成。
Nメチルアミノ〕 −フェノール塩酸塩の合成。
(7−2)で得た化合物785昭をエタノール−0,5
N水酸化ナトリウム水溶液混合液(1: 1.) 1
00m1に溶解し、2時間加熱還流した。反応液を氷冷
し、酢酸で中和した後エーテル(50ml X 3 )
で抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(
51)ml)、飽和食塩水(50ml)で順次洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。
N水酸化ナトリウム水溶液混合液(1: 1.) 1
00m1に溶解し、2時間加熱還流した。反応液を氷冷
し、酢酸で中和した後エーテル(50ml X 3 )
で抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(
51)ml)、飽和食塩水(50ml)で順次洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。
残留物に4N塩酸−酢酸エチル溶液10m1を加え、再
び溶媒を減圧留去して、4−[N−(S)−2メチルブ
チル−N−メチルアミノ〕 −フェノール塩酸塩350
mg (収率66%)を得た。
び溶媒を減圧留去して、4−[N−(S)−2メチルブ
チル−N−メチルアミノ〕 −フェノール塩酸塩350
mg (収率66%)を得た。
(7−4) 目標化合物の合成
(7−8)で得た化合物35Dl1gと、常法により得
られた4−テトラデシルオキシ−4′−ビフェニルカル
ボン酸687■を用い、(1−5)に記した手法で標記
化合物200s+g (収率24%)を得た。
られた4−テトラデシルオキシ−4′−ビフェニルカル
ボン酸687■を用い、(1−5)に記した手法で標記
化合物200s+g (収率24%)を得た。
得られた化合物は’H−NMR,IRでその構造を確認
した。さらに、実施例1に示した方法で相転移温度、自
発分極を測定した結果を第1表に示す。
した。さらに、実施例1に示した方法で相転移温度、自
発分極を測定した結果を第1表に示す。
〔実施例8〕
41N−(S)−2−メチルブチル−↓−メチルアミノ
〕安息香酸4−オクチルオキシ−4′−ビフェニルエス
テルの合成。
〕安息香酸4−オクチルオキシ−4′−ビフェニルエス
テルの合成。
(8−1> 4− [N−(S)−メチルブチル−
N−メチルアミノ〕安息香酸塩酸塩の合成。
N−メチルアミノ〕安息香酸塩酸塩の合成。
メタノール20m1を一10℃に冷却し、塩化チオニル
3mlを滴下し10分撹拌後、市販の4−メチルアミノ
安息香酸4.Ogを加え、室温で一夜撹拌した。溶媒を
減圧留去し、E t 20 (10m1 )を加えて生
じた結晶を枦取して4−メチルアミノ安息香酸塩酸塩5
.0g (収率93%)を得た。次いで、(1−2)
、 <1−3)に記した手法を用いて、4−[N−(S
)−2−メチルブチル−N−メチルアミノ〕安息香酸メ
チルエステルを経て、4−(N−(S)−2−メチルブ
チル−N−メチルアミノ〕安息香酸塩酸塩を得た。
3mlを滴下し10分撹拌後、市販の4−メチルアミノ
安息香酸4.Ogを加え、室温で一夜撹拌した。溶媒を
減圧留去し、E t 20 (10m1 )を加えて生
じた結晶を枦取して4−メチルアミノ安息香酸塩酸塩5
.0g (収率93%)を得た。次いで、(1−2)
、 <1−3)に記した手法を用いて、4−[N−(S
)−2−メチルブチル−N−メチルアミノ〕安息香酸メ
チルエステルを経て、4−(N−(S)−2−メチルブ
チル−N−メチルアミノ〕安息香酸塩酸塩を得た。
(8−2> 目標化合物の合成。
(Ill−1)で得た化合物221 tagを四塩化炭
素5mlに媒を減圧留去して得られた残留物をトルエン
5mlに溶解し、水冷上常法により得られた4−オクチ
ルオキシ−4゛−ヒドロキシビフェニルのトルエン(5
ml ) −ピリジン(1ml)溶液に滴下し、さら
に1時間加熱還流した。
素5mlに媒を減圧留去して得られた残留物をトルエン
5mlに溶解し、水冷上常法により得られた4−オクチ
ルオキシ−4゛−ヒドロキシビフェニルのトルエン(5
ml ) −ピリジン(1ml)溶液に滴下し、さら
に1時間加熱還流した。
冷後、酢酸エチル(30ml)で希釈し、精製水(10
ml x 2) 、飽和食塩水(10ml)で順次洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。
ml x 2) 、飽和食塩水(10ml)で順次洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。
得られた残留物を30iのシリカゲルを用いてカラムク
ロマトグラフィーに付し、10%酢酸エチルヘキサンの
留分を濃縮、ヘキサンがら再結晶して無色針状の標記化
合物120urg (収率24%)を1ひた。
ロマトグラフィーに付し、10%酢酸エチルヘキサンの
留分を濃縮、ヘキサンがら再結晶して無色針状の標記化
合物120urg (収率24%)を1ひた。
得られた化合物は、’H−NMR,IRでその構造を確
認した。さらに、実施例1に示した方法で相転移温度を
測定した結果を第1表に示す。
認した。さらに、実施例1に示した方法で相転移温度を
測定した結果を第1表に示す。
〔実施例9〕
4−オクチルオキシ−4′−ビフェニルカルボン酸4−
〔N−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミ
ノコフェニルエステルの合成。
〔N−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミ
ノコフェニルエステルの合成。
(9−1) 4−ベンジルオキシアニリン塩酸塩の合
成。
成。
p−ニトロフェノール4.17gをエタノール40m1
に溶解し、炭酸カリウム2.5gとベンジルプロミド3
.9mlを加えて1.5時間加熱還流した。
に溶解し、炭酸カリウム2.5gとベンジルプロミド3
.9mlを加えて1.5時間加熱還流した。
反応液を冷却し、析出した結晶を枦取し、精製水で洗浄
した。得られた粗結晶をエタノールから再結晶して無色
針状のp−ニトロフェノールベンジルエーテル6.4g
(収率94%)を得た。
した。得られた粗結晶をエタノールから再結晶して無色
針状のp−ニトロフェノールベンジルエーテル6.4g
(収率94%)を得た。
え、室温で一夜撹拌した。不溶物を除き、反応液を濃縮
した後、酢酸エチル50m1を加え、10%水酸化ナト
リウム水溶液(2Dml) 、飽和食塩水(20ml)
で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去
した。残留物を再び4N塩酸−酢酸エチル溶液20nl
に溶解し、溶媒を留去して4−ベンジルオキシアニリン
塩酸塩の粗結晶1.5g (収率B3%)を得た。
した後、酢酸エチル50m1を加え、10%水酸化ナト
リウム水溶液(2Dml) 、飽和食塩水(20ml)
で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去
した。残留物を再び4N塩酸−酢酸エチル溶液20nl
に溶解し、溶媒を留去して4−ベンジルオキシアニリン
塩酸塩の粗結晶1.5g (収率B3%)を得た。
(9−2)4− rN−(S)−2−メチルブチル−
N−メチルアミノコフェノールベンジルエーテルの合成
。
N−メチルアミノコフェノールベンジルエーテルの合成
。
(9−1)で得た化合物を用い、(1−1)〜([3)
に記した手法でN〜アルキル化し、無色油状の4[N
−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミノコフェ
ノールベンジルエーテルを得た。
に記した手法でN〜アルキル化し、無色油状の4[N
−(S)−2−メチルブチル−N−メチルアミノコフェ
ノールベンジルエーテルを得た。
(9−3) 4− [N−(S)−2−メチルブチ
ル−Nメチルアミノコフェノールの合成。
ル−Nメチルアミノコフェノールの合成。
(9−2)で得た化合物1.0gとパラジウムブラック
100■をエタノール10m1に溶解し、シクロヘキ
セン2に+11を加えて1時間加熱還流した。不溶物を
除いた後、溶媒を減圧留去して、淡黄色油状の4−
〔N−(S)−2−メチルブチル−N〜メチルアミノ〕
フェノール610■(収率8B%)を得た。
100■をエタノール10m1に溶解し、シクロヘキ
セン2に+11を加えて1時間加熱還流した。不溶物を
除いた後、溶媒を減圧留去して、淡黄色油状の4−
〔N−(S)−2−メチルブチル−N〜メチルアミノ〕
フェノール610■(収率8B%)を得た。
(9−4) 目標化合物の合成。
常法により得られた4−オクチルオキシ−4′−ビフエ
ニルカルボン酸852 mgと、(9−3)で得た化合
物290mgを用い、(8−2)に記した手法で標記化
合物580mg (収率77%)を得た。
ニルカルボン酸852 mgと、(9−3)で得た化合
物290mgを用い、(8−2)に記した手法で標記化
合物580mg (収率77%)を得た。
得られた化合物は’H−NMR,IRでその構造を確認
した。さらに実施例1に示した方法て相転移温度、自発
分極を測定した結果を第1表に示す。
した。さらに実施例1に示した方法て相転移温度、自発
分極を測定した結果を第1表に示す。
なお実施例1〜9で得られた化合物の’H−NMR。
襄Rのデータを第2表に示す。
以上例示したように、本発明の化合物は極めて広範な温
度領域において強誘電性を呈する。したがって、単独に
あるいは他のネマチック、スメクチックあるいは強誘電
性液晶と適切に配合されて、実用温度領域において電気
光学的効果を応用した液晶表示素子の材料として、有用
な新規な化合物を簡単に廉価に提供することができる。
度領域において強誘電性を呈する。したがって、単独に
あるいは他のネマチック、スメクチックあるいは強誘電
性液晶と適切に配合されて、実用温度領域において電気
光学的効果を応用した液晶表示素子の材料として、有用
な新規な化合物を簡単に廉価に提供することができる。
第1図は一般式(Ia)で表わされる化合物の反応ルー
トを示し、第2図は、一般式(1b)で表わされる化合
物の反応ルートを示す図である。
トを示し、第2図は、一般式(1b)で表わされる化合
物の反応ルートを示す図である。
Claims (4)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
) 〔式中R_1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアル
キル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されたもの
も含み、 R_2はメチル又はエチル基を表わし、 R_3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、X
はCOO又はOCOを表わし、 m、nはそれぞれ0又は1を表わす。〕 で表わされるアミン誘導体。 - (2)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
・・・・・・(II)〔式中R_1は炭素数1〜12の不
斉炭素を有するアルキル基を表わし、その一部がハロゲ
ンで置換されたものも含み、 R_2はメチル又はエチル基を表わし、 mは0又は1を表わす。〕 で表わされる化合物又はその塩と、一般式(III)▲数
式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・・・
・・・・(III)〔式中R_3は炭素数1〜20の直鎖
アルキル基を表わし、nは0又は1を表わす。〕 で表わされる化合物を反応させることを特徴とする、 一般式( I a) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
a) 〔式中R_1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアル
キル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されたもの
も含み、 R_2はメチル又はエチル基を表わし、 R_3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、m
、nはそれぞれ0又は1を表わす。〕 で表わされるアミン誘導体の製造方法。 - (3)一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
・・・・・・(IV)〔式中R_1は炭素数4〜12の不
斉炭素を有するアルキル基を表わし、その一部がハロゲ
ンで置換されたものも含み、 R_2はメチル又はエチル基を表わし、 mは0又は1を表わす。〕 で表わされる化合物又はその塩と、一般式(V)▲数式
、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・・・・
・・・(V)〔式中R_3は炭素数1〜20の直鎖アル
キル基を表わし、nは0又は1を表わす。〕 で表わされる化合物を反応させることを特徴とする、 一般式( I b) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
b) 〔式中R_1は炭素数1〜12の不斉炭素を有するアル
キル基を表わし、その一部がハロゲンで置換されたもの
も含み、 R_2はメチル又はエチル基を表わし、 R_3は炭素数1〜20の直鎖アルキル基を表わし、m
、nはそれぞれ0又は1を表わす。〕 で表わされるアミン誘導体の製造方法。 - (4)請求項(1)記載のアミン誘導体を少なくとも一
種配合成分として含有した組成物を使用することを特徴
とする液晶素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8694890A JPH0669997B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | アミン誘導体 |
US07/640,753 US5166403A (en) | 1990-03-29 | 1991-01-14 | Amine derivatives and process for producing the same |
DE4101129A DE4101129A1 (de) | 1990-03-29 | 1991-01-16 | Aminderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8694890A JPH0669997B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | アミン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03284656A true JPH03284656A (ja) | 1991-12-16 |
JPH0669997B2 JPH0669997B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=13901095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8694890A Expired - Lifetime JPH0669997B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-30 | アミン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669997B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993005015A1 (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-18 | Showa Denko K.K. | Optically active alkylthiobenzoic acid derivative, and production and use thereof |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8694890A patent/JPH0669997B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993005015A1 (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-18 | Showa Denko K.K. | Optically active alkylthiobenzoic acid derivative, and production and use thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0669997B2 (ja) | 1994-09-07 |
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