JPH03283645A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH03283645A JPH03283645A JP8558290A JP8558290A JPH03283645A JP H03283645 A JPH03283645 A JP H03283645A JP 8558290 A JP8558290 A JP 8558290A JP 8558290 A JP8558290 A JP 8558290A JP H03283645 A JPH03283645 A JP H03283645A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置用のリードフレームおよびその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来、半導体Ｈｉｌｔ用のリードフレームを製造するに
当たっては、所定素材からなる薄い金属板をリードフレ
ーム用材とし、これをエツチング手法を用いて加工して
おり、半導体素子が載置されるタブ部、このタブ部を囲
むように配置されるインナーリード部、このインナーリ
ード部に連続するアウターリード部などを得るために、
所定の形成パターンでレジスト剤を前記用材に施し、こ
ののちエツチング液によって不要部分を腐食除去してリ
ードフレームが得られていた。
当たっては、所定素材からなる薄い金属板をリードフレ
ーム用材とし、これをエツチング手法を用いて加工して
おり、半導体素子が載置されるタブ部、このタブ部を囲
むように配置されるインナーリード部、このインナーリ
ード部に連続するアウターリード部などを得るために、
所定の形成パターンでレジスト剤を前記用材に施し、こ
ののちエツチング液によって不要部分を腐食除去してリ
ードフレームが得られていた。
また昨今においては、リードフレームを超多ピンとする
要望がでてきたことから、第４図に示すように、リード
フレーム１におけるインナーリード部２のリード３のピ
ッチＡを詰めて前記リード３の本数が多くなるように試
みられている。
要望がでてきたことから、第４図に示すように、リード
フレーム１におけるインナーリード部２のリード３のピ
ッチＡを詰めて前記リード３の本数が多くなるように試
みられている。
このようにリード３のピッチＡが小さいリードフレーム
１を製造する場合には、第４図に示すように、用材４に
おけるインナーリード部形成部５に対して、上下方向か
らリード形成パターンでレジスト剤６を施し、これをエ
ツチング（例えばエツチング溶液として塩化第二鉄溶液
を使用する）してインナーリード部２を得るようにして
いる。
１を製造する場合には、第４図に示すように、用材４に
おけるインナーリード部形成部５に対して、上下方向か
らリード形成パターンでレジスト剤６を施し、これをエ
ツチング（例えばエツチング溶液として塩化第二鉄溶液
を使用する）してインナーリード部２を得るようにして
いる。
ところで、リードフレームにおけるインナーリード部に
おいては、ボンディングのためにり一ド３それぞれの先
端上端面にある程度の平坦幅Ｂが必要であり、そしてリ
ード間の絶縁性を確実にするなどの条件がある。
おいては、ボンディングのためにり一ド３それぞれの先
端上端面にある程度の平坦幅Ｂが必要であり、そしてリ
ード間の絶縁性を確実にするなどの条件がある。
しかしながら、上記したインナーリード部のエツチング
形成では、エツチングが用材に対して上下左右はぼ同速
度で進むことから、リード３の平坦幅Ｂを確保するため
、リードのピッチＡに限界があり、またエツチング後の
リード間では上下方向からのエツチングによる張り出し
７があり、この張り出し間Ｃを確保するように、すなわ
ち絶縁性を確保するためにもピッチＡに限界があった。
形成では、エツチングが用材に対して上下左右はぼ同速
度で進むことから、リード３の平坦幅Ｂを確保するため
、リードのピッチＡに限界があり、またエツチング後の
リード間では上下方向からのエツチングによる張り出し
７があり、この張り出し間Ｃを確保するように、すなわ
ち絶縁性を確保するためにもピッチＡに限界があった。
そこで本発明は、上記したインナーリード部における
リードピッチの限界をさらに小さくすることを課題とし
、ボンディングする平坦幅が確保でき、かつリード間の
絶縁性が確実となった超多ピン用のリードフレームを得
ることを目的とする。
リードピッチの限界をさらに小さくすることを課題とし
、ボンディングする平坦幅が確保でき、かつリード間の
絶縁性が確実となった超多ピン用のリードフレームを得
ることを目的とする。
本発明は、上記した課題を考慮してなされたもので、半
導体素子が載置されるタブ部を囲むようにして配置され
るインナーリード部の複数本のリードそれぞれが、隣設
するリードの間に間隙を存して上下方向に交互に配置し
ていることを特徴とするリードフレームを提供して、上
記課題を解消するものである。また、エツチング速度の
速い中心層の上下に前記中心層よりエツチング速度の遅
い被覆層を有するり−Ｖフレーム用材の、インナーリー
ド部形成部の片面に、リード形成パータンでレジスト剤
を施すとともに、前記インナーリード部形成部の他面に
、リード形成パターンを、前記片面側に施したリード形
成パターンに対してリードピッチの半ピッチずらしてレ
ジスト剤を施して、前記インナーリード部形成部のエツ
チング時に、前記中間層をエツチング除去して、それぞ
れが上下方向に交互に配置した複数本のリードをエツチ
ング形成することを特徴とするリードフレームの製造方
法を提供して、上記課題を解消するものである。
導体素子が載置されるタブ部を囲むようにして配置され
るインナーリード部の複数本のリードそれぞれが、隣設
するリードの間に間隙を存して上下方向に交互に配置し
ていることを特徴とするリードフレームを提供して、上
記課題を解消するものである。また、エツチング速度の
速い中心層の上下に前記中心層よりエツチング速度の遅
い被覆層を有するり−Ｖフレーム用材の、インナーリー
ド部形成部の片面に、リード形成パータンでレジスト剤
を施すとともに、前記インナーリード部形成部の他面に
、リード形成パターンを、前記片面側に施したリード形
成パターンに対してリードピッチの半ピッチずらしてレ
ジスト剤を施して、前記インナーリード部形成部のエツ
チング時に、前記中間層をエツチング除去して、それぞ
れが上下方向に交互に配置した複数本のリードをエツチ
ング形成することを特徴とするリードフレームの製造方
法を提供して、上記課題を解消するものである。
（作 用〕
第１の発明においては、隣設するリードそれぞれが上下
方向に交互に配置して、リード相互のエツチングしてな
る側面が横方向には相対せず、所定のリードピッチで配
置したリードが、リード相互の実距離で前記のピッチ以
上に離れるようになる。
方向に交互に配置して、リード相互のエツチングしてな
る側面が横方向には相対せず、所定のリードピッチで配
置したリードが、リード相互の実距離で前記のピッチ以
上に離れるようになる。
また第２の発明においては、上下の被覆層がそれぞれに
施されたリード形成パターンでエツチングされていき、
そのエツチングが中心層に達したのちに、この中心層が
前記被覆層より急速にエツチングされて除去されると、
前記被覆層によってリードが形成され、リードが交互に
上下方向に位置するようになる。
施されたリード形成パターンでエツチングされていき、
そのエツチングが中心層に達したのちに、この中心層が
前記被覆層より急速にエツチングされて除去されると、
前記被覆層によってリードが形成され、リードが交互に
上下方向に位置するようになる。
つぎに、本発明を第１図から第３図に示す実施例に基づ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
リードフレーム１におけるインナーリード部２の複数本
のり−ド３は、ボンディングのための平坦幅Ｂを確保し
ながら、第１図に示すように、隣設した相互において上
下方向にずれた位置で配置されていて、上位置のり−ド
３の下面より下位置のり一ド３の上面が下に位置するよ
うに設けられている。また隣設するリード３の張り出し
７による張り出し間Ｃは確保されているとともに、横方
向における間隙りも設けられている。
のり−ド３は、ボンディングのための平坦幅Ｂを確保し
ながら、第１図に示すように、隣設した相互において上
下方向にずれた位置で配置されていて、上位置のり−ド
３の下面より下位置のり一ド３の上面が下に位置するよ
うに設けられている。また隣設するリード３の張り出し
７による張り出し間Ｃは確保されているとともに、横方
向における間隙りも設けられている。
この構造により所定のピッチＡで配置したり−ド３にお
いて、隣設するリード３の実距離を大きくすることがで
きるとともに、上記張り出し間Ｃも大きくすることがで
きる。これを言い換えると、隣設するリード３の実距離
や張り出し間Ｃを限界まで小さくすることによって、リ
ード間の絶縁を確保しボンディングのための平坦幅を確
保しながら、リードのピッチＡを小さくすることが可能
であり、数多くのリードを詰めた状態で配置したリード
フレームとなる。
いて、隣設するリード３の実距離を大きくすることがで
きるとともに、上記張り出し間Ｃも大きくすることがで
きる。これを言い換えると、隣設するリード３の実距離
や張り出し間Ｃを限界まで小さくすることによって、リ
ード間の絶縁を確保しボンディングのための平坦幅を確
保しながら、リードのピッチＡを小さくすることが可能
であり、数多くのリードを詰めた状態で配置したリード
フレームとなる。
なお、インナーリード部でのポンディング性を良好にす
るために、上下方向に交互となっているリードを一面に
揃えるように加工を施すことも可能である。
るために、上下方向に交互となっているリードを一面に
揃えるように加工を施すことも可能である。
上記リードフレームを製造するに当たっては、第３図に
示すように、リードフレーム用材８として、エツチング
速度の速い中心層９の上下にこの中心層８よりエツチン
グ速度の遅い被覆層１０を有する積層材を用いる。この
積層材は例えば中心層９に銅を用い被覆層１０に４２ニ
ッケル合金を用いた層構成のものや、中心層９を炭素含
有率が低い４２ニッケル合金とし被覆層１０を炭素含有
率が高い４２ニッケル合金とした層構成のものなどで、
適宜に選択できるものである。
示すように、リードフレーム用材８として、エツチング
速度の速い中心層９の上下にこの中心層８よりエツチン
グ速度の遅い被覆層１０を有する積層材を用いる。この
積層材は例えば中心層９に銅を用い被覆層１０に４２ニ
ッケル合金を用いた層構成のものや、中心層９を炭素含
有率が低い４２ニッケル合金とし被覆層１０を炭素含有
率が高い４２ニッケル合金とした層構成のものなどで、
適宜に選択できるものである。
そして上記用材８にリードフレームを得るためのレジス
ト剤のパターンー二ングを行うものであって、このイン
ナーリード部形成部５においては、片面にリード形成パ
ターンでレジスト剤６をパターニング１１するとともに
、他面には、前記パターニング１１に対してリードピッ
チの半ピッチずれた状態でレジスト剤６をリード形成パ
ターンでパターニング１２する。
ト剤のパターンー二ングを行うものであって、このイン
ナーリード部形成部５においては、片面にリード形成パ
ターンでレジスト剤６をパターニング１１するとともに
、他面には、前記パターニング１１に対してリードピッ
チの半ピッチずれた状態でレジスト剤６をリード形成パ
ターンでパターニング１２する。
こののち上記用材８をエツチングするものであって、イ
ンナーリード部形成部以外のリードフレーム形成部分と
ともにエツチングしたり、エツチング時期をずらしてエ
ツチングを行う。このエツチングによってまず被覆層１
０の不要部分がエツチング除去される。そしてエツチン
グが中心層９に達すると前記被覆層１ｏより速くこのエ
ツチングが進み、この中心層９をエツチング除去してエ
ツチングを終了する。これによって前記被覆層１０から
リード３が上下に交互に位置した状態で得られるように
なる。
ンナーリード部形成部以外のリードフレーム形成部分と
ともにエツチングしたり、エツチング時期をずらしてエ
ツチングを行う。このエツチングによってまず被覆層１
０の不要部分がエツチング除去される。そしてエツチン
グが中心層９に達すると前記被覆層１ｏより速くこのエ
ツチングが進み、この中心層９をエツチング除去してエ
ツチングを終了する。これによって前記被覆層１０から
リード３が上下に交互に位置した状態で得られるように
なる。
張り出し間Ｃは中心層の層厚、エツチング圧（エツチン
グ液吹き付は圧）、エツチング時間の変更で調整できる
。
グ液吹き付は圧）、エツチング時間の変更で調整できる
。
上述したように、リード３が上下に交互に位置した状態
で得られることから、所定のピッ□チでリード３の実距
離を詰めることが容易であり、よってリードの実距離を
詰めた、すなわちリードピッチの小さいリードフレーム
が得られるようになる。
で得られることから、所定のピッ□チでリード３の実距
離を詰めることが容易であり、よってリードの実距離を
詰めた、すなわちリードピッチの小さいリードフレーム
が得られるようになる。
以上説明したように、本発明によれば、リードフレーム
は、半導体素子が載置されるタブ部を囲むようにして配
置されるインナーリード部の複数本のリードそれぞれが
、隣設するリードの間に間隙を存して上下方向に交互に
配置しているので、リード間の実距離を大きくすること
ができ、よってこの実距離を限界まで小さくすることに
より、リードのピッチが小さくなり、より数多くのり−
ドを配置することができるようになる。またもう一つの
発明によれば、エツチング速度の速い中心層の上下に前
記中心層よりエツチング速度の遅い被覆層を有するリー
ドフレーム用材の、インナーリード部形成部の片面に、
リード形成パータンでレジスト剤を施すとともに、前記
インナーリード部形成部の他面に、リード形成パターン
を、前記片面側に施したリード形成パターンに対してり
一ドピッチの半ピッチずらしてレジスト剤を施して、前
記インナーリード部形成部のエツチング時に、前記中間
層をエツチング除去して、それぞれが上下方向に交互に
配置した複数本のリードをエツチング形成するので、所
定のピッチで配置されたリードの間の実距離を大きくし
たリードフレームが得られるようになり、このことから
、リード間の実距離を小さくした多数本のリードを有す
るリードフレームが得られるようになるなど、実用性に
すぐれた効果を奏するものである。
は、半導体素子が載置されるタブ部を囲むようにして配
置されるインナーリード部の複数本のリードそれぞれが
、隣設するリードの間に間隙を存して上下方向に交互に
配置しているので、リード間の実距離を大きくすること
ができ、よってこの実距離を限界まで小さくすることに
より、リードのピッチが小さくなり、より数多くのり−
ドを配置することができるようになる。またもう一つの
発明によれば、エツチング速度の速い中心層の上下に前
記中心層よりエツチング速度の遅い被覆層を有するリー
ドフレーム用材の、インナーリード部形成部の片面に、
リード形成パータンでレジスト剤を施すとともに、前記
インナーリード部形成部の他面に、リード形成パターン
を、前記片面側に施したリード形成パターンに対してり
一ドピッチの半ピッチずらしてレジスト剤を施して、前
記インナーリード部形成部のエツチング時に、前記中間
層をエツチング除去して、それぞれが上下方向に交互に
配置した複数本のリードをエツチング形成するので、所
定のピッチで配置されたリードの間の実距離を大きくし
たリードフレームが得られるようになり、このことから
、リード間の実距離を小さくした多数本のリードを有す
るリードフレームが得られるようになるなど、実用性に
すぐれた効果を奏するものである。
第１図は本発明に係るリードフレームの要部を示す説明
図、第２図は本発明を実施したリードフレームの一部を
示す説明図、第３図は本発明に用いるリードフレーム用
材を断面で示す説明図、第４図と第５図は従来例を示す
説明図である。 １・・・リードフレーム ２・・・インナーリード部 ３・・・リード ５・・・インナーリード部形成部 ６・・・レジスト剤 ８・・・リードフレーム用材 ９・・・中心層 １０・・・被覆層 Ａ・・・ピッチ Ｂ・・・平坦幅 Ｃ・・・張り出し間 Ｄ・・・間隙 第１！！Ｉ
図、第２図は本発明を実施したリードフレームの一部を
示す説明図、第３図は本発明に用いるリードフレーム用
材を断面で示す説明図、第４図と第５図は従来例を示す
説明図である。 １・・・リードフレーム ２・・・インナーリード部 ３・・・リード ５・・・インナーリード部形成部 ６・・・レジスト剤 ８・・・リードフレーム用材 ９・・・中心層 １０・・・被覆層 Ａ・・・ピッチ Ｂ・・・平坦幅 Ｃ・・・張り出し間 Ｄ・・・間隙 第１！！Ｉ
Claims (2)
- （１）半導体素子が載置されるタブ部を囲むようにして
配置されるインナーリード部の複数本のリードそれぞれ
が、隣設するリードの間に間隙を存して上下方向に交互
に配置していることを特徴とするリードフレーム。 - （２）エッチング速度の速い中心層の上下に前記中心層
よりエッチング速度の遅い被覆層を有するリードフレー
ム用材の、インナーリード部形成部の片面に、リード形
成パータンでレジスト剤を施すとともに、 前記インナーリード部形成部の他面に、リード形成パタ
ーンを、前記片面側に施したリード形成パターンに対し
てリードピッチの半ピッチずらしてレジスト剤を施して
、 前記インナーリード部形成部のエッチング時に、前記中
間層をエッチング除去して、それぞれが上下方向に交互
に配置した複数本のリードをエッチング形成することを
特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8558290A JPH03283645A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8558290A JPH03283645A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283645A true JPH03283645A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13862807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8558290A Pending JPH03283645A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180661A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | リードフレームおよびその製造方法 |
| JP2005057067A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017195344A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8558290A patent/JPH03283645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180661A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Kyushu Ltd | リードフレームおよびその製造方法 |
| JP2005057067A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017195344A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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