JPH03280421A - 半導体基板支持構体 - Google Patents
半導体基板支持構体Info
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- JPH03280421A JPH03280421A JP7989790A JP7989790A JPH03280421A JP H03280421 A JPH03280421 A JP H03280421A JP 7989790 A JP7989790 A JP 7989790A JP 7989790 A JP7989790 A JP 7989790A JP H03280421 A JPH03280421 A JP H03280421A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板支持構体、特に拡散炉型減圧化学気
相成長装置において使用される半導体基板支持構体に関
する。
相成長装置において使用される半導体基板支持構体に関
する。
減圧化学気相成長法（以下ＬＰＣＶＤ法と略記）は、半
導体装置の薄膜形成に多用されている。
導体装置の薄膜形成に多用されている。
例えば、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸
化膜はＬＰＣＶＤ法にて形成される。ＬＰＣＶＤ法にお
いては、使′用する反応ガス種あるいはその組合せによ
って、半導体基板表面における反応が表面反応律速にな
る場合と、反応ガスおよび生成ガスの拡散律速になる場
合に２分される。
化膜はＬＰＣＶＤ法にて形成される。ＬＰＣＶＤ法にお
いては、使′用する反応ガス種あるいはその組合せによ
って、半導体基板表面における反応が表面反応律速にな
る場合と、反応ガスおよび生成ガスの拡散律速になる場
合に２分される。
前者の場合は半導体基板面内において膜厚均一性の良い
薄膜を得ることは比較的容易であるが、後者の場合は、
ＬＰＧＶＤ装置内での反応ガス種の流れおよびその消費
の影響を受けるため、特別の工夫を施した半導体基板支
持構体を要する。前者に属する例としてはシラン（Ｓｉ
Ｈ４）を反応ガス種としたポリシリコン膜、後者に属す
る例としてはシラン（ＳｉＨ４）とホスフィン（ｐ Ｈ
３）を反応ガスを種としたリンドープポリシリコン膜が
ある。
薄膜を得ることは比較的容易であるが、後者の場合は、
ＬＰＧＶＤ装置内での反応ガス種の流れおよびその消費
の影響を受けるため、特別の工夫を施した半導体基板支
持構体を要する。前者に属する例としてはシラン（Ｓｉ
Ｈ４）を反応ガス種としたポリシリコン膜、後者に属す
る例としてはシラン（ＳｉＨ４）とホスフィン（ｐ Ｈ
３）を反応ガスを種としたリンドープポリシリコン膜が
ある。
従来の縦型ＬＰＧＶＤ炉における、リンドープポリシリ
コンを堆積するのに使用される半導体基板支持構体の断
面図を第３図に示す。第３図において、多数の円形支持
板１２が支持棒１１により、間隔ｄを隔てて数段に重ね
られており、各円形支持板１２の上に被膜形成対象の半
導体基板５が載置されている。
コンを堆積するのに使用される半導体基板支持構体の断
面図を第３図に示す。第３図において、多数の円形支持
板１２が支持棒１１により、間隔ｄを隔てて数段に重ね
られており、各円形支持板１２の上に被膜形成対象の半
導体基板５が載置されている。
このような半導体基板支持構体に被膜形成の半導体基板
をセットし、薄膜を形成しようとする場合、対向する上
下の円形支持板で仕切られた円筒形空間の中心部では、
周辺部に比べ反応ガスの出入りが少いため、半導体基板
の周辺部では膜厚が厚く、中心部では薄くなるという欠
点がある。この欠点を避けるためには、円形支持板１２
の大きさを大きく、例えば被膜形成の半導体基板の直径
より４０ｍｍ程度大きく、また、円形支持板相互の間隔
を２０ｍｍ程度にする必要がある。その結果、円形支持
板の段数が少くなり、−回の処理枚数６少く、また、大
きな支持板のために重量が重くなり操作性が悪くなると
いう欠点を生じる。
をセットし、薄膜を形成しようとする場合、対向する上
下の円形支持板で仕切られた円筒形空間の中心部では、
周辺部に比べ反応ガスの出入りが少いため、半導体基板
の周辺部では膜厚が厚く、中心部では薄くなるという欠
点がある。この欠点を避けるためには、円形支持板１２
の大きさを大きく、例えば被膜形成の半導体基板の直径
より４０ｍｍ程度大きく、また、円形支持板相互の間隔
を２０ｍｍ程度にする必要がある。その結果、円形支持
板の段数が少くなり、−回の処理枚数６少く、また、大
きな支持板のために重量が重くなり操作性が悪くなると
いう欠点を生じる。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題に対し本発明では、半導体基板を支持する円形
支持板の隣接し対向する支持板同士の間の距離を周辺部
では小さく、中心部では大きくなるように前記支持板の
周辺部が中心部に対し実質的に厚い形に形成しているの
で、中心部と周辺部における被膜の膜厚不均一がなくな
る。
支持板の隣接し対向する支持板同士の間の距離を周辺部
では小さく、中心部では大きくなるように前記支持板の
周辺部が中心部に対し実質的に厚い形に形成しているの
で、中心部と周辺部における被膜の膜厚不均一がなくな
る。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に被膜形成対象の半導体
基板を取付けた状態を示す断面図である。
基板を取付けた状態を示す断面図である。
第１図において、多数の円形支持板３が一対の支持棒１
により一定間隔をおいて数段に重ねて支持されている。
により一定間隔をおいて数段に重ねて支持されている。
各円形支持板の上には被膜を形成する半導体基板５が載
置されているが、各支持板５の裏面は凹レンズ状に内側
に湾曲しており、そのため、この裏面と対向する下側の
支持板と間の距離は、中心部から周辺にかけて減少して
いる。そのため、相対向する上と下の支持板の間にはさ
まる円筒形空間は、中央部で膨らんだ形となる。そのた
め、第３図の従来の等間隔の空間では中央部の膜成長速
度が周辺部に比べて遅くなり勝ちであっだのが、この膨
らみで補償されて、周辺部も中央部も均一な膜厚となる
。例えば、リンドーフポリシリコンを成長させる場合、
円形支持板３の直径は半導体基板の直径＋１０順、上下
の支持板の間隔は周辺部で５＝、中央部で１０−とする
ことにより、良好な膜厚均一性が得られた。なお、従来
は均一な膜厚を得るのに支持板の間隔が２０順が必要で
あったのに対し、本発明により１０＋ｆｍの間隔で均一
な膜厚形成が可能となった為、１回の成長可能な半導基
板の処理枚数は５０枚となり、従来技術の２５枚に比較
して大幅に増加した。
置されているが、各支持板５の裏面は凹レンズ状に内側
に湾曲しており、そのため、この裏面と対向する下側の
支持板と間の距離は、中心部から周辺にかけて減少して
いる。そのため、相対向する上と下の支持板の間にはさ
まる円筒形空間は、中央部で膨らんだ形となる。そのた
め、第３図の従来の等間隔の空間では中央部の膜成長速
度が周辺部に比べて遅くなり勝ちであっだのが、この膨
らみで補償されて、周辺部も中央部も均一な膜厚となる
。例えば、リンドーフポリシリコンを成長させる場合、
円形支持板３の直径は半導体基板の直径＋１０順、上下
の支持板の間隔は周辺部で５＝、中央部で１０−とする
ことにより、良好な膜厚均一性が得られた。なお、従来
は均一な膜厚を得るのに支持板の間隔が２０順が必要で
あったのに対し、本発明により１０＋ｆｍの間隔で均一
な膜厚形成が可能となった為、１回の成長可能な半導基
板の処理枚数は５０枚となり、従来技術の２５枚に比較
して大幅に増加した。
第２図（ａ）は横型拡散炉型のＬＰＧＶＤ装置用の本発
明の第２実旌例の断面図、同図（ｂ）は正面図である。
明の第２実旌例の断面図、同図（ｂ）は正面図である。
これらの図において、被膜形成の半導体基板を支持する
円形支持板４は、２本の支持棒２により、所定間隔をお
いて相対向し多数積に並べられている。各支持板の半導
体基板を支持する平らな一方の面の反対側の裏面は、第
１図の実施例と同様に、凹レンズのように内側に湾曲し
ているので、相隣り対向する支持板の間の周辺部の距離
は中央部に比べて短くなっており、そのため、この支持
板に取付けた半導体基板５上に形成される被膜の膜厚は
、第１実施例と同様に均一な膜厚となる。
円形支持板４は、２本の支持棒２により、所定間隔をお
いて相対向し多数積に並べられている。各支持板の半導
体基板を支持する平らな一方の面の反対側の裏面は、第
１図の実施例と同様に、凹レンズのように内側に湾曲し
ているので、相隣り対向する支持板の間の周辺部の距離
は中央部に比べて短くなっており、そのため、この支持
板に取付けた半導体基板５上に形成される被膜の膜厚は
、第１実施例と同様に均一な膜厚となる。
以上説明したように本発明は、半導体基板を支持する円
形支持板同士の間の距離は中心部から周辺部分に向って
減少するようになっているので、従来の等間隔の支持板
に比べ格段に優れた処理能力を実現でき、その結果半導
体装置の製造原価の低減に大きく寄与するという顕著な
効果を有する。
形支持板同士の間の距離は中心部から周辺部分に向って
減少するようになっているので、従来の等間隔の支持板
に比べ格段に優れた処理能力を実現でき、その結果半導
体装置の製造原価の低減に大きく寄与するという顕著な
効果を有する。
また、従来技術に比較して、半導体基板支持構体の円形
支持板の寸法を格段に小さくすることができ、極めて操
作し易くなる。
支持板の寸法を格段に小さくすることができ、極めて操
作し易くなる。
第１図は氷見間第１の実施例の縦断面図、第２図（ａ）
は本発明の第２の実施例の縦断面図、同図（ｂ）は正面
図、第３図は従来の半導体基板支持構体の断面図である
。 １゜ ２゜ １・・・・・・基板支持棒、 ３゜ ４゜ ２・・・ ・・・円形支持板、 ５・・・・・・半導体基板。
は本発明の第２の実施例の縦断面図、同図（ｂ）は正面
図、第３図は従来の半導体基板支持構体の断面図である
。 １゜ ２゜ １・・・・・・基板支持棒、 ３゜ ４゜ ２・・・ ・・・円形支持板、 ５・・・・・・半導体基板。
Claims (1)
- 被膜形成対象の半導体基板を支持する円形支持板が支
持棒に支持されて一定間隔をおいて多数対向し配置され
ている半導体基板支持構体において、前記相隣る円形支
持板の間の距離が、中心部から周辺部にかけて減少する
よう構成されていることを特徴とする半導体基板支持構
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7989790A JPH03280421A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体基板支持構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7989790A JPH03280421A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体基板支持構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280421A true JPH03280421A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13703069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7989790A Pending JPH03280421A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体基板支持構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8041196B2 (en) | 2007-12-25 | 2011-10-18 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiating plate storage tray |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP7989790A patent/JPH03280421A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8041196B2 (en) | 2007-12-25 | 2011-10-18 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiating plate storage tray |
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