JPH03276722A - Method for controlling cleaning condition of silicon wafer - Google Patents
Method for controlling cleaning condition of silicon waferInfo
- Publication number
- JPH03276722A JPH03276722A JP7740090A JP7740090A JPH03276722A JP H03276722 A JPH03276722 A JP H03276722A JP 7740090 A JP7740090 A JP 7740090A JP 7740090 A JP7740090 A JP 7740090A JP H03276722 A JPH03276722 A JP H03276722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- cleaning
- particles
- wafer
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 55
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 14
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はシリコンウェーへの製造における鏡面仕上げの
ための洗浄工程、または、該シリコンウェーハにデバイ
スを作成する前の酸洗工程等での洗浄条件の管理方法に
関する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention is applicable to a cleaning process for mirror finishing in the manufacture of silicon wafers, or a cleaning process such as a pickling process before creating devices on the silicon wafers. Regarding how to manage conditions.
〈従来の技術〉
単結晶シリコンウェーハにトランジスタ等のデバイスを
形成するためには、研磨後のシリコンウェーハをアルカ
リ系洗浄液（例えばアンモニア系洗浄液）を含むＲＣＡ
洗浄により洗浄してゴミ等を除去して鏡面仕上げしく初
期洗浄）、更に例えばこの後該シリコンウェーへ表面を
酸洗等していたく酸化前処理の洗浄等）。<Prior art> In order to form devices such as transistors on a single crystal silicon wafer, the polished silicon wafer is subjected to RCA containing an alkaline cleaning solution (for example, an ammonia-based cleaning solution).
(Initial cleaning to remove dust and the like to give a mirror finish), and further, for example, after this, the surface of the silicon wafer may be pickled (cleaning for pre-oxidation treatment, etc.).
そして、これらの洗浄によって目的とするゴミ等がウェ
ーハ表面から充分に除去されているか否か、あるいは、
逆に洗浄によりゴミが付着するか否かを把握するためそ
の洗浄条件の管理を行う必要がある。Then, whether or not the target dust etc. is sufficiently removed from the wafer surface by these cleanings, or
On the other hand, it is necessary to manage the cleaning conditions in order to determine whether or not dust adheres due to cleaning.
この洗浄条件の管理として、従来は、例えばアンモニア
系洗浄液での洗浄後、該シリコンウェーハの表面をパー
ティクルカウンタによってパーティクル数をカウントし
ていた。すなわち、試験用のシリコンウェーハ表面のパ
ーティクル数をカウントし、このカウント値が安定して
低いことを確認することにより洗浄状態を把握していた
。Conventionally, to manage the cleaning conditions, for example, after cleaning with an ammonia-based cleaning liquid, the number of particles on the surface of the silicon wafer was counted using a particle counter. That is, the cleaning state was determined by counting the number of particles on the surface of the test silicon wafer and confirming that the count value was stably low.
そして、このようにして洗浄したシリコンウェーハにつ
いて例えば酸化前工程として酸洗浄等により表面から金
属物等を除去するものである。The silicon wafer thus cleaned is then subjected to acid cleaning or the like as a pre-oxidation process to remove metals and the like from the surface.
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような従来のシリコンウェーへの洗
浄条件の管理方法にあっては、試験用のシリコンウェー
ハとしては引き上げ法により作成したシリコンウェーハ
が用いられており、しかも、このウェーハはゴミ等の除
去のためにアンモニア系洗浄液によって洗浄されていた
。<Problems to be Solved by the Invention> However, in such conventional methods of managing cleaning conditions for silicon wafers, silicon wafers prepared by the pulling method are used as test silicon wafers. Moreover, this wafer was cleaned with an ammonia-based cleaning solution to remove dust and the like.
このため、このシリコンウェーハ表面にはアンモニア系
洗浄液によって結晶に起因する微小ピットが発生してい
た。したがって、アンモニア系洗浄後のシリコンウェー
ハをパーティクルカウンタにより測定すると、実際には
シリコンウェーへの表面にパーティクルが存在しなくて
も、見かけ上パーティクルが存在する結果となる。すな
わち、アンモニア系洗浄に伴う微小ピットの存在により
、洗浄条件を正確に管理することができないという課題
があった。これは酸洗浄等の洗浄においても同様である
。また、この試験用として使用したシリコンウェーハは
再び研磨してからでないと使用することがてきないもの
である。For this reason, micro pits caused by crystals were generated on the surface of this silicon wafer due to the ammonia-based cleaning solution. Therefore, when a silicon wafer after ammonia-based cleaning is measured using a particle counter, particles appear to be present even though there are actually no particles on the surface of the silicon wafer. That is, due to the presence of micro pits associated with ammonia-based cleaning, there was a problem in that cleaning conditions could not be accurately controlled. This also applies to cleaning such as acid cleaning. Furthermore, the silicon wafer used for this test must be polished again before it can be used again.
そこで、本発明は、エピタキシャル成長により形成した
シリコンウェーハにはアンモニア系洗浄により微小ピッ
トが形成されないことから、試験用標準試料としてこれ
を用いることにより、洗浄条件の管理を正確に行うこと
のできる管理方法を提供することを、その目的としてい
る。また、試験用標準試料としてそのまま繰り返しての
使用に耐えられるシリコンウェーハな提供することをも
その目的としている。Therefore, since micro pits are not formed in silicon wafers formed by epitaxial growth due to ammonia-based cleaning, the present invention provides a control method that allows accurate control of cleaning conditions by using this as a standard sample for testing. Its purpose is to provide. Another purpose is to provide a silicon wafer that can withstand repeated use as a standard sample for testing.
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、シリコンウェーハ表面の洗浄を行うシリコン
ウェーへの洗浄工程において、エピタキシャル成長法に
より作成したシリコンウェーハを標準試料として用いて
、そのシワコンウェーハ表面を洗浄し、その後、該シリ
コンウェーハの表面のパーティクルを測定するシリコン
ウェーハの洗浄条件の管理方法である。<Means for Solving the Problems> The present invention uses a silicon wafer produced by an epitaxial growth method as a standard sample in a silicon wafer cleaning step for cleaning the silicon wafer surface, and cleans the wrinkled wafer surface. This is a method of managing cleaning conditions for a silicon wafer, in which particles on the surface of the silicon wafer are then measured.
〈作用および効果〉
本発明に係るシリコンウェーへの洗浄条件の管理方法で
は、エピタキシャル成長法により作成したシリコンウェ
ーハを標準試料として用いて例えばアンモニア系洗浄液
による洗浄を行う。そして、その洗浄後のシリコンウェ
ーへの表面のパーティクルを例えばパーティクルカウン
タによって測定する。<Operations and Effects> In the method for controlling cleaning conditions for a silicon wafer according to the present invention, a silicon wafer produced by an epitaxial growth method is used as a standard sample and is cleaned with, for example, an ammonia-based cleaning solution. Then, particles on the surface of the silicon wafer after cleaning are measured using, for example, a particle counter.
このとき、このエピタキシャル成長させたシリコンウェ
ーハは、アンモニア系洗浄液（Ｎ Ｈｔ ＯＨ／ Ｈ２
０２）によフては微小ピットが形成されることはない。At this time, the epitaxially grown silicon wafer was washed with an ammonia-based cleaning solution (N Ht OH/H2
02), no minute pits are formed.
したがって、パーティクルとしてカウントされた数は、
すへて当該洗浄液を使用することによりシリコンウェー
ハ表面に付着または存在する実際のパーティクル数を意
味することとなる。Therefore, the number of particles counted is
This means the actual number of particles attached or present on the silicon wafer surface by using the cleaning solution.
また、例えば酸化前の洗浄（酸洗等）においてもこのシ
リコンウェーハを標準試料として使用することにより、
その洗浄液の状態等を正確に把握することができる。In addition, by using this silicon wafer as a standard sample, for example, in cleaning (pickling, etc.) before oxidation,
It is possible to accurately grasp the state of the cleaning liquid.
すなわち、いずれの洗浄にあっても、正確にその洗浄条
件を把握することができ、これを容易に管理することが
できる。That is, for any type of cleaning, the cleaning conditions can be accurately grasped and can be easily managed.
よって、新しい洗浄機の立ち上げ時に、このエピタキシ
ャルウェーハを標準試料として投入すれば、当該洗浄機
の立ち上げ状態（洗浄液によるゴミの有無）を正確に把
握することができる。また、同様に運転中の洗浄機にこ
のエピタキシャルウェーハを定期的に投入することによ
り、運転条件の管理を容易に行うことができる。Therefore, if this epitaxial wafer is used as a standard sample when starting up a new cleaning machine, the startup status of the cleaning machine (presence or absence of dust caused by the cleaning liquid) can be accurately determined. Furthermore, by periodically loading the epitaxial wafer into a washing machine that is in operation, the operating conditions can be easily managed.
また、本発明によれは、研磨機による傷等を確認するこ
とができ、かつ研磨機の立ち上げ状態、研磨液の状態な
どの管理も正確に行うことができる。例えば工とタキシ
ャルシリコンウエーハを研磨機により研磨した後、研磨
を行っていないエピタキシャルウェーハと一緒に一定の
洗浄液条件で洗浄し、パーティクル数を測定するもので
ある。Furthermore, according to the present invention, it is possible to check for scratches caused by the polishing machine, and also to accurately manage the start-up state of the polishing machine, the state of the polishing liquid, etc. For example, after a taxial silicon wafer is polished using a polishing machine, it is cleaned together with an unpolished epitaxial wafer under certain cleaning liquid conditions, and the number of particles is measured.
研磨を行フたエピタキシャルウェーハのパーティクル数
から。研磨を行っていないエピタキシャルウェーハのパ
ーティクル数を引いたパーティクル数は全て研磨傷とし
て測定することができるからである。このように研磨等
特定の条件後洗浄、測定を行うことにより、該特定条件
によってシリコンウェーハ表面に発生するパーティクル
数を正確に測定することができる。From the number of particles in the epitaxial wafer after polishing. This is because the number of particles obtained by subtracting the number of particles on an unpolished epitaxial wafer can be measured as polishing scratches. By performing cleaning and measurement after specific conditions such as polishing, it is possible to accurately measure the number of particles generated on the silicon wafer surface under the specific conditions.
〈実施例〉
策よ叉施刊
下表は、シリコンウェーハをＮ Ｈｔ ＯＨ／ Ｈ２０
２／Ｈ２０（１： １ ： ５）洗浄液を用い、８０’
Ｃ。<Example> The table below shows silicon wafers heated to N Ht OH/H20.
80' using 2/H20 (1: 1: 5) cleaning solution
C.
２０分程度の洗浄を行った後のパーティクルカウンタに
よるカウント結果を示している。カウントしたパーティ
クルは０． １μｍ以上のものである。The result of counting by a particle counter after cleaning for about 20 minutes is shown. The counted particles are 0. It is 1 μm or more.
ＣＺウェーハで得られたパーティクル数３５０個はゴミ
を意味するものではなく、エピタキシャルウェーハの４
個が洗浄後の０．１μｍ以上のゴミの数を意味する。す
なわち、ＣＺウェーハでは該洗浄により得られたパーテ
ィクル数のほとんど全てが微小ビットであることを意味
している。The number of particles of 350 obtained on the CZ wafer does not mean dust, but 4 particles on the epitaxial wafer.
The number of particles means the number of particles larger than 0.1 μm after cleaning. In other words, in the CZ wafer, almost all of the particles obtained by the cleaning are minute bits.
第ｙづＵ１例
この実施例の下表では上記第１実施例の洗浄後、有機物
、金属等を除去するため酸系洗浄液を用いて行う洗浄の
前後での０．１μｍ以上のパーティクル数を示している
。ＣＺウェーへの酸系洗浄前のパーティクル数３５０個
は、はとんど微小ビットの数を意味している。パーティ
クルカウンタの繰り返し精度は３％程度であり、ＣＺウ
ェーハを用いた酸系洗浄前後のパーティクル数の差１０
個は、誤差の範囲に入っているため、洗浄によるゴミの
付着か否かを判別することができない。しかしながら、
エピタキシャルウェーハにはビットが存在しないため、
洗浄前後のパーティクル数の差は洗浄におけるゴミの付
着量を示すからである。Example yZU1 The table below of this example shows the number of particles of 0.1 μm or more before and after cleaning using an acid-based cleaning solution to remove organic substances, metals, etc. after the cleaning in Example 1 above. ing. The number of particles of 350 before the acid cleaning on the CZ wafer means the number of very small bits. The repeatability of the particle counter is about 3%, and the difference in the number of particles before and after acid cleaning using CZ wafers is 10%.
Since the number is within the error range, it is not possible to determine whether dust has adhered due to cleaning or not. however,
Since there are no bits in epitaxial wafers,
This is because the difference in the number of particles before and after cleaning indicates the amount of dust attached during cleaning.
また、このエピタキシャル成長によるシリコンウェーハ
はアルカリ系洗浄液よる洗浄により何度でも初期状態に
戻すことができる。繰り返し使用することができる。Further, the silicon wafer formed by this epitaxial growth can be returned to its initial state any number of times by cleaning with an alkaline cleaning solution. Can be used repeatedly.
策】ｊ１虹例
研磨機の管理を行う場合には、エピタキシャルシリコン
ウェーハを使用して研磨、洗浄後、パーティクル数をカ
ウントする。また、研磨無しで洗浄後、カウントした場
合を比較例として示す。Measures] When managing the j1 Rainbow example polishing machine, count the number of particles after polishing and cleaning using an epitaxial silicon wafer. In addition, as a comparative example, a case where the samples were counted after cleaning without polishing is shown.
なお、この例に用いたエピタキシャルシリコンウェーハ
は、単結晶シリコン基板の上に単結晶シリコンを２０μ
ｍの厚さにエピタキシャル成長させたものである。そし
て、これから１０μｍの厚さだけ研磨したものとする。The epitaxial silicon wafer used in this example was a 20 μm layer of single crystal silicon on a single crystal silicon substrate.
It is epitaxially grown to a thickness of m. Then, it is assumed that the layer is polished to a thickness of 10 μm.
Claims (1)
の洗浄工程において、 エピタキシャル成長法により作成したシリコンウェーハ
を標準試料として用いて、そのシリコンウェーハ表面を
洗浄し、 その後、該シリコンウェーハ表面のパーティクルを測定
することを特徴とするシリコンウェーハの洗浄条件の管
理方法。[Claims] In a silicon wafer cleaning process in which the surface of a silicon wafer is cleaned, a silicon wafer prepared by an epitaxial growth method is used as a standard sample, the silicon wafer surface is cleaned, and then particles on the silicon wafer surface are removed. A method of managing cleaning conditions for silicon wafers, the method comprising measuring the cleaning conditions of silicon wafers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7740090A JPH07105372B2 (en) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | How to control cleaning conditions for silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7740090A JPH07105372B2 (en) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | How to control cleaning conditions for silicon wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276722A true JPH03276722A (en) | 1991-12-06 |
| JPH07105372B2 JPH07105372B2 (en) | 1995-11-13 |
Family
ID=13632850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7740090A Expired - Lifetime JPH07105372B2 (en) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | How to control cleaning conditions for silicon wafers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105372B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629216A (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-13 | Seh America, Inc. | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies |
| JP2002353281A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method for evaluating silicon wafer surface-quality |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7740090A patent/JPH07105372B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629216A (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-13 | Seh America, Inc. | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies |
| JP2002353281A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Method for evaluating silicon wafer surface-quality |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105372B2 (en) | 1995-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1016127B1 (en) | A fluorometric method for increasing the efficiency of the rinsing and water recovery process in the manufacture of semiconductor chips | |
| US4116714A (en) | Post-polishing semiconductor surface cleaning process | |
| US6558227B1 (en) | Method for polishing a work and an apparatus for polishing a work | |
| TW201938622A (en) | Composition for semiconductor process and semiconductor process | |
| CN109801836A (en) | It is used to prepare method, the gallium arsenide substrate and application thereof of gallium arsenide substrate | |
| TW201938623A (en) | Composition for semiconductor process and semiconductor process | |
| JPH03276722A (en) | Method for controlling cleaning condition of silicon wafer | |
| JP2001276759A (en) | Cleaning-fluid for glass substrate and method for cleaning glass substrate | |
| JP4817887B2 (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
| JPH07211682A (en) | Cleaning method and production of semiconductor device and liquid display | |
| JP3686910B2 (en) | Etching method of silicon wafer | |
| JPH05226203A (en) | Mirror-surface wafer, its manufacture and its inspection method | |
| JP2520316B2 (en) | Method for detecting minute pits on silicon wafers | |
| JP2000208578A (en) | Evaluation method for silicon wafer and silicon wafer | |
| JP2018006658A (en) | Manufacturing method of wafer for particle counter calibration | |
| JPH07161669A (en) | Compound semiconductor polishing fluid and compound semiconductor polishing method using this fluid | |
| JP3775681B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor wafer | |
| US4372808A (en) | Process for removing a liquid phase epitaxial layer from a wafer | |
| JP2002252179A (en) | Method of cleaning tube for heat treatment of semiconductor substrate, and metallic contamination getter substrate, and regenerative metal contamination getter substrate | |
| JPH05166776A (en) | Washing of semiconductor wafer and its device | |
| JPH11238773A (en) | Evaluation of silicon wafer | |
| KR100334576B1 (en) | Method for manufacturing wafer | |
| JP2001053042A (en) | Method of preventing organic contamination of substrate for electronic device from environmental atmosphere and substrate for electronic device subjected to prevention treatment | |
| JP2006228785A (en) | Method of measuring semiconductor wafer | |
| JP3202508B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091113 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101113 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101113 Year of fee payment: 15 |