JPH03274259A - 有機薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真感光体に用い入られる有機薄膜受光凰
　液晶配向膜等に用いられる有機薄瓜空間光変調素子に
おける光導電層の製造方法に関するものであも 従来の技術 我々は高い光感度を有する高分子膜として一般式（イ）
と（ロ）を溶媒中で合成することで得られるポリアミッ
ク酸からのポリイミド膜を発明しｔラ　　このポリイミ
ド膜の光導電性はポリイミド膜の融点近傍での加熱処理
で結晶化度を上げることで著しく増加すも　一般式（イ
）の重合度、Ｘｉ、Ｙｉの種類によっても結晶性の差が
生じも　又それぞれの組合せによって結晶化方法も異な
ってくん この光導電性ポリイミド膜は電子写真感光層として用い
ることができ＆　　１０〜３０μｍ膜厚で電子写真感度
として半減露光量２１ｕｘｓｅｃ以下（白色光の照射）
と良好な感度を有し　通常のポリイミド膜が電気絶縁性
であるのに対して著しく異な玩　この光感度特性の発現
は一般式（イ）を含むことにあん　この成分によって、
結晶化が進むと同時に光キャリアの生成と伝達が容易に
なされもところで、この感光層の成膜がポリイミドの前
駆体であるポリアミック酸溶液の塗布　乾熾　加熱と容
易なプロセスでなされる。更に耐刷法　熱安定性に優れ
てい氏 光導電性薄膜と液晶光シャッターを組み合わせることで
液晶空間光変調素子が形成できも　これまでＣｄＳｅ、
ＣｄＳあるいはａ−８ｉ等を用いたものが発表されてい
る。光導電性ポリイミド膜は液晶配向膜としても機能す
るた取　単純な構成と製造方法によって前出液晶空間光
変調素子が形成できも　また配向膜白身、キャリアの伝
達能力が高いた△　空間電荷の影響による光スイツチン
グ特性変化が少な戟 発明が解決しようとする課題 我々の発明した光導電性ポリイミド薄膜は結晶性の向上
　配向性の向上によって、大きくその特性が増す。従来
はその製造をポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
の塗布　加熱等によって行なった　しかしポリアミック
酸の重合では分子長分布の制御は困難であり、イミド化
　結晶化の改善では限界が生じｔも　　また基本的には
ウェットプロセスであるため不純物等の残留は避けられ
ず、光感度向上に悪影響を及ぼす。

課題を解決するための手段 真空装置内−において有機材料が少なくとも下記一般式
（イ）で表わされるジアミン化合物を一成分として含有
し　これらの有機材料を蒸発させ基板面に運ぶことに依
って成膜すも ＮＨ２−Ａ−ＮＨ２（イ） Ａ：　　−（Ｘ　ｉ−Ｙ　ｉ）　ｎ−Ｘ　ｉ　−ｎ≧１
、　ｉ＝１，２、３、　”’　　ｎＸｉ：　芳香族或は
置換芳香族基 Ｙｉ：　　Ｏ，Ｓ、　　Ｓｅ、　　Ｔｅ。

−ＣＨ＝ＣＨ−のいずれか 作用 光導電性ポリイミドを形成するのに　ポリアミック酸の
原料である一般式（イ）のジアミンと一般式（ロ）のテ
トラカルボン酸二無水物をそれぞれ重合原料として蒸発
させも　基板面では重合反応が進へ　ポリアミック酸あ
るいはポリイミドが形成されも　蒸発源としてこれらを
分離すれば任意の比率で分子を送ることが可能であも　
これは分子数としてｌ：ｌの時重合が最も進むことと併
せて分子長制御が容易であも　またカルボン酸（ロ）の
比率を大きくすることで末端カルボン酸のポリアミック
酸分子、あるいはポリイミド分子をより多く膜内に含ま
せることが可能であん　こうすると加熱処理後の結晶化
が容易に進む。これは結晶核として末端カルボン酸が作
用するからであも　残留未反応のジアミンを除去するた
めに基板温度の最低温度は制限されも　一方カルボン酸
成分は後の結晶化で作用させるのに都合のよいものであ
るから制限はな（〜　イミド化は脱水反応であるか収　
真空中で蒸着後行なうのが残留分を軽減できてよｌ、％
　　結晶化温度はイミド化温度に比べて高部　イミド化
の進行が速いと結晶化が進みにくいので、結晶化の進み
安い温度まで上げて二つの処理を同時に進ませるのがよ
Ｌｌ また　ポリイミド膜を形成させる基板面を予め同一ある
いは他種のポリイミド膜で被覆しておく。

更にラビング処理を施し配向性の制御を行なう。

この面上での蒸着ポリマーの成長は　分子鎖が基板水平
に並ぶものとなん　またラビング処理はその方向性も制
御すも　一方表面にシランクツプリング剤を被覆すると
、初めに（イ）のジアミンを蒸着すると、ジアミンの一
方の末端アミノ基が反応して基板に垂直に配向す瓜　次
に（ロ）のカルボン酸を蒸着する服　基板温度を高く設
定し　ジアミンの一方の未反応アミノ基と反応してイミ
ド環を形成する力＼　再蒸発するかのいづれかになるよ
うにすも　更に（イ）を基板温度を今度はジアミンがカ
ルボン酸末端と反応するか再蒸発するかの条件に設定す
も　このプロセスを続けることで分子鎖が基板に垂直な
ポリイミド膜を得ることができも　なお最後に結晶化促
進のため加熱処理工程を入れても効果があも 実施例 第１図に本発明の高分子薄膜の底膜に用いた製造装置の
概略図を示す。真空装置１０１内に温度制御された基板
１０２が設置され　坩堝１０６より一般式（イ）を含有
する有機物力曳　坩堝１０７より一般式（ロ）の有機物
が加熱されることで蒸発す：６ｏ（イ）及び（ロ）の蒸
発速度はそれぞれの坩堝温度で制御される。尚−坩堝よ
り（イ）を含む多成分の有機物を蒸発させてもよし１本
発明の有機薄膜の底膜に用いる一般式（イ）の化合物と
しては ＮＨｅ−Ａ−ＮＨｚ （１）Ａ：　　−（Ｐｈ−８）、−Ｐｈ−（ｎ＝１，２
、３、４、５・　・） （以下５ＤＡ−ｎと称すも　〉 （２）Ａ：　　−（Ｐｈ−０）。−Ｐｈ−（ｎ＝１、２
、３、４、５・・・） （以下０ＤＡ−ｎと称すん　） （３）　Ａ＋　　−（Ｐｈ−３ｅ）　−−Ｐｈ　−（ｎ
＝１，２、３．４、５−・−） （以下５ｅＤＡ−ｎと称すも　） （４）Ａ：　　−（Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ）、−Ｐｈ−（ｎ
＝１，２、３．４、５−−−） （以下ＢＤＡ−ｎと称すも　〉 （５）Ａ：　　−Ｐｈ−８−Ｘ−３−Ｐｈ−（Ｘ：　　
ナフタレン、アントラセン、ピレン、ペリレン等多環芳
香環） （Ｐｈはｐ位で結合するベンゼン環を表す。）等があも また一般式（ロ）で表される化合物の例としてζ戴 （１）ピロメリット酸（以下ＰＭＤＡと称する）（２）
ペンゾフヱノンテトラカルボン酸二無水物（以下ＢＰＤ
Ａと称する） （３）３、３°、　４、４°　−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物（以下ＢＩＤＡＩと称する）（４）１、
１′、　５．５°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物（以下ＢＩＤＡ２と称する）（５）ナフタレン−１，
４、５、８−テトラカルボン酸二無水物（以下ＮＡＤＡ
Ｉと称する。）（６）ナフタレン−２，３、６，７−テ
トラカルボン酸二無水物（以下ＮＡＤＡ２と称す翫　）
（７）ペリレン−３、４、９、１０−テトラカルボン酸
二無水物（以下ＰＥＤＡと称すん　）等が上げられも 成膜に用いる真空を用いた装置にＬＬ（１）抵抗加熱法
による蒸着法（２〉イオンクラスター法（３）高真空で
のＭＢＥ　（モレキュラービームエピタキシー）法等が
あム 各成膜方法で異なった成分の有機物は個別のセルより蒸
発させ、基板に到達する分子数速度を制御することが望
ましへ　また異なった成分を交互に蒸発させて転　或は
同時に蒸発させてもよＬ％基板加熱条件は合成するポリ
マーによって異なる力（＠成分（ジアミンあるいはカル
ボン酸）のモノマーが未反応の状態で膜内に留まること
の無いように設定するのが望ましｌ、Ｘｏ　　温度範囲
は（イ）（ロ）の組合せで重合するポリアミック酸ある
いはポリイミドの場合、　０℃から４００℃の温度範囲
が望まし鶏 基板面を予め有機物で被覆させ、高分子鎖の配向を制御
することもできも　第１の方法例としてはポリイミド焦
　或はラビング処理を施した上記ポリイミド膜によって
基板面を被覆することであも　第２の方法例としてアミ
ノシラン系で被覆する場合であも　例えばＴ−アミノプ
ロピルトリエトキシシランがあも 成膜徴　膜の結晶法　配向性を向上させるのに加熱して
もよ１．％　　加熱温度は高分子膜の融点近傍が望まし
ｔ、％　　温度範囲は（イ）、　（ロ）の組合せで重合
するポリアミック酸あるいはポリイミドの場合、　２０
０℃から４００℃の温度範囲が望まし〜℃ 成膜する速度としては０．１〜５０Ａ／ｓの範囲が望ま
し鶏　ジアミン分子の重合長あるいはサイズが増加する
にしたがって、成膜速度を遅くすることで配向性の良い
膜が得られも　よって更に０．１〜５Ａ／ｓの範囲が望
ましく１ 本発明の成膜方法を用いて複写機　プリンター等に用い
られる感光膜を製造する場合、基板には円＠状　フィル
ム状のものかあム　第２図にその感光体の一例として断
面図を示す。電気絶縁性の基板である場合、支持体２０
１，２０４の表面は金属で被覆されていも　第２図（Ａ
）のように本発明で成膜する感光層だけであっても良い
し　第２図（Ｂ）のように他の層との多層膜であっても
よ（〜　また本発明の方法で種類の異なる層を積層した
膜であっても良賎 本発明の成膜方法を用いて液晶デイスプレィ、液晶空間
光変調素子等に用いられる液晶配向膜を製造する場合の
例として第３＠　第４図に液晶素子の断面図を示す。膜
厚は３００Ａ〜１０μｍであも　第３図に示すように配
向膜３０１として使う場合、本発明による高分子層は成
膜後、ラビング処理を施す。配向膜として暗時の電気伝
導度が１０−”（Ω−’　Ｃｍ−’）以上であることが
望ましくちこれは膜内での空間電荷を減少させるためで
あも配向膜に高い光導電性を付与する場合は　第４図に
示す液晶空間光変調素子４０１が構成できも光導電性配
向膜４０３を導入することで入射光４１１に対して出射
光４１２が変調を受けも実施例） 一般式（イ）で表されるジアミンとして５ＤＡ−１、２
、３、４の４種類と一般式（ロ）で表されるカルボン酸
としてＢＰＤＡを用いて、ｍ１図に示した抵抗加熱法の
装置で蒸着膜を成膜しｔもそれぞれ個別の石英坩堝にモ
ノマー粉末入札　モノマーの分子速度は坩堝の加熱温度
で制御し九モノマー蒸発速度でジアミンとカルボン酸の
速度が同一となるようにし　成膜速度は５Ａ／ｓ一定と
しｔラ　　成膜時の基板温度は５０℃一定とすも　それ
ぞれ８種類とも３μｍの成膜を行った　成膜直後はポリ
アミック酸であることが赤外吸収スペクトルより判明し
７＝　　これらの膜を加熱しイミド化させｔラ　　加熱
条件として温度を変化させｔう膜構造評価としてＸ線回
折パターンより求められる結晶化度を採用した　結晶化
度（戴　全体のＸ線散乱強度の中で結晶部からの散乱強
度の比をＸ線回折パターンにおける面積比で定義すム　
またそれぞれの光導電性を、その電子写真感度特性で示
す。感度測定はコロナ帯電機によって正帯電させた後、
その表面電位を半減させるのに必要な光量（Ｅ　Ｉ　／
　ｅ　　１ｕｘｓｅｃ）で定義する。第５図に結晶化嵐
　第６図に光感度の変化を示す。５ＤＡ２，４の場合、
結晶化度として５０％を越えており、光感度はＥｌ／ｌ
〜２．５１ｕｘｓｅｃと良好であ瓜実施例２ 基板温度依存性を調べた　基板温度としては５０℃から
２００℃の範囲とし九　成膜には代表例として５ＤＡ−
２とＰＭＤＡで行った　図７に膜構造変化と光感度変化
の結果を示す。Ｘ線回折ノくターンの２θ〜１８．６（
面間隔４．８Ａ）の散乱ピークの半値幅からシエーラー
の評価式で求められる結晶粒で表も　基板温度の増加で
結晶粒の増加と感度増加が獲られも　尚モノマーの基板
面からの再蒸発は増加するので、成膜速度は一意に減少
すも 各基板温度で成膜したサンプルを続いてアニルすること
で結晶性の向上を図った　アニール温度としては４００
℃一定としｆ、　　結果を図８に示も　それぞれアニー
ル効果が得られ　結晶法　光感度とも増加すも 実施例３ 真空蒸着装置内に円筒Ａ１基板を設置し　回転させなが
らＢＰＤＡ＋５ＤＡ２を成膜すも　基板温度１００℃で
膜厚１５μｍとした抵　装置内で３００℃のアニール処
理を施す。これを複写機に搭載し　その感光体特性を評
価しｆ、　　正帯電感光体として用（＼　表面電位８０
０ｖとして半減露光量Ｅｌｌは２１ｕｘｓｅｃと良好で
ありｔラ　　繰り返し特性を見たとこ＆１万枚の画像出
力後も表面電仏感嵐　画質とも安定であった 実施例４ ＰＭＤＡ十５ＤＡ２の成膜において、カルボン酸とジア
ミンの蒸発速度の比率を変化させて膜質の評価を行っｔ
ラ　　実施例１同様２つの坩堝によって抵抗加熱法で成
膜しｔラ　　ジアミンの蒸発速度に対してカルボン酸の
蒸発速度を、坩堝温度を変えることで変化させ１．　　
ジアミンの速度（Ｆｄａ　　ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／　ｃ
　ｍ’、　ｓ　）に対するカルボン酸の速度（Ｆｃｒ　
ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／　ｃ　ｍ”、ｓ　）の比を１＋Ｍ
と表もＭ＝０は高分子の重合反応にとって通常の条件で
あ、ＬＭを変化させてポリアミック酸を台底した抵　加
熱イミド（Ｌ　　結晶化させて、その結晶性と光導電性
をみた　蒸着時の基板温度は２００℃、アニール処理温
度は４００℃一定とした　図９＆こＸ線回折スペクトル
から得られるピーク散乱強度変化を示す。図１Ｏには光
感度変化として電子写真感度（Ｅ、・０を示す。図より
Ｍ＞０の条件で結晶膜とな、％Ｍ≦０では加熱条件に依
らずアモルファス膜であった　感度は結晶性と相関があ
るためＭの増加で増加すム　ところで膜内の高分子の分
子長はＭの増加で減少す、ＬＭ〜０に近い状態で結晶膜
となる条件が熱安定法　加工性に優れも実施例５ 基板表面を処理することで蒸着重合膜の配向制御を行っ
？＝　　基板面に対して分子鎖が平行に配列させるのに
　基板面をポリイミド膜の被覆層　及び一定方向にラビ
ング処理を施したポリイミド被覆層を導入した　逆に分
子鎖を垂直に配列させるのにアミノシラン系のシランカ
ップリング層で被覆することを検討した　本実施例では
γ−アミノプロピルトリエトキシシランを使ツタ ＢＰＤＡ＋５ＤＡ２を各表面被覆膜上に成膜した　成膜
条件は基板温度１００℃とし丸　蒸着後３００℃のアニ
ール処理を施す。ポリイミド被覆層はカプトン（デュポ
ン社）１０００Ａ膜厚とし九　ラビング処理は通常の液
晶配向膜と同じ方法で行った　アミノシラン系のシラン
カップリング層の被覆はＴ−アミノプロピルトリエトキ
シシランを含む溶液を基板に塗布し乾燥させて形威すも
ほぼ単分子層とみなせ氏 成膜後の配向評価にＸ線回折を用いた　平行配向した膜
では２θ＝１８．６の散乱強度（Ｉ＋・、ｅと称する）
が大きく、垂直配向の膜では２θ＝２２、４　　（Ｉｓ
ｔ、ｔと称する）の散乱強度が大きく現れも　よって配
向性をＯＲ−Ｉ　＋ｓ、・／　（Ｉ　＋ｓ、ｅ＋Ｉ＊ｔ
、ａと表す。

３種類の基板面に対するポリイミド蒸着重合膜の配向性
と光感度を以下の表１に示す。

（Ａ：　　ポリイミド皮膜層　Ｂ：　ラビングポリイミ
ド皮膜層　Ｃ：　シランカップリング被覆層）ポリイミ
ド被覆層は平行配向を、特にラビング処理で効果は大き
くなも　一方シランカップリング被覆層は垂直配向を制
御すも　最大感度を与えるのはＢサンプルであるパ　こ
れはキャリアが分子鎖に対して垂直に伝達されるメカニ
ズムを持つためであも 実施例６ ＭＢＥ法を使い結晶性の優れたポリイミド膜を成膜した
　基板面を実施例５のＴ−アミノプロピルトリエトキシ
シランで被覆し　基板温度２５０℃に保持し　カルボン
酸ＢＰＤＡのみを蒸発させも　この基板温度ではＢＰＤ
Ａが前出シラン力・ンプリング剤と反応し　イミド環を
作り付着すん一方未反応カルボン酸モノマーは再蒸発す
も　続いてジアミン５ＤＡ−３のみを蒸発させも　基板
温度は保持し　基板面を覆うＢＰＤＡと反応する５ＤＡ
−３のみ付著すも　この過程を繰り返すこと玄　基板面
に対して垂直に成長するポリイミド膜が得られ、ＬＸ線
回折より２θ＝２２．４の散乱のみの垂直配向膜であり
、またその半値幅から結晶粒は〜１００ＯＡとみなせた
　光導電性を評価するた△　膜表面に櫛形平行Ａｕ電極
を形成した　ημτ（η：　量子効率　μ：　キャリア
移動度τ：　寿命）は〜１０−’ｃｍ”／ｖとアモルフ
ァスシリコン膜に匹敵する感度を得九 実施例７ 実施例５の方法と実施例６の方法で液晶空間光変調素子
の配向膜を成膜し？、、　　液晶空間光変調素子の構造
を第４図に示す。以下の３とおりの方法で光導電性配向
膜４０３を形Ｉｌｉ！２．ＬＡ　　パネル４１０を作製
しｔら ａ；　ラビングポリイミド層＋蒸着層 ｂ；　シランカップリング層＋蒸着層 Ｃ；　シランカップリング層＋ＭＢＥ層ａ、　　ｂ、　
　ｃパネルの光スイツチング特性を第１１図に示す。入
射光強度に対して透過光強度は非線形に応答すも　この
特性を有する空間光変調素子を使って光ニューラルネッ
トワークシステムを構築しｔラ　　システムの概略図を
第１２図に示す。逆伝搬型学習法（バックプロパゲーシ
ョン法）を用いており、マイクロレンズアレイ１２２、
１２４、学習マスクパターン１２３、本実施例の空間光
変調素子による光しきい値素子１２５からなる。入力画
像１２１は７×８のマトリックスでアルファベット２６
文字を表示すも　学習マスクパターン１２３は４９Ｘ６
４のマトリックスからなり、ＢＰ法で求めた８階調表示
を透過光強度で表現できるように透過率を変化させも　
光しきい値素子１２５は７×８のマトリックスであり、
各画素にはマイクロレンズアレイ１２４で７×８ケのマ
スクパターンからの透過光が集光されていも　第１１図
に示す光非線形特性に依って液晶シャ・ツタ−が動作す
ム　このシステムを用いてアルファべ・ント２６文字の
連想させたところ１００％の認識率で回答した 発明の効果 本発明によれば　高い光感度を有する高分子薄膜をドラ
イプロセスで得ることができ私　このことによって熱安
定法　耐刷性に優れた感光体を提供できも　又液晶パネ
ルおよび液晶空間光変調素子の配向膜としても有用であ
り、空間電荷の溜りにくい配向膜を提供すも　また高い
光感度を付与することで良好な光スイツチング特性を与
えも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の高分子薄膜の製造に用いる真空成膜装
置の一実施例の概略は　第２図は本発明の方法によって
成膜した感光体の断面は　第３図は本発明の方法で液晶
配向膜を形成した　液晶デイスプレィの断面は　第４図
は本発明の方法で液晶配向膜を形成しｔ：、、液晶空間
光変調素子の断面＠　第５図は実施例１における高分子
薄膜の結晶化度の変化を表わした阻　第６図は実施例１
における高分子薄膜の光感度の変化を表わした阻　第７
図は実施例２における高分子薄膜の基板温度変化に対す
る結晶粒径と光感度の変化を示したは第８図は第７図の
高分子薄膜を加熱処理することによる効果示した飄　第
９図及び第１０図は実施例４における原料比率に対する
結晶法　光感度の変化を示した阻　第１１図は実施例７
における液晶空間光変調素子の光応答特性を示した＠　
第１２図は実施例７における光ニューラルネットワーク
システムの概略図であも １０１・・・・真空槽　１０２・・・・基板　１０３・
・・・基板加熱ヒーター　１０４・・・・シャッター　
１０５・・・・加熱用電源　１０６・・・・坩堝（イ〉
　　１０７・・・・坩堝（ロ）　　１０８、１０９・・
・・坩堝加熱用電源　１１０・・・・真空ポンプ　２０
１，２０４・・・・支持体　２０２、２０５・・・・光
導電層　２０８・・・・表面被覆層　２０３、２０７・
・・・自由表面　３０１・・・・配向膜　３０２・・・
・液晶層　３０３・・・・透明電極　３０４・・・・ガ
ラス基板　３０５・・・・液晶パネル　４０１，４０７
・・・・透明基板４０２．４０６・・・・透明電極　４
０３・・・・光導電性配向ｇ　　４０４・・・・液晶　
４０５・・・・配向膜４０８・・・・偏光子　４０９・
・・・検光子　４１０・・・・空間光変調素子　４１１
・・・・入射光　４１２・・・・出射光　１２１・・・
・入力画像　１２２・・・・マイクロレンズアレイ（１
）　　　１２３・・・・学習マスクパターン　１２４・
・・・マイクロレンズアレイ（２）！２５・・・・光閾
値素子。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空装置内において有機材料が少なくとも下記一
   般式（イ）で表わされるジアミン化合物を一成分として
   含有し、これらの有機材料を蒸発させ基板面に運ぶこと
   に依って成膜することを特徴とする有機薄膜の製造方法
   。 ＮＨ＿２−Ａ−ＮＨ＿２（イ） Ａ：−（Ｘｉ−Ｙｉ）＿ｎ−Ｘｉ− ｎ≧１、ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ Ｘｉ：芳香族或は置換芳香族基 Ｙｉ：Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ， −ＣＨ＝ＣＨ−のいずれか
2. （２）一般式（イ）の他に一般式（ロ）で表わされるテ
   トラカルボン酸二無水物を有機材料として含有すること
   を特徴とする請求項１記載の有機薄膜の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ Ｚ：芳香族を含む基
3. （３）一般式（イ）の有機材料と一般式（ロ）の有機材
   料を分離して蒸発させることを特徴とする請求項２記載
   の有機薄膜の製造方法。
4. （４）一般式（イ）の有機材料の単位時間当り基板に到
   達する分子数で定義する蒸発速度が、一般式（ロ）の有
   機材料の蒸発速度との比において１：１＋Ｍ（Ｍ＞０） であることを特徴とする請求項３記載の有機薄膜の製造
   方法。
5. （５）基板の表面をポリイミド膜で被覆し、その表面に
   請求項１、２、３、または４記載の方法で有機薄膜を二
   層以上形成することを特徴とする有機薄膜の製造方法。
6. （６）ポリイミド膜をラビング処理することを特徴とす
   る請求項５記載の有機薄膜の製造方法。
7. （７）基板温度が一般式（イ）の化合物の融点以上であ
   ることを特徴とする請求項１または５記載の有機薄膜の
   製造方法。
8. （８）蒸着の完了した後、基板温度を２００度以上に上
   げることを特徴とする請求項１または５記載の有機薄膜
   の製造方法。
9. （９）基板表面をシランカップリング剤で被覆すること
   を特徴とする請求項１、２、３または４記載の有機薄膜
   の製造方法。
10. （１０）一般式（イ）の有機材料と一般式（ロ）の有機
    材料を交互に蒸発させることを特徴とする請求項９記載
    の有機薄膜の製造方法。