JPH03274020A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH03274020A JPH03274020A JP7464890A JP7464890A JPH03274020A JP H03274020 A JPH03274020 A JP H03274020A JP 7464890 A JP7464890 A JP 7464890A JP 7464890 A JP7464890 A JP 7464890A JP H03274020 A JPH03274020 A JP H03274020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- brightness
- sensor
- display element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子の背後に照明部材を設け、この照
明部材の発光により液晶表示素子を透過照明するととも
に表示部の輝度を輝度調整装置により略一定になるよう
に制御する液晶表示装置に関する。
明部材の発光により液晶表示素子を透過照明するととも
に表示部の輝度を輝度調整装置により略一定になるよう
に制御する液晶表示装置に関する。
従来のこの種の表示装置は第４図に示すように液晶表示
素子１の背後に照明部材としての電界発光素子（以下、
ＢＬ素子という）２が設けられ、このＥＬ素子２の発光
により液晶表示素子１が透過照明されるようになってお
り、実開昭６３−７４６８７号公報、実開昭６３−１９
４３８２号公報などで開示されている。また、ＥＬ素子
２の発光輝度はＥＬ素子２の駆動回路３に接続される電
源４の負荷変動によって変化したり、あるいはＥＬ素子
２自体の劣化によって発光輝度が低下するため、第４図
に示すように液晶表示素子１の外部近傍にｃｄｓ光電セ
ルなどの輝度検出用のセンサ５を設け、このセンサ５の
出力に応じて駆動回路３の出力信号の電圧また周波数を
自動調整してＥＬ素子２の発光輝度を略一定に制御する
ようにしておリ、実開昭６２−１１１１９９号公報など
で開示されている。
素子１の背後に照明部材としての電界発光素子（以下、
ＢＬ素子という）２が設けられ、このＥＬ素子２の発光
により液晶表示素子１が透過照明されるようになってお
り、実開昭６３−７４６８７号公報、実開昭６３−１９
４３８２号公報などで開示されている。また、ＥＬ素子
２の発光輝度はＥＬ素子２の駆動回路３に接続される電
源４の負荷変動によって変化したり、あるいはＥＬ素子
２自体の劣化によって発光輝度が低下するため、第４図
に示すように液晶表示素子１の外部近傍にｃｄｓ光電セ
ルなどの輝度検出用のセンサ５を設け、このセンサ５の
出力に応じて駆動回路３の出力信号の電圧また周波数を
自動調整してＥＬ素子２の発光輝度を略一定に制御する
ようにしておリ、実開昭６２−１１１１９９号公報など
で開示されている。
上記従来技術においては、液晶表示素子１の外部に設け
られたセンサ５の出力に応じてＥＬ素子２の発光輝度を
自動調整するように構成されているが、実際に視認され
るのは液晶表示素子１の表示部であり、この表示部の輝
度変化と、液晶表示素子１の外部位置でセンサ５により
検出される輝度変化との間に差が生し、これが誤差とな
って輝度調節の精度を低下させていた。また、液晶表示
素子ｌの外部にこれとは別個にセンサ５を配設するもの
であるため装置の簡素化に即さないものであった。
られたセンサ５の出力に応じてＥＬ素子２の発光輝度を
自動調整するように構成されているが、実際に視認され
るのは液晶表示素子１の表示部であり、この表示部の輝
度変化と、液晶表示素子１の外部位置でセンサ５により
検出される輝度変化との間に差が生し、これが誤差とな
って輝度調節の精度を低下させていた。また、液晶表示
素子ｌの外部にこれとは別個にセンサ５を配設するもの
であるため装置の簡素化に即さないものであった。
そこで本発明は表示部の輝度調節の精度並びに装置の簡
素化の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
素化の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、液晶表示素子の背後に照明部材を設け、輝度
検出用のセンサの出力に応じて駆動回路から前記照明部
材への出力信号を変化させて表示部の輝度を略一定に制
御する液晶表示装置において、前記輝度検出用のセンサ
を前記液晶表示素子内の有効表示範囲の外側に設けたも
のである。
検出用のセンサの出力に応じて駆動回路から前記照明部
材への出力信号を変化させて表示部の輝度を略一定に制
御する液晶表示装置において、前記輝度検出用のセンサ
を前記液晶表示素子内の有効表示範囲の外側に設けたも
のである。
また本発明において、前記液晶表示素子は一対の基板内
に液晶を封入し、前記基板の一方にマトリクス状に複数
の画素電極を形成し、この画素電極にアモルファスシリ
コン層からなるスイッチング素子を接続して形成される
とともに、前記輝度検出用のセンサは前記スイッチング
素子と略同工程で形成可能なアモルファスシリコン層を
有するものである。
に液晶を封入し、前記基板の一方にマトリクス状に複数
の画素電極を形成し、この画素電極にアモルファスシリ
コン層からなるスイッチング素子を接続して形成される
とともに、前記輝度検出用のセンサは前記スイッチング
素子と略同工程で形成可能なアモルファスシリコン層を
有するものである。
上記構成によって、実際に視認される液晶表示素子の表
示部の発光輝度がセンサにより検出され、このセンサの
出力に応じて表示部の発光輝度が略一定になるように照
明部材を駆動する信号が変化する。
示部の発光輝度がセンサにより検出され、このセンサの
出力に応じて表示部の発光輝度が略一定になるように照
明部材を駆動する信号が変化する。
また、センサが液晶表示素子内の有効表示範囲の外側に
設けられるため装置の簡素化を図ることができるととも
に、センサが視認される心配がない。また、液晶表示素
子のスイッチング素子およびセンサの主要部をアモルフ
ァスシリコン層により形成することによって両者を略同
工程で形成することが可能になり製造工程の簡略化を図
ることができる。
設けられるため装置の簡素化を図ることができるととも
に、センサが視認される心配がない。また、液晶表示素
子のスイッチング素子およびセンサの主要部をアモルフ
ァスシリコン層により形成することによって両者を略同
工程で形成することが可能になり製造工程の簡略化を図
ることができる。
以下、本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
尚第４図と同一部分に同一符号を付し同一箇所の説明を
省略して説明する。
省略して説明する。
第１図に示すように、液晶表示素子１１は２枚の対向配
設された絶縁性透明基板１２．１３の一方の基１ｆｉ１
２の内面に表示パターンに応じた形状の透明なセグメン
ト電極１４を形成するとともに、この内面端部に有効表
示範囲の外側に位置させて発光輝度検出用のセンサ１５
を形成し、さらに他方の基板１３の内面に前記セグメン
ト電極１４と対応じてコモン電極１６を形成し、これら
両基板１２．１３間に周囲を被うスペーサ１７を介して
液晶１８を封入して構成されており、この液晶表示素子
１１の背後には照明部材としてのＥＬ素子２が設けられ
ている。そして、各電極１４．１６への選択的な電圧印
加によって液晶１８の分子配合方向が制御され、表示部
にはＥＬ素子２の発光光線の透過、非透過の明暗の差に
よって周知の通り所定の表示パターンが表示される。こ
の際、表示部の発光輝度は液晶高表示素子１１内に形成
されたセンサ１５により検出され、このセンサ１５の出
力に応じて、第４図と同様に駆動回路３からＥＬ素子２
への出力信号が変化して、実際に視認される表示部の発
光輝度が略一定になるようにしてＥＬ素子２発光輝度が
自動調節されるものである。
設された絶縁性透明基板１２．１３の一方の基１ｆｉ１
２の内面に表示パターンに応じた形状の透明なセグメン
ト電極１４を形成するとともに、この内面端部に有効表
示範囲の外側に位置させて発光輝度検出用のセンサ１５
を形成し、さらに他方の基板１３の内面に前記セグメン
ト電極１４と対応じてコモン電極１６を形成し、これら
両基板１２．１３間に周囲を被うスペーサ１７を介して
液晶１８を封入して構成されており、この液晶表示素子
１１の背後には照明部材としてのＥＬ素子２が設けられ
ている。そして、各電極１４．１６への選択的な電圧印
加によって液晶１８の分子配合方向が制御され、表示部
にはＥＬ素子２の発光光線の透過、非透過の明暗の差に
よって周知の通り所定の表示パターンが表示される。こ
の際、表示部の発光輝度は液晶高表示素子１１内に形成
されたセンサ１５により検出され、このセンサ１５の出
力に応じて、第４図と同様に駆動回路３からＥＬ素子２
への出力信号が変化して、実際に視認される表示部の発
光輝度が略一定になるようにしてＥＬ素子２発光輝度が
自動調節されるものである。
第２図および第３図はマトリクス型の液晶表示装置を用
いた本発明の他の実施例を示し、上記実施例と同一部分
に同一符号を付し同一箇所の説明を省略して説明すると
、液晶表示素子２１は２枚の対向配設された絶縁性透明
基板１２．１３の一方の基板１２の内面に、−隅部に切
欠部２２を有するようにＩＴＯあるいは５ｎｕ２などの
透明導電材料が蒸着、スパッタなどにより堆積され、そ
の後フォトエツチングによってマトリクス状に配列され
た複数の画素電極２３が形成され、同時に前記切欠部２
２には前記透明導電材料からなる透明電極２４が同様な
手段により形成されている。また、透明電極２４とこれ
に隣接する画素電極２３の上部にはそれぞれノンドープ
アモルファス炭化シリコン（ａ−ｓｉｃ）層２５．２５
Ａと、ノンドープｉ型アモルファスシリコン（ｉ−ａ−
ｓｉ） ７５２６．２６Ａと、ｎ型アモルファスシリコ
ン（ｎ−ａ−ｓｉ）層２７．２７Ａとが順次プラズマＣ
ＶＤ法によって積層形成されてアモルファスシリコン層
２８．２８Ａが形成される。この場合、ａ−ｓｉｃＪｉ
！２５．２５Ａは５ｉ１１４（シラン）ガス、 ＩＩ□
（水素）ガスとＣＩ＋、 （メタン） 、 Ｃ２１１４
（エチレン）などの炭化水素系ガスとの混合ガスをプラ
ズマ分解して堆積させることによって得られ、１−ａ−
ｓｉ層２６．２６Ａは５ｉｔ（＋ガス。
いた本発明の他の実施例を示し、上記実施例と同一部分
に同一符号を付し同一箇所の説明を省略して説明すると
、液晶表示素子２１は２枚の対向配設された絶縁性透明
基板１２．１３の一方の基板１２の内面に、−隅部に切
欠部２２を有するようにＩＴＯあるいは５ｎｕ２などの
透明導電材料が蒸着、スパッタなどにより堆積され、そ
の後フォトエツチングによってマトリクス状に配列され
た複数の画素電極２３が形成され、同時に前記切欠部２
２には前記透明導電材料からなる透明電極２４が同様な
手段により形成されている。また、透明電極２４とこれ
に隣接する画素電極２３の上部にはそれぞれノンドープ
アモルファス炭化シリコン（ａ−ｓｉｃ）層２５．２５
Ａと、ノンドープｉ型アモルファスシリコン（ｉ−ａ−
ｓｉ） ７５２６．２６Ａと、ｎ型アモルファスシリコ
ン（ｎ−ａ−ｓｉ）層２７．２７Ａとが順次プラズマＣ
ＶＤ法によって積層形成されてアモルファスシリコン層
２８．２８Ａが形成される。この場合、ａ−ｓｉｃＪｉ
！２５．２５Ａは５ｉ１１４（シラン）ガス、 ＩＩ□
（水素）ガスとＣＩ＋、 （メタン） 、 Ｃ２１１４
（エチレン）などの炭化水素系ガスとの混合ガスをプラ
ズマ分解して堆積させることによって得られ、１−ａ−
ｓｉ層２６．２６Ａは５ｉｔ（＋ガス。
Ｈ２ガスとの混合ガスをプラズマ分解して堆積させるこ
とによって得られ、ｎ−ａ−ｓｉ層２７．２７Ａは５ｉ
１１．ガス。
とによって得られ、ｎ−ａ−ｓｉ層２７．２７Ａは５ｉ
１１．ガス。
１１□ガスおよびｎ型ドーピングのためのＰＨ，ガスな
どとの混合ガスをプラズマ分解して堆積させることによ
って得られ、これらの層２５．２５Ａ〜２７．２７Ａを
形成した後フォトエツチングによりパターン形成される
。また、画素電極２３の間には第３図における横方向に
向けて基板１２の上にＣｒ （クロム）やＡＱ （アル
呆ニウム）などの金属導電材料を蒸着、スパッタなどに
より堆積しその後フォトエツチングによりパターン形成
して信号電極２９が形成され、この信号電極２９は前記
透明電極２４に延設された延長部３０上に重畳されて透
明電極２４に電気的に接続されているとともに、信号電
極２９の形成時に、前記ｎ−ａ−ｓｉＪｉ！２７の上に
は信号電極２９に連設する金属電極３１が形成され、か
つ信号電極２９と分離してｎ−ａ−ｓｉ層２７Ａの上に
は金属電極３１Ａが形成される。また、この金属電極３
１Ａに延設された延長部３２は前記ａ−ｓｉｃ層２５の
下面の画素電極２３に重畳して電気的に接続される。こ
のようにして、画素電極２３．ａ−ｓｉｃ層２５．１−
ａ−ｓｉ層２６＋ｎ−ａ−ｓｉ層２７および金属電極３
１によって第１のダイオード３３が形成されるとともに
、透明電極２４．ａ−ｓｉｃ層２５Ａ、 １ａ−ｓｉ層
２６Ａ、 ｎ−ａ−ｓｉ層２７Ａおよび金属電極３１Ａ
によって第２のダイオード３３Ａが形成されており、こ
れらのダイオード３３．３３Ａの画素電極２３と金属電
極３１Ａおよび透明電極２４と金属電極３１とを互いに
接続することによって、第１と第２のダイオード３３．
３３Ａが逆並列に接続されたスイッチング素子たるリン
グダイオードが得られる。
どとの混合ガスをプラズマ分解して堆積させることによ
って得られ、これらの層２５．２５Ａ〜２７．２７Ａを
形成した後フォトエツチングによりパターン形成される
。また、画素電極２３の間には第３図における横方向に
向けて基板１２の上にＣｒ （クロム）やＡＱ （アル
呆ニウム）などの金属導電材料を蒸着、スパッタなどに
より堆積しその後フォトエツチングによりパターン形成
して信号電極２９が形成され、この信号電極２９は前記
透明電極２４に延設された延長部３０上に重畳されて透
明電極２４に電気的に接続されているとともに、信号電
極２９の形成時に、前記ｎ−ａ−ｓｉＪｉ！２７の上に
は信号電極２９に連設する金属電極３１が形成され、か
つ信号電極２９と分離してｎ−ａ−ｓｉ層２７Ａの上に
は金属電極３１Ａが形成される。また、この金属電極３
１Ａに延設された延長部３２は前記ａ−ｓｉｃ層２５の
下面の画素電極２３に重畳して電気的に接続される。こ
のようにして、画素電極２３．ａ−ｓｉｃ層２５．１−
ａ−ｓｉ層２６＋ｎ−ａ−ｓｉ層２７および金属電極３
１によって第１のダイオード３３が形成されるとともに
、透明電極２４．ａ−ｓｉｃ層２５Ａ、 １ａ−ｓｉ層
２６Ａ、 ｎ−ａ−ｓｉ層２７Ａおよび金属電極３１Ａ
によって第２のダイオード３３Ａが形成されており、こ
れらのダイオード３３．３３Ａの画素電極２３と金属電
極３１Ａおよび透明電極２４と金属電極３１とを互いに
接続することによって、第１と第２のダイオード３３．
３３Ａが逆並列に接続されたスイッチング素子たるリン
グダイオードが得られる。
さらにまた、基板１２内面の端部には有効表示範囲の外
側に位置して輝度検出用のセンサ３４が形成されている
。このセンサ３４は基板１２上に透明導電材料による電
極３５が前記画素電極２３．透明電極２４と同様な手段
により形成され、この電極３５の上にアモルファスシリ
コン層からなる光電変換膜３６が前記アモルファスシリ
コン層２８．２８Ａと同様な手段により形成され、この
光電変換膜３６の上に金属導電材料による電極３７が前
記金属電極３Ｌ ３１Ａと同様な手段により形成されて
なるものである。そして、他方の基板１３の内面には透
明導電材料を蒸着、スパッタなどにより堆積し、かつフ
ォトエツチングによりパターン化された走査電極３８が
形成され、側基板１２．１３間にはスペーサ１７を介し
て液晶１８が充填されて封止され、このようにして液晶
表示素子２１が形成される。そして、信号電極２９と走
査電極３８とが外部の駆動回路によりマルチプレクス駆
動することにより液晶１８の分子配合方向が制御され、
表示部には第１実施例と同様にＥＬ素子２の発光光線の
透過、非透過の明暗の差によって所定の表示パターンが
表示される。この際、表示部の発光輝度は液晶表示素子
２１内に形成されたセンサ３４により検出され、このセ
ンサ３４の画電極３５゜３７から出力された信号レベル
に応じて第４図と同様に駆動回路３からＥＬ素子２への
出力信号が変化して、実際に視認される表示部の発光輝
度が略一定になるようにしてＥＬ素子２の発光輝度が自
動調節される。
側に位置して輝度検出用のセンサ３４が形成されている
。このセンサ３４は基板１２上に透明導電材料による電
極３５が前記画素電極２３．透明電極２４と同様な手段
により形成され、この電極３５の上にアモルファスシリ
コン層からなる光電変換膜３６が前記アモルファスシリ
コン層２８．２８Ａと同様な手段により形成され、この
光電変換膜３６の上に金属導電材料による電極３７が前
記金属電極３Ｌ ３１Ａと同様な手段により形成されて
なるものである。そして、他方の基板１３の内面には透
明導電材料を蒸着、スパッタなどにより堆積し、かつフ
ォトエツチングによりパターン化された走査電極３８が
形成され、側基板１２．１３間にはスペーサ１７を介し
て液晶１８が充填されて封止され、このようにして液晶
表示素子２１が形成される。そして、信号電極２９と走
査電極３８とが外部の駆動回路によりマルチプレクス駆
動することにより液晶１８の分子配合方向が制御され、
表示部には第１実施例と同様にＥＬ素子２の発光光線の
透過、非透過の明暗の差によって所定の表示パターンが
表示される。この際、表示部の発光輝度は液晶表示素子
２１内に形成されたセンサ３４により検出され、このセ
ンサ３４の画電極３５゜３７から出力された信号レベル
に応じて第４図と同様に駆動回路３からＥＬ素子２への
出力信号が変化して、実際に視認される表示部の発光輝
度が略一定になるようにしてＥＬ素子２の発光輝度が自
動調節される。
このように第１．第２実施例においては、液晶表示素子
１１．２１内に、有効表示範囲の外側に位置して輝度検
出用のセンサ１５．３４を形成しているため、実際に視
認される表示部の発光輝度を視認されない位置に設けら
れたセンサ１５．３４によって検出することができ、こ
のセンサ１５．３４の出力に応じて表示部の発光輝度が
略一定になるようにＥＬ素子２の発光輝度を自動調節す
ることにより精度の高い輝度調節が可能な液晶表示装置
が得られる。また、センサ１５゜３４は液晶表示素子Ｉ
Ｌ ２１を構成する対向基板１２．１３のスペース内に
設けられるため、第４図に示した従来のように液晶表示
素子１の外部にセンサ５を別設するものに比べ構造が簡
素化される。また第２実施例に示すようにアモルファス
シリコンからなるスイッチング素子を有する液晶表示素
子２１内にアモルファスシリコンからなるセンサ３４を
形成するものにおいては、同一基板１２上に画素電極２
３．透明電極２４の形成と略同工程でセンサ３４の電極
３５を形成することができるとともに、アモルファスシ
リコン層２８．２８Ａの形成と略同工程でセンサ３４の
アモルファスシリコン層からなる光電変換膜３６を形成
することができるため、製造工程の簡略化を図ることが
できる。
１１．２１内に、有効表示範囲の外側に位置して輝度検
出用のセンサ１５．３４を形成しているため、実際に視
認される表示部の発光輝度を視認されない位置に設けら
れたセンサ１５．３４によって検出することができ、こ
のセンサ１５．３４の出力に応じて表示部の発光輝度が
略一定になるようにＥＬ素子２の発光輝度を自動調節す
ることにより精度の高い輝度調節が可能な液晶表示装置
が得られる。また、センサ１５゜３４は液晶表示素子Ｉ
Ｌ ２１を構成する対向基板１２．１３のスペース内に
設けられるため、第４図に示した従来のように液晶表示
素子１の外部にセンサ５を別設するものに比べ構造が簡
素化される。また第２実施例に示すようにアモルファス
シリコンからなるスイッチング素子を有する液晶表示素
子２１内にアモルファスシリコンからなるセンサ３４を
形成するものにおいては、同一基板１２上に画素電極２
３．透明電極２４の形成と略同工程でセンサ３４の電極
３５を形成することができるとともに、アモルファスシ
リコン層２８．２８Ａの形成と略同工程でセンサ３４の
アモルファスシリコン層からなる光電変換膜３６を形成
することができるため、製造工程の簡略化を図ることが
できる。
なお本発明は上記実施例に限定されるものではなく本発
明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である
。例えば液晶表示装置は液晶表示素子を背後から照明す
るタイプの各種のものに適用可能であり、また照明部材
としてＥＬ素子に代えて照明ランプの光線を導光する導
光体を用いてもよい。またセンサの出力に応じて照明部
材の輝度を自動調節する輝度調節装置の構成は適宜選定
すればよい。
明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である
。例えば液晶表示装置は液晶表示素子を背後から照明す
るタイプの各種のものに適用可能であり、また照明部材
としてＥＬ素子に代えて照明ランプの光線を導光する導
光体を用いてもよい。またセンサの出力に応じて照明部
材の輝度を自動調節する輝度調節装置の構成は適宜選定
すればよい。
本発明は、液晶表示素子の背後に照明部材を設け、輝度
検出用のセンサの出力に応じて駆動回路から前記照明部
材への出力信号を変化させて表示部の輝度を略一定に制
御する液晶表示装置において、前記輝度検出用のセンサ
を前記液晶表示素子内の有効表示範囲の外側に設けたも
のであり、表示部の輝度調節の精度並びに装置の簡素化
の向上を図ることができる。
検出用のセンサの出力に応じて駆動回路から前記照明部
材への出力信号を変化させて表示部の輝度を略一定に制
御する液晶表示装置において、前記輝度検出用のセンサ
を前記液晶表示素子内の有効表示範囲の外側に設けたも
のであり、表示部の輝度調節の精度並びに装置の簡素化
の向上を図ることができる。
また本発明において、前記液晶表示素子は一対の基板内
に液晶を封入し、前記基板の一方にマトリクス状に複数
の画素電極を形成し、この画素電極にアモルファスシリ
コン層からなるスイッチング素子を接続して形成される
とともに、前記輝度検出用のセンサは前記スイッチング
素子と略同工程で形成可能なアモルファスシリコン層を
有するものであり、表示部の輝度調節の精度並びに装置
の簡素化の向上を図ることができる。
に液晶を封入し、前記基板の一方にマトリクス状に複数
の画素電極を形成し、この画素電極にアモルファスシリ
コン層からなるスイッチング素子を接続して形成される
とともに、前記輝度検出用のセンサは前記スイッチング
素子と略同工程で形成可能なアモルファスシリコン層を
有するものであり、表示部の輝度調節の精度並びに装置
の簡素化の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略説明図、第２図お
よび第３図は本発明の他の実施例を示し、第２図は概略
説明図、第３図は要部の平面図、第４図は従来例を示す
概略説明図である。 ２−・−ＥＬ素子（照明部材） ３−駆動回路 １１、２１一液晶表示素子 １３一基板 ３４− センサ 液晶 画素電極
よび第３図は本発明の他の実施例を示し、第２図は概略
説明図、第３図は要部の平面図、第４図は従来例を示す
概略説明図である。 ２−・−ＥＬ素子（照明部材） ３−駆動回路 １１、２１一液晶表示素子 １３一基板 ３４− センサ 液晶 画素電極
Claims (2)
- （１）液晶表示素子の背後に照明部材を設け、輝度検出
用のセンサの出力に応じて駆動回路から前記照明部材へ
の出力信号を変化させて表示部の輝度を略一定に制御す
る液晶表示装置において、前記輝度検出用のセンサを前
記液晶表示素子内の有効表示範囲の外側に設けたことを
特徴とする液晶表示装置。 - （２）前記液晶表示素子は一対の基板内に液晶を封入し
、前記基板の一方にマトリクス状に複数の画素電極を形
成し、この画素電極にアモルファスシリコン層からなる
スイッチング素子を接続して形成されるとともに、前記
輝度検出用のセンサは前記スイッチング素子と略同工程
で形成可能なアモルファスシリコン層を有することを特
徴とする請求項（１）記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7464890A JPH03274020A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7464890A JPH03274020A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274020A true JPH03274020A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13553261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7464890A Pending JPH03274020A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03274020A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005057275A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-23 | Sony Corporation | 液晶表示装置およびバックライト調整方法 |
| JP2006251636A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Sony Corp | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214876B2 (ja) * | 1979-05-25 | 1987-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS646927A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Hosiden Electronics Co | Liquid crystal display device |
| JPH03249622A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7464890A patent/JPH03274020A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214876B2 (ja) * | 1979-05-25 | 1987-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS646927A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Hosiden Electronics Co | Liquid crystal display device |
| JPH03249622A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005057275A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-23 | Sony Corporation | 液晶表示装置およびバックライト調整方法 |
| JPWO2005057275A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2007-12-13 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置およびバックライト調整方法 |
| CN100419534C (zh) * | 2003-12-08 | 2008-09-17 | 索尼株式会社 | 液晶显示设备和背光调节方法 |
| US7652654B2 (en) | 2003-12-08 | 2010-01-26 | Sony Corporation | Liquid crystal display and backlight adjusting method |
| JP4706480B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2011-06-22 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| US8305338B2 (en) | 2003-12-08 | 2012-11-06 | Sony Corporation | Liquid crystal display apparatus and backlight adjustment method |
| JP2006251636A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JP4736481B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-07-27 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7218048B2 (en) | Display apparatus having photo sensor | |
| JP4753661B2 (ja) | 表示装置 | |
| CN101135794B (zh) | 液晶显示器及其驱动方法 | |
| CN101067698B (zh) | 发光二极管基板及其制造方法以及液晶显示器装置 | |
| CN101221307B (zh) | 具有调光功能的图像显示装置 | |
| US7388569B2 (en) | Reflection liquid crystal display apparatus | |
| US20090085859A1 (en) | Display apparatus and control method thereof | |
| KR101752648B1 (ko) | 표시 장치 및 반도체 장치 | |
| JP5221054B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP4514674B2 (ja) | 表示装置、表示パネル用基板および表示パネル用基板の製造方法 | |
| GB2162673A (en) | Liquid crystal matrix panel for an information input/output system | |
| CN102749744A (zh) | 显示装置 | |
| CN110071164A (zh) | 一种显示基板及其亮度调节方法、显示装置 | |
| EP0664473A1 (en) | Active matrix type display device and manufacturing method thereof | |
| CN109887965B (zh) | 显示模组及其制造方法、显示装置 | |
| US20040119676A1 (en) | Trans-reflective liquid crystal display device for improving color reproducibility and brightness and method for driving thereof | |
| JPH03274020A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3121005B2 (ja) | 薄膜半導体装置とその製造方法及び製造装置並びに画像処理装置 | |
| US7183700B2 (en) | Organic light emitting diode display having red, blue, and green colors emitted using heating circuit structure | |
| JP2508503B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| WO2012032751A1 (ja) | 太陽電池パネル、表示装置、及び太陽電池パネルの制御方法 | |
| US11114495B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing an array sunstrate | |
| JPH10111519A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| EP0178190B1 (en) | Optoelectronic panel and method of making the same | |
| JPS58170053A (ja) | 半導体装置 |