JPH03273540A - Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material - Google Patents

Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material

Info

Publication number
JPH03273540A
JPH03273540A JP7213390A JP7213390A JPH03273540A JP H03273540 A JPH03273540 A JP H03273540A JP 7213390 A JP7213390 A JP 7213390A JP 7213390 A JP7213390 A JP 7213390A JP H03273540 A JPH03273540 A JP H03273540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
spin
recording
spin glass
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7213390A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichiro Inomata
浩一郎 猪俣
Shiho Nakamura
志保 中村
Susumu Hashimoto
進 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7213390A priority Critical patent/JPH03273540A/en
Publication of JPH03273540A publication Critical patent/JPH03273540A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compounds Of Iron (AREA)

Abstract

PURPOSE:To allow recording and reproducing without contact and easy overwriting and many valued recording by using a spin glass magnetic material as a recording layer. CONSTITUTION:The spin glass magnetic material layer is provided as the magnetic recording layer 3 on a base body 2. The spin glass magnetic material refers to a material which is in a paramagnetic state at a high temp., but has the higher interaction between spins and generates a certain kind of magnetic order at a low temp. The magnetic recording device has a heating means 5 for heating the spin glass magnetic material to the spin freezing temp. or above and a magnetic field generating means 6 which can vary the magnetic field to be impressed to the spin glass magnetic material by at least >=2 values at the time of cooling. The magnetic recording medium and magnetic recording device which can be make recording and reproducing without contact and allow the easy overwriting the many valued recording as well are obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は磁気記録媒体及び磁気記録装置及び新規なスピ
ングラス磁性体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Objective of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a magnetic recording medium, a magnetic recording device, and a novel spin glass magnetic material.

(従来の技術) 磁気記録技術は各種のものが開発され、実用化されてい
る。例えば磁気テープ、磁気ディスク等の記録媒体を用
い、磁気ヘッドで記録・再生を行なう方法、レーザ光を
加熱源として用い、印加磁界により記録を行ない、磁気
光学効果により読出しを行なう光磁気ディスクを用いた
方法、泡磁区の有無により、記録・再生を行なうバブル
メモリ等が挙げられる。
(Prior Art) Various magnetic recording technologies have been developed and put into practical use. For example, a method uses a recording medium such as a magnetic tape or a magnetic disk, and performs recording/reproduction with a magnetic head, and a method uses a magneto-optical disk, which uses a laser beam as a heating source, records by an applied magnetic field, and reads by the magneto-optic effect. Examples include bubble memory, which performs recording and reproduction depending on the method used and the presence or absence of bubble magnetic domains.

それぞれの技術には一長一短があり、研究・開発が進め
られている。例えば磁気ディスク等を使用する技術では
更なる記録密度の向上が望まれており、光磁気ディスク
ではC/Nの向上、オーバーライド技術の確立などが望
まれている。
Each technology has its advantages and disadvantages, and research and development is progressing. For example, in technologies using magnetic disks, it is desired to further improve the recording density, and in magneto-optical disks, it is desired to improve the C/N and establish override technology.

(発明が解決し解決しようとする課題)本発明は従来に
ない新規な磁気記録方式を提案することにより、非接触
で記録・再生ができ、オーバーライドが容易でまた多値
記録も可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置更には特に
磁気記録媒体として適した新規なスピングラス磁性体を
提供することを目的とする。
(Problems to be Solved and Solved by the Invention) The present invention proposes a novel magnetic recording method that has never existed before, thereby enabling magnetic recording that enables non-contact recording and reproduction, easy override, and multilevel recording. It is an object of the present invention to provide a novel spin glass magnetic material suitable for use as a medium and a magnetic recording device, and particularly as a magnetic recording medium.

本発明はスピングラス磁性体の特異的な磁気特性、すな
わち、スピン凍結温度以上からの磁場中冷却の場合と無
磁場中冷却の場合との磁化の違いに着目してなされたも
のである。本件発明磁気記録媒体は、基体上に磁気記録
層としてスピングラス磁性体層を具備したことを特徴と
する磁気記録媒体である。ここでスピングラス磁性体と
は、高温では常磁性状態にあるが、低温ではスピン間の
相互作用が大きくなり、ある種の磁気的秩序が生じるも
のをいう。但し、この場合の磁気的秩序はいわゆる強磁
性や反強磁性などの−様なスピン構造ではなく、不規則
なスピン配列をとり、転移点(スピン凍結温度)で交流
磁化率がカスブを示す特徴がある。この様なスピングラ
ス磁性体としては、磁性元素を稀薄に含む合金系や、ア
モルファス合金系及び正負の競合する交換相互作用を含
む化合物磁性体系で多くみられるが、これらに限らず、
前述したように交流磁化率がカスブを持つような現象を
示す磁性体は広義のスピングラスと呼ばれている。この
様な磁気記録媒体は以下のような磁気記録装置で使用す
ることができる。
The present invention was made by focusing on the unique magnetic properties of spin glass magnetic materials, that is, the difference in magnetization between cooling in a magnetic field from a temperature above the spin freezing temperature and cooling in a non-magnetic field. The magnetic recording medium of the present invention is a magnetic recording medium characterized by comprising a spin glass magnetic layer as a magnetic recording layer on a substrate. Here, a spin glass magnetic material is one that is in a paramagnetic state at high temperatures, but at low temperatures the interaction between spins increases and a certain type of magnetic order occurs. However, the magnetic order in this case is not a spin structure like so-called ferromagnetism or antiferromagnetism, but an irregular spin arrangement, and the AC magnetic susceptibility exhibits a cusp shape at the transition point (spin freezing temperature). There is. Such spin glass magnetic materials are often found in alloy systems containing dilute magnetic elements, amorphous alloy systems, and compound magnetic systems containing competing positive and negative exchange interactions, but are not limited to these.
As mentioned above, a magnetic material exhibiting a phenomenon in which the alternating current magnetic susceptibility has a cusp is called a spin glass in a broad sense. Such a magnetic recording medium can be used in the following magnetic recording devices.

本発明磁気記録装置は前述の磁気記録媒体を用い、前記
スピングラス磁性体をスピン凍結温度以上に加熱する加
熱手段と、冷却する際に前記スピングラス磁性体に印加
する磁場を少なくとも2値以上変化せしめることのでき
る磁界発生手段とを具備したことを特徴とするものであ
る。
The magnetic recording device of the present invention uses the above-mentioned magnetic recording medium, and includes a heating means for heating the spin glass magnetic body to a temperature higher than the spin freezing temperature, and a magnetic field applied to the spin glass magnetic body when cooling the spin glass magnetic body, which changes at least two values or more. The present invention is characterized in that it is equipped with a magnetic field generating means that can generate a magnetic field.

スピングラス磁性体はスピン凍結温度以上の温度領域か
らの冷却時の磁場の有無だけでなく、磁場の大きさでも
磁化の値が異なる。従って“0””1′の記録を想定す
れば磁場の有無をそれぞれ対応させれば良いし、また印
加する磁場を多段階に変化させれば、それぞれの印加磁
場に応じた磁化の値をスピングラス磁性体はとることが
でき、多値の記録ができる。
The magnetization value of spin glass magnetic materials differs not only depending on the presence or absence of a magnetic field during cooling from a temperature region above the spin freezing temperature, but also the magnitude of the magnetic field. Therefore, if we assume the recording of "0" and "1', we can make the presence or absence of a magnetic field correspond to each other, and if we change the applied magnetic field in multiple steps, we can change the magnetization value according to each applied magnetic field to the spin. Glass magnetic material can be used to record multiple values.

N1図を用いて“0″、“1″の2値記録の場合を説明
する。第1図はスピングラス磁性体の磁化の温度特性を
示している。同図中■は無磁場中冷却の場合、■は磁場
中冷却の場合を示している。
The case of binary recording of "0" and "1" will be explained using the N1 diagram. FIG. 1 shows the temperature characteristics of magnetization of a spin glass magnetic material. In the figure, ■ indicates the case of cooling in a non-magnetic field, and ■ indicates the case of cooling in a magnetic field.

両回線はTr(臨界点;スピン凍結温度)以上では挙動
が同じであるが、T、以下の温度で挙動が異なっている
。令室部(TR)をT、以下に設定し、磁性体の磁化の
初期状態(“0”)をMAとする。磁性体をT2以上の
温度領域(例えばC)まで加熱し、磁場を印加しながら
冷却すると磁化はMBに変化する。この状態を“1゛と
する。この様な磁場中冷却処理で“1”が記録されたこ
とになる。この記録頭載は十分小さい領域でも実現でき
るため記録密度の高密度化が達成できる。
Both lines behave the same at temperatures above Tr (critical point; spin freezing temperature), but behave differently at temperatures below T. The rear region (TR) is set to T or less, and the initial state (“0”) of the magnetization of the magnetic material is set to MA. When a magnetic material is heated to a temperature range of T2 or higher (for example, C) and cooled while applying a magnetic field, the magnetization changes to MB. This state is defined as "1". This means that "1" has been recorded by cooling in a magnetic field. Since this recording head can be realized even in a sufficiently small area, a high recording density can be achieved.

また磁性体を75以上の温度領域まで加熱し、無磁場中
冷却により、M!lの状態からMAの状態に戻すことが
できるので、この様な加熱処理により消去動作を行なう
ことができる。
In addition, by heating the magnetic material to a temperature range of 75 or higher and cooling it in a non-magnetic field, M! Since the 1 state can be returned to the MA state, an erasing operation can be performed by such heat treatment.

この様な磁気記録方法を実現する装置の概略を第2図を
参照して説明する。
An outline of an apparatus for realizing such a magnetic recording method will be explained with reference to FIG.

記録媒体(1)として、透明な基板(2〉上にスピング
ラス磁性体からなる記録層〈3)を形成し、反射膜(4
)で被覆した構造の媒体を用意する。各層はスパッタリ
ング法などの各種薄膜形成法により形成することができ
る。
As a recording medium (1), a recording layer (3) made of spin glass magnetic material is formed on a transparent substrate (2), and a reflective film (4) is formed on the transparent substrate (2).
) is prepared. Each layer can be formed by various thin film forming methods such as sputtering.

記録層(3)の加熱手段(5)として例えばレーザを用
いる。この加熱手段(5)で基板(2)側から記録層(
3)を加熱できるよう配置する。また記録層(3)に磁
場を印加するための磁界発生手段(6〉として例えば電
磁石を用意し、加熱手段(5)とは反対側から記録層(
3)に磁場を印加できるように配置する。
For example, a laser is used as the heating means (5) for the recording layer (3). With this heating means (5), the recording layer (
3) Arrange so that it can be heated. Further, an electromagnet, for example, is prepared as a magnetic field generating means (6) for applying a magnetic field to the recording layer (3), and the recording layer (
3) Arrange it so that a magnetic field can be applied to it.

記録時には加熱手段(5)によりTt以上に加熱された
記録層〈3〉の領域に、磁界発生手段(6〉の電磁石を
ON状態とすることにより磁場を印加しながら冷却する
。この領域の磁化の状態はMBと高い磁化状態となる。
During recording, the region of the recording layer <3> heated to Tt or higher by the heating means (5) is cooled while applying a magnetic field by turning on the electromagnet of the magnetic field generating means (6>. Magnetization of this region The state is MB, which is a high magnetization state.

一方消去時は加熱手段(5)によりTr以上に加熱され
た記録層領域に磁界発生手段(6)の電磁石をOFF状
態とすることにより磁場の印加なしに冷却する。この領
域の磁化の状態はMAと低い磁化状態となる。このよう
に磁界発生手段のON、OFFの切り替えだけで容易に
記録・消去を行なうことができる。いずれにせよ記録・
消去の両者ともT1以上の温度にすることには変わりが
ないので、例えばレーザ光を記録層に連続照射状態とし
、1 “を記録するときだけ電磁石をONさせれば良い
ことになる。
On the other hand, during erasing, the recording layer region heated to a temperature higher than Tr by the heating means (5) is cooled without applying a magnetic field by turning off the electromagnet of the magnetic field generating means (6). The magnetization state of this region is MA, which is a low magnetization state. In this way, recording and erasing can be easily performed simply by switching ON and OFF of the magnetic field generating means. In any case, record
Since there is no difference between erasing and raising the temperature to T1 or higher, for example, it is sufficient to continuously irradiate the recording layer with a laser beam and turn on the electromagnet only when recording 1''.

この様に記録層り3)の磁化状態にかかわらず、T1以
上に加熱した後の印加磁場の有無によって記録ができる
ため、容易にオーバーライドが可能であることが分かる
In this way, regardless of the magnetization state of the recording layer 3), recording can be performed depending on the presence or absence of an applied magnetic field after heating to T1 or higher, so it can be seen that overriding is easily possible.

以上の説明では初期状態をMAとしたが、M。In the above explanation, the initial state is MA, but M.

としても良く、また“0゛1“の対応を逆にしても良い
ことも言うまでもない。また記録層は単層である必要は
なく、多層化しても良い。
It goes without saying that the correspondence between "0 and 1" may also be reversed. Further, the recording layer does not need to be a single layer, and may be multilayered.

従来の光磁気記録の場合でも磁界変調方式によるオーバ
ーライドが開発されているが、光磁気記録の場合は垂直
磁化の向きで識別しているため、磁界変調時に要する磁
界は記録層の保磁力以上の比較的大きい磁界を必要とす
るため、高周波領域でのその様な大きい磁場のスイッチ
ングは困難であった。本発明の場合は記録を磁化の大き
さの違いで識別するので保磁力以下の小さい磁場で記録
層の磁化状態を大きく変化させることができるため、磁
界変調といっても高周波化には十分対応できる。
In the case of conventional magneto-optical recording, override using a magnetic field modulation method has also been developed, but in the case of magneto-optical recording, since the direction of perpendicular magnetization is used for identification, the magnetic field required for magnetic field modulation must exceed the coercive force of the recording layer. Switching such a large magnetic field in the high frequency range has been difficult since it requires a relatively large magnetic field. In the case of the present invention, recording is identified by the difference in the magnitude of magnetization, so the magnetization state of the recording layer can be changed significantly with a small magnetic field less than the coercive force, so even though it is called magnetic field modulation, it is fully compatible with high frequencies. can.

読み出しは磁化の値の違いを読み出せれば特に方法は限
定されないが、磁化の値の変化は磁気光学効果、例えば
ファラデー回転角、カー回転角の違いを生じるため、光
磁気記録の場合と同様に、例えばレーザ光の反射光強度
などで読み出すことができる。また磁化の大きさを直接
磁気ヘッドなどで読み出しても良いことは言うまでもな
い。
The reading method is not particularly limited as long as the difference in the magnetization value can be read out, but since changes in the magnetization value cause magneto-optical effects, such as differences in Faraday rotation angle and Kerr rotation angle, it is possible to read out the difference in the magnetization value. For example, the information can be read out based on the intensity of reflected laser light. It goes without saying that the magnitude of magnetization may also be directly read out using a magnetic head or the like.

このように本発明による磁気記録では記録・消去・読み
出しが非接触で実現できる。
In this manner, the magnetic recording according to the present invention allows recording, erasing, and reading to be performed without contact.

ところでスピングラス磁性体の磁化は緩和する性質を有
する。すなわち第1図における磁場中冷却時の磁化MB
の状態が、時間の経過と共にMAに近づいていくことに
なる。この様な性質を利用して一定時間経過後に記録が
消滅するという記録媒体として使用することができるが
、一般的には記録は一定時間以上正確に保持されること
が望まれる。スピングラス磁性体の改善によってこの緩
和時間を伸ばすことも可能であるが、記録層にバイアス
磁場を印加するバイアス層を記録媒体中に形成すること
でこの問題を解消することもできる。
By the way, the magnetization of a spin glass magnetic material has a property of relaxing. That is, the magnetization MB during cooling in a magnetic field in FIG.
The state will approach MA as time passes. Utilizing this property, it can be used as a recording medium in which records disappear after a certain period of time; however, it is generally desired that records be maintained accurately for a certain period of time or longer. Although it is possible to extend this relaxation time by improving the spin glass magnetic material, this problem can also be solved by forming a bias layer in the recording medium that applies a bias magnetic field to the recording layer.

第3図にその様な構成を示す磁気記録媒体の例を示す。FIG. 3 shows an example of a magnetic recording medium having such a configuration.

第2図に示した媒体と基本的には同じであり、記録層(
3)に接してバイアス層(7〉が形成されている。この
バイアス層(7)は、記録層(3)に磁場を印加するこ
とができるような位置にあれば良く、第3図のように反
射膜(4)と記録層(3)との間である必要はない。ま
た記録層(3)のスピン凍結温度以上の加熱からの冷却
時に磁場を発生する必要があるため、バイアス層(7)
のキュリー温度はスピン凍結温度以上であることか好ま
しい。
It is basically the same as the medium shown in Figure 2, and the recording layer (
A bias layer (7>) is formed in contact with the recording layer (3).The bias layer (7) only needs to be located at a position where it can apply a magnetic field to the recording layer (3), as shown in Figure 3. There is no need for the bias layer (4) to be between the reflective film (4) and the recording layer (3).Also, since it is necessary to generate a magnetic field when the recording layer (3) is cooled from heating above the spin freezing temperature, the bias layer ( 7)
It is preferable that the Curie temperature of is equal to or higher than the spin freezing temperature.

この様な記録媒体を用いたときの記録・消去について説
明する。初期状態の記録層の磁化状態はMAとし、バイ
アス層(7〉は消磁されているものとする(第4図(a
))。前述と同様に記録時にはT1以上の加熱の後、磁
場中冷却を行なうことにより記録層の磁化状態はMBに
なり、このときバイアス層(7)も同時に磁化される(
第4図〈b〉)。
Recording and erasing when using such a recording medium will be explained. It is assumed that the magnetization state of the recording layer in the initial state is MA, and the bias layer (7) is demagnetized (Fig. 4 (a)
)). Similarly to the above, during recording, the magnetization state of the recording layer becomes MB by cooling in a magnetic field after heating to T1 or more, and at this time, the bias layer (7) is also magnetized at the same time (
Figure 4 (b)).

記録後も記録層(3)にはバイアス層(7)によりバイ
アス磁場が常に印加されている状態となり、磁化緩和の
恐れがない。従って長期間の記録の保持が可能となる。
Even after recording, a bias magnetic field is constantly applied to the recording layer (3) by the bias layer (7), so there is no fear of magnetization relaxation. Therefore, it becomes possible to maintain records for a long period of time.

また消去時にはバイアス層(7)のキュリー温度TC(
TC>Tt)以上の加熱の後、無磁場冷却することによ
り、記録層の磁化状態はMAとなり、バイアス層は消磁
され、第4図(a)の状態に戻る。
Also, during erasing, the Curie temperature TC (
After heating to a temperature above TC>Tt), by cooling without a magnetic field, the magnetization state of the recording layer becomes MA, the bias layer is demagnetized, and the state returns to the state shown in FIG. 4(a).

更に本発明に係る磁気記録媒体を用いることにより、多
値記録をも実現できる。
Furthermore, by using the magnetic recording medium according to the present invention, multilevel recording can also be realized.

すなわちスピングラス磁性体の磁化は第4図に示すよう
に冷却時の印加磁場の大きさに応じて値を変化する性質
を利用するのである。例えば印加磁界の大きさをHO<
Hl <H2くH*とし、夫々に対応した磁化をMA 
、Ma 、Mc 、Moとすると、磁化の値にもM A
 < M B < M (< M Dなる関係が成り立
つ(第5図)。従って第2図に示した方式で磁気記録を
行なう場合の印加磁場をこのように変化することで、夫
々の磁場に応じた状態を記録することができる。読み出
しも同様に光磁気効果を用いれば良い。一般に光磁気効
果は磁化の大きさで変化するため、磁化の強度を例えば
光強度に変換することで、読み出しができる。また異な
るスピン凍結温度を有するスピングラス磁性体層を多層
化することなどでも多値記録が可能となる。
That is, as shown in FIG. 4, the property of the magnetization of the spin glass magnetic material changes depending on the magnitude of the applied magnetic field during cooling. For example, if the magnitude of the applied magnetic field is HO<
Let Hl < H2 × H*, and the corresponding magnetization is MA
, Ma, Mc, Mo, the value of magnetization is also M A
< M B < M (< M D holds true (Figure 5). Therefore, by changing the applied magnetic field in this way when performing magnetic recording using the method shown in Figure 2, it is possible to The magneto-optical effect can be similarly used for readout.Generally, the magneto-optical effect changes depending on the magnitude of magnetization, so reading can be done by converting the magnetization intensity into, for example, light intensity. Multi-level recording is also possible by multi-layering spin glass magnetic layers having different spin freezing temperatures.

多値記録の場合も記録層(3)の磁化緩和が問題となる
場合があるか、やはりバイアス層(7)の設置で解消す
ることができる。但しこの場合は、記録している夫々の
磁化の値に応じたバイアス磁場を発生することができる
ような材料、すなわち印加磁界の大小に応じた大小の残
留磁化を有するを選定することが好ましい。余り強い磁
場をバイアス磁場として加えると、磁化緩和を防止する
以上に、より大きい磁化状態に記録層(3〉をもってい
く恐れがある。
Even in the case of multilevel recording, magnetization relaxation of the recording layer (3) may be a problem, but it can be solved by providing a bias layer (7). However, in this case, it is preferable to select a material that can generate a bias magnetic field corresponding to each recorded magnetization value, that is, a material that has residual magnetization of a magnitude corresponding to the magnitude of the applied magnetic field. If a too strong magnetic field is applied as a bias magnetic field, there is a risk that the recording layer (3) will be brought to a larger magnetization state than the magnetization relaxation is prevented.

この様なバイアス層を構成する材料としては、磁化曲線
の角形比が大きく、保磁力及びキュリー温度が適度の値
を持つことが要求される。角形比は残留磁化の大きさを
決定するため、できるだけ大きいほうが良い。また保磁
力が余り大きすぎると、書き込みに要する変調磁界が大
きくなってしまい、また余り小さすぎるとバイアス層と
しての役割を果たさなくなるため、1000e〜3  
koe程度の値が好ましい。またキュリー温度は消去用
の加熱時に容易に消磁されるように、1oo〜200℃
程度が好ましい。
The material constituting such a bias layer is required to have a large squareness ratio of the magnetization curve and appropriate coercive force and Curie temperature. Since the squareness ratio determines the magnitude of residual magnetization, it is better to make it as large as possible. In addition, if the coercive force is too large, the modulation magnetic field required for writing will become large, and if it is too small, it will no longer function as a bias layer.
A value on the order of koe is preferable. In addition, the Curie temperature is 1oo~200℃ so that it can be easily demagnetized during heating for erasing.
degree is preferred.

この様なバイアス層を構成する材料としては、アモルフ
ァス希土類−遷移金属合金。
The material constituting such a bias layer is an amorphous rare earth-transition metal alloy.

Pt/Co、 Pd/Co等の多層膜、希土類ガーネッ
ト、C。
Multilayer films such as Pt/Co, Pd/Co, rare earth garnet, C.

フェライト、 Baフェライト等の酸化物薄膜、C。Ferrite, oxide thin film such as Ba ferrite, C.

Cr合金などの垂直磁化膜、γ−Fe2O3゜Fe3O
4等の酸化物薄膜、希土類遷移金属合金膜等の面内磁化
膜等を用いることができる。また印加磁界により異なる
残留磁化を示す磁性体としては、Pt/Co、 Pd/
Co等の多層膜のほかに、S+g(Co、Cu、M)z
(4,5≦2≦8.M−re、Mn、Cr+V、Nb、
Ta。
Perpendicular magnetization film such as Cr alloy, γ-Fe2O3゜Fe3O
For example, an oxide thin film such as No. 4, an in-plane magnetized film such as a rare earth transition metal alloy film, etc. can be used. In addition, magnetic materials that exhibit different residual magnetization depending on the applied magnetic field include Pt/Co and Pd/
In addition to multilayer films such as Co, S+g(Co, Cu, M)z
(4,5≦2≦8.M-re, Mn, Cr+V, Nb,
Ta.

Tj、Zr、Hf等の少なくとも一種)などの磁性膜が
挙げられる。このバイアス層もスパッタリングなどの各
種薄膜形成法で形成することができる。
Examples include a magnetic film made of at least one of Tj, Zr, Hf, etc. This bias layer can also be formed by various thin film forming methods such as sputtering.

さて本発明に用いるスピングラス磁性体であるが、その
磁気的挙動自体は従来より知られてはいたものの、スピ
ン凍結温度が室温以下のせいぜい数十に程度の低温であ
り、現実用途の探求は行なわれていなかった。本発明者
らはフェライト組成薄膜に代表される酸化物薄膜がスピ
ングラス磁性体であることを新規に見出だし、しかもそ
のスピン凍結温度が室温以上であり、スピングラス挙動
の現実用途への適用が可能であることを見出だし本発明
を創出するに至った。
Now, regarding the spin glass magnetic material used in the present invention, although its magnetic behavior itself has been known for a long time, the spin freezing temperature is at most several tens of degrees below room temperature, and the search for practical applications is difficult. It had not been done. The present inventors have newly discovered that oxide thin films represented by ferrite composition thin films are spin glass magnetic materials, and furthermore, their spin freezing temperature is above room temperature, making it difficult to apply spin glass behavior to practical applications. We have discovered that this is possible and have created the present invention.

本発明スピングラス磁性体はフェライト組成の薄膜で、
磁性イオンの持つスピンが特定温度以下で長距離秩序を
持たずに凍結されたことを特徴とするものである。
The spin glass magnetic material of the present invention is a thin film with a ferrite composition,
It is characterized by the fact that the spins of magnetic ions are frozen without long-range order below a certain temperature.

酸化物フェリ磁性を持つフェライトの結晶をトポロジカ
ルに無秩序化させると、例えば一部は本来四角格子を組
んでいたものが三角格子を組み、その結果、負の交換相
互作用が競合し、スピンはフラストレートしてスピング
ラス磁性体となる。
When a ferrite crystal with oxide ferrimagnetism is topologically disordered, for example, some originally square lattices form triangular lattices, and as a result, negative exchange interactions compete and the spin becomes fluctuated. Straighten it to become a spin glass magnetic material.

また酸化物フェリ磁性体の異種磁気原子間の並びを無秩
序化させると、交換相互作用は競合し、スピンはフラス
トレートしてスピングラス磁性体となる。
Furthermore, when the arrangement of different types of magnetic atoms in the oxide ferrimagnetic material is disordered, exchange interactions compete and the spin becomes frustrated, resulting in a spin glass magnetic material.

あるいはまた、膜がX線回折でアモルファス状態の如く
のブロードなパターンを生じる数10〜数100OAの
クラスターからなり、かつクラスター内は磁気的に秩序
化するが、クラスター間には磁気的に長距離秩序が働か
ない場合にはスピングラス状態となる。
Alternatively, the film may consist of clusters of several tens to hundreds of OA that give a broad pattern similar to an amorphous state in X-ray diffraction, and the clusters are magnetically ordered, but there are magnetically long distances between the clusters. If order does not work, a spin glass state occurs.

スピングラス状態は秩序化した結晶体では起こり得ない
。不完全な状態を実現する一つの方法としては、室温基
板上に成膜の後、ボストアニールを施さないなどの方法
で簡単に実現できる。
Spin glass states cannot occur in ordered crystals. One way to achieve an imperfect state is to form a film on a room-temperature substrate and then not perform boss annealing.

薄膜は非晶質であってもX線回折でブロードパターンを
生じる程度の微結晶の混在があっても構わない。
The thin film may be amorphous or may contain microcrystals to the extent that it causes a broad pattern in X-ray diffraction.

組成は特に限定されるものではないが、Coを構成元素
として含有するとCoイオンによるランダム異方性が効
果を発するため、Coを含有することが好ましい。Co
フェライトの基本組成は(Co、Fe)、0.であるが
、酸素欠陥などの組成のずれ、Zn、Ni等の添加物成
分を除くものではない。Co原子は10原子%以上、更
には30〜70原子%含有することが好ましい。
Although the composition is not particularly limited, it is preferable to contain Co, since random anisotropy due to Co ions is effective when Co is contained as a constituent element. Co
The basic composition of ferrite is (Co, Fe), 0. However, it does not eliminate compositional deviations such as oxygen defects and additive components such as Zn and Ni. Co atoms are preferably contained in an amount of 10 at % or more, more preferably 30 to 70 at %.

この様なフェライト組成の薄膜からなるスピングラス磁
性体、特にCoフェライト組成のスピングラス磁性体は
、スピン凍結温度が300に近傍と従来のスピングラス
磁性体が数10に程度であるのに比べ格段に高いという
特徴を有する。
A spin glass magnetic material made of a thin film with such a ferrite composition, especially a spin glass magnetic material with a Co ferrite composition, has a spin freezing temperature of around 300, which is significantly higher than that of conventional spin glass magnetic materials, which is about several tens of degrees. It is characterized by a high

またこのフェライト組成のスピングラス磁性体は、磁化
率の温度変化において従来のスピングラスにない特異的
な挙動を示すことが確認された。
It was also confirmed that this spin glass magnetic material with a ferrite composition exhibits a unique behavior that conventional spin glasses do not have when the magnetic susceptibility changes with temperature.

すなわち磁化率の温度変化を示す曲線が複数個の極大点
を有するのである。この複数個の極大点を有することと
スピン凍結温度の高いこととの直接的関係は定かではな
いが、本発明のスピングラス磁性体の特徴点の一つでも
あり、逆に本発明スピングラス磁性体は、磁化率の温度
変化を示す曲線が複数個の極大点を有することで特徴付
けることもできることになる。
That is, the curve showing the temperature change in magnetic susceptibility has a plurality of maximum points. Although it is not clear that there is a direct relationship between having a plurality of maximum points and a high spin freezing temperature, it is one of the characteristics of the spin glass magnetic material of the present invention, and conversely, the spin glass magnetic material of the present invention It follows that a body can also be characterized by a curve showing a temperature change in magnetic susceptibility having a plurality of maximum points.

次にこの様なスピングラス磁性体の製造方法について説
明する。本発明に係るスピングラス磁性体は高周波スパ
ッタリング法、イオンビームスパッタリング法などの各
種の薄膜形成方法を用いることで製造できる。以下にイ
オンビームスパッタリング法により製造する場合につい
て説明する。
Next, a method for manufacturing such a spin glass magnetic material will be explained. The spin glass magnetic material according to the present invention can be manufactured using various thin film forming methods such as high frequency sputtering and ion beam sputtering. The case of manufacturing by ion beam sputtering method will be explained below.

まず磁性体の構成元素の酸化物または焼成により酸化物
になる炭酸塩、硝酸塩等の原料、例えば、F e203
 、Co304など所望の割合で混合し、仮称・粉砕・
焼結により、焼結体からなるスパッタリング用ターゲッ
トを得る。この様な複合酸化物ターゲットに限らず、金
属ターゲットを用いても良いし、複数のターゲットを使
用しても良いことは言うまでもない。
First, raw materials such as oxides of constituent elements of the magnetic material or carbonates and nitrates that become oxides by firing, such as Fe203
, Co304, etc. in the desired ratio,
A sputtering target made of a sintered body is obtained by sintering. It goes without saying that the target is not limited to such a composite oxide target, but a metal target or a plurality of targets may be used.

このターゲットをスパッタリング装置内の所定位置に取
り付け、6 X 1O−6Torr以下の真空度まで排
気した後、Arガスをイオンガンに供給してイオン化し
て加速させ、ターゲットをスパッタする。
This target is attached to a predetermined position in a sputtering device, and after the vacuum is evacuated to a degree of vacuum of 6×10−6 Torr or less, Ar gas is supplied to an ion gun, ionized and accelerated, and the target is sputtered.

そしてスパッタ2次粒子を適当な基板上に堆積させて薄
膜を形成する。このとき基板の近傍には酸素ガスを導入
して反応性雰囲気中で膜堆積をさせることが望ましい。
Then, the sputtered secondary particles are deposited on a suitable substrate to form a thin film. At this time, it is desirable to introduce oxygen gas into the vicinity of the substrate to deposit the film in a reactive atmosphere.

できた膜組成は必ずしもターゲット組成と一致しないが
、適当にターゲット組成を制御することで膜組成を制御
することができる。また膜中の酸素量は生成時の酸素ガ
ス濃度でも微妙に変化し、例えば酸素欠陥等を生じる。
Although the resulting film composition does not necessarily match the target composition, the film composition can be controlled by appropriately controlling the target composition. Furthermore, the amount of oxygen in the film changes slightly depending on the oxygen gas concentration at the time of formation, resulting in, for example, oxygen defects.

しかしながらスピングラス的挙動を示す膜が得られれば
良いため、多少の酸素欠陥は許容できる。
However, since it is sufficient to obtain a film exhibiting spin glass-like behavior, some oxygen defects can be tolerated.

(実施例) 以下に本発明の詳細な説明する。(Example) The present invention will be explained in detail below.

実施例−1 まずスピングラス磁性体の製造について説明する。Example-1 First, the production of spin glass magnetic material will be explained.

第1表に示す組成の酸化物を焼結の後、直径3インチの
円板に加工し、表面を平滑にしてイオンビームスパッタ
リング装置内のターゲットホルダーに設置した。基板と
してガラス基板を用い、基板ホルダーにガラス基板を設
置後、チャンバー内を4 X 1O−6Torrまで減
圧した。その後イオンガンに八「ガスを2 X 10−
’Torrまで導入し、更にガラス基板周辺に酸素ガス
を1 x 10−’Torr程度フローさせた。イオン
源にはカウフマン型イオンガンを用い、Arイオンを1
  keVに加速してスパッタリングを行なった。
After sintering the oxide having the composition shown in Table 1, it was processed into a disk with a diameter of 3 inches, the surface was smoothed, and the disk was placed in a target holder in an ion beam sputtering device. A glass substrate was used as the substrate, and after the glass substrate was placed in a substrate holder, the pressure inside the chamber was reduced to 4×10−6 Torr. Then add 8" gas to the ion gun 2 x 10-
The oxygen gas was introduced to a temperature of 1.5 Torr, and oxygen gas was further flowed around the glass substrate at a flow rate of about 1.times.10 Torr. A Kaufmann type ion gun was used as the ion source, and Ar ions were
Sputtering was performed at an acceleration of keV.

第1表には用いたターゲット組成の他にVSM(試料振
動型磁力計)及び5QUIDを用いて測定したスピン凍
結温度を示す。
Table 1 shows the spin freezing temperatures measured using a VSM (vibrating sample magnetometer) and 5QUID in addition to the target compositions used.

なお試料No、lについては基板温度は室温とし、No
、2〜No、13については基板温度を50℃とした。
Note that for samples No. 1 and 1, the substrate temperature was set to room temperature;
, 2 to No. 13, the substrate temperature was 50°C.

また第1表に記載した組成はターゲット組成であるが、
薄膜組成は酸素含有量が若干ずれる以外はほぼターゲッ
ト組成を再現できたことを確認した。
In addition, the compositions listed in Table 1 are target compositions, but
It was confirmed that the thin film composition could almost reproduce the target composition, except for a slight deviation in oxygen content.

試料No、lのCoFe2O4についてのX線回折結果
を第6図に示す。試料No、 2のC0Fe2O4につ
いてのX線回折結果を第7図に示す。第6図及び第7図
を比較しても分かるように、結晶性に関しては試料によ
り、まちまちの結果を得た。
The X-ray diffraction results for CoFe2O4 of samples No. 1 are shown in FIG. The X-ray diffraction results for C0Fe2O4 of sample No. 2 are shown in FIG. As can be seen by comparing FIGS. 6 and 7, different results were obtained with respect to crystallinity depending on the sample.

試料No、lの試料について5QUIDで求めた磁化の
温度変化を第8図に示す。また試料NO12についての
結果を第9図に示す。同図中FCで示される曲線は磁場
中冷却時の磁化の変化を表わし、ZFCは無磁場中冷却
の場合の磁化の変化を示したものである。FCとZFC
の磁化の差が表われる温度がスピン凍結温度である。両
者とも300に以上の非常に高いスピン凍結温度を有す
ることが分かる。その他第1表に示したようにフェライ
ト組成の薄膜からなるスピングラス磁性体においてはい
ずれも高いスピン凍結温度を有し、特にCo含有フェラ
イト組成の場合にスピン凍結温度が高いことも分かる。
FIG. 8 shows temperature changes in magnetization determined by 5QUID for samples No. 1. Further, the results for sample No. 12 are shown in FIG. In the figure, the curve indicated by FC represents the change in magnetization during cooling in a magnetic field, and ZFC represents the change in magnetization during cooling in no magnetic field. FC and ZFC
The temperature at which the difference in magnetization appears is the spin freezing temperature. It can be seen that both have very high spin freezing temperatures of over 300°C. In addition, as shown in Table 1, all spin glass magnetic materials made of thin films with ferrite compositions have high spin freezing temperatures, and it can be seen that the spin freezing temperatures are particularly high in the case of Co-containing ferrite compositions.

また試料No、1の試料についての磁化率の温度変化を
示したのが第10図である。同図から77Kから327
にの範囲において、86に近傍のシャープなピークと、
260に近傍の非常にブロードなピークとが存在してい
ることがわかる。このような磁化率の温度特性において
2つ以上のピークを有するスピングラス磁性体の報告は
なく、本発明者らによる初めての知見である。
Further, FIG. 10 shows the temperature change in magnetic susceptibility for sample No. 1. From the same figure, 77K to 327
In the range of , a sharp peak near 86,
It can be seen that there is a very broad peak near 260. There has been no report of a spin glass magnetic material having two or more peaks in the temperature characteristics of magnetic susceptibility, and this is the first finding by the present inventors.

以下余白 第1表 実施例−2 記録層としてCoFe2O4アモルファス薄膜を使用し
、ガラス基板上にこのアモルファスC。
Below are the margins in Table 1. Example-2 A CoFe2O4 amorphous thin film was used as the recording layer, and this amorphous C was deposited on a glass substrate.

フェライト膜を形成し、更に反射膜としてAj7スバツ
タ膜を形成し、磁気記録媒体を構成した。
A ferrite film was formed, and an Aj7 sputter film was further formed as a reflective film to form a magnetic recording medium.

第2図に示したように出力5mWの半導体レーザによる
局所加熱処理で記録層の照射部分をスピン凍結温度以上
(T、)にした後、磁場を印加することなく冷却し、Z
FCFC領域成した。続いて同様のレーザ照射の後、1
00eの磁場を印加しながら冷却し、FC領域を作成し
た。
As shown in Fig. 2, the irradiated area of the recording layer is heated to a temperature above the spin freezing temperature (T, ) by local heating using a semiconductor laser with an output of 5 mW, and then cooled without applying a magnetic field to Z
The FCFC area was established. Subsequently, after similar laser irradiation, 1
The FC region was created by cooling while applying a magnetic field of 00e.

次に基板側からレーザ光を入射し、反射層において反射
された光を測定したところ、ZFCFC領域C領域とで
はファラデー回転角に顕著な差がみられ、磁気記録媒体
として十分使用できることが確認された。
Next, when laser light was incident on the substrate side and the light reflected on the reflective layer was measured, a significant difference in the Faraday rotation angle was observed between the ZFCFC region C region and the fact that it could be used satisfactorily as a magnetic recording medium. Ta.

実施例−3 第3図に示した記録媒体を用いた例を示す。Example-3 An example using the recording medium shown in FIG. 3 is shown.

記録層としては実施例−2と同様のアモルファスCoフ
ェライト薄膜を用い、バイアス層とじてSl (Coo
、 6 Cuo、 3 Feo、 l ) b、 s薄
膜(保磁力5000eの垂直磁化膜)を用いて磁気記録
媒体を構成した。
As the recording layer, an amorphous Co ferrite thin film similar to that in Example 2 was used, and as a bias layer, Sl (Coo
, 6 Cuo, 3 Feo, l) b, s A magnetic recording medium was constructed using a thin film (perpendicularly magnetized film with a coercive force of 5000 e).

第3図に示したように出力5mWの半導体レーザによる
局所加熱処理で記録層の照射部分をスピン凍結温度以上
(T、)にした後、磁場を印加することなく冷却し、Z
FCFC領域成した。続いて出力5IIIνの半導体レ
ーザによる局所加熱処理で記録層の照射部分をT7以上
にした後、1  koeの磁場を印加しながら冷却し、
FC領域を作成した。
As shown in Fig. 3, the irradiated area of the recording layer is heated to a temperature above the spin freezing temperature (T,) by local heating treatment using a semiconductor laser with an output of 5 mW, and then cooled without applying a magnetic field.
The FCFC area was established. Subsequently, the irradiated portion of the recording layer was heated to T7 or higher by local heat treatment using a semiconductor laser with an output of 5IIIν, and then cooled while applying a magnetic field of 1 koe.
Created FC area.

次に基板側からレーザ光を入射し、反射層において反射
された光を測定したところ、ZFCFC領域C領域とで
はファラデー回転角に顕著な差がみられ、磁気記録媒体
として十分使用できることが確認された。
Next, when laser light was incident on the substrate side and the light reflected on the reflective layer was measured, a significant difference in the Faraday rotation angle was observed between the ZFCFC region C region and the fact that it could be used satisfactorily as a magnetic recording medium. Ta.

またその記録情報は二ケ月後でも消滅することなく、良
好に保存されていた。
Moreover, the recorded information did not disappear even after two months and was well preserved.

実施例−3に用いることができるバイアス層としてはこ
れに限定されるものではないが、前記Ss系の薄膜は外
部磁界の大きさによって発生するバイアス磁場の値も変
化するため多値記録の場合に好適である。また511(
Coo、 b Cuo、 3 Feo、 l ) b、
 sの磁化曲線の外部磁界依存性を示したのが第1工図
である。第11図から分かるようにこのようなバイアス
層を用いれば、わずかな外部磁界の差で大きな残留磁界
の違いを得ることができるため((a)>(b)>(e
)の順に外部磁界大)、小さな変調磁界で記録層の磁化
状態を変えることができ、高速変調の際に有利である。
Although the bias layer that can be used in Example-3 is not limited to this, the Ss-based thin film is suitable for multilevel recording because the value of the bias magnetic field generated changes depending on the magnitude of the external magnetic field. suitable for Also 511 (
Coo, b Cuo, 3 Feo, l) b,
The first diagram shows the dependence of the magnetization curve of s on the external magnetic field. As can be seen from Figure 11, if such a bias layer is used, a large difference in residual magnetic field can be obtained with a small difference in external magnetic field ((a)>(b)>(e
), the magnetization state of the recording layer can be changed with a small modulation magnetic field, which is advantageous for high-speed modulation.

なおスピングラスの如く冷却時の磁場の有無で磁化の変
化するものであれば本発明記録媒体に使用することがで
きる。
Note that any material whose magnetization changes depending on the presence or absence of a magnetic field during cooling, such as spin glass, can be used in the recording medium of the present invention.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、非接触で記録・再
生ができ、容易にオーバーライドが可能であり、しかも
多値記録が可能な新規の磁気記録装置を得ることができ
る。またフェライト組成の薄膜がスピングラス磁性体で
あることは新規の発見であり、かつそのスピン凍結温度
か高く、特にCoを含有する系では極めて高く、スピン
グラス磁性体の現実応用が可能となり、本発明の工業的
価値は大なるものである。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to obtain a new magnetic recording device that is capable of non-contact recording and reproduction, easily overriding, and capable of multilevel recording. . In addition, it is a new discovery that a thin film with a ferrite composition is a spin glass magnetic material, and its spin freezing temperature is high, especially extremely high in a system containing Co. This makes it possible to actually apply spin glass magnetic materials. The industrial value of the invention is great.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第5図、第8図及び第9図はスピングラス磁性
体の磁化の温度特性を示す特性図、第2図、第3図及び
第4図は本発明を説明するための磁気記録装置の概略図
、第6図及び第7図はX線回折図、第10図は磁化率の
温度特性図、第11図はバイアス層の特性図である。
Figures 1, 5, 8 and 9 are characteristic diagrams showing the temperature characteristics of magnetization of spin glass magnetic materials, and Figures 2, 3 and 4 are magnetic diagrams for explaining the present invention. 6 and 7 are X-ray diffraction diagrams, FIG. 10 is a temperature characteristic diagram of magnetic susceptibility, and FIG. 11 is a characteristic diagram of a bias layer.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基体上に磁気記録層としてスピングラス磁性体層
を具備したことを特徴とする磁気記録媒体。
(1) A magnetic recording medium comprising a spin glass magnetic layer as a magnetic recording layer on a substrate.
(2)請求項1記載の磁気記録媒体において、スピング
ラス磁性体層にバイアス磁界を印加するバイアス層を具
備したことを特徴とする磁気記録媒体。
(2) The magnetic recording medium according to claim 1, further comprising a bias layer for applying a bias magnetic field to the spin glass magnetic layer.
(3)請求項1または2記載のスピングラス磁性体はC
oフェライト組成の薄膜からなることを特徴とする磁気
記録媒体。
(3) The spin glass magnetic material according to claim 1 or 2 is C.
o A magnetic recording medium comprising a thin film having a ferrite composition.
(4)請求項1乃至3記載の磁気記録媒体を用い、前記
スピングラス磁性体をスピン凍結温度以上に加熱する加
熱手段と、冷却する際に前記スピングラス磁性体に印加
する磁場を少なくとも2値以上変化せしめる磁界発生手
段とを具備したことを特徴とする磁気記録装置。
(4) Using the magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, a heating means for heating the spin glass magnetic body to a temperature equal to or higher than the spin freezing temperature, and a magnetic field applied to the spin glass magnetic body when cooling the spin glass magnetic body have at least two values. A magnetic recording device characterized by comprising: magnetic field generating means for causing the above change.
(5)フェライト組成の薄膜からなることを特徴とする
スピングラス磁性体。
(5) A spin glass magnetic material characterized by being made of a thin film having a ferrite composition.
(6)アモルファスまたは微結晶のフェライト組成を有
するスピングラス磁性体。
(6) Spin glass magnetic material having an amorphous or microcrystalline ferrite composition.
(7)磁化の温度特性曲線上に複数の極大点を有するこ
とを特徴とするスピングラス磁性体。
(7) A spin glass magnetic material characterized by having a plurality of maximum points on a temperature characteristic curve of magnetization.
(8)Coを含有するフェライト組成であることを特徴
とする請求項5乃至7記載のスピングラス磁性体。
(8) The spin glass magnetic material according to any one of claims 5 to 7, characterized in that it has a ferrite composition containing Co.
JP7213390A 1989-03-24 1990-03-23 Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material Pending JPH03273540A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7213390A JPH03273540A (en) 1989-03-24 1990-03-23 Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-72302 1989-03-24
JP7230289 1989-03-24
JP1-211422 1989-08-18
JP2-31429 1990-02-14
JP7213390A JPH03273540A (en) 1989-03-24 1990-03-23 Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03273540A true JPH03273540A (en) 1991-12-04

Family

ID=26413259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7213390A Pending JPH03273540A (en) 1989-03-24 1990-03-23 Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03273540A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2207177A3 (en) * 2009-01-09 2016-05-04 Forschungszentrum Jülich GmbH Method for storing digital information and storage element
JP2017539080A (en) * 2014-10-23 2017-12-28 コーニング インコーポレイテッド Polymer encapsulated magnetic nanoparticles
JP2018026481A (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Tdk株式会社 Magnetoresistance effect element, thermal history sensor, and spin glass utilization type magnetic memory

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2207177A3 (en) * 2009-01-09 2016-05-04 Forschungszentrum Jülich GmbH Method for storing digital information and storage element
JP2017539080A (en) * 2014-10-23 2017-12-28 コーニング インコーポレイテッド Polymer encapsulated magnetic nanoparticles
JP2018026481A (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Tdk株式会社 Magnetoresistance effect element, thermal history sensor, and spin glass utilization type magnetic memory

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6893746B1 (en) Magnetic recording medium with high thermal stability, method for producing the same, and magnetic recording apparatus
US5747136A (en) High-density magneto-optic disk and method of manufacturing the same
JPS5873746A (en) Photomagnetic recording medium
KR0144441B1 (en) Barium ferrite thin film for longitudinal recording
JP2896193B2 (en) Method for manufacturing oxide crystal orientation film, oxide crystal orientation film, and magneto-optical recording medium
JPS59178641A (en) Photomagnetic recording medium
JPS5810727B2 (en) light modulator
JPH03273540A (en) Magnetic recording medium and magnetic recording device and spin glass magnetic material
EP0389297B1 (en) A spin glass magnetic body, a magnetic recording medium and a magnetic recording apparatus
JPS60187954A (en) Magnetic recording medium consisting of thin magnetic film
JPS60171652A (en) Photomagnetic recording medium for compensation point writing
JPS60173746A (en) Photoelectromagnetic recording medium
JPH0316049A (en) Magneto-optical recording medium
JPS59157834A (en) Magnetic recording medium
JP2824998B2 (en) Magnetic film
JPH04111302A (en) Artificial lattice film
JPS6184004A (en) Photo-magnetic recording medium
JPH01179239A (en) Production of magneto-optical recording medium
JPS60173745A (en) Photoelectromagnetic recording medium
JPH03178105A (en) Thin garnet film for magneto-optical recording medium
JPS63266626A (en) Magnetic recording medium
JPS60101702A (en) Recording method of photomagnetic recording medium
JP2829321B2 (en) Magneto-optical recording medium
JPH01292648A (en) Magneto-optical recording medium capable of being overwritten
JPS63148447A (en) Thermomagneto-optical recording medium