JP2829321B2 - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JP2829321B2
JP2829321B2 JP9335296A JP9335296A JP2829321B2 JP 2829321 B2 JP2829321 B2 JP 2829321B2 JP 9335296 A JP9335296 A JP 9335296A JP 9335296 A JP9335296 A JP 9335296A JP 2829321 B2 JP2829321 B2 JP 2829321B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光を入射して記録・
再生する光磁気記録媒体に関し、詳しくは、良好な垂直
磁気異方性を有し、かつ、大きなファラデー回転角が得
られて光磁気記録に好適な特定の金属窒化物磁性体薄膜
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to recording and
More specifically, the present invention relates to a specific metal nitride magnetic thin film which has good perpendicular magnetic anisotropy and has a large Faraday rotation angle and is suitable for magneto-optical recording. .

【0002】[0002]

【従来の技術】磁性体薄膜を適当な基板(非磁性支持体)
上に形成したものは記録媒体(磁気記録媒体、光磁気記
録媒体)として利用されている。殊に、光磁気記録方式
に採用されている記録媒体(以降「光磁気記録媒体」とい
う)には、記録感度が高いこと、磁気光学効果(ファラデ
ー効果、カー効果)が大きいこと、大面積のものが均質
かつ安価に製作できること、安定性にすぐれていること
等が要求される。これに加えて、磁気光学効果の大きさ
は磁化の向きと光の進行方向とが平行なとき最も大きく
なり、また、面に垂直な磁化という条件は垂直磁気記録
の要件も満たしているため高密度記録にも適する。従っ
て、媒体の面に垂直に磁化をもつ材料が選択されねばな
らない。
2. Description of the Related Art A magnetic thin film is applied to a suitable substrate (non-magnetic support).
The one formed above is used as a recording medium (magnetic recording medium, magneto-optical recording medium). In particular, the recording medium employed in the magneto-optical recording method (hereinafter referred to as the "magneto-optical recording medium") has a high recording sensitivity, a large magneto-optical effect (Faraday effect, Kerr effect), and a large area. It is required that the product can be manufactured homogeneously and inexpensively, and that it has excellent stability. In addition, the magnitude of the magneto-optical effect is greatest when the direction of magnetization is parallel to the direction in which light travels, and the condition of magnetization perpendicular to the plane also satisfies the requirements for perpendicular magnetic recording. Also suitable for density recording. Therefore, a material having magnetization perpendicular to the plane of the medium must be selected.

【0003】こうした要請から、光磁気記録媒体の磁性
材料として(1)垂直磁気記録媒体で採用されている磁性
材料(代表的には六方晶最密充填(hcp)構造のマグ
ネトプラムバイト型Baフェライト)を使用したり、
(2)MnBi,MnCuBi,MnGaGe,MnA
lGe,PtCo(以上多結晶)、(YBi)3(Fe
Ga)512(単結晶)、GdCo,GdFe,TbF
e,GdTbFe,TbDyFe(以上アモルファス)
などが使用されたりしている。
[0003] From such demands, as a magnetic material of a magneto-optical recording medium, (1) a magnetic material employed in a perpendicular magnetic recording medium (typically, a magnetoplumbite-type Ba ferrite having a hexagonal close-packed (hcp) structure); )
(2) MnBi, MnCuBi, MnGaGe, MnA
lGe, PtCo (polycrystalline above), (YBi) 3 (Fe
Ga) 5 O 12 (single crystal), GdCo, GdFe, TbF
e, GdTbFe, TbDyFe (above amorphous)
Are used.

【0004】だが、前記(1)のBaフェライト磁性材
料の製膜は低基板温度で行ないにくく、また、半導体レ
ーザーの波長域(例えば780nm、830nmなど)
では大きな磁気光学効果を得ることができないといった
欠点がある。もっとも、例えば三価の鉄イオンを二価の
Coと四価のTiで置換してファラデー効果を大きくす
る試みもなされているが、この場合には製膜温度が更に
高温となり、基板材料の選択が大幅に制限を受けるよう
になる。こうした傾向は他の酸化物磁性体薄膜例えばガ
ーネット薄膜などについても同様にいえることである。
However, it is difficult to form the Ba ferrite magnetic material (1) at a low substrate temperature, and the wavelength range of a semiconductor laser (for example, 780 nm or 830 nm).
However, there is a disadvantage that a large magneto-optical effect cannot be obtained. However, attempts have been made to increase the Faraday effect by replacing, for example, trivalent iron ions with divalent Co and tetravalent Ti, but in this case, the film forming temperature is further increased, and the selection of the substrate material is increased. Will be greatly restricted. This tendency can be similarly applied to other oxide magnetic thin films such as garnet thin films.

【0005】一方、前記(2)のうちの多結晶材料を用
いた光磁気記録媒体は粒界による光散乱のノイズが問題
になり高いS/N比が得られない。この多結晶材料に比
べて、前記(2)のうちのアモルファス材料を用いた光
磁気記録媒体はそうした不都合が生じないため光磁気記
録媒体の主流をなしているが、これらは酸化しやすく安
定性に不安があるといった欠点を有している。
On the other hand, in the magneto-optical recording medium using the polycrystalline material of the above (2), noise of light scattering due to grain boundaries becomes a problem, and a high S / N ratio cannot be obtained. Compared to the polycrystalline material, the magneto-optical recording medium using the amorphous material of the above (2) does not cause such inconveniences, and thus forms the mainstream of the magneto-optical recording medium. Has the disadvantage of being uneasy.

【0006】これまでいろいろ述べた不都合な現象特に
酸化することなく安定性にすぐれた磁性材料の開発が進
められてきた結果、近時は、窒化鉄が注目されている。
この窒化鉄は錆びることがなく、強磁性体であり、しか
も基板に対して垂直方向に磁気異方性を有するため録音
テープ、ビデオテープ、コンピュータ用の大容量記憶装
置などの高密度磁気記録媒体に応用することが提案され
ている(特開昭55−33093号、同59−2287
05号、同60−76021号、同61−110328
号、同62−103821号などの公報)。
[0006] As a result of the progress of the development of magnetic materials having excellent stability without oxidization, the iron nitride has recently attracted attention.
This iron nitride does not rust, is a ferromagnetic material, and has magnetic anisotropy in the direction perpendicular to the substrate. Therefore, high-density magnetic recording media such as recording tapes, video tapes, and large-capacity storage devices for computers. (JP-A-55-33093 and JP-A-59-2287).
No. 05, No. 60-76021, No. 61-110328
And JP-A-62-103821.

【0007】しかし、これまで提案されてきた窒化物磁
性材料は、主として、その垂直磁気異方性に注目した垂
直磁気記録媒体に対してであって、光磁気記録媒体への
応用は見送られているのが実情である。
However, the nitride magnetic materials proposed so far are mainly for perpendicular magnetic recording media focusing on perpendicular magnetic anisotropy, and their application to magneto-optical recording media has been postponed. That is the fact.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高密
度記録及び再生が行なえる光磁気記録媒体を提供するも
のである。本発明の他の目的は、特にファラデー効果に
よる再生能率を向上せしめた光磁気記録媒体を提供する
ものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium capable of performing high-density recording and reproduction. Another object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium having improved reproduction efficiency particularly by the Faraday effect.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、非磁性支持体上に、Co、Fe及び
Niより選ばれる少なくとも一種の金属の窒化物を主成
分とし、さらに該金属の酸化物を含有した垂直磁気異方
性を有する磁性体薄層が形成されていることを特徴とす
る光磁気記録媒体が提供される。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, at least one kind of a nitride of a metal selected from Co, Fe and Ni is provided on a non-magnetic support. A magneto-optical recording medium is provided, wherein a thin magnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy containing the metal oxide is formed.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下本発明の光磁気記録媒体につ
いて詳述する。本発明の光磁気記録媒体は、非磁性支持
体上に、Co、Fe及びNiより選ばれる少なくとも一
種の金属の窒化物を主成分とし、さらに該金属の酸化物
を含有した垂直磁気異方性を有する磁性体薄層が形成さ
れていることを特徴とする。この光磁気記録媒体におい
ては、金属酸化物の磁性体薄膜中に占める量は約20重
量%以下であるのが好ましい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The magneto-optical recording medium of the present invention will be described below in detail. The magneto-optical recording medium of the present invention has a perpendicular magnetic anisotropy comprising, as a main component, a nitride of at least one metal selected from Co, Fe and Ni on a non-magnetic support, and further containing an oxide of the metal. Characterized in that a magnetic thin layer having the following characteristics is formed. In this magneto-optical recording medium, the amount of metal oxide in the magnetic thin film is preferably about 20% by weight or less.

【0011】また、この光磁気記録媒体においては、前
記磁性体薄膜と前記非磁性支持体との間に、反射層を設
けてもよいし、この反射層に代えて、アモルファス希土
類・遷移元素合金薄膜を形成することもできる。
In the magneto-optical recording medium, a reflective layer may be provided between the magnetic thin film and the non-magnetic support, or an amorphous rare earth / transition element alloy may be used instead of the reflective layer. A thin film can also be formed.

【0012】また、この光磁気記録媒体においては、前
記磁性体薄膜がFe,Co及びNiのいずれかの金属の
弗化物を含有しているものも好ましい(この場合、金属
弗化物の磁性体薄膜中に占める量は約40重量%以下で
あるのが好ましい)。
In this magneto-optical recording medium, it is also preferable that the magnetic thin film contains a fluoride of a metal selected from the group consisting of Fe, Co and Ni (in this case, the magnetic thin film of metal fluoride is preferred). Preferably, the amount thereof is about 40% by weight or less.

【0013】また、この光磁気記録媒体においては、前
記磁性体薄膜がFe,Co及びNiのいずれかの金属の
アモルファスを含有しているものも好ましい(この場
合、前記金属のアモルファスの磁性体薄膜中に占める量
は約40重量%以下であるのが好ましい)。
In this magneto-optical recording medium, it is preferable that the magnetic thin film contains an amorphous metal of any one of Fe, Co and Ni (in this case, the amorphous magnetic thin film of the metal is preferable). Preferably, the amount thereof is about 40% by weight or less.

【0014】更にまた、この光磁気記録媒体において
は、前記磁性体薄膜が下記の割合 50atomic%≦Fe,Co及び/又はNi≦80
atomic% 10atomic%≦N≦40atomic% 2atomic%≦C≦45atomic% 2atomic%≦O≦25atomic% で炭素及び酸素を含有したものも好ましい。
Further, in this magneto-optical recording medium, the magnetic thin film may have the following ratio: 50 atomic% ≦ Fe, Co and / or Ni ≦ 80.
Atomic% 10 atomic% ≦ N ≦ 40 atomic% 2 atomic% ≦ C ≦ 45 atomic% 2 atomic% ≦ O ≦ 25 atomic% and containing carbon and oxygen are also preferable.

【0015】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は非磁
性支持体上に直接、又は反射層若しくはアモルファス希
土類・遷移元素合金薄膜を介してFe,Co及びNiよ
り選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを磁
界中で反応・堆積させて金属窒化物〔MxN(x=2〜
3)〕を主成分とする磁性体薄膜を形成せしめることを
特徴としている。
The method for producing a magneto-optical recording medium according to the present invention is characterized in that at least one type of metal atom selected from Fe, Co and Ni is provided directly on a nonmagnetic support or via a reflective layer or an amorphous rare earth / transition element alloy thin film. And nitrogen atoms are reacted and deposited in a magnetic field to form a metal nitride [M x N (x = 2 to
3)] is characterized by forming a magnetic thin film having as a main component.

【0016】この光磁気記録媒体の製造方法において
は、窒素原子とともに弗素原子を磁界中で反応せしめて
金属弗化物を前記磁性体薄膜に含有させることもでき
る。
In this method of manufacturing a magneto-optical recording medium, a metal fluoride can be contained in the magnetic thin film by reacting a fluorine atom together with a nitrogen atom in a magnetic field.

【0017】また、この光磁気記録媒体の製造方法にお
いては、Fe,Co及びNiより選ばれる少なくとも1
種の金属原子、これらの合金、これらの窒化物及び/又
は弗化物をターゲットとし、このターゲットにプラズマ
化された窒素を衝突させることも好ましい。
In the method for manufacturing a magneto-optical recording medium, at least one selected from Fe, Co and Ni is used.
It is also preferable that a target is a kind of metal atom, an alloy thereof, a nitride and / or a fluoride thereof, and the target is bombarded with nitrogen which is made into plasma.

【0018】また、この光磁気記録媒体の製造方法にお
いては、前記プラズマ化された窒素とともにプラズマ化
されたアルゴンが用いられることも好ましい。
In the method of manufacturing a magneto-optical recording medium, it is also preferable that plasma-converted argon is used together with the plasma-converted nitrogen.

【0019】また、この光磁気記録媒体の製造方法にお
いては、前記金属原子(Fe,Ni,Co)、窒素原子
とともに炭素原子及び酸素原子を磁界中で反応せしめて
炭素及び酸素を前記磁性体薄膜に含有させるようにする
ことも好ましい。
In the method for manufacturing a magneto-optical recording medium, carbon and oxygen atoms are reacted in a magnetic field together with the metal atoms (Fe, Ni, Co) and nitrogen atoms to thereby remove carbon and oxygen from the magnetic thin film. It is also preferable to make it contained.

【0020】また、この光磁気記録媒体の製造方法にお
いてはFe,Co及びNiより選ばれる少なくとも1種
の金属、これらの合金、これらの窒化物及び/又は弗化
物をターゲットとし、このターゲットにプラズマ化され
た窒素、炭素及び酸素を衝突させて前記磁性体薄膜に炭
素及び酸素を含有させるようにすることも好ましい(こ
の場合、前記プラズマ化された窒素、炭素及び酸素とと
もにプラズマ化されたアルゴンを用いるのが好まし
い)。
In the method of manufacturing a magneto-optical recording medium, at least one metal selected from Fe, Co and Ni, an alloy thereof, a nitride and / or a fluoride thereof is used as a target, and plasma is applied to the target. It is also preferable to make the magnetic thin film contain carbon and oxygen by colliding nitrogen, carbon, and oxygen (in this case, the plasma-formed nitrogen, carbon, and oxygen are combined with argon to form a plasma). It is preferable to use).

【0021】更にまた、この光磁気記録媒体の製造方法
においては、前記磁界が非磁性支持体の裏面側に配設さ
せた磁石により前記支持体の面に垂直にむいた磁束を主
体としているようにしたことも好ましい。
Furthermore, in this method of manufacturing a magneto-optical recording medium, the magnetic field is mainly composed of a magnetic flux which is directed perpendicular to the surface of the non-magnetic support by a magnet disposed on the back side of the non-magnetic support. It is also preferable to use

【0022】ちなみに、本発明は窒化鉄磁性材料につい
ていろいろな角度から研究検討を行った結果、各種製膜
法特にイオンビームスパッタ法を用いFeの窒化物を製
膜することによって、大きな垂直磁気異方性磁界(HA
≧4KOe)をもち、かつ、0.3deg/μm以上の
ファデラー回転角(θFR)を有するC軸配向性にすぐれ
た磁性体薄膜が製膜しうることを確めた。特にC軸配向
性を向上させることによって、透光性及びファラデー回
転角が向上し、光磁気記録媒体に好適となることを見出
した。また、こうした磁性体薄膜は他の鉄族元素(C
o,Ni)にも認められること、及びFe,Ni,Co
の二種以上を含む窒化物にも認められることを確めた。
本発明はこれらに基づいてなされたものである。
Incidentally, the present invention has been studied and studied from various angles with respect to the iron nitride magnetic material. As a result, by forming Fe nitride using various film forming methods, particularly ion beam sputtering, it is possible to obtain a large perpendicular magnetic difference. Isotropic magnetic field ( HA
≧ 4 KOe) and a magnetic thin film having excellent C-axis orientation and a Fadeler rotation angle (θ FR ) of 0.3 deg / μm or more could be formed. In particular, it has been found that by improving the C-axis orientation, the translucency and the Faraday rotation angle are improved, which is suitable for a magneto-optical recording medium. Further, such a magnetic thin film is made of another iron group element (C
o, Ni) and Fe, Ni, Co
It was confirmed that it was also observed in nitrides containing two or more of the following.
The present invention has been made based on these.

【0023】以下に本発明を添付の図面に従がいながら
さらに詳細に説明する。図1及び図2は本発明に係る光
磁気記録媒体の代表的な二例を表わしており、ここで1
1は非磁性支持体、12は磁性体薄膜、13は反射層で
ある。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 show two typical examples of a magneto-optical recording medium according to the present invention.
1 is a non-magnetic support, 12 is a magnetic thin film, and 13 is a reflective layer.

【0024】図1に示したタイプの光磁気記録媒体は、
非磁性支持体11側から記録・再生レーザー光が照射さ
れるものであり、従って、ここでの非磁性支持体11は
光に透明でなければならない。一方、図2に示したタイ
プの光磁気記録媒体は、磁性体薄膜12側から記録・再
生レーザー光が照射されるものであり、従って、ここで
の非磁性支持体11は光に透明であっても不透明であっ
てもかまわない。
A magneto-optical recording medium of the type shown in FIG.
The recording / reproducing laser beam is irradiated from the nonmagnetic support 11 side, and therefore, the nonmagnetic support 11 here must be transparent to light. On the other hand, in the magneto-optical recording medium of the type shown in FIG. 2, the recording / reproducing laser beam is irradiated from the side of the magnetic thin film 12, so that the non-magnetic support 11 here is transparent to light. Or opaque.

【0025】なお、これら光磁気記録媒体においては、
必要に応じて、表面層を形成する反射層13上(第1図
の場合)又は磁性体薄膜12上(図2の場合)に保護層
や潤滑層が設けられたり、また、図1の例では非磁性支
持体11と磁性体薄膜12との間或いは図2の例では磁
性体薄膜12と反射層13との間に磁気光学効果を強め
るための誘電体層などが設けられたりしてもよい。
In these magneto-optical recording media,
If necessary, a protective layer or a lubricating layer may be provided on the reflective layer 13 forming the surface layer (in the case of FIG. 1) or on the magnetic thin film 12 (in the case of FIG. 2). Even if a dielectric layer for enhancing the magneto-optical effect is provided between the non-magnetic support 11 and the magnetic thin film 12 or between the magnetic thin film 12 and the reflective layer 13 in the example of FIG. Good.

【0026】非磁性支持体11としてはプラスチックフ
ィルム、セラミック、金属、ガラスなど適宜の非磁性材
料が用いられる。支持体11用プラスチックとしてはポ
リイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルホン等の耐熱
性プラスチックは勿論のこと、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレートのごときプラスチッ
クも使用できる。また、支持体11の形状としては、シ
ート状、カード状、ディスク状、ドラム状、長尺テープ
状等の任意の形状をとることができる。
As the nonmagnetic support 11, an appropriate nonmagnetic material such as a plastic film, ceramic, metal, or glass is used. As the plastic for the support 11, not only heat-resistant plastics such as polyimide, polyamide and polyethersulfone but also plastics such as polyethylene terephthalate, polyvinyl chloride, cellulose triacetate, polycarbonate and polymethyl methacrylate can be used. The support 11 may have any shape such as a sheet, a card, a disk, a drum, and a long tape.

【0027】磁性体薄膜12は一般式 MxN (但し、MはFe,Co及びNiから選ばれる金属の少
なくとも1種であり、x=2〜3である。)で表わさ
れ、かつ先に記載したような特定性状を有した窒化物磁
性体を主成分とする。これら窒化物磁性体は、xの値に
よって大よそ決ったキュリー点をもつようになる。ま
た、xの値によって、例えばFxNであればbcc,f
cc,hcp,orthなどの結晶構造をとるようにな
る。そして、これら結晶構造のちがいによって磁気特性
等の物性も相違してくる。前記結晶構造のうち記録媒体
(磁気記録媒体、光磁気記録媒体)として有用なのはf
cc構造及びhcp構造(ε相)のもの−特にhcp構
造(ε相)のものが望ましい―であり、従って、本発明
におけるMxN磁性体薄膜はε−MxNで垂直磁性膜がC
軸方向に配向した多結晶薄膜となっている。
The magnetic thin film 12 is represented by the general formula M x N (where M is at least one kind of metal selected from Fe, Co and Ni, and x = 2 to 3). The main component is a nitride magnetic material having specific properties as described in (1). These nitride magnetic materials have a Curie point roughly determined by the value of x. Also, depending on the value of x, for example, if F x N, bcc, f
It has a crystal structure such as cc, hcp, orth. The physical properties such as the magnetic properties also differ depending on these crystal structures. Among the crystal structures, f is useful as a recording medium (magnetic recording medium, magneto-optical recording medium).
Those having a cc structure and a hcp structure (ε phase) —especially those having an hcp structure (ε phase) are desirable—therefore, the M x N magnetic thin film of the present invention is ε-M x N and the vertical magnetic film is C
It is a polycrystalline thin film oriented in the axial direction.

【0028】先に触れたように、従来においては、Mx
N磁性体薄膜が多結晶で形成されていると、アモルファ
ス磁性体薄膜とちがって、粒界が存在し、そのため光透
過の際にノイズを発生させ又光透過率が低く(10〜2
0%)ファラデー回転角(θFR)が大きくとれないもの
と考えられていた。しかし、本発明磁性体薄膜によれ
ば、そうした危惧は問題とならず、実用面で関心がもた
れている光熱書込みに対する繰り返し安定性及びθFR
を良好ならしめることが可能となる。
As mentioned above, conventionally, M x
When the N magnetic thin film is formed of polycrystal, unlike the amorphous magnetic thin film, there is a grain boundary, which causes noise at the time of light transmission and low light transmittance (10 to 2).
0%) It was considered that the Faraday rotation angle (θ FR ) could not be large. However, according to the magnetic thin film of the present invention, such a concern does not become a problem, and it becomes possible to improve the repetition stability and the θ FR value for photothermal writing, which is of practical interest.

【0029】本発明者の観察したところによれば、多結
晶といっても粒子径は数10Å(FexNで約50Å)
程度であって、光の波長に対しては小さく殆ど影響がな
くθFR値が大きくとれ(FexNで約0.7deg/μ
m)、従って、S/N比を大きくとれることが見出され
た。
According to observations made by the present inventors, the particle diameter of a polycrystal is several tens of degrees (about 50 degrees in Fe x N).
Is small, has little effect on the wavelength of light, and has a large θ FR value (about 0.7 deg / μ in Fe x N).
m) Therefore, it was found that the S / N ratio can be increased.

【0030】更に、本発明者は、N(窒素)をFe
(鉄)中に多く入れると、レーザー光透過率は向上し4
0%(λ=800nmのとき)にも達することも確めて
いる。光熱記録(キュリー点記録)である場合にはある
程度磁性体薄膜は光を吸収し加熱に使用されなければな
らない。
Further, the present inventor has proposed that N (nitrogen) be replaced by Fe
If a large amount is contained in (iron), the laser light transmittance is improved and 4
It has been confirmed that it reaches as high as 0% (when λ = 800 nm). In the case of photothermal recording (Curie point recording), the magnetic thin film must absorb light to some extent and be used for heating.

【0031】窒化鉄中のN成分は多い方が光透過率の向
上をもたらすが、磁性体薄膜は記録時キュリー温度(T
c)近くまで加熱されねばならないため、この点におい
ては、Tc値は低い方(但し、Tc値が50℃より低い
と記録維持に支障をきたすようになるので50℃くらい
が限度である)が感度はよい。FexNのxの値を2に
近いところまでもっていくと―換言すればFeの中にN
を多く入れるようにすると―キュリー点(Tc)は下が
ってくる。実用上、Tcは100〜200℃の範囲が望
ましいが、Fe3Nの場合Tc≒290℃であり、これ
がxの値の上限である。なお、窒化物磁性体薄膜の場合
は加熱による抗磁力の低下を利用して書込むことも可能
である。
The higher the N content in the iron nitride, the higher the light transmittance, but the magnetic thin film has a Curie temperature (T
c) Since heating must be performed close to this point, the Tc value is lower at this point (however, if the Tc value is lower than 50 ° C., it will hinder recording maintenance, so the limit is about 50 ° C.). The sensitivity is good. The value of x in Fe x N should be brought close to 2-in other words, N
The Curie point (Tc) decreases as you add more. For practical use, Tc is desirably in the range of 100 to 200 ° C., but in the case of Fe 3 N, Tc ℃ 290 ° C., which is the upper limit of the value of x. In the case of a nitride magnetic thin film, writing can be performed by utilizing a decrease in coercive force due to heating.

【0032】窒化鉄で製膜された従来のものは垂直磁化
膜といわれながらも、垂直磁気異方性は必ずしも良好で
はない。垂直磁気異方性の充分でない磁性体薄膜はビッ
ト径が1μm以下の高密度記録に適さず、垂直磁気異方
性磁界(HA)は1KOeと小さく、これではθFR値を
大きくすることができない。
Although the conventional film made of iron nitride is called a perpendicular magnetization film, the perpendicular magnetic anisotropy is not always good. The magnetic thin film is not sufficient for perpendicular magnetic anisotropy not suitable bit diameter below the high density recording 1 [mu] m, perpendicular magnetic anisotropy field (H A) is as small as 1 KOe, it now is to increase the theta FR value Can not.

【0033】結局、本発明の磁性体薄膜は磁性材料と
して窒化鉄FexN(xが2〜3)が用いられ、ファ
ラデー回転角は0.3deg/μm以上であり、hc
p構造を有しており、C軸配向(C軸方向に結晶が堆
積している)しており、かつ、垂直磁気異方性磁界
(HA)は4KOe以上、好ましくは5KOe以上(一
般には6〜7KOe程度)となっているものである。
After all, the magnetic thin film of the present invention uses iron nitride Fe x N (x is 2-3) as a magnetic material, the Faraday rotation angle is 0.3 deg / μm or more, and hc
It has a p-structure, is C-axis oriented (crystals are deposited in the C-axis direction), and has a perpendicular magnetic anisotropic magnetic field ( HA ) of 4 KOe or more, preferably 5 KOe or more (generally, (About 6 to 7 KOe).

【0034】垂直磁気異方性磁界(HA)及びファラデ
ー回転角(θFR)について、このような大きな値が得ら
れるのは、FexN磁性体薄膜中にFe4Nやα−Feな
どが含まれていないこと及び六方晶のε相FexN(2
<x≦3)がC軸配向しているためである。本発明者は
C軸配向度に従って光透過率が向上すること及びθFR
H曲線に於いて角型比が向上することを確認している。
X線回折法においてC面のロッキング曲線から求めた半
値巾(Δθ50)を用いてC軸配向の程度は評価できる。
本発明によれば、(002)から求めたΔθ50は1度以
下であり、1度以上では垂直異方性磁界が5KOe以下
となり、また、光透過率やファラデー回転角が不十分で
あることも確認している。そして先に触れたように、か
かる磁性体薄膜の形成にはイオンビームスパッタ法が特
に適している。
Such large values for the perpendicular magnetic anisotropy magnetic field (H A ) and Faraday rotation angle (θ FR ) are obtained because the Fe x N magnetic thin film contains Fe 4 N, α-Fe, etc. And the hexagonal ε-phase Fe x N (2
This is because <x ≦ 3) is C-axis oriented. The present inventor has found that the light transmittance is improved according to the degree of C-axis orientation and that θ FR
It has been confirmed that the squareness ratio is improved in the H curve.
The degree of C-axis orientation can be evaluated using the half width (Δθ 50 ) obtained from the rocking curve of the C plane in the X-ray diffraction method.
According to the present invention, Δθ 50 obtained from (002) is 1 degree or less, and when it is 1 degree or more, the perpendicular anisotropic magnetic field becomes 5 KOe or less, and the light transmittance and the Faraday rotation angle are insufficient. Have also confirmed. As mentioned above, the ion beam sputtering method is particularly suitable for forming such a magnetic thin film.

【0035】なお、特開昭61−20078号公報に
は、ε相窒化鉄FexN(x=2〜3)からなる磁性材
料が記載されているが、このFexNは磁性粉末であ
り、これの磁性体層を支持体上に形成させるにはバイン
ダー等を用い塗工する必要がある。従って、磁性体層の
感度は低いものになり勝ちで半導体レーザー等の光熱で
は記録不十分であり、用途は例えばテープのダビング等
で実施されているマスターテープ(Hi−Hc)とコピ
ーテープ(Low−Hc)とを重ねて熱転写する場合な
どに限定されるものと思われる。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-20078 describes a magnetic material composed of ε-phase iron nitride Fe x N (x = 2 to 3). This Fe x N is a magnetic powder. In order to form the magnetic layer on the support, it is necessary to apply a binder or the like. Therefore, the sensitivity of the magnetic layer tends to be low, and recording is insufficient with the light heat of a semiconductor laser or the like. -Hc) is considered to be limited to the case where thermal transfer is performed by overlapping with -Hc).

【0036】特開昭60−25204号公報には、アモ
ルファス窒化鉄Fe1-xx(X≧0.4)を主成分とし
た磁性層を有する磁気記録媒体が記載されているが、a
−窒化鉄(アモルファス窒化鉄)であるうえx≧0.4
とN成分が多くて―本発明の範囲外である―本発明(多
結晶薄膜)の意図することが達成しえない。
JP-A-60-25204 describes a magnetic recording medium having a magnetic layer mainly composed of amorphous iron nitride Fe 1-x N x (X ≧ 0.4).
-Iron nitride (amorphous iron nitride) and x ≧ 0.4
And many N components—outside the scope of the present invention—cannot achieve what is intended by the present invention (polycrystalline thin film).

【0037】また、特開昭62−232101号公報に
は、窒化鉄磁性材料の製造法が記載され、C軸配向や垂
直磁気異方性についても述べられている。だが、ここで
の窒化鉄は、その図3に示されているように、垂直磁気
異方性磁界が約1KOeと低いものである。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-232101 describes a method for producing an iron nitride magnetic material, and also describes C-axis orientation and perpendicular magnetic anisotropy. However, the iron nitride here has a perpendicular magnetic anisotropy magnetic field as low as about 1 KOe as shown in FIG.

【0038】本発明に係る磁性体薄膜を形成する窒化鉄
は、垂直磁気異方性磁界が約4KOe以上、好ましくは
約5KOe以上(通常6〜7KOe程度又はそれ以上)
となるものである。
The iron nitride forming the magnetic thin film according to the present invention has a perpendicular magnetic anisotropic magnetic field of about 4 KOe or more, preferably about 5 KOe or more (usually about 6 to 7 KOe or more).
It is what becomes.

【0039】本発明の磁性体薄膜は窒化鉄により製膜さ
れたものに限らず、前記式(MxN)において、MがC
o,NiあるいはFe,Co及びNiから選ばれる少な
くとも二種の組合せであってもかまわない。但し、これ
らにおいても、先に触れたx=2〜3、θFRが0.3d
eg/μm以上、hcp構造、C軸配向、及び垂直磁気
異方性磁界(HA)が4KOe以上、好ましくは5KO
e以上の条件を充していなければならないことは勿論で
ある。
The magnetic thin film of the present invention is not limited to a thin film made of iron nitride. In the above formula (M × N), M is C
o, Ni or a combination of at least two kinds selected from Fe, Co and Ni may be used. However, also in these, x = 2 to 3 mentioned above, θ FR is 0.3d
eg / μm or more, hcp structure, C-axis orientation, and perpendicular magnetic anisotropy magnetic field ( HA ) are 4 KOe or more, preferably 5 KOe or more.
Needless to say, the condition above e must be satisfied.

【0040】磁性体薄膜12の厚さは0.05〜0.5
μm好ましくは0.05〜0.2μmくらいが適当であ
る。本発明の磁性体薄膜12は、窒化物磁性体の垂直成
分が大幅に増大しているので、薄い膜でも大きなファラ
デー回転角が得られる。
The thickness of the magnetic thin film 12 is 0.05 to 0.5
μm, preferably about 0.05 to 0.2 μm is appropriate. In the magnetic thin film 12 of the present invention, since the perpendicular component of the nitride magnetic material is greatly increased, a large Faraday rotation angle can be obtained even with a thin film.

【0041】反射層13の材料としては、Au,Al,
Ag,Pt,Cr,Nd,Ge,Rh,Cu,TiNな
どが用いられ、電子ビーム(EB)蒸着法等の各種蒸着
法やイオンプレーティング、スパッタリング、PVD
法、CVD法等の薄膜形成法により製膜される。反射層
13の厚さは1μm以下好ましくは0.05〜0.5μm
くらいが適当である。
The material of the reflection layer 13 is Au, Al,
Ag, Pt, Cr, Nd, Ge, Rh, Cu, TiN, etc. are used, and various vapor deposition methods such as an electron beam (EB) vapor deposition method, ion plating, sputtering, PVD
It is formed by a thin film forming method such as a CVD method or a CVD method. The thickness of the reflective layer 13 is 1 μm or less, preferably 0.05 to 0.5 μm.
Is appropriate.

【0042】また、前記誘電体層の材料としてはSiO
2、TiO2、窒化シリコン、窒化アルミニウム、アモル
ファスSiなどをあげることができ、潤滑層の材料とし
てはカーボン、二酸化モリブデン、二硫化タングステ
ン、α−オレフィン重合物、常温で液体の不飽和炭化水
素(n−オレフィン二重結合が末端の炭素に結合した化
合物;炭素数約20)、炭素数12〜20の一塩基性脂
肪酸と炭素数3〜12の一価アルコールとからなる脂肪
酸エステル類などをあげることができる。
The material of the dielectric layer is SiO 2
2 , TiO 2 , silicon nitride, aluminum nitride, amorphous Si, etc., and the material of the lubricating layer is carbon, molybdenum dioxide, tungsten disulfide, α-olefin polymer, unsaturated hydrocarbon which is liquid at ordinary temperature ( Compounds in which an n-olefin double bond is bonded to a terminal carbon; about 20 carbon atoms, and fatty acid esters comprising a monobasic fatty acid having 12 to 20 carbon atoms and a monohydric alcohol having 3 to 12 carbon atoms. be able to.

【0043】本発明における窒化物磁性体は、下地層を
設けなくても製膜の初期から良好なC軸配向膜となるの
で0.1μm以下でも例えば0.05μm厚でもC軸配向
膜が得られ、このため、透明性の良好な垂直磁気異方性
膜が得られる。特開昭59−228705号公報記載の
垂直磁気記録媒体は0.1μm以下では垂直磁気異方性
膜が得にくいと述べられている。この為、製膜初期の
0.1μm厚部分は透光性や垂直磁気異方性が劣り、全
膜中に光を透過させて利用する光磁気記録媒体にとって
は好ましいとは言えなく、本発明と明瞭に異なる点であ
る。従って、本発明の窒化物磁性体は下地層が不要であ
るが、しかし設けてもかまわない。その厚さは0.05
〜0.5μmくらいが適当である。
Since the nitride magnetic material of the present invention becomes a good C-axis alignment film from the beginning of film formation without providing an underlayer, a C-axis alignment film can be obtained even at a thickness of 0.1 μm or less, for example, 0.05 μm. Therefore, a perpendicular magnetic anisotropic film having good transparency can be obtained. It is described that a perpendicular magnetic recording medium described in JP-A-59-228705 is difficult to obtain a perpendicular magnetic anisotropic film below 0.1 μm. For this reason, the portion having a thickness of 0.1 μm in the initial stage of film formation is inferior in translucency and perpendicular magnetic anisotropy, and cannot be said to be preferable for a magneto-optical recording medium which transmits and uses light in the entire film. This is clearly different from the above. Accordingly, the nitride magnetic body of the present invention does not require an underlayer, but may be provided. Its thickness is 0.05
About 0.5 μm is appropriate.

【0044】下地層の設けられる位置は、図1に示した
光磁気記録媒体であれば非磁性支持体11と磁性体薄膜
12との間であり、非磁性支持体11と磁性体薄膜12
との間に誘電体層が設けられたものであればその誘電体
層と磁性体薄膜12との間である。また、図2に示した
光磁気記録媒体であれば反射層13と磁性体薄膜12と
の間である。
The position where the underlayer is provided is between the non-magnetic support 11 and the magnetic thin film 12 in the case of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
If a dielectric layer is provided between the magnetic thin film 12 and the dielectric layer. In the case of the magneto-optical recording medium shown in FIG. 2, it is between the reflective layer 13 and the magnetic thin film 12.

【0045】下地層はその上に形成される窒化物磁性体
薄膜12と格子定数が同じか又はそれに近い結晶面をも
った非磁性材料から選択される。従って、この下地層上
に形成される窒化物磁性体薄膜12はhcp構造をもつ
垂直配向膜が成長するようになる。このような下地層と
しては特に例えばTi,Zr,Mgなどのhcp構造を
呈するものによるのが望ましい。
The underlayer is selected from non-magnetic materials having a crystal plane whose lattice constant is the same as or close to that of the nitride magnetic thin film 12 formed thereon. Therefore, a vertical alignment film having an hcp structure grows on the nitride magnetic thin film 12 formed on the underlayer. As such an underlayer, it is particularly preferable to use a layer having an hcp structure such as Ti, Zr, or Mg.

【0046】更に磁性体薄膜12の垂直磁気異方性を一
層向上させるために、磁性体薄膜中に非磁性元素例えば
B,Si,Pなどを20重量%以下の量で加え、磁性体
薄膜12の飽和磁化Msを低下させることで垂直磁気異
方性をより良好ならしめることも効果的である。また、
磁性体薄膜12のファラデー回転角θFRをより向上させ
るために、例えばEu2+,Pr3+,Tb3+などの常磁性
イオンが磁性体薄膜12及び前記下地層中に加えられる
ことも有効である。
In order to further improve the perpendicular magnetic anisotropy of the magnetic thin film 12, a non-magnetic element such as B, Si, P or the like is added to the magnetic thin film in an amount of 20% by weight or less. It is also effective to further improve the perpendicular magnetic anisotropy by lowering the saturation magnetization Ms. Also,
In order to further improve the Faraday rotation angle θ FR of the magnetic thin film 12, it is also effective that paramagnetic ions such as Eu 2+ , Pr 3+ , and Tb 3+ are added to the magnetic thin film 12 and the underlayer. It is.

【0047】磁性体薄膜12の飽和磁化を減少させ垂直
磁気異方性を向上させる手段としては、前記下地層を設
ける他に、磁性体薄膜中に酸素を入れることが有効であ
る。
As means for reducing the saturation magnetization of the magnetic thin film 12 and improving the perpendicular magnetic anisotropy, it is effective to add oxygen to the magnetic thin film in addition to providing the underlayer.

【0048】酸素を磁性体薄膜12中に入れることは、
結果的に、Co,Ni及び/又はFeの酸化物(酸化物
磁性体)がCo,Ni及び/又はFeの窒化物と混合・
共存されることになる。ここでのCo,Ni及び/又は
Feの酸化物磁性体の好適な具体例としては、FeO,
Fe23,Fe34,CoO,Co23,Co34,N
iO,Ni23などがあげられる。これら酸化物磁性体
は、窒化物磁性体と同様、いずれも化学的・熱的に安定
である。これら酸化物磁性体と窒化物磁性体とが混合・
共存された窒化物酸化物混合磁性体は光磁気記録媒体と
して利用された場合、光透過率が向上するようになる。
Putting oxygen into the magnetic thin film 12 is as follows.
As a result, an oxide of Co, Ni and / or Fe (oxide magnetic material) is mixed with a nitride of Co, Ni and / or Fe.
Will coexist. Preferred specific examples of the oxide magnetic material of Co, Ni and / or Fe include FeO,
Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoO, Co 2 O 3 , Co 3 O 4 , N
iO, Ni 2 O 3 and the like. Each of these oxide magnetic materials is chemically and thermally stable, similarly to the nitride magnetic material. These oxide magnetic materials and nitride magnetic materials are mixed
When the coexisting nitride oxide mixed magnetic material is used as a magneto-optical recording medium, the light transmittance is improved.

【0049】この窒化物酸化物混合磁性体薄膜は、例え
ば純鉄をターゲット材料として選択した場合、これに酸
素を含む窒素ガス(好ましくはアルゴンが加えられる)
のイオン化したものを照射させFeをスパッタさせるこ
とにより、非磁性支持体上に酸素の入った窒化物膜を形
成せしめるようにすればよい。
For example, when pure iron is selected as the target material, a nitrogen gas containing oxygen (preferably argon is added) is used as the nitride oxide mixed magnetic thin film.
By irradiating the ionized material and sputtering Fe, a nitride film containing oxygen may be formed on the nonmagnetic support.

【0050】そして、これら窒化物酸化物磁性体薄膜に
あっては 45atomic%≦M≦80atomic% 10atomic%≦N≦30atomic% 4atomic%≦O≦30atomic% の範囲にあるものが望ましい。これら数値はイオン化ガ
スの量比をN210〜80%、Ar10〜80%、O2
〜15%くらいに調整しておくことにより所期の値にす
ることができる。
It is desirable that these nitride oxide magnetic thin films have a range of 45 atomic% ≦ M ≦ 80 atomic%, 10 atomic% ≦ N ≦ 30 atomic%, 4 atomic% ≦ O ≦ 30 atomic%. These figures indicate that the ratio of the amount of ionized gas is 10 to 80% for N 2, 10 to 80% for Ar,
By adjusting to about 15%, the desired value can be obtained.

【0051】前記の磁性体薄膜12の飽和磁化を減少さ
せることと、この層12のキュリー温度(Tc)を低下
させ、かつ、レーザー光の透光性を向上せしめるため
に、磁性体薄膜中に弗素を入れることは有効である。
In order to reduce the saturation magnetization of the magnetic thin film 12 and to lower the Curie temperature (Tc) of the layer 12 and to improve the light transmission of the laser light, the magnetic thin film 12 has It is effective to add fluorine.

【0052】弗素を磁性体薄膜12中に入れることは、
結果的に、Co,Ni及び/又はFeの弗化物がCo,
Ni及び/又はFeの窒化物と混合・共存されることに
なる。ここでのCo,Ni及び/又はFeの弗化物の適
宜な具体例としては、FeF2,FeF3,Fe25,C
oF2,CoF3,NiF2などがあげられる。
Putting fluorine into the magnetic thin film 12 is as follows.
As a result, the fluoride of Co, Ni and / or Fe becomes Co,
It will be mixed and coexist with the nitride of Ni and / or Fe. Appropriate specific examples of the fluorides of Co, Ni and / or Fe include FeF 2 , FeF 3 , Fe 2 F 5 , C
oF 2 , CoF 3 , NiF 2 and the like.

【0053】光磁気記録媒体においては、キュリー点
(キュリー温度:磁化が失消し書込む温度)は前述のと
おり、低すぎると使用中記録が消えてしまうし、高すぎ
るとレーザー光出力を高くしなければならない。また、
磁気光学効果のうちファラデー効果を用いる方式は、磁
性体薄膜12の厚さに大きく影響され、透光性の適度で
あることが要求される。
In the magneto-optical recording medium, as described above, the Curie point (Curie temperature: temperature at which magnetization is lost and written) is too low to erase the recording during use, and if too high, the laser light output is increased. There must be. Also,
Among the magneto-optical effects, the method using the Faraday effect is greatly affected by the thickness of the magnetic thin film 12 and is required to have an appropriate light-transmitting property.

【0054】磁性体薄膜12の透光性が適度であること
はレーザー光を吸収して膜を加熱させるのであるが、透
光性が乏しいとファラデー回転角が大きくとれずS/N
比が大きくならない。もっとも、窒化物磁性体(M
xN)中のN成分を多くすれば、透光性を向上させ及び
キュリー温度を下げることはできるが、N成分が多すぎ
ると低い加熱で窒素は膜中から抜けやすく安定性に欠け
る。
When the light transmittance of the magnetic thin film 12 is appropriate, the film is heated by absorbing the laser beam. However, when the light transmittance is poor, the Faraday rotation angle cannot be large and the S / N ratio cannot be obtained.
The ratio does not increase. However, the nitride magnetic material (M
If the N component in xN ) is increased, the translucency can be improved and the Curie temperature can be lowered. However, if the N component is too large, nitrogen easily escapes from the film with low heating and lacks stability.

【0055】こうした配慮から窒化物磁性体薄膜(Mx
N)に弗素を含有させるようにすれば、良好な垂直磁化
膜でかつ適度の透光性とキュリー温度とを備えた理想的
な光磁気記録媒体が得られるようになる。これはMx
(窒化物)中にFe,Co及びNiの弗化物(アモルフ
ァスをも含む)が適当量混合され薄膜として形成された
ことにより、膜中のN成分の脱離が防止され化学的物理
的に安定となったためと考えられる。この窒化物弗化物
混合磁性体薄膜にあっては、 43atomic%≦M≦80atomic% 10atomic%≦N≦30atomic% 4atomic%≦F≦40atomic% の範囲にあるものが望ましい。
From these considerations, the nitride magnetic thin film (M x
If fluorine is added to N), an ideal magneto-optical recording medium having a good perpendicular magnetization film and a suitable translucency and Curie temperature can be obtained. This is M x N
(Nitride) is mixed with an appropriate amount of fluorides of Fe, Co and Ni (including amorphous) to form a thin film, so that the N component in the film is prevented from desorbing and chemically and physically stable. Probably because it became. The nitride-fluoride mixed magnetic thin film preferably has a range of 43 atomic% ≦ M ≦ 80 atomic%, 10 atomic% ≦ N ≦ 30 atomic%, 4 atomic% ≦ F ≦ 40 atomic%.

【0056】この窒化物弗化物混合磁性体薄膜の形成
は、先の窒化物酸化物混合磁性体薄膜形成の際のイオン
化ガスのうちの「酸素」を「弗素」に代えればよく、ま
た、イオン化ガスの量比を適宜調整することにより行な
われる。
This nitride-fluoride mixed magnetic thin film can be formed by replacing “oxygen” in the ionized gas at the time of forming the nitride oxide mixed magnetic thin film with “fluorine”. This is performed by appropriately adjusting the gas ratio.

【0057】また、磁性体薄膜12の飽和磁化を減少さ
せるとともに、キュリー温度を低下させ透光性を向上さ
せるための他の手段としては、窒化物磁性体(MxN)
中に炭素及び酸素を入れることも有効である。この場合
にあっては 50atomic%≦M≦80atomic% 10atomic%≦N≦40atomic% 2atomic%≦C≦45atomic% 2atomic%≦O≦25atomic% の範囲が適当である。
As another means for reducing the saturation magnetization of the magnetic thin film 12 and lowering the Curie temperature to improve the light transmittance, a nitride magnetic material (M x N) is used.
It is also effective to put carbon and oxygen therein. In this case, the range of 50 atomic% ≦ M ≦ 80 atomic% 10 atomic% ≦ N ≦ 40 atomic% 2 atomic% ≦ C ≦ 45 atomic% 2 atomic% ≦ O ≦ 25 atomic% is appropriate.

【0058】炭素は容易に膜中に混入できるだけでな
く、透光性向上に寄与する。このことは酸素についても
言えることは既述のとおりである。これに加えて、炭素
及び酸素は結晶のhcp構造や配向性を劣化させること
がないという効果をもたらす。
Carbon not only can be easily mixed into the film, but also contributes to an improvement in light transmission. This is also true for oxygen, as described above. In addition, carbon and oxygen have the effect of not deteriorating the hcp structure and orientation of the crystal.

【0059】炭素や酸素は窒化物磁性体(MxN)の製
膜にあたってFe,Co及び/又はNiと結合して結晶
をつくってもかまわないが、膜中にアモルファス的にと
り込まれている方が光学的には好ましい。炭素と酸素と
の量的組合せによっては500〜900nmのレーザー
光を用いて、膜厚1000〜3000Åの場合に光透過
率を20〜60%という広い範囲で制御可能である。
Carbon and oxygen may be combined with Fe, Co and / or Ni to form a crystal when forming a nitride magnetic material (M x N), but are incorporated amorphously in the film. Is optically preferred. Depending on the quantitative combination of carbon and oxygen, the light transmittance can be controlled in a wide range of 20 to 60% using a laser beam of 500 to 900 nm when the film thickness is 1000 to 3000 °.

【0060】この炭素及び酸素を混入させた窒化物磁性
体(窒化物炭化物酸化物混合磁性体)薄膜の形成は、先
の窒化物酸化物混合磁性体薄膜形成の際のイオン化ガス
のうちの「酸素」を「一酸化炭素(CO)」に代えれば
よく、また、イオン化ガスの量比を適宜強整することに
より行なわれる。よく知られ又はこれまでにも度々触れ
たように、ファラデー回転角は磁性体薄膜中を光が透過
する長さに比例するので、膜厚を厚くすればファラデー
回転角は大きくなる。
The formation of the nitride magnetic material (nitride carbide oxide mixed magnetic material) thin film mixed with carbon and oxygen is performed by using the “ionized gas” of the ionized gas at the time of forming the nitride oxide mixed magnetic thin film. The “oxygen” may be replaced with “carbon monoxide (CO)”, and the ionization is performed by appropriately adjusting the amount ratio of the ionized gas. As is well known or frequently mentioned, the Faraday rotation angle is proportional to the length of light transmitted through the magnetic thin film, so that the Faraday rotation angle increases as the film thickness increases.

【0061】ところで、光磁気記録方式にあって「カー
効果」を用いる媒体は、磁性体薄膜表面で光を反射させ
その時の回転角(カー回転角)によって記録を読みとる
というものであるが、このタイプは磁性体薄膜としてア
モルファス希土類・遷移金属合金(a−希土類・遷移金
属合金)が一般に使用されている。
The medium using the "Kerr effect" in the magneto-optical recording method is to reflect light on the surface of the magnetic thin film and read the recording by the rotation angle (Kerr rotation angle) at that time. In the type, an amorphous rare earth / transition metal alloy (a-rare earth / transition metal alloy) is generally used as a magnetic thin film.

【0062】本発明者は、カー効果とこれまで記載した
磁性体薄膜のファラデー効果とを併用した光磁気記録媒
体がMxN磁性体の製膜によっても有用であることを確
めた。
The present inventor has confirmed that a magneto-optical recording medium using both the Kerr effect and the Faraday effect of a magnetic thin film described above is also useful for forming an M x N magnetic material.

【0063】もっとも、単にカー効果及びファラデー効
果を併用した光磁気記録媒体自体は従来知られているか
も知れないが、a−希土類・遷移金属合金は酸素を嫌う
(酸化する)ので、このアモルファス合金層上には現在
精力的に研究されている酸化物磁性体(例えばBaフェ
ライト、Coフェライト、GdFeガーネット、Bi置
換ガーネットなど)を積層しにくいといった欠点があっ
た。
Although the magneto-optical recording medium itself simply utilizing the Kerr effect and the Faraday effect may be known in the past, a-rare-earth / transition metal alloys dislike oxygen (oxidize). On the layer, there is a defect that it is difficult to stack an oxide magnetic material (for example, Ba ferrite, Co ferrite, GdFe garnet, Bi-substituted garnet, etc.) which has been energetically studied at present.

【0064】本発明においては、そこで図1及び図2の
反射層13に代えてa−希土類・遷移金属合金層(アモ
ルファス合金層)を形成せしめることも可能である。ア
モルファス合金層の反射率は約50%(λ≒800n
m)であり、反射層としての機能を有している。a−希
土類・遷移金属合金層と本発明に係る磁性体薄膜とは磁
気特性が近似している方が望ましいことから、前記アモ
ルファス合金層の材料にはGdCo、GdFe、TbF
e、GdTbFe、TbDyFe、TbFeCoなどの
ごときFe,Coを主要成分としたものが用いられる。
In the present invention, it is possible to form an a-rare earth / transition metal alloy layer (amorphous alloy layer) instead of the reflective layer 13 of FIGS. The reflectance of the amorphous alloy layer is about 50% (λ ≒ 800 n
m), and has a function as a reflective layer. Since it is desirable that the a-rare earth / transition metal alloy layer and the magnetic thin film according to the present invention have similar magnetic properties, GdCo, GdFe, TbF is used for the material of the amorphous alloy layer.
e, a material having Fe and Co as main components, such as GdTbFe, TbDyFe, and TbFeCo, is used.

【0065】このタイプの光磁気記録媒体では、a−合
金層と本発明に係る磁性体薄膜との間で組成が幾分混合
したものとなるかも知れないが、両者は磁気特性が比較
的近似していることから不都合は生じない。勿論、両層
でキュリー温度、補償温度をあわせることもできる。な
お、a−合金層が自由表面に位置する場合には、その上
に保護層(AlN,SiN,SiO,TiO,TiN,
SiO2などの薄層)が設けられることが好ましい。ま
た、誘電体層が設けられてよいことは図1、図2におい
て説明したのと同様である。
In this type of magneto-optical recording medium, the composition may be somewhat mixed between the a-alloy layer and the magnetic thin film according to the present invention, but both have relatively similar magnetic characteristics. There is no inconvenience due to this. Of course, the Curie temperature and the compensation temperature can be adjusted in both layers. When the a-alloy layer is located on the free surface, a protective layer (AlN, SiN, SiO, TiO, TiN,
Preferably, a thin layer of SiO 2 or the like is provided. Further, the fact that a dielectric layer may be provided is the same as that described with reference to FIGS.

【0066】本発明の光磁気記録媒体の製造は、既述の
とおり、種々の製膜法が採用しうるが、その中でも磁性
体薄膜についてはイオンビームスパッタ法によるのが有
利である。
As mentioned above, the magneto-optical recording medium of the present invention can be manufactured by various film forming methods. Among them, the magnetic thin film is advantageously formed by the ion beam sputtering method.

【0067】図3は本発明方法の実施に好適な装置の一
例の概略を示したものである。この装置においては、真
空槽2内部にイオン銃3の先端部がつき出すように配置
されている。イオン銃3はガスボンベ4から供給される
2ガス(好ましくはN2ガスとArガスとの混合ガス)
に数KVの直流電圧を印加してプラズマ化し、先端部前
面の穴から、そのプラズマをターゲット5に向けて放射
できるようになっている。
FIG. 3 schematically shows an example of an apparatus suitable for carrying out the method of the present invention. In this apparatus, the ion gun 3 is disposed so that the tip of the ion gun 3 protrudes inside the vacuum chamber 2. The ion gun 3 is an N 2 gas (preferably a mixed gas of N 2 gas and Ar gas) supplied from a gas cylinder 4.
Is applied with a DC voltage of several KV to generate plasma, and the plasma can be emitted toward the target 5 from a hole in the front surface of the tip.

【0068】ここでは、ガスボンベ4から供給されるガ
スはN2ガス又はN2ガスとArガスとの混合ガスとして
いるが、(a)窒化物磁性体薄膜が例えば酸素を含むも
の(窒化物酸化物混合磁性体薄膜)である場合には供給
ガス中に更に酸素ガスを加え、(b)酸素及び炭素を含
むもの(窒化物炭化物酸化物混合磁性体薄膜)である場
合には更にCOガス又はCO2ガスを加えるようにすれ
ばよい、便宜上、磁性体薄膜はFexN薄膜であるとし
て説明を進めることにするが、製膜手段及び使用金属又
は合金等それ自体に本質的な差異がある訳ではない。い
ま、ターゲット5を純鉄(純度:99.99%程度)に
しておくと、プラズマ化された窒素原子(好ましくは窒
素原子及びアルゴン原子)はターゲット5の鉄原子をス
パッタする。
Here, the gas supplied from the gas cylinder 4 is N 2 gas or a mixed gas of N 2 gas and Ar gas. (A) The nitride magnetic thin film containing, for example, oxygen (nitride oxide) Oxygen gas is further added to the supply gas in the case of a (compound-containing magnetic thin film), and CO gas or (b) a gas containing oxygen and carbon (nitride carbide oxide-containing magnetic thin film). It is sufficient to add CO 2 gas. For convenience, the description will proceed assuming that the magnetic thin film is a Fe x N thin film, but there is an essential difference in the film forming means and the metal or alloy used itself. Not in translation. Now, if the target 5 is made of pure iron (purity: about 99.99%), nitrogen atoms (preferably nitrogen atoms and argon atoms) that are made into plasma sputter iron atoms of the target 5.

【0069】スパッタされた鉄原子とターゲット前面の
プラズマ中の窒素原子とは反応しFexN(x=2〜
3)となって非磁性支持体11の表面に堆積し、薄膜
(磁性体薄膜)を形成する。
The sputtered iron atoms react with the nitrogen atoms in the plasma on the front surface of the target to form Fe x N (x = 2 to 2).
3) to deposit on the surface of the nonmagnetic support 11 to form a thin film (magnetic thin film).

【0070】こうして非磁性支持体11上に本発明で意
図した磁性体薄膜12を形成することができるが、この
薄膜形成にあっては、非磁性支持体11の裏面側であっ
て非磁性支持体11の面に垂直方向にむいた磁束を主体
とする磁界を存在せしめるように磁石6を配設して行な
うのが極めて望ましい。
In this manner, the magnetic thin film 12 intended in the present invention can be formed on the non-magnetic support 11. In this thin film formation, the non-magnetic support It is highly desirable to dispose the magnet 6 so that a magnetic field mainly composed of a magnetic flux which is vertically directed to the surface of the body 11 is present.

【0071】非磁性支持体11はゆっくり回転する回転
ロール7で移動されるようになっているが、非磁性支持
体11は加熱や冷却などはなされず常温に維持されてい
る。
The non-magnetic support 11 is moved by the rotating roll 7 which rotates slowly, but the non-magnetic support 11 is maintained at room temperature without being heated or cooled.

【0072】イオン銃3に供給されるガスには、いずれ
の場合においても、不活性ガスであるArガスを共存さ
せておくのが好ましい。
In any case, the gas supplied to the ion gun 3 is preferably made to coexist with Ar gas, which is an inert gas.

【0073】非磁性支持体11がフレキシブルでない場
合には、回転ロール7を用いることなく、その代り、そ
の非磁性支持体11の保持具が用いられる。
If the non-magnetic support 11 is not flexible, the holder for the non-magnetic support 11 is used instead of using the rotating roll 7.

【0074】磁石6は電磁石、永久磁石のいずれであっ
てもよく、また、磁石の個数は任意である。要は先に述
べたとおり、非磁性支持体11の面に対して垂直方向と
なる磁束を主体とした磁界が形成しうるものであれば足
りる。磁界の強さは10〜5000ガウス好ましくは1
00〜1000ガウスに設定される。真空槽2内の真空
度(ガス圧力)は1〜10×10-5Torr好ましくは
1〜5×10-5Torrである。
The magnet 6 may be either an electromagnet or a permanent magnet, and the number of magnets is arbitrary. In short, as described above, any material can be used as long as it can generate a magnetic field mainly composed of magnetic flux perpendicular to the surface of the nonmagnetic support 11. The magnetic field strength should be between 10 and 5000 Gauss, preferably 1
It is set to 00 to 1000 Gauss. The degree of vacuum (gas pressure) in the vacuum chamber 2 is 1 to 10 × 10 −5 Torr, preferably 1 to 5 × 10 −5 Torr.

【0075】今、「試験例」としてこの装置を用いター
ゲット5を純鉄(純度:99.99%)とし、真空槽2
内の背圧を約2×10-6Torrとし、導入ガスをN2
(75%)+Ar(25%)の混合ガスとし、イオン銃
電圧を約8.5KVとし、イオン銃電流を5.5mAと
した条件で、かつ、イオン銃3から放射されるプラズマ
のターゲット5及び非磁性支持体(厚さ約25μmのポ
リエステルフィルム)11への入射角をともに約40°
として製膜を行なった場合、プラズマ中のFeの原子と
N原子とは反応してε相FexN(x=2〜3)となる
が、このε相FexN(x=2〜3)は非磁性支持体1
1表面に垂直に配向して堆積し、即ち、結晶はC軸方向
に揃って非磁性支持体11上にε相FexN(x=2〜
3)薄膜が形成され、従って、このFexN薄膜は非常
に大きな垂直磁気異方性を有するものとして得られる。
事実、この磁性体薄膜をX線回折法で調べたところ、h
cp構造を有するε相FexN(x=2〜3)の(00
2)(004)の回折ピークが観察され、(002)
(004)面が大きく配向した単相膜(膜厚約2000
Å)であることが認められ、また、(002)面のロッ
キング曲線から求めた半値巾Δθ50は0.5degであ
り非常に良好な配向膜であった。更に、VSMで調べた
磁気特性は、表1のとおりであった。
Now, as a “test example”, using this apparatus, the target 5 was made of pure iron (purity: 99.99%),
The internal back pressure was about 2 × 10 −6 Torr, and the introduced gas was N 2
(75%) + Ar (25%) mixed gas, the ion gun voltage is about 8.5 KV, the ion gun current is 5.5 mA, and the plasma target 5 and the plasma 5 radiated from the ion gun 3 are used. The angle of incidence on the non-magnetic support (polyester film having a thickness of about 25 μm) 11 is about 40 °.
When a film is formed, Fe atoms and N atoms in the plasma react with each other to form ε-phase Fe x N (x = 2 to 3), and this ε-phase Fe x N (x = 2 to 3) ) Indicates the non-magnetic support 1
Deposited oriented perpendicular to one surface, i.e., crystals ε phase on the non-magnetic support 11 aligned with the C-axis direction Fe x N (x = 2~
3) A thin film is formed, and thus this Fe x N thin film is obtained as having a very large perpendicular magnetic anisotropy.
In fact, when this magnetic thin film was examined by X-ray diffraction,
(00) of ε-phase Fe x N (x = 2 to 3) having a cp structure
2) A diffraction peak of (004) was observed, and (002)
(004) Single-phase film whose plane is largely oriented (film thickness about 2000
It is recognized is Å), also (002 half width [Delta] [theta] 50 determined from rocking curve of) surface was very good alignment film is 0.5 deg. Further, the magnetic characteristics examined by VSM are as shown in Table 1.

【0076】なお、イオン銃3から放射されるプラズマ
のターゲット5や非磁性支持体11への入射角は、40
°程度が好ましいとしたが、必ずしも限定されるわけで
はなく、例えば非磁性支持体11の移動速度、堆積膜
〔ε相FexN(x=2〜3)薄膜〕の厚さ等を配慮し
て適宜選択しうるものである。
The angle of incidence of the plasma radiated from the ion gun 3 on the target 5 and the non-magnetic support 11 is 40
Although the degree is preferable, it is not necessarily limited. For example, the moving speed of the nonmagnetic support 11 and the thickness of the deposited film [ε phase F x N (x = 2 to 3) thin film] are considered. Can be selected as appropriate.

【0077】かくして非磁性支持体上に窒化鉄磁性体薄
膜を形成したものは高密度磁気記録媒体として有効に使
用しうる。ターゲット5にCo又はNi、あるいはF
e,Co,Niの二種以上の金属の合金を用いた場合に
も、またはこれら金属の弗化物を用いた場合にも同様で
ある。
The magnetic recording medium having the iron nitride magnetic thin film formed on the non-magnetic support can be effectively used as a high-density magnetic recording medium. Co or Ni or F on target 5
The same applies to the case of using an alloy of two or more metals of e, Co, and Ni, or the case of using a fluoride of these metals.

【0078】前記窒化鉄磁性膜の製膜手段と同様な条件
で製膜した窒化コバルト磁性体薄膜(厚さ約2000
Å)及び窒化ニッケル磁性体薄膜(厚さ約2000Å)
の磁気特性をまとめて表1に示す。
A cobalt nitride magnetic thin film (thickness of about 2000) was formed under the same conditions as those for forming the iron nitride magnetic film.
Å) and nickel nitride magnetic thin film (about 2000 約 thick)
Table 1 summarizes the magnetic properties of

【0079】[0079]

【表1】 *各窒化物薄膜と非磁性支持体との間に厚さ約2000
ÅのAl(反射層)を設けたものであって、半導体レー
ザー(波長780nm、出力20mW)を用いて測定し
た。
[Table 1] * Approximately 2000 thickness between each nitride thin film and non-magnetic support
Al was provided with Al (reflection layer) and measured using a semiconductor laser (wavelength 780 nm, output 20 mW).

【0080】[0080]

【実施例】次に実施例及び比較例を示す。 実施例1 真空蒸着装置を用いて、ガラス基板(コーニング705
9)上に下記の条件により下地層として厚さ約1000
ÅのTiの薄膜(下地層)を形成した。 蒸発材料 Ti 支持体温度 300℃ 真空槽内の背圧 5×10-6Torr 蒸発源−基板間隔 25cm 得られたTi薄膜をX線回折で調べたところ、良好なC
軸配向膜となっていた。このTi薄膜上に、図3に示し
たイオンビームスパッタ装置を用い前記窒化鉄薄膜の製
膜と同じ条件〔但し、N2(75%)+Ar(25%)
の混合ガスの代りにN2(100%)ガスを用い、イオ
ン銃電圧を約6KV、イオン銃電流を約6mAとした〕
で窒化鉄薄膜(窒化鉄磁性体層)を形成して光磁気記録
媒体をつくった。この光磁気記録媒体に最大12KOe
の磁界を印加しながら半導体レーザー(波長780n
m、出力20mW)を用いてファラデー回転角θFRを測
定したところ、θFR値は0.86deg/μmであっ
た。このθFRの測定値は成膜後6ヶ月しても変化はなか
った。なお、この窒化鉄薄膜の製膜ではN2ガスのみを
ターゲット上に送っているのでFe(Co,Niについ
ても同じである)と反応しやすい、即ち、窒化物になり
やすいが、望ましくはN2ガス(10〜90%)とAr
ガス(90〜10%)の混合ガスの使用が有利である。
不活性ガス(Arガス)を用いた方がより垂直磁気異方
性をもつ窒化膜が得られやすいためである。
Next, examples and comparative examples will be described. Example 1 Using a vacuum deposition apparatus, a glass substrate (Corning 705) was used.
9) A thickness of about 1000 as an underlayer under the following conditions
A thin film of Ti (underlayer) was formed. Evaporation material Ti support temperature 300 ° C. Back pressure in vacuum chamber 5 × 10 −6 Torr Evaporation source-substrate distance 25 cm The obtained Ti thin film was examined by X-ray diffraction.
It was an axis alignment film. On this Ti thin film, using the ion beam sputtering apparatus shown in FIG. 3, the same conditions as those for forming the iron nitride thin film [however, N 2 (75%) + Ar (25%)]
N 2 instead of the mixed gas used (100%) gas was about 6KV the ion gun voltage, about 6mA the ion gun current]
To form a magneto-optical recording medium by forming an iron nitride thin film (iron nitride magnetic layer). This magneto-optical recording medium has a maximum of 12 KOe
A semiconductor laser (wavelength 780 n)
m, the output was 20 mW), and the Faraday rotation angle θ FR was measured. The θ FR value was 0.86 deg / μm. The measured value of θ FR did not change even six months after the film formation. In the formation of the iron nitride thin film, only N 2 gas is sent onto the target, so that it easily reacts with Fe (the same applies to Co and Ni), that is, easily turns into nitride. 2 gas (10-90%) and Ar
The use of a gas mixture (90 to 10%) is advantageous.
This is because the use of an inert gas (Ar gas) makes it easier to obtain a nitride film having perpendicular magnetic anisotropy.

【0081】実施例2 ガラス基板上に、図3に示したイオンビームスパッタ装
置を用い前記窒化鉄薄膜の製膜と同じ条件〔但し、N2
+Ar=1:1(容量比)の混合ガス、イオン銃約9K
V、イオン銃電流2mA、イオン入射角45度とした〕
以外は同様にして窒化鉄薄鋳(磁性体薄膜)を形成し、
更に、この磁性体層上に約1000ÅのAl蒸着層(反
射層)を設けて光磁気記録媒体をつくった。
[0081] on a second embodiment the glass substrate, the same conditions as film formation of the iron nitride thin film using an ion beam sputtering apparatus shown in FIG. 3 [where, N 2
+ Ar = 1: 1 (volume ratio) mixed gas, ion gun about 9K
V, ion gun current 2 mA, ion incidence angle 45 degrees]
Except for forming iron nitride thin casting (magnetic thin film) in the same way,
Further, an Al vapor deposition layer (reflection layer) of about 1000 ° was provided on the magnetic layer to produce a magneto-optical recording medium.

【0082】実施例3 実施例2においてターゲットを純鉄から純コバルト(純
度99.99%)に代えた以外はまったく同様にして窒
化コバルト薄膜を形成し光磁気記録媒体をつくった。こ
れらの光磁気記録媒体の特性をまとめて表2に示す。ま
た、これら光磁気記録媒体における窒化鉄薄膜及び窒化
コバルト薄膜を5%NaCl水溶液中に200時間浸漬
しても特性に変化は認められなかった。
Example 3 A magneto-optical recording medium was produced by forming a cobalt nitride thin film in exactly the same manner as in Example 2 except that the target was changed from pure iron to pure cobalt (purity: 99.99%). Table 2 summarizes the characteristics of these magneto-optical recording media. Further, no change was observed in the characteristics even when the iron nitride thin film and the cobalt nitride thin film in these magneto-optical recording media were immersed in a 5% NaCl aqueous solution for 200 hours.

【0083】比較例1 減圧の反応容器内に鉄原子を含有するガス状分子および
窒素原子を含有するガス状分子を導入し、これらのガス
に電磁波を印加してプラズマ反応を行わせて窒化鉄の薄
膜をガラス基板上に形成した。この窒化鉄薄膜を薄膜用
X線回折で調べたところ、Fe3N(002)の他にF
4N(001)、Fe3N(101)やα−Fe(11
0)の回折ピークが見られた。この薄膜は配向性が不十
分で、かつ、鉄や各結晶形の混合窒化物であると思われ
る。上記窒化鉄薄膜の上に約1000Å厚のAl蒸着層
を設けて光磁気記録媒体をつくった。このものの特性を
まとめて表2に示す。
Comparative Example 1 Iron-containing gaseous molecules and nitrogen-containing gaseous molecules were introduced into a reduced-pressure reaction vessel, and an electromagnetic wave was applied to these gases to cause a plasma reaction to occur. Was formed on a glass substrate. When this iron nitride thin film was examined by X-ray diffraction for a thin film, F 3 N (002) and F 3 N
e 4 N (001), Fe 3 N (101) and α-Fe (11
The diffraction peak of 0) was observed. This thin film is considered to have insufficient orientation and to be iron or a mixed nitride of each crystal form. A magneto-optical recording medium was manufactured by providing an Al vapor-deposited layer having a thickness of about 1000 ° on the iron nitride thin film. Table 2 summarizes the characteristics of this product.

【0084】[0084]

【表2】 [Table 2]

【0085】実施例4〜8 前記試験例において、非磁性支持体をガラス板、イオン
入射角を45度とし、その他、表3のような条件に代え
た以外は同様にして光磁気記録媒体をつくった。
Examples 4 to 8 In the above test examples, the magneto-optical recording medium was manufactured in the same manner as in the above test examples except that the nonmagnetic support was a glass plate, the ion incident angle was 45 °, and the conditions were changed as shown in Table 3. I made it.

【0086】[0086]

【表3】 [Table 3]

【0087】これらの光磁気記録媒体にあって、実施例
4のものの磁性体薄膜をX線回折法で調べたところhc
p構造を有するε相窒化鉄のC面(002)(004)
の強い回折のピークが観察された。また、非常に微少な
Fe23の回折ピークも観察された。XPS(X線光電
子分光法)を用いて調べた酸化鉄の含有量は4重量%で
あった。VSMで磁気特性を測定した結果をまとめて表
4に示す。
In these magneto-optical recording media, the magnetic thin film of Example 4 was examined by X-ray diffraction.
C-plane (002) (004) of ε-phase iron nitride having p-structure
Strong diffraction peak was observed. Also, very small diffraction peaks of Fe 2 O 3 were observed. The content of iron oxide determined by using XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) was 4% by weight. Table 4 summarizes the results of measuring the magnetic properties with the VSM.

【0088】実施例5のものの磁性体薄膜(窒化コバル
ト酸化鉄混合磁性体薄膜)をX線回折法で調べたとこ
ろ、hcp構造を有するε相窒化CoのC軸配向膜であ
るのが認められた。XPSを用いて調べたO(酸素)の
含有率は約9atomic%であった。VSMでの磁気
特性の測定結果をまとめて表4に示す。
When the magnetic thin film (the magnetic thin film mixed with cobalt nitride iron oxide) of Example 5 was examined by X-ray diffraction, it was found that it was a C-axis oriented film of ε-phase Co nitride having an hcp structure. Was. The O (oxygen) content determined using XPS was about 9 atomic%. Table 4 summarizes the measurement results of the magnetic characteristics with the VSM.

【0089】実施例6のものの磁性体薄膜(窒化鉄窒化
コバルト酸化鉄混合磁性体薄膜)をX線回折法で調べた
ところ、hcp構造を有するε相窒化鉄及びε相窒化コ
バルトの(002)(004)回折ピークが観察され
た。しかし、回折ピークは強度がそれほど強くなく、こ
れらのアモルファス成分が含まれていると思われる。ま
た、非常に小さいFe23の回折ピークが観察された。
XPSを用いて調べたO(酸素)の含有率は約13at
omic%であった。VSMでの磁気特性の測定結果を
まとめて表4に示す。
When the magnetic thin film of Example 6 (iron nitride nitride-cobalt nitride-iron oxide mixed magnetic thin film) was examined by an X-ray diffraction method, it was found that (002) of ε-phase iron nitride and ε-phase (004) A diffraction peak was observed. However, the intensity of the diffraction peak is not so strong, and it is considered that these amorphous components are contained. Also, a very small diffraction peak of Fe 2 O 3 was observed.
The content of O (oxygen) examined using XPS is about 13 at.
omic%. Table 4 summarizes the measurement results of the magnetic characteristics with the VSM.

【0090】実施例7のものの磁性体薄膜をX線回折法
で調べたところ、hcp構造を有するε相窒化鉄の回折
ピークが観察され、また、C軸配向しているのが認めら
れた。更に、FeF2の微少ピークが観察された。XP
Sで調べたFの含有率は約16atomic%であっ
た。VSMで磁気特性を測定した結果をまとめて表4に
示す。
When the magnetic thin film of Example 7 was examined by an X-ray diffraction method, a diffraction peak of an ε-phase iron nitride having an hcp structure was observed, and it was recognized that the magnetic thin film had a C-axis orientation. Further, a minute peak of FeF 2 was observed. XP
The F content determined in S was about 16 atomic%. Table 4 summarizes the results of measuring the magnetic properties with the VSM.

【0091】また、実施例8のものの磁性体薄膜をX線
回折法で調べたところ、hcp構造を有するε相窒化コ
バルトであることが認められ、またC軸配向しているの
が認められた。XPSで測定したところ Co 62.5 atomic% N 13.5 atomic% O 11.7 atomic% C 12.5 atomic% であった。VSMでの磁気特性の測定結果をまとめて表
4に示す。
Further, when the magnetic thin film of Example 8 was examined by X-ray diffraction, it was confirmed that the magnetic thin film was an ε-phase cobalt nitride having an hcp structure, and that it was C-axis oriented. . When measured by XPS, it was Co 62.5 atomic% N 13.5 atomic% O 11.7 atomic% C 12.5 atomic%. Table 4 summarizes the measurement results of the magnetic characteristics with the VSM.

【0092】[0092]

【表4】 [Table 4]

【0093】実施例9 ガラス基板11上にRFスパッタ法により、総ガス圧3
mtorr、投入電力1KW、基板ターゲット間距離6
0mm、堆積速度1000Å/min、ターゲットTb
20(Fe09Co01)合金の条件で約800Å厚のア
モルファス合金層(TbFeCo膜)を製膜した。基板
は水冷した。このアモルファス合金層上に試験例と同じ
方法(但し、イオン化ガスはN2+Ar=1:1の混合
ガス、イオン銃電圧は8KV、イオン銃電流は2.5m
A、イオン入射角は45度とした)で約2000Å厚の
磁性体薄膜(窒化鉄薄膜)を製膜して光磁気記録媒体を
つくった。このものの磁性体薄膜はhcp構造を有する
ε相窒化鉄であり、C軸配向しているのが認められた。
Example 9 A total gas pressure of 3 was applied onto a glass substrate 11 by RF sputtering.
mtorr, input power 1KW, distance between substrate targets 6
0 mm, deposition rate 1000 ° / min, target Tb
20 (Fe 0. 9 Co 0 . 1) was formed amorphous alloy layer about 800Å thick under the conditions of alloy (TbFeCo film). The substrate was water cooled. On this amorphous alloy layer, the same method as in the test example (however, the ionized gas is a mixed gas of N 2 + Ar = 1: 1, the ion gun voltage is 8 KV, and the ion gun current is 2.5 m
A, the ion incidence angle was 45 degrees), and a magnetic thin film (iron nitride thin film) having a thickness of about 2000 ° was formed to produce a magneto-optical recording medium. The magnetic thin film was an ε-phase iron nitride having an hcp structure, and was found to be C-axis oriented.

【0094】この光磁気記録媒体に最大12KOeの磁
界を印加しながら半導体レーザー光(波長780nm)
により磁気光学効果を測定したところ1.4度であっ
た。この値は6ヶ月後の測定に於ても変化はなかった。
A semiconductor laser beam (wavelength 780 nm) is applied to this magneto-optical recording medium while applying a maximum magnetic field of 12 KOe.
The measured magneto-optical effect was 1.4 degrees. This value did not change in the measurement after 6 months.

【0095】[0095]

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体によれば、光透
過率が高くファラデー効果が大きいため、良好な記録・
再生が行なえる。
According to the magneto-optical recording medium of the present invention, since the light transmittance is high and the Faraday effect is large, good recording and
Playback is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る代表的な光磁気記録媒体の一例の
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an example of a typical magneto-optical recording medium according to the present invention.

【図2】本発明に係る代表的な光磁気記録媒体の別例の
断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of another example of a typical magneto-optical recording medium according to the present invention.

【図3】本発明の光磁気記録媒体の製造の望ましい手段
を説明するための概略図である。
FIG. 3 is a schematic view for explaining desirable means for manufacturing the magneto-optical recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光磁気記録媒体 2 真空槽 3 イオン銃 4 ガスボンベ 5 ターゲット 6 磁石 7 回転ロール 11 非磁性支持体 12 磁性体薄膜 13 反射層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Magneto-optical recording medium 2 Vacuum tank 3 Ion gun 4 Gas cylinder 5 Target 6 Magnet 7 Rotating roll 11 Nonmagnetic support 12 Magnetic thin film 13 Reflective layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭63−197521 (32)優先日 昭63(1988)8月8日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願昭63−281991 (32)優先日 昭63(1988)11月7日 (33)優先権主張国 日本(JP) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 63-197521 (32) Priority date August 8, 1988 (33) Priority claim country Japan (JP) (31) Priority Claim No. Japanese Patent Application No. 63-281991 (32) Priority date November 7, 1988 (33) Priority claiming country Japan (JP)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 非磁性支持体上に、Co、Fe及びNi
より選ばれる少なくとも一種の金属の窒化物を主成分と
し、さらに該金属の酸化物を含有した垂直磁気異方性を
有する磁性体薄層が形成されていることを特徴とする光
磁気記録媒体。
1. Co, Fe and Ni on a non-magnetic support
A magneto-optical recording medium characterized by comprising a magnetic thin layer having a perpendicular magnetic anisotropy and comprising a nitride of at least one metal selected from the group consisting of a main component and an oxide of the metal.
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