JPH03270043A - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
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- JPH03270043A JPH03270043A JP2069225A JP6922590A JPH03270043A JP H03270043 A JPH03270043 A JP H03270043A JP 2069225 A JP2069225 A JP 2069225A JP 6922590 A JP6922590 A JP 6922590A JP H03270043 A JPH03270043 A JP H03270043A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は検査装置に係り、特に複数の半導体チップを塔
載してモジュール化した半導体装置の検査装置に関する
。
載してモジュール化した半導体装置の検査装置に関する
。
(従来の技術)
近年、複数の半導体素子(以下チップと称す)をセラミ
ック基板上に搭載してなる半導体モジュールの利用か高
まり、この半導体モジュールに対する検査への対応が望
まれている。
ック基板上に搭載してなる半導体モジュールの利用か高
まり、この半導体モジュールに対する検査への対応が望
まれている。
ところで、チップは、高集積化や処理速度の高速化等に
伴って通電時の動作発熱量が上昇する傾向にあることか
ら、検査中に基板が熱膨脹して数μmオーダーで変形、
移動し、電極パッドの位置と検査端子との整合がとれな
くなるという不具合が生しる。
伴って通電時の動作発熱量が上昇する傾向にあることか
ら、検査中に基板が熱膨脹して数μmオーダーで変形、
移動し、電極パッドの位置と検査端子との整合がとれな
くなるという不具合が生しる。
このような点に鑑みて、最近、半導体モジュールを例え
ば不活性液体中に浸漬する等して冷却しながら検査を行
う方決が考えられているが、必ずしもこれにより確実に
基板の熱膨脹が防止されるとは限らない。
ば不活性液体中に浸漬する等して冷却しながら検査を行
う方決が考えられているが、必ずしもこれにより確実に
基板の熱膨脹が防止されるとは限らない。
そこで、基板の裏側に位置確認用のマークを設け、この
マークを黒点固定カメラ等の所定の撮像手段により撮像
して基板の位置ずれを検出するという方性が注目されて
いる。
マークを黒点固定カメラ等の所定の撮像手段により撮像
して基板の位置ずれを検出するという方性が注目されて
いる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような撮像手段を用いた基板位置ず
れ検出機構を構成する場合、基板の背面は撮像のため開
放しておく必要があり、特別な構造を有する基板支持部
材が要求される。
れ検出機構を構成する場合、基板の背面は撮像のため開
放しておく必要があり、特別な構造を有する基板支持部
材が要求される。
また、基板表面を数倍の倍率で撮像するためには焦点合
せを行うことが必要になることから、捩れや反りのある
基板に対しては、撮像手段であるカメラを基板表面に対
して垂直方向に移動させる機構が必要となる。
せを行うことが必要になることから、捩れや反りのある
基板に対しては、撮像手段であるカメラを基板表面に対
して垂直方向に移動させる機構が必要となる。
ところが、基板の下には多数のケーブル類等が高密度に
納められていることが多いことから、こうした場所に上
述したカメラの移動機構を配置するスペースを確保する
ことは、装置サイズの拡大を招くことになる。そこで、
スペースを極力要しない光学系の開発が望まれていた。
納められていることが多いことから、こうした場所に上
述したカメラの移動機構を配置するスペースを確保する
ことは、装置サイズの拡大を招くことになる。そこで、
スペースを極力要しない光学系の開発が望まれていた。
発明はこのような課題を解決するためのもので、簡単な
構成で、基板の背面を撮像のために開放しながらも安定
して該基板を支持することのできる半導体検査装置の提
供を目的としている。
構成で、基板の背面を撮像のために開放しながらも安定
して該基板を支持することのできる半導体検査装置の提
供を目的としている。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段)
本発明の検査装置は上記した目的を達成するために、複
数の゛P導体素子が塔載された基板の背面に該基板の位
置確認用マークを設け、このマークを所定の撮像手段に
より撮像して位置確認を行う検査装置において、基板の
端部が、基板支持枠の西側水平方向に3点での支持によ
り、対角のターゲット面高さがいつも一定となるような
位置に突出された突出部により支持されている。また、
光学系は基板の固定誤差を吸収できる長さの黒点深度を
もち、焦点合せ機構を備えなくてもよいようにした(例
、焦点深度± 200μm1光学的分解能8.5μm)
。
数の゛P導体素子が塔載された基板の背面に該基板の位
置確認用マークを設け、このマークを所定の撮像手段に
より撮像して位置確認を行う検査装置において、基板の
端部が、基板支持枠の西側水平方向に3点での支持によ
り、対角のターゲット面高さがいつも一定となるような
位置に突出された突出部により支持されている。また、
光学系は基板の固定誤差を吸収できる長さの黒点深度を
もち、焦点合せ機構を備えなくてもよいようにした(例
、焦点深度± 200μm1光学的分解能8.5μm)
。
(作 用)
本発明の検査装置では、基板を、基板支持枠の内側水平
方向に突出された突出部により支持した構成とされてい
るので、簡単な構成で、基板の背面を撮像のために開放
しながらも安定して該基板を支持することが可能となる
。また、反りや捩れがある基板でも焦点合せ用の移動機
構無しで数倍の倍率で撮像が可能となる。
方向に突出された突出部により支持した構成とされてい
るので、簡単な構成で、基板の背面を撮像のために開放
しながらも安定して該基板を支持することが可能となる
。また、反りや捩れがある基板でも焦点合せ用の移動機
構無しで数倍の倍率で撮像が可能となる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図および第2図は本発明に係る一実施例の検査装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
装置本体1は、被検査体である半導体モジュール2を搬
送および検査可能な状態としたワーク3の所定の検査を
実行する検査部10と、半導体モジュール2上に塔載さ
れた複数の半導体素子(以下、チップと記す)にχ4応
した複数の検査用接触端子が収容され、これらの交換お
よび位置合せを行う接触端子供給部20とから構成され
ている。
送および検査可能な状態としたワーク3の所定の検査を
実行する検査部10と、半導体モジュール2上に塔載さ
れた複数の半導体素子(以下、チップと記す)にχ4応
した複数の検査用接触端子が収容され、これらの交換お
よび位置合せを行う接触端子供給部20とから構成され
ている。
装置本体1の検査部10側の端部には、上記ワク3をロ
ード・アンロードするためのワークローダ一部30が設
置されている。装置本体1およびワークローダ一部30
上には、それぞれワークローダ一部30.検査部10、
接触端子供給部20の並列方向(以下、X方向とよぶ)
に沿って移動可能とされたワーク搬送機構40と接触端
子移動機構50とが塔載されている。
ード・アンロードするためのワークローダ一部30が設
置されている。装置本体1およびワークローダ一部30
上には、それぞれワークローダ一部30.検査部10、
接触端子供給部20の並列方向(以下、X方向とよぶ)
に沿って移動可能とされたワーク搬送機構40と接触端
子移動機構50とが塔載されている。
第3図から第5図は上記したワーク3の構成を示してい
る。
る。
同図に示すように、半導体モジュール2は、種類の異な
る複数のチップ2aをセラミ・ソクス基板2b上に搭載
してなっている。ワーク3は、ソケットボード4上に、
半導体モジュール2の図示を省略した各人出力ビンと電
気的に接触してこれにテスト電圧を供給するためのソケ
・ソト5と、半導体モジュール2を水平方向から押える
神え板6と、押え板6を支持するとともに半導体モジュ
ール2を支持するための3つのブラケット(突出部)7
を水平方向に突出してなるサポートボード8とから主体
部か構成されている。なお、このサポートボード8にお
ける3つのブラケット7は、3点による支持で半導体モ
ジュール2裏面の対角位置に設けられたターゲットの高
さが常に一定となるような位置に設けられている。
る複数のチップ2aをセラミ・ソクス基板2b上に搭載
してなっている。ワーク3は、ソケットボード4上に、
半導体モジュール2の図示を省略した各人出力ビンと電
気的に接触してこれにテスト電圧を供給するためのソケ
・ソト5と、半導体モジュール2を水平方向から押える
神え板6と、押え板6を支持するとともに半導体モジュ
ール2を支持するための3つのブラケット(突出部)7
を水平方向に突出してなるサポートボード8とから主体
部か構成されている。なお、このサポートボード8にお
ける3つのブラケット7は、3点による支持で半導体モ
ジュール2裏面の対角位置に設けられたターゲットの高
さが常に一定となるような位置に設けられている。
またセラミックス裁板2bと押え板6との間には、この
間を液密封止するための例えばOリング等のリング状パ
ツキン9が挟持されている。なお、図示は省略したが、
チップ2aの周囲には測定用電極パッドが、多層セラミ
ックス基板2bの上面の3角にはアライメント用ターゲ
ットが、下面には対角線上の2角に熱膨脹補正用ターゲ
ットが設けられており、サポートボード8の4角には位
置決め孔が設けられている。
間を液密封止するための例えばOリング等のリング状パ
ツキン9が挟持されている。なお、図示は省略したが、
チップ2aの周囲には測定用電極パッドが、多層セラミ
ックス基板2bの上面の3角にはアライメント用ターゲ
ットが、下面には対角線上の2角に熱膨脹補正用ターゲ
ットが設けられており、サポートボード8の4角には位
置決め孔が設けられている。
上記検査部10は、液)l!113を有している。また
、ワーク載置台12の開口部下方には、ワーク3のソケ
ットボード4に接触して電気的な接続を行う図示を省略
した多数のポゴピンが突設されたワークセットベースユ
ニット17が配置されている。またワーク3のセラミッ
クス基板2bの下面に設けられた一対の熱膨脹補正用タ
ーゲットの形成位置と対向する位置に、焦点方向に移動
機構を持たない下アライメントカメラ18a、18bが
配置されている。例えば、さらにワーク搬送機構40お
よびワーク載置台12間におけるワーク3の移載を行う
昇降可能なワーク移載ビン19が設けられている。
、ワーク載置台12の開口部下方には、ワーク3のソケ
ットボード4に接触して電気的な接続を行う図示を省略
した多数のポゴピンが突設されたワークセットベースユ
ニット17が配置されている。またワーク3のセラミッ
クス基板2bの下面に設けられた一対の熱膨脹補正用タ
ーゲットの形成位置と対向する位置に、焦点方向に移動
機構を持たない下アライメントカメラ18a、18bが
配置されている。例えば、さらにワーク搬送機構40お
よびワーク載置台12間におけるワーク3の移載を行う
昇降可能なワーク移載ビン19が設けられている。
ここで、下アライメントカメラ18a、18bの構成に
ついて第6図を用いて説明する。
ついて第6図を用いて説明する。
下アライメントカメラ18a、18bは、ボアスコープ
18C,アダプタ18e、CCDカメラ18fが、この
順に一体的に構成されてなっている。そしてワーク載置
台12の下面に取付けられた固定部18g、および支持
部材18h、18iに取付けられた固定部18jに、ロ
ングカラー18kが接着剤等により固定されたボアスコ
ープ18cが摺動自在に挿入されている。またボアスコ
ープ18cには、組ねじ181を有したハンドル18m
およびカラー18nが取付けられており、この雄ねじ1
81は、固定部18jに形成された雌ねじ18pに噛合
っている。そしてハンドル18mを回転させると、下ア
ライメントカメラ188% 18bは上下方向へ移動す
るようなされている。
18C,アダプタ18e、CCDカメラ18fが、この
順に一体的に構成されてなっている。そしてワーク載置
台12の下面に取付けられた固定部18g、および支持
部材18h、18iに取付けられた固定部18jに、ロ
ングカラー18kが接着剤等により固定されたボアスコ
ープ18cが摺動自在に挿入されている。またボアスコ
ープ18cには、組ねじ181を有したハンドル18m
およびカラー18nが取付けられており、この雄ねじ1
81は、固定部18jに形成された雌ねじ18pに噛合
っている。そしてハンドル18mを回転させると、下ア
ライメントカメラ188% 18bは上下方向へ移動す
るようなされている。
また、接触端子供給部20は、半導体モジュル2に塔載
されたチップ2aの周囲に形成された11FI定用電極
パツドの形状およびピッチに応じてプローブビンが植設
された複数のビンブロック21を個々に保持する複数例
えば9個のビンブロックチェンジャ22と、接触端子移
動機構50側に受は渡されたビンブロック21の位置確
認を行うビンブロックアライメントカメラ23とによっ
て構成されている。
されたチップ2aの周囲に形成された11FI定用電極
パツドの形状およびピッチに応じてプローブビンが植設
された複数のビンブロック21を個々に保持する複数例
えば9個のビンブロックチェンジャ22と、接触端子移
動機構50側に受は渡されたビンブロック21の位置確
認を行うビンブロックアライメントカメラ23とによっ
て構成されている。
上記ビンブロックチェンジャ22は、ビンブロック21
を挟持する保持部24と、この保持部24を接触端子移
動機構50側に上昇させる機構によって構成されており
、検査プログラムに応して使用ビンブロック21を個別
に上昇させ、接触端子移動機構50に供給する。
を挟持する保持部24と、この保持部24を接触端子移
動機構50側に上昇させる機構によって構成されており
、検査プログラムに応して使用ビンブロック21を個別
に上昇させ、接触端子移動機構50に供給する。
ワークローダ一部30は、ローダ一部基台31と、ワー
ク3を収容しつつ移動可能とされたワークセットテーブ
ル32と、ワーク3をワーク搬送機構40へと受渡すワ
ーク昇降機構33とにより構成されている。また、上記
ワーク昇降機構33によって上昇したワーク3を保持す
る保持部41を有している。この保持部41は、ワーク
3の下面を支持するX方向に進退自在の一対のっめ42
によって構成されている。
ク3を収容しつつ移動可能とされたワークセットテーブ
ル32と、ワーク3をワーク搬送機構40へと受渡すワ
ーク昇降機構33とにより構成されている。また、上記
ワーク昇降機構33によって上昇したワーク3を保持す
る保持部41を有している。この保持部41は、ワーク
3の下面を支持するX方向に進退自在の一対のっめ42
によって構成されている。
また、接触端子移動機構50は、ワーク搬送機構40と
同様に、上記ステージ用ガイド30a、lb上に塔載さ
れた口字形状を有するXステージ51、このXステージ
上に配置された同様の開口面積を有する口字形状のYス
テージ52、上記Xステージ51およびYステージ52
の開口部内に配置された2ステージ53によって、この
Zステプ53に固定されたビンブロック21のチャック
部54と上アライメント用カメラ55とが設置された測
定部56が、x−y−z方向に移動可能に構成され、ま
た図示を省略したθ駆動機構によってチャック部54が
回転自在とされている。そシテ、上記チャック部54に
保持されたビンブロック21は、Zステージ53によっ
て検査部1゜の液槽13内まで下降し、液槽13内に浸
漬されているワーク3との接触が行われる。
同様に、上記ステージ用ガイド30a、lb上に塔載さ
れた口字形状を有するXステージ51、このXステージ
上に配置された同様の開口面積を有する口字形状のYス
テージ52、上記Xステージ51およびYステージ52
の開口部内に配置された2ステージ53によって、この
Zステプ53に固定されたビンブロック21のチャック
部54と上アライメント用カメラ55とが設置された測
定部56が、x−y−z方向に移動可能に構成され、ま
た図示を省略したθ駆動機構によってチャック部54が
回転自在とされている。そシテ、上記チャック部54に
保持されたビンブロック21は、Zステージ53によっ
て検査部1゜の液槽13内まで下降し、液槽13内に浸
漬されているワーク3との接触が行われる。
ilp]定部56には、非導電性不活性肢体導入管57
が配設されている。またチャック部54の上部にはビン
ブロック21と図示を省略したテスタに接続されたタッ
チプレートが配置されており、このタッチプレートによ
ってビンブロック21とテスタとの電気的な接続が行わ
れている。
が配設されている。またチャック部54の上部にはビン
ブロック21と図示を省略したテスタに接続されたタッ
チプレートが配置されており、このタッチプレートによ
ってビンブロック21とテスタとの電気的な接続が行わ
れている。
次にこの半導体検査装置における検査手順について説明
する。
する。
まず、ワークセットテーブル32の収容部内に配置され
たワーク3をワーク搬送機構40により検査部10の保
持部41のワーク載置台12上に搬送し、ワーク載置台
12上に位置決めされて載置される。この際、接触端子
移動機構50は、接触端子供給部側へと移動する。
たワーク3をワーク搬送機構40により検査部10の保
持部41のワーク載置台12上に搬送し、ワーク載置台
12上に位置決めされて載置される。この際、接触端子
移動機構50は、接触端子供給部側へと移動する。
この後、ワーク載置台12上に載置されたワーク3は、
クランプ]4によってワーク載置台12に対して液密に
固定されると共に、ワーク3のソケットボード4と検査
部10側のワークセットベースユニット17との電気的
な接続が行われる。
クランプ]4によってワーク載置台12に対して液密に
固定されると共に、ワーク3のソケットボード4と検査
部10側のワークセットベースユニット17との電気的
な接続が行われる。
またこの際に、下アライメントカメラ18a518bに
よって、ワーク3の多層セラミックス基板2bの下面に
設けられた熱膨脹補正用ターゲットの初期位置が認識さ
れる。
よって、ワーク3の多層セラミックス基板2bの下面に
設けられた熱膨脹補正用ターゲットの初期位置が認識さ
れる。
ワーク3のセツティングと相前後して、ピンブロック2
1の装着が行われる。ビンブロック21の装着は、まず
検査プログラムに応じて自動的に、第1番目に検査を行
うチップ2aに対応したピンブロック21を選択し、接
触端子移動機構50をビンブロック21上に移動させて
、上記選択したピンブロック21を保持する。
1の装着が行われる。ビンブロック21の装着は、まず
検査プログラムに応じて自動的に、第1番目に検査を行
うチップ2aに対応したピンブロック21を選択し、接
触端子移動機構50をビンブロック21上に移動させて
、上記選択したピンブロック21を保持する。
この後、ビンブロック補正用カメラ23によって、ピン
ブロック21の保持状態を撮像し、上アライメントカメ
ラ55との位置確認が行われた後、検査部10上方へと
接触端子移動機構50は移動する。
ブロック21の保持状態を撮像し、上アライメントカメ
ラ55との位置確認が行われた後、検査部10上方へと
接触端子移動機構50は移動する。
次に、検査部10上方へと移動した接触端子移動機構5
0の測定部56に配置された上アライメントカメラ55
によって、ワーク3とピンブロック21とのアライメン
トが行われる。このアライメントは、ます上アライメン
トカメラ55によって多層セラミックス基板2bの表面
を撮像しつつその3角に設けられたアライメント用ター
ゲ・ソトの位置を、接触端子移動機構50側のX−Yス
テジにおける位置座標として認識し、予め入力されたア
ライメント用ターゲット位置に基づいた各チップ2a位
置がX−Yステージの位置座標として求められる。そし
て、チップ2aの位置座標にしたがってピンブロック2
1の位置か訣定され、Xステージ51、Yステージ52
および図示を省略したθ駆動機構を駆動してチップ2a
の周囲に形成された測定用電極パッドとピンブロック2
1に埴設されたプローブビンとのアライメントが行われ
る。
0の測定部56に配置された上アライメントカメラ55
によって、ワーク3とピンブロック21とのアライメン
トが行われる。このアライメントは、ます上アライメン
トカメラ55によって多層セラミックス基板2bの表面
を撮像しつつその3角に設けられたアライメント用ター
ゲ・ソトの位置を、接触端子移動機構50側のX−Yス
テジにおける位置座標として認識し、予め入力されたア
ライメント用ターゲット位置に基づいた各チップ2a位
置がX−Yステージの位置座標として求められる。そし
て、チップ2aの位置座標にしたがってピンブロック2
1の位置か訣定され、Xステージ51、Yステージ52
および図示を省略したθ駆動機構を駆動してチップ2a
の周囲に形成された測定用電極パッドとピンブロック2
1に埴設されたプローブビンとのアライメントが行われ
る。
このアライメントを行った後、不活性液が戚檜13山に
供給され、ワーク3は非導電性不活性液体15内に浸漬
された状態となる。
供給され、ワーク3は非導電性不活性液体15内に浸漬
された状態となる。
この後、非導電性液体15を測定対象チップ2a上およ
び周囲に供給しつつ、Zステージ53を駆動することに
よってflPI定部5弓部56させ、ピンブロック21
のプローブビンを非導電性液体15中に浸漬しつつ、測
定用電極パッドに当接させる。そして半導体モジュール
2にテスト電圧を供給し当該チップ2aの検査を行う。
び周囲に供給しつつ、Zステージ53を駆動することに
よってflPI定部5弓部56させ、ピンブロック21
のプローブビンを非導電性液体15中に浸漬しつつ、測
定用電極パッドに当接させる。そして半導体モジュール
2にテスト電圧を供給し当該チップ2aの検査を行う。
以上の動作によりチップ2aに対する検査が終了する。
かくしてこの実施例の半導体検査装置によれば、ワーク
3において、サポートボード8に、3つのブラケット7
を水平方向に突出して設け、このブラケット7て半導体
モジュール2の反りや捩れがあっても、ターゲットの高
さが一定となるように支持したので、セラミックス基板
2bの背面を下アライメントカメラ18a、18bによ
り撮像できるよう開放した状態で安定してセラミックス
基板2bを支tjjすることができる。
3において、サポートボード8に、3つのブラケット7
を水平方向に突出して設け、このブラケット7て半導体
モジュール2の反りや捩れがあっても、ターゲットの高
さが一定となるように支持したので、セラミックス基板
2bの背面を下アライメントカメラ18a、18bによ
り撮像できるよう開放した状態で安定してセラミックス
基板2bを支tjjすることができる。
また、コンパクトで長埠点深度、高分解能な光学系を使
用したことにより、焦点合せ機構を不要とする簡単な方
式となった。
用したことにより、焦点合せ機構を不要とする簡単な方
式となった。
また、上述した実施例では、検査対象としてパッケージ
された複数秤の半導体素子をセラミック基板に設けた半
導体モジュールとして説明したが本発明はこれに限定さ
れるものでない。例えば、披検査体は、パッケージされ
た半導体素子でなくても、チップ状態のものでもよい。
された複数秤の半導体素子をセラミック基板に設けた半
導体モジュールとして説明したが本発明はこれに限定さ
れるものでない。例えば、披検査体は、パッケージされ
た半導体素子でなくても、チップ状態のものでもよい。
また、半導体ウェハに異品種のチップが搭載されたもの
でもよい。さらに半導体でなくてもLCDやプリント基
板を搭載したものであってもよい。また、被検査体の基
板への実装は、片面だけでなく両面でもよントカメラ。
でもよい。さらに半導体でなくてもLCDやプリント基
板を搭載したものであってもよい。また、被検査体の基
板への実装は、片面だけでなく両面でもよントカメラ。
い。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の検査装置によれば、簡単な
構成で、基板の1!面を撮像のために開放しながらも安
定して該基板を支持することができる。
構成で、基板の1!面を撮像のために開放しながらも安
定して該基板を支持することができる。
また、反りや捩れがある基板でも焦点合せ用の移動機構
無しで数倍の倍率で撮像が可能となる。
無しで数倍の倍率で撮像が可能となる。
第1図は本発明に係る一実施例の検査装置を示す斜視図
、第2図は第1図の断面図、第3図は第1図におけるワ
ークの構成を説明するための断面図、第4図は第3図の
一部を拡大して示す断面図、第5図は第3図におけるサ
ポートボードを示す斜視図、第6図は下アライメントカ
メラの構成を示す断面図である。
、第2図は第1図の断面図、第3図は第1図におけるワ
ークの構成を説明するための断面図、第4図は第3図の
一部を拡大して示す断面図、第5図は第3図におけるサ
ポートボードを示す斜視図、第6図は下アライメントカ
メラの構成を示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の半導体素子が塔載された基板の背面に該基板の
位置確認用マークを設け、このマークを所定の撮像手段
により撮像して位置確認を行う検査装置において、 前記基板の端部が、基板支持枠の内側水平方向に突出さ
れた突出部により支持されていることを特徴とする検査
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6922590A JP2869570B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6922590A JP2869570B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03270043A true JPH03270043A (ja) | 1991-12-02 |
JP2869570B2 JP2869570B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=13396573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6922590A Expired - Lifetime JP2869570B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2869570B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015513111A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-04-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243535A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプローバ装置 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6922590A patent/JP2869570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01243535A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプローバ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015513111A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-04-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2869570B2 (ja) | 1999-03-10 |
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