JPH03263787A - 誘導加熱調理器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、誘導加熱調理器に関するも（１）である。 従来の技術 従来この種誘導加熱コイルに用ｂ１られるインバー　タ
は、第７図（ａ）に、Ｉずよ）に、７−・つのスイッチ
ング累−ｆ１と、このスイッチング累１　ｉ、：逆１１
ｆ４列に接続されたダイオード２と、加熱コイル３　ｔ
１′Ｊ。 び共振＝Ｊコンデンサと、フィルクコイル５とからなる
シングルエンド１石インバータ構成のイ）のかあフた。 また、同図（１））に示すように、ダイオード（）およ
びダイオルドアがそれぞれ逆並列に接続され直列に接続
きれた二・つのスイッチング素子８９と、スイッチング
素子８．９に印加するスパイク電圧を抑制するスナバ抵
抗１０．１２およびスナバコンデンサ１１　〕３からな
るブツシュゾルインバータ構成のものがあり、これらイ
ンバー　タは周波数変換装置としで使用されていた。 発明が解決しようとする課題 このような従来の構成、上記第７図（ａ）に示ずＪ、・
）な準Ｅｍ電圧共振型シングルエンド１石インバータは
、高い共振電圧が発生するので、同図スイッチング素子
１のスイッチングスピード等の所要のスイッチング性能
を維持しながら遮断時の耐電圧を高くすることが困難な
こともあり、電源電圧の２００Ｖ化に対応した高出力の
インバータを実現しにくかった。一方、第７図ｆｂｌの
プッシュプルインバータは、スイッチング素子８あるい
はスイッチング素子９に遮断時の型片釘型を小さくでき
るという釉徴があるか、このスイッチング素子８．９σ
）ス・ｆツチング時の電圧の立ち−１がり守ちＦがり波
形が恐峻になるので、スイッチング損失が増大（５、ス
イッチングｔｌ”−８，９の冷却部品が人きくなり１．
また、輻射ノイズが発生し、デし・ビなとの電子機器に
悪影響を及ぼｊ恐れがあるとい・）課題かあ一ンた。 本発明はこのよ−）な課題を解決くるものτ、スイッチ
ング素子やダイオードの導通、遮断時に発生する尚周波
の輻射雑右を低減し、てテレビなとの電子機器に、」）
える雑音妨害をなくするごとを第１゜の目的εする。 第２の目的は、スイッチング素子を電１１１壊あるい！
、ｔ　Ｓ　ＯＡ定格オーバーによる破壊を生じないよう
にするものである。 第３の［Ｊ的は、スイッチング素子を電ｊト破壊あるい
はＳＯＡ定格オーバーによる破壊を生じないよ・）にす
るとともに、スイッチング素子やダイオードの連通、遮
断時に発生ずる高周波の輻射雑音を低減し°Ｃテｌ／ビ
などの電子機器にｂえる雑音妨害をｔ＜ｉることをＩＪ
的とする。 課題を解決するための１段 上記第１の１−］的を達成するために本発明の第１の手
段は、直流電源と、第１、のダイオードを逆並列に接続
した第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並
列に接続した第２のスイッチング素子を前記直流Ｎ源に
直列接続した回路と、前言己第１−のスｄツチ〉・グ素
子あるいは前記第２のスイッチング素子に並列に接続し
た誘導加熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と
、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチン
グ素子の直列回路に並列に接続したフィルタコンデンサ
を備え、前記フィルタコンデンサと前記第１のスイッチ
ング素子と前記第２のダイオードで構成される閉回路、
あるいは前記フィルタコンデンサと前記第２のスイッチ
ング素子と前記第１のダイオードで構成される閉回路に
可飽和リアクトルを配設したものである。 また第２の劇的を達成するために本発明の第２の手段は
、直流電源色、第１のダイオードを逆並列に接続した揶
１のスイッチング素イε単２のダイオードを逆並列に接
続した第２のスイッチング素子を前記直流電源に直列接
続した回路と、前記第１のスイッチング素子あるいは前
記第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加熱コ
イルト共振」ンデンザからなる負荷回路と、前記第１の
スイッチング素子ε第２のスイッチング素子の直列回路
に並列に接続したフィルタコンデンサを備え、前記フィ
ルタコンデンサは、複数のコンデンサが並列接続されて
むり、前記フィルタコンデンサの少なくとも一つは前記
第１あるいは第２のダイオードの近傍に配設したもので
ある。 また第３の目的を達成するために本発明の第３の手段は
、直流電源と、第１のダイオードが逆並列に接続された
第１のスイッチング素子と、第２のダイオードが逆並列
に接続された第２のスイッチング素子と、前記第１のス
イッチング素子あるいは第２のスイッチング素子に並列
に接続した誘導加熱コイルと共振コンデンサからなる負
荷回路と、前記第１のスイッチング素子と染２のスイ・
ソチング素子の直列回路に並列に接続したフィルタコン
デンサを備え、前記フィルタコンデンサは、？ｊＩ　数
のコンデンサが並列接続されてなり、前記フィルタコン
デンサの少なくともひとつは前記第１あるいは第２のダ
イオードの近傍に配設するとともにこの第１あるいは第
２のダｄオーＶ近傍に設けられたフィルタコンデンサと
他のフィルタコンデンサとの間に可飽和リアクトルを配
設したものである。 きらに第３のＦ］的を達成するための本発明の第４の手
段は、直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続１
３た第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並
列に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源間
に直列接続した回路と、前記第１のスイッチング素子あ
るいは第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加
熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記第
１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子の直列
回路に並列に接続し５たフィルタコンデンづと、前記第
１のスイッチング素子および前記第１のダイオードを冷
却する第１の冷却フィンと前記第２のスイッチング素子
および前記第２のダイオードを冷却する第２の冷却フィ
ンを備え、前記第１または第２の冷却フィンの近傍で、
前期フィルタコンデンサと前記第１または＠２のスイッ
チング素子と前記第］または第２のダイオードを接続す
るプリント配線板を配設する構成色したものである。 作用 本発明の誘導加熱調理器は、上記第１の手段の構成４Ｊ
より、訂流電源と、単１のダイオ−・・ドを逆並列に接
続した第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆
並列に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源
に直列接続した回路と、前記第１のスイッチング素ｆあ
るいは第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加
熱コ・ｆルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記
第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子の直
列回路に並列に接続したフィルタコンデンサからなるプ
ツシ。クブルインバータにおいて、前記第２のダイオー
ドに順方向に電流が流れている時に前記第］７のスイッ
チング素子が導通する場合、第１のスイッチング素子に
電流が流れ、第２のダイオード電流は急減する。ダイオ
ード電流が零になってもダイオードには、蓄積電荷があ
るために逆回復電流が流れ、この逆回復電流は、前記フ
ィルタコンデンサと単１のスイッチング素・子たこの単
２のダイオードで構成される閉回路に急峻な電流変化と
なりで流れるので、前述の閉回路の配線などにより形成
きれるインピーダンスによって高い周波数スペクトルを
含むスパイク電汁が生じるが、ｊＩＪ飽和リアクトルが
前記フィルタコンデン勺ε第１のスイッチング素子り前
記第２σ）ダイオードで構成される閉回路に設けられて
いるので、そのインダクタンスと抵抗成分にＪ′２す２
０メガヘルツ以上の高調波威力が減衰あるいは除去され
、商用テレビ放送費信器等へ輻射訪客雑音を与えたりす
ることを防止できるものである。前翫ミ第１のダイオー
ドに順方向に電流が流れている時に、第２のスイッチン
グ素子が導通Ｅ１、第１のダイオード電流か急減づる場
合においても同様にｉｉＪ飽和リアす（・ルが前記フィ
ルタコンデンサと第２のスイッチング素子と第１のダイ
オードで構成される閉回路にｌｊＪ飽和リアクトルが配
設されているので、第１のダイ諸−ドの逆回復電流がこ
０閉−」路に流れＣも高調波成分の多く含まれるスパイ
ク電ｊ土のを生を防止できるものである。また可飽和リ
アクトルは、電流趙が増加１れば磁気飽和特＋！１を示
し、インダクタンス成分がほぼ零たなるので、インバー
タの動作にはほとんど影響をりえることがない。 また本発明の第２の一手段の構成により、直流、電源と
、第１のダイオードを逆並列に接続した第１のスイッチ
ング素子と第２のダイオードを逆並列に接続１、た第２
のスイッチング素子を前記直流電源に直列接続した回路
と、前記第１のスイッチング素子あるいは第２のスイッ
チング素子に並９１＋　１：接続した誘導加熱コイルと
共振コンデンサからなる負荷回路と、前記第１のスイッ
チング素子と第２のスイッチングＸ−ｒ−の直列回路に
並列に接続し。 たフィルタコンデンサからなるブッンユブルインバータ
において、第１のスイッチング素Ｆ　Ｌ：　［ｍが流れ
ていると各節１のスイッチング素子−が（１）　Ｆ　Ｆ
するとこの素子の電流は急減し、これに対応り、　’Ｃ
第２のダイオードに急峻な立ち上がりの電流か流れる。 また、第２のダイオードに順方向に電流が流れている時
に、第１のスイッチング素子が導通ずる場合、第１のス
イッチングＸ子に電流が流れ、第２のダイオードに逆方
向に電比が印加しダイオード電流は急減し、第２のダイ
オード電流が者になっても蓄積電荷があるために逆回復
電流が流れる。このようなスイッチング素子のＯＮ、Ｏ
Ｆｌ”に伴って生起する過渡電流は、前記フィルタコン
デンサと第１のスイッチング素子とこの第２のダイオー
ドで構成される閉回路に急峻な電流変化となって流れる
が、前記フィルタコンデンづは、複数のコンデンサが並
列接続されてなり、このコンデンサの少なくとも一つは
第】のスイッチング素子あるいは第２のダイオードの近
傍に配設さ机ているので第１のフィルタコンデンサと第
２のダイオードとこのｉ！ｉ接したフィルタコンデンサ
で構成される閉回路の配線がきわめて短くなり、配線の
インピー・ダンスも小となるのＣ第２のダイオードの逆
回復電流はこのフンｆ／→ノ奢バイパスして流れ、急峻
な時間的変化を星する過渡電流と配線のインピーダンス
に起因して生起するスパイク電仕値か小さくなる４、ま
た、この第１のスイッチング素子あるいは第２のダイオ
ード近傍のフィルタコンデンサは、短期間の過渡電流を
バイパスする程度のものでよく、容皿値も小さいものと
できるため形状を小さくでき、ダイオード近傍への実装
も容易である。一方、前記第２のスイッチング素子に電
流が流れている時にこの素ｆがＯＦ　ＦＬ、第１のダイ
オードに急峻な立ち、にがりの電流が流れる場合、ある
いは前記第１のダイオードに順方向に電流が流れている
時に前記第２のスイッチング素子が導通し、第１のダイ
オード電流が急減する場合においても同様にフィルタコ
ンデンサが複数あり、このフィルタコンデンサの少なく
とも一つが、第２のスイッチング素子あるいは第１のダ
イオードの近傍に配置されでいるので、スイッチング素
子のＯＮ、ＯＦ　Ｆに伴う急激な時間的変化を°Ｉする
過渡電流によるスパイク尾片の値を抑制できる。また、
前記ス・イツチング素子あるいはダ・イオー　ド近傍の
フィルタコンデンサ以Ａのフィルタコンデンサには、共
振コンデンサと加熱コイルによる大きな実効値の共振電
流が流れるので形状も大きく０己発熱も大きくなるが、
スイ・ソザング素子σ）ＯＮ、ＯＦＦに伴う急峻な過渡
電流がスイッチング素子あるいはダイオードの近傍に設
けられたフィルダｊンデンづをバイパスするためそれほ
ど急峻な電流が流れず配線の影響によるスノくイク尾片
を発生さ七ないため、前記第１あるいは第２のダイオー
ドから離れた冷却条件のよい場所に配設するこたができ
るものである。 また、本発明の第３の１段の構成により、直流電源と１
、グイオー〆を逆並列に接続した第１−のスイッチング
素子と第２のダイオードを逆１１１（列に接続した第２
山ス・イツチング素子を前記直流電源に直列接続した回
路と、前記第１のスイッチング累：ｒあるいは第２のス
イッチング素子に並列に接続した誘導加熱コイルと共振
１ンデンザからなる負荷回路と、前記第１のスイッチン
グＸ丁−とｆｆ１２のスイッチング素子の直列［０１路
に４１！列に接続（またフィルタコンデンサからなるプ
ッシュプルインバータにおい゛Ｃ１前記フィルタコンデ
ン勺は、複数のコンデンサが並列接続されてなり、この
”」ンデンサの少なくとら一つは第１のスイッチング素
子あるいは第２のダイオードの近傍に配設されＣいるの
で、この近傍のフィルタコンデンサと第１のスイッチン
グ素子と第２のダイオードとで描威される閉回路の配線
がきわめて短くなり、配線のインピーダンスも小りなる
ので前記第１あるいは第２のスイッチング素子のＯＮ、
ＯＦＦに伴・）急峻な時間的変化をする過渡電流は、こ
のフィルタコンデンサをバイパスして流れ、この電流り
配線０インダクタンスに起因して生起する第１あるいは
第２のスイッチング素子や第１あるいは第２のグ１４−
ドに印加するスパイクｉｉ１モ値が小さくなる。さらに
、このフィルタコンデンサと他のフィルタコンデンサと
の間に可飽和リアクトルを配設しているので、高周波の
共振を起こしテレビ周波数帯域の輻射雑音の原因となる
第１あるいは第２のダイオードを流れる逆回復電流が、
配線の長い他のフィルタコンデンサに分流することを防
止できる。したがって、スイッチング素子とグイメート
とこの近傍のフィルタコンデンサで構１戊される全長の
短い閉回路に、ダイオードの逆回復電流が流れるだけで
あるので、逆回復電流の流れる閉回路の開１１面積が小
さくなり雑音レベルが低−トするとともに、雑音低減手
段が容易になる。たとえば電磁シールドの必要な場合、
この閉回路の構成部品の周囲に限定してシールドすれば
よく、シールド範囲が減少するとともに、可飽和リアク
１ルをこの閉回路に挿入しても他のフィルタコンデンサ
の回路ループに逆回復電流が漏洩することを防止できる
。また、前記スイッチング素子やダイオード近傍のフィ
ルタコンデンサ以外のフィルタコンデンサには、共振コ
ンデンサと加熱コイルの実行値の大なる共振電流が流れ
るので、形状も大きく自己発熱も大きくなるが、スイッ
チング素子あるいはダイオード近傍のフィルタコンデン
サにスイッチング素子のＯＮ、ＯＦＦに伴う急峻な過渡
電ｌ！ｌｆ、　ｆ）＜バイパスするため、それほど急峻
な電流が流れ４゛配線の影響を受けないため前記第１あ
るいは第２のダイオードから離れた冷却条件のよい場所
に配設することができＺ〉ものである。なお、可飽和リ
アクトルは、電流饋が大きくなれば磁気飽和ｕｎンダク
タンスがほとんどなくなるのでこの７Ｊｔｌコイルｌ共
振°コンデンサの共振電流にはほとんと影響を与えない
。 また本発明の第４の手段の構成により、直流電源と、第
１のダイオードを逆並列に接続した第１のスイッチング
素子と第２のダイオードを逆並列に接続した第２のスイ
ッチング素子を前記直流電源に直列接続した回路と、前
記第１のスイ・ソチング素子あるいは第２のスイッチン
グ素子に並列に接続した誘導加熱コイル共振コンデンサ
からなる負荷回路ε、前記第１のスイッチング素子と第
２のスイッチング素子の直列回路に並列に接続したフィ
ルタつンデンザと前記第１のスイッチング素子および前
記第１．のダイオードを冷却する第１の冷却フィンと前
記第２のスイ・・ノチング素子および前記第２のダイオ
ードを冷却４る第２の冷却フィンを具備［，５たプツシ
、プルインバータの実装におし璽こ、前記第１または第
２の冷却フィンの近傍で、前糸ニフィルタコンデンサと
前記第１または第２のスイッチング素子た前記第１また
は第２のダイオードを接続するプリント配線板を配設り
、　’ｒいるので前記フィルタコンデンサと第１のスイ
・ソザング素子と第２のダイオードとで構成される閉回
路の配線、あるい（Ｊ前記フィルタコンデンサと第２の
スイッチング累了ε第１７のダイオードとで構成される
閉回路の配線がきわめて短くなり、幾何学的形状が固定
化され、配線のインダクタンスが小となる表ともに変動
しなくなるので、前記第１あるいは第２のスイッチング
素子のＯＮ、ＯＦＦに伴う急峻な時間的変化をする過渡
電流が前記閉回路に流れても、この電流と配線のインダ
クタンスに起因して生起Δ−る第１あるいは第２のスイ
ッチング素子や第１あるいは第２のダイオードに印加づ
るスパイク電圧値が小さく安定化し５、ｍ　ｉｆ　ｉＪ
星を越えるスパイク電ＦＥ印加によるこれらのスイッチ
ング素ｆ−の破壊を防」１ごきるものである。１実施例 以−１・、本発明の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。 本発明の第１の実施例を示４゛第１図において、１５は
２右プツシユプルインバータ（以後単にインバータと呼
ぶ）であり、商用電源１４の周波数を約２５　ｋ　Ｈｚ
の一定周波数の高周波電流に変換し、加熱コイル２１に
供給する。インバータ１，５は商用電源１４を整流器１
６で整流し、フィルタコイル１７とフィルタコンデンサ
１８で高周波部と低周波電源部を電気的に分離し°Ｃい
る。このフィルタコンデンサ１８の近傍にリング状のフ
エラ・イトコアなどの磁性体で構成された一ｉ’ｉＪ飽
和リアクトル１９をフィルタコンデン→Ｊ１８σ）リー
　ド線が貫通している。高周波部は、ダイオ−・ド２４
とダイオード２５が２石のＩＧＢＴ　（絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタ）２２．２３にそれぞｔ′１逆並
列１ｍ　接ａ　サｔ１．、：ノＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　２２．
２３　ＬＬｉＬ’ｊ［ｔｔ［海部に直列に接続されてお
り、この２石のＩＧＢＴの接続点と共振コンデンサ２０
との間に加熱コイル２１か接続されている。カレントト
ランス２７は加熱コイル２１の電流を検知し、カレント
トランス２８は入力電流を検知するためのものであり、
制御回路２６はＩＧＢＴ２２．２３を交Ｈに導通し２、
繰り返し周波数が一定となるように、それぞれの導通比
を設定する。インバータの出力制御は、制御回路２６が
カレントトランス２７．２８の検知出力が所定値以１・
となるよ）にＩＧＢＴ２２２３の導通比を変えるこＬに
よりおこなう。 次に、本実施例における作用を説明イる。 第１図のインバー−夕１５を動作さゼたとき、負荷鍋ε
加熱コイル２１の合成インピーダンスと共振コンデンサ
２０との共振が持続するようにＩＧＢＴ２２．２３が支
柱に導通ずる。また、１ＧＢＴ２２゜２３のＯＮ　　Ｏ
ＦＦ動作の繰り返し周波数（発振周波数）が一定となる
ようになっており、この発振周波数と上記負荷鍋と加熱
コイル２１の合成インピーダンスと共振コンデン”）２
０．！：の共振周波数を近づけるほど整合がとれ、出力
電力を大きくするこεが可能となる。誘導加熱調理器に
使用さ才する鍋に１」共振約波数の高くなる非磁性ＳＵ
Ｓ鍋、共振周波数の低くなる磁性ＳＵＳ鍋あるいは小物
負荷、中程度の共振周波数になるポーロー鍋なと瓜い範
囲にわたるので、もつともよく使用され共振周波数が中
程度のボーロー鍋での共振周波数か発振周波数に近くな
るように加熱コイル２１−と！”：　振コンｆン−９２
０のインピーダンスおよび発振周波数を設定してＬする
。 第２図はｍ１図のインバータ１．５の加熱コ揮ル２１角
傍にホーロー鍋を置いたＬき、高周波部の電流の流れを
承り動作説明図であり、第３図は各部品を流れる電流波
形と１　（’、Ｅ　Ｂ　丁２３のコ１／クタ１ミッタ間
に印加づる電１１−波形（以後単にｌ　Ｇ　Ｂ　Ｔ２３
の印加型１１ニと呼ぶ）である。 第２図において、ＡからＩ）の順に電流の流れが変化°
４る。ＩＧＢＴ２３が導通し第３図（１））のＡで力、
寸共振：フンデンザ２０と加熱コイＪＬｚ２］の共振電
流か第２図のＡのループに流れる。第３図の時点ｔ２で
Ｉ　Ｃ＋３　Ｔ　２３が０１”　ＦＬ、、Ｉ　Ｇ　Ｂ　
Ｔ　２３のコ１ノクタ電流（以後単に電流と呼ぶ）は急
減し、加熱コイル２１に誘起される電■によりＩ　Ｇ　
１３　Ｔ２３の印加型Ｈ″は急上昇−４るが、グイＡ〜
ド２４と直流電源に並り１■Ｊ接続されｌ：フィルウニ
１ンデンザがあるため、直流電源尾片伯にクリップされ
る。この時、第３図のＢで示す電流が第２図θ）■の回
路ル・−ブ番、：流れる。第３図ａ）時点１．＆：おい
て、ダ・イメ　ド２４に流れる集振電流が零になり、逆
ｊｉ向に流れようとするが、Ｉ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　２２がま
だ導通し°Ｃいないため、共振電流は第２図の（゛で示
ずＥ１８１路ルーグ番ご流れ、ダイオード２５に７第３
図のＣで示４電流が流れ、同図（（′）でｌｊ、’！ｌ
””よ・）に、ｆＧＢＴ２３ｃｆ１１加電ｎ″は低１・
する。ＩＧＢＴ２２か時点１３　Ｃ導通しでいないのは
ｌＧ１３Ｔ２２２３が同時導通４るのを防ＩＬ′＃るた
めに、時点ｊ、から時点ｔ４まごＱ）時間を導通禁止期
間、！：　ｔ、、、、’で設定し℃いるためである。時
点ｔ４でＩ　（Ｅ　Ｂ　Ｔ２２か導通

【７、第３図（Ｃ
）で、ｊ入すようにダイ１−ド２５のカン−ドの型持が
上昇づる（　Ｉ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　２３の印加電圧も同時に
ｉ、！＝？。する）ため、グイＡ〜１゛電流は急減し、
Ｎ　Ｇ　＋３　Ｔ　２２　ｉ：ｉｔ第３図ｆａ１０ｆ）
テｉ？共振電流が第２図のＩ）の閉−１銘ループに流れ
る。このｊ（振電流は時点ｔ！２で零にｔよりダイト〜
ド２４１ご流れ始め、第３図（ａ）のＥで示゛４電流が
第２図の１・：の閉回路ルーフ１：流れ、時点し）でＮ
　Ｇ　＋３　Ｔ　２３が、導通（前記の動作を繰り沢４
“０以１−の説明でわかるよ）ｉ、、″、Ｉ　Ｇ　ｕａ
　Ｔ　２３の印加型ｌ−１は時点ｔ；・４、ｊよび時点
ｔ４で急峻な尾片の３″Ｉちトがりを示Ｉ、！Ｊ　７−
１’　ングを伴・）。この理由はＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　２３
　ノＯＦ　Ｆ時の急激な電流変化たダイオード２４σ）
導通開始＆ニーＪ、る急激な電流、変化が時点ｔ２で生
起］、５、このり１′Ａ−ド２４の電流は同時ｊ、こ゛
フィルタ“′」ンｉ−゛ンサ４８ｊ、“８も流れるため
、時点ｔ２＃ニーおいｃ１フィルタ“１゛／デンザＩ　
Ｂ　、！：　Ｉ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　２３　（’−ダイオード
２４で構成される閉回路に急激な電流変化が！１、（７
、こめ急激な電流波形に３まれる高周波成分がエネルギ
ー源となり前記閉回路ループの配線や素ｊ′−の・イン
ピーダンスと共振を起こし高周波のスペクトルを含む亀
月二電流波形を発生するからである。同様に、時点ｔ、
においζもフィルタ１ンデンｇ１８どダイオード２５ε
ＩＧＢＴ２２で構成される閉回路に急激な電流変化が生
じ、ダイオード２５、ずなオ）ちＩＧＢＴ２３の印加重
任はこの時急峻な立ちＬがりＬリンギングを件う。また
時点ｔ、においては、ダイオード２５に逆同復電流が流
れるため、この逆回復電流の急峻な電流変化により、上
記ＩＧＢＴ２３に印加するスパイク電「や配線のインピ
ーダンスによるリンギング電圧や電流波形に含まれる高
周波成分の量が増大１−１輻射雑音が大きくなる。 一方、第１図の実施例においては、フィルタコンデンサ
１８に直列にフェライトなどの磁性体からなるリング状
の可飽和リアクトル１９が設けられているためこの可飽
和リアクトル１９のインダクタンス成分と損失により、
急激な電流変化の生じるフィルタコ〉・デンザ１８とＩ
ＧＢＴ２３とダイオ・−ド２４から構成される閉回路あ
るいは、フィルタ１ンデン→１８とダイオ−＝ド］５と
Ｉ　Ｇ　Ｆ３　Ｔ２２で構成される閉回路の低電流時の
共振周波数を低−↑（７、共もの鋭さＱを下げることが
できるので、前記のＩＧＢＴ２３の貢ち＋がり時に生じ
る急峻ｔｉ電１１℃波形、さらにはり゛イオーＦ　２５
のリカバリ電流に起因する前記閉回路に誘起されるリン
キ゛ング奄Ｈ−あるいは共振型ｍ波形から約１０　Ｍ　
ｆｉｚｙ上のρ１周周波性を除夫あるいは低減でき、輻
射雑ｔ１を供、減することができる。また可飽和リアク
トルは、電流が大になればインダクタンスが零となり、
加熱コイル２１−と共振コンデンリ２０による共振条／
ｉ　Ｉ：はとんど影ｇ　１−うえないので、これらのイ
ンバータの設計と切り１ｌｌｔｌ、て設削検討できると
いう長所がある。また、第１の実施例では可飽和リアク
トル１９をフィルタ１ンデン→）１８近傍に設けたが前
記閉回路内であればどこでもよく可飽和リアクトルに配
線を貫通するだけで、実装がきわめ゛Ｃ容易である。 第４図は、第２の実施例で、共振コンデンサ２０ａ、２
０ｂが直列に接続され、この直列体がフィルタコンデン
サ１８に並列に接続され、加熱二】イル２］が共転コン
デンサ２０ａ、２０ｈの接続点とＩＧＢＴ２２，２３の
接続点の間に接続されている。このｄンバータ動作は第
１図のインバータとほとんど同じであるが、第１図に比
較して共振コンデン→ノが分割され個々の電流容量が半
分になるので、共振コンデンサの発熱を抑制できるとい
う特徴がある。この場合も、スイッチング素子２２のコ
レクタとフィルタコンデン＋ｌ−１８の間に可飽和リア
クトル１９を設ければ輻射雑音の低減効果を得ることが
できる。 第５図は第３の実施例で、第４図のフィルタコンデン→
Ｊ］８（容量約１０ｕＦ）がひとつであるのに対し、て
、ふた一つのフィルタコンデン−＋＋　１８　ａ（１０
ｕ　Ｆ）とフィルタコンデンサ１８ｂ（０，３ｕＦ）を
設け、フィルタコンデンサ］、　８　ｂをＩＧＢＴ２２
．２３とダイオード２４．２５の近傍にくるように接続
し７、また抵抗２９とコンデン４Ｊ３０および抵抗３１
とコンデンサ３２からなるスナバ回路ヲＩ　Ｇ　Ｂ　”
ｆ　２２　、　２３の両端１Ｊそれぞれ接続している。 さらに、フィルタコンデンサ１８　ｔ：＋と直列にｉｉ
Ｔ飽和リアクトル１９））が設けられ、共振１ンデンサ
２ＯａとＩＧＢＴ２２の間に可飽和リアクトル１．９　
ａが設けられている。前述のように第４図のインバータ
では、第３図（Ｃ１に示すように、時点ｔ２と時点ｔ、
においてフィルタコンデンサ１８とＩＧＢＴ２３とダイ
メート２４から構成される閉回路あるいは、フィルタコ
ンデン→＋１．８とダイ４−ド２５εＩＧＢＴ２２で構
成される閉回路ダイオード２５に立ち」二がり立ち下が
り波形の急峻な電流が流れ、前記閉回路の配線あるいは
素子のインダクタンスによりスパイク電圧が／−ｔじる
。このスパイク電圧は、素子を破壊する恐れがあるので
、この電圧を抑制するために、第５図では前記スナバ回
路が設けられている。このスパイク電■・値の低減量と
スナバ抵抗の電流および損失値は比例し、スパイク電圧
が大きくなれば、スナバ抵抗の損失は増え形状も大きく
なり、損失ｊコ応した冷却も必要になるので実装が困難
になる。しかｌ〜、第５図においては小容量のフィルタ
コンデンサ１８ｂが大容量のフィルタコンデン４１８　
ａと分離され、１ＧＥＴ２２とダイオード２５の近傍に
設けられているので第３図（Ｃ）の時点ｔ　および時点
ｔ　における急峻な電流はＩＧＢＴあるいはダイオード
から離れた場所に配置され素子に接続される配線が長く
、素子の形状が大であるフィルタコンデンサ１８ａのル
ープを流れず、形状の小さな配線のインダクタンスも小
であるフィルタコンデンサ１８１）とＩＧＢＴとダイオ
ードでＩＭａされる閉回路を流れる。フィルタコンデン
サ１８Ｆ〕は、時点ｔ２および時点Ｌ４における過渡電
流を流す程度の容盟饋を有しておればよく、１′、記の
ようにフィルタコニ・・デンジ］８の１！１０程度の容
量でよいので形状も小さくでき、配線の長さも短くでき
るので、前記過渡電流の流れる閉回路の長さを非常に短
（できる。したがって、過渡電流によるスパイク電圧の
値を小さくできる。スパイク［庄抑制のためにスナバ回
路を設ける必要があったとしＣも、スナバ抵抗に流す電
流を小さくでき損失も小さく、形状ら小さく実装が容易
になる。 なお、加熱コイル２１と共振コンデンサ２０ａ。 ２０１〕の共振電流の大部分はフィルタコンデンサ１８
ａを流れ発熱も大きく形状も大きくなるが、フィルタコ
ンデン→Ｊ１８ａには前記過渡電流が流れなくなるので
、スパイク電圧の発生を懸念することなく、この素子に
接続する配線を長くして冷却のよい装着のし易い場所に
配置することができ、フィルタコンデンサ１８ａの実装
が容易となる。 なお第５図では、可飽和リアクトル１９１）がフィルタ
コンデン→Ｕ−１，８ｂに直列に設けられ、ＩＧＢＴ２
３のＯＦＦ時の過渡電流あるいはダイオード２５の逆回
復電流とフィルタコンデンサ］、、　８　ｂと配線のイ
ンピーダンスと浮遊容量による小電流領域の篩周波の共
振による輻射雑音を低減でき、さらに可飽和り°γクト
ル１９ａがＩＧＢＴ２２やダイオード２４とフィルタコ
ンデンサ１８ａの間に接続されているので、前記過渡電
流の小電流領域の高周波成分は、この可飽和リアクトル
２９のインピーダンスにより阻止されるため、これがフ
ィルタコンデンサ１８ａに分流シ、フィルタコンデンサ
１．８　ａを含む閉回路の配線のインピーダンスにより
高周波の共振を起こし輻射ノイズを出す恐れがない。 第６図は、第５図の回路図に基づいて実装したインバー
タモジュールの一実施例を示す。基台３３の前方にＩＧ
ＢＴ２２とダイオード２４を冷却するヒートシンク３４
が下方からビス３５で取り伺けられ、これと並んでＩＧ
ＢＴ２３とダイオード２５を冷却するヒートシンク３６
が同様に基台に取り付けられている。この後方にプリン
ト基板３７がビス３８で基台に取り付けられ、プリント
基板３７の上方にプリント基板３９が基台の支柱にビス
４０で止められている。ビス４０を締めると基台の支柱
を取り巻く樹脂の管４１がプリント基板３７を基台３３
に押さえつけプリント基板３７の固定を補強するように
なっている。プリント基板３７には、整流器１６．フィ
ルタコイル１７．フィルタコンデンザｉ、８ａ、共振コ
ンデンサ２０　ａ、　。 ２０ｂなどそれに流れる電流値が大きく冷却が必妾で形
状の大きな部品が載置されている。プリント基板３９に
は、マイコンや小容量の抵抗やコンデンサなどのインバ
ータの制御部品が載置キれている。冷却フィン３４．３
６のＬ方には、プリント基板４２．４３が配設され、ス
ペーサを介してビス４４によりそれぞれのし−トシンク
に周定されている。プリント基板４２には、スナバコン
デンザ、スナバコンデンサ３０．　　フィルタコンデン
サ１８ｂ　　］１ＧＢＴ２２．　　ダイオード２４など
第５図破線式で示す回路部の部品が接続固定されＣおり
、プリント基板４３には、スナバコンデンサ４８、スナ
バ抵抗Ｊ９．ＩＧＢＴ２３、ダイオード２５など第５図
破線Ｂで示す回路部の部品が接続固定されている。第６
図リード線４５は第５図のｐで示す点で、同図回路部へ
と回路部Ｂを接続するもので、リード線４６は第５図の
Ｑで示す点で同図回路部Ａと回路部Ｒを接続するもので
ある。また、リード線４７．４８．４９は第５図のＲ８
，Ｔで示す接続線に対応するものであり、それぞれ一方
の端子をプリント基板３７に設けられた接続端子にビス
正、めされ、加熱コイル２１もプリント基板３７に同様
にビスにて固定されている。そして前記リード線４６．
４７はそれぞれリング状のフェライト製の可飽和リアク
Ｌル１９ｂ。 １．９ａを貫通している。 次に第６図の実施例の作用を説明する。ヒートシンク３
４．３６を基台の前方に直接ビスで固定するこεができ
、大きな形状のヒートシンクを取り付けることができる
ので、このヒートシンク近傍に冷却フィンを設ければ、
冷却効率を非常によくすることができる。したがって、
スイッチング時の電圧電流の立ち上がり立ち下がり波形
が急峻で、スイッチング損失の大きくなるプッシュプル
インバータのスイッチング素子であるＩＧＢＴ２２゜２
３の温度上昇による破壊を防止できる。また、近接して
並べられたヒートシンク３４．３６のに部において、フ
ィルタコイル１８ｂとｆＧＢＴ２２とダイオード２４．
！：を互いに短いパターン配線で接続できるプリント基
板４２と、ＩＧＢＴ２３とダイオード２５を短いパター
ン配線で接続できるプリント基板４３を設け、このプリ
ント基板４２４３を短いリード線４５．４６により接続
しているので、前述のスイッチング時に急峻な電流の流
れる閉回路であるＩＧＢＴ２３．　　ダイオード２４゜
フィルタコンデンサ１．８　ｂで構成される閉回路と、
ｉ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　２２　、　　ダイオード２５．フィル
タコンデンサ１８ｂで構成される閉回路の配線の長さを
非常に小さいものとすることができる。したがって、急
峻な電流とこの閉回路のインダクタンスに起因するスパ
イク電圧を小さくでき、このスパイク電圧を抑制するた
めのスナバコンデンカ３０３２の容ＩＩ値を小さくし、
スナバ抵抗２９．３１の損失を小さくすることができる
。また、前記急峻な電流の流れる閉回路をパターン化す
ることは、前記閉回路の形状を固定化することになるの
で、前記閉回路のインダクタンスが固定化し、配線の状
態でインダクタンスが変わり、スパイク電圧が変化する
恐れがなく、スナバ回路の設ａ１が容易になる。また、
スイッチング時の急峻な電流が流れないので、リード線
４７，４８．４９は図に示すよ・）に長くすることがで
き、加熱コイル２１と共振コンデン→Ｕ２０　ａ、２０
　ｈとの共振電流が流れ、発熱量の大きなまた形状も大
きい共振−７ンデン４−２０　ａ　、　　２０　ｂやノ
イルタコンデン！１．　Ｆｉ　ａを冷却条件のよいブリ
〉・ｌ・基板３７Ｌに配置Ｃきるとεもに、リード線４
７．４８，４９．！ニブリント基板３゛７吉の接続筒所
も作業のし易い場所１．１゛配設するこ占がで永る。な
お、第８図ではグリント基板４２と４３を別基択にしｆ
、が、−枚の基板ＣＩ、（もよい。 発明の効果 以７［゛実施例の説明より明らかなよ・）に、ネ発明に
よれば以十の効果を奏するものである。 （１）　　直流電源と、第１のグ・イλ・−１を逆並列
に接続した第１０スイーノチング累子と第２のダ・イオ
ー　ドを浄並列に接続した第２のλイッザ〉／グ素子を
前記直流電源間に直列接続した回路と、前記第１．のス
イッチング累」°−あるいは第２のスイッチング素子に
並列に接続した誘導加熱′：コイルと＝ｔｔ、振シンｌ
ンザからなる負荷回路た、前記第１のスイッチング素子
と第２０スイツチング素イの直列回路に・並列に接続ｔ
、５たフィルタ：１ンデンザを具備し、ζいる１７′）
で、安価な低電丹耐息のスイッチング素子を使用し、で
高出力とイることができ、前言己フィルタコンデンサと
前記第１０スイツチング素ｆと前記第２のダイオードで
構成される閉回路、あるいは前記プイルタｊンデソつと
前記第２σ、）スイッチング素子と前記第１のダイオー
ドＣ構成される閉回路ニ旬飽和リアクトルを配設【、２
ているσ）で、前記負荷回路の共振動作にほえんど影響
を４えることなく、前ｇｌ引’Ｊｊ　ｌ！’Ｊ　Ｂに流
れる過渡電流Ｃ）特１Ｊ急峻な電流変化をｖ、する低電
流領域における１０メガヘルツ以十の晶周波スベク計・
ル成分を低減でき、テレビなこの電子機器番Ｊ輻射雑音
による影響をｉ）スることのない高出力σ）誘導加熱ジ
イルを提供できる。 （２）直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続し
た第１のス・ｆツチング素’ｆε第２のダ・ｆＡ−ドを
逆並列に接続した第２のスイッチング素子を前記直２＆
電源間に直列接続した回路４Ｊ４、前記第１のスイッチ
ング素子あるいは第２のス・ｆツｆンク素子に並列に接
続した誘導加熱、コイルこ共振１ンデンサからなる負前
回路占、前記第１のス・イツチング素子と第２のスイッ
チング素子の直列回路に並列番、゛接続したフィルタ１
ンデン刃を具備し７ており、前記フィルタ」ンデ゛ンザ
は複数のコンデンサがＪｌｉ列接続され゛（なり、前記
フィルタ１ンデン刃の少なくとも一つは前記第１あるい
は第２のスイッチング素子、あるいは前記第１あるいは
第２のダイオードの近傍に配設する構成とし７たので、
前記第１あるい１４前記第２のスイッチング素子のＯＮ
、０ＦＦＩこ伴−）で発生し、スイッチング素子やダイ
オードに印加するスパイク電圧を抑制することができ、
安価な低電圧耐急のスイッチング素子を使用し７°Ｃ高
１毛力得ることができる。前記スイッチング素子あるい
はダイオード近傍のフィルタコンデンサは小容量のもの
でよく形状も小さくでき実装は容易であり、さらに負荷
の共振電流の天才が流れ形状の大きなまた発熱量の入白
くなる他のノイルタコンデンヅに急峻な過渡電流が流第
１なくなるのＣ１この４１ンデンザに接続−４る配線夕
長く（７てもスパイク電圧は発生０゛スゞ、配線の長３
＼を必貧ｉ１だけ長くし、て冷却条件や設置条件の良い
機器内部の場所にこのコンデンサを配置゛ｒきるので実
装が容易にな０自由度も増す。 ｆ３１　　Ｆ流電源と、第１のダイオードを逆並列に接
続した第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆
並列に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源
間に直列接続した回路と、ｍｊ記第１のスイッチング素
子あるいは第２のスイッチング素子に並列に接続した誘
導加熱ジイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前
記第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子の
直列回路に並列に接続した）、ｆルタコンデンづを具備
しており、前記フィルタコンデンサは複数のコンデンサ
が並列接続されてなり、前ｊ己フィルタコンデンづの少
なくとも−・つば前記第１あるいは第２のスイッチング
素子、あるいは前記第１あるいはｆｆ１２のダイオード
の近傍に配設する構成としたので、前記第１あるいは前
記第２のスイッチング素子のＯＮ、ＯＦＦ＆こ什−）で
発４．　Ｌスイッチング素子やダ・ｆオードに印加する
スパイクＩＥを抑制することができ、安価な低ＮＨ：耐
鳳のスイッチング素子を使用して高出力を得るこεがで
きる。前記スイッチング素ｒあるいはダイオード着傍の
フィルタコンデンザＩＪ小容量のものでよく、形状も小
きくでき、実装は容易であり、さらに負荷の共振電流の
大半が流れ、形状の大きな、また発Ｆｉ！１１１の大き
くなる他のフィルタコンデンサに急峻な過渡電流が流れ
なくなる０で、このコンデンサに接続する配線を長くに
でもスパイク電圧は発！４：＋ｉず、配線の長さを必要
なだけ長くして冷却条件や設Ｗ粂件の良い機器内部の場
所にこのコンデンサを配置できるので、実装が容易にな
り実装設計のｎ山度も増す。また、前記スイ・ソチング
素子あるいはダイオード近傍に接続されたフィルタコン
デンサと他のフィルタ：１ソデンザとの間ｉＪ’ｉｉＪ
飽和り！”りトルが配設きれでおり、入電流の流れる前
記負拘回路の共振動作にはとんと影響を与えることなく
、こ創らσ）フィルタつンアンサを低電流領域、高周波
゛領域ｉＸ、おいて分離できる。（７たが−）で、ダイ
オ・−ドの逆回復電流など低電流領域で急峻な電流変化
を星ず過渡電流の高周波成分がスイッチ”／グＸ−ｆと
ダ・イオードとこの点傍のフィルタコンデンサで構成き
れる開１１面積（配線で囲む面積）の小さな閉回路に流
れ、配線の長く開１１面積ｆ）大きくなる他のフィルタ
コンデンサに流れるのを防止できるので、高周波０輻射
雑音の発生源の範囲を狭くすることができ、輻射雑音レ
ベルを低減できるとともに、磁気遮蔽等の必要な範囲を
狭＜３Ｚ）ことかｉｉＪ能で、容易に周囲の電子機器へ
の雑音妨害を抑制できるものである。 （４）　直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続
した第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並
列に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源間
に直列接続した回路と、前記第１８のスイッチング素子
あるいは第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導
加熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記
第１のスイッチング素子と第１のスイッチング素子の直
列回路に並列に接続したフィルタコンデンサを真価して
いるので、安価な低電圧耐量のスイッチング素子を使用
して高出力とするごとができ、前記第１のスイッチング
素子および前記第１のダイオードを冷却する第１の冷却
フィンまたは前記第２のスイッチング素子および前記第
２のダイ１−ドを冷却する掲２の冷却フィンの近傍で、
前記フィルタコンデンサと前記第１または第２のスイッ
チング素子と前記第１または第２のダイオードを接続す
るプリント配線板を配設しているので、前記第１あるい
ＩＪ第２のスイッチング素子のＯＮ、ＯＦＦに伴）急峻
な晴間豹変化をする過渡電流が流れるルートが短く固定
化でき、第１あるいは第２のスイッチング素子や第１あ
るいは！１′１２のグイ１ドに印加４るスパイク電圧硝
が小さく安定化１７、電圧耐量を越えるスパイク電■゛
印加１４′よるこれらのスイッチング素子の破壊を防止
でき、配線の引き回しのバラツキによるスパイク電圧の
変動がなく、スナバ回路の設計も容易にすることができ
るものである。

【図面の簡単な説明】

第１−図１コ本発明の第１の実施例を４’＜ず誘導加熱
調理器の回路図、第２図は同動作説明図、第３図は同各
部の波形間、第４図は本発明の第２の実施例苓・小づ誘
導加熱調理器σ）回路図、第５図１．を本発明の第３の
実施例を示す誘導加熱調理器の回路図、第６図は同イン
バータモジＪ−ルの斜視図、第７図は従来の誘導加熱調
理器を示１回路図である。 １．８．１８ａ、１８ｂ・・・・・・フィルタコンデン
サ、１．９．１９ａ、１．．９ｈ・・・・・・再飽和り
γりトル、２０．２０ａ、２０ｂ・・・・・・共振コン
デンづ、２１・・・・・・誘導加熱：コイル、２２・・
・・・・第１のスイッチングｉ−１’、２３・・・・・
・第２のスイッチング素子、４・・・・・・第１のダイ
オ− ５・・・・・・第２のグイ オー　ド、３４・・・・・・第１の冷却フィン、３６・
・・・・・第２の冷却フィン、 ４２・・・・・・プリント配線板。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続し
   た第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並列
   に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源に直
   接接続した回路と、前記第１のスイッチング素子あるい
   は前記第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加
   熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記第
   １のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子の
   直列回路に並列に接続したフィルタコンデンサを備え、
   前記フィルタコンデンサと前記第１のスイッチング素子
   と前記第２のダイオードで構成される閉回路、あるいは
   前記フィルタコンデンサと前記第２のスイッチング素子
   と前記第１のダイオードで構成される閉回路に可飽和リ
   アクトルを配設する構成とした誘導加熱調理器。
2. （２）直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続し
   た第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並列
   に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源に直
   列接続した回路と、前記第１のスイッチング素子あるい
   は前記第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加
   熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記第
   １のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子の
   直列回路に並列に接続したフィルタコンデンサを備え、
   前記フィルタコンデンサは、複数のコンデンサが並列接
   続されてなり、前記フィルタコンデンサの少なくとも一
   つは前記第１および第２のスイッチング素子、前記第１
   および第２のダイオードのいずれかの素子の近傍に配設
   する構成とした誘導加熱調理器。
3. （３）直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続し
   た第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並列
   に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源に直
   列接続した回路と、前記第１のスイッチング素子あるい
   は前記第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加
   熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記第
   １のスイッチング素子と前記第１のスイッチング素子の
   直列回路に並列に接続したフィルタコンデンサを備え、
   前記フィルタコンデンサは、複数のコンデンサが並列接
   続されてなり、前記フィルタコンデンサの少なくとも一
   つは前記第１および第２のスイッチング素子、前記第１
   および第２のダイオードのいずれかの素子の近傍に配設
   するとともに、このフィルタコンデンサと他のフィルタ
   コンデンサとの間に可飽和リアクトルを配設する構成と
   した誘導加熱調理器。
4. （４）直流電源と、第１のダイオードを逆並列に接続し
   た第１のスイッチング素子と第２のダイオードを逆並列
   に接続した第２のスイッチング素子を前記直流電源に直
   列接続した回路と、前記第１のスイッチング素子あるい
   は前記第２のスイッチング素子に並列に接続した誘導加
   熱コイルと共振コンデンサからなる負荷回路と、前記第
   １のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子の
   直列回路に並列に接続したフィルタコンデンサと、前記
   第１のスイッチング素子および前記第１のダイオードを
   冷却する第１の冷却フィンと、前記第２のスイッチング
   素子および前記第２のダイオードを冷却する第２の冷却
   フィンを備え、前記第１または第２の冷却フィンの近傍
   で、前記フィルタコンデンサと前記第１または第２のス
   イッチング素子と前記第１または第２のダイオードを接
   続するプリント配線板を配設する構成とした誘導加熱調
   理器。