JPH03261784A - ビスイソキノリン類の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、エナミドまたはエナミンを出発原料とするビ
スイソキノリン類の製造方法に関するものである。ビス
イソキノリン類は、アルカロイドの出発原料として、ま
た染料、香料、医薬、農薬のなどの分野において広範囲
に使用されている物質である。

【従来の技術】

本発明のビスイソキノリン類は、一般にメコニンカルボ
ン酸のフェニルエチルアミドをオキシ塩化リンと共に１
００℃に加熱した後、さらに酢酸中亜鉛末で還元するこ
とにより合成されるが、工程が複雑で収率的に満足でき
るものでなく、その上廃棄物の処理の面からも好ましい
方法とはいえないものである。

【発明が解決しようとする課題】

本発明の目的は、ビスイソキノリンアルカロイド類を製
造するために有用な合成中間体となるビスイソキノリン
類を収率よく製造する方法を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

すなわち、本発明は一般式（１） 〔式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、低級アル
キル基、ハロゲンまたはアルコキシ基から選ばれる１種
の基を表し、Ｒ３は水素、アルキル基、アルコキシ基か
ら選ばれる少なくとも１種の基を表し、ｎは１または２
の整数を表す。〕で示されるエナミドを、溶媒中ラジカ
ル発生剤とトリーｎ−ブチルスタナンの存在下に反応さ
せることを特徴とする一般式（ｒｌ） 〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｎは前記に同じ〕で示され
るビスイソキノリン類の製造方法とさらに、−紋穴（Ｉ
）と同一骨格を有する一般式（ＩＩＩ） 〔式中、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ水素原子、低級アル
キル基、ハロゲンまたはアルコキシ基がら選ばれる１種
の基を表し、Ｒ６は水素、アルキル基、アルコキシ基か
ら選ばれる少なくとも１種の基を表し、ｎは１または２
の整数を表す。〕で示されるエナミンを、溶媒中ラジカ
ル発生剤とトリーｎ−ブチルスタナンの存在下に反応さ
せることを特徴とする一般式（ＩＶ） こ式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｎは前記に同じ〕で示され
るビスイソキノリン類の製造方法に関するものである。 本発明で合成されるビスイソキノリン類を具体的に例示
すれば、２，３−ジメトキシ−８−ケトビスイソキノリ
ン、２，３．１０．１１−テトラメトキシ−８−ケトビ
スイソキノリン、２．３−ジメトキシビスイソキノリン
、２．３．１０゜１１−テトラメトキシビスイソキノリ
ンなどが挙げられる。また本発明により、例えばベルベ
リン、コルダリン、コルンバミン、カナジン、パルロチ
ンなどのようなビスイソキノリンアルカロイド類が容易
に合成できる。 本発明の出発原料となる一般式（Ｉ）で示されるエナミ
ドは、１−メチル−３，４−ジヒドロイソキノリンに、
トリエチルアミンの存在下で２−ブロモ塩化ベンゾイル
を反応させることにより容易に製造することができる。 また−紋穴（ＩＩ［）で示されるエナミンは、フェニル
エチルアミノアセトアミド類のビシュラーーナピエラル
スキー反応を行った後、生じた塩をアンモニア水で遊離
することにより容易に得ることができる。 本発明で使用されるラジカル発生剤は、一般的に用いら
れるジアゾ化合物でよく、例えば、２．２°−アゾビス
イソブチロニトリル、１．１アゾビス〈シクロヘキサン
−１−カルボニトリル）、２，２°−アゾビス（２，４
−ジメチルバレロニトリル）および２．２″−アゾビス
（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）等
が挙げられる。なかでも、２，２゛−アゾビスイソブチ
ロニトリルが最も好ましい。ラジカル発生剤の使用量は
、エナミド、エナミンに対して２〜２０モル％の範囲が
好ましい。 本発明で使用されるトリーｎ−ブチルスタナンは、臭素
原子の引き抜きに有効な化合物であり、本発明ではエナ
ミド、エナミンに対し１〜４倍モル使用すれば、ラジカ
ル発生剤との共存下においてビスイソキノリンへの閉環
反応を温和な条件下で促進する作用を有する。 本発明で使用される溶媒としては、反応に不活性な溶媒
であれば特に限定されないが、トルエン、キシレン、ベ
ンゼンなどの芳香族系炭化水素類が好ましい溶媒である
。本発明方法の反応は、８０〜１４０℃に加熱攪拌する
ことにより容易に進行する。また、本発明の方法は窒素
やアルゴンなどの存在下において不活性雰囲気中で行う
ことが好ましい。酸素の存在下ではラジカルの吸収が起
こり、反応を充分に進めることが困難である。

【作用】

本発明の作用機構としては、まずラジカル発生剤とトリ
ーｎ−ブチルスタナンから形成されるトリーｎ−ブチル
スタニルラジカルが臭素原子の引き抜きを起こし、その
位置を活性化する。次に発生したラジカルがイミノ基の
炭素原子部分をほぼ選択的に攻撃することによってビス
イソキノリン環生成の閉環反応が進行し、形成されるｎ
−ラジカルとトリーｎ−ブチルスタナンから新たなトリ
ｎ−ブチルスタニルラジカルが生威し、連続的なプロセ
スで次々と反応が進行するものと推定される。

【実施例】

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。 実施例１ 攪拌機をつけた３００ｍ１の三ロフラスコに、６．７−
シメトキシー１−メチル−３，４−ジヒドロイソキノリ
ンと２−ブロモ塩化ベンゾイルより合成した６、７−シ
メトキシー２−（２−ブロモベンゾイル）−１−メチレ
ン−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン１゜９
４　ｇ　＜　５ｍｍｏｌ）とトリーｎ−ブチルスタナン
２．９０　ｇ　（１０ｍｍｏｌ〉とを入れ、これにトル
エン２００ｍ１．２２−アゾビスイソブチロニトリルｏ
、　ｏ　ｓ　ｇとを加え、攪拌しながらアルゴンガス雰
囲気下で２時間加熱還流した。室温に冷却後、析出物を
除き、濾液をシリカゲルカラムクロマトグラフで分離精
製して２．３−ジメトキシ−８−ケト−５，８゜１３．
１３ａ−テトラヒドロ−６Ｈ−ジベンゾ［ａ、ｇコキノ
リジン０．９３６　ｇを得た（収率６０．５％〉。 実施例２ 〈３．４−ジメトキシフェニルエチル〉（２ブロモ−４
，５−ジメトキシベンジル）アミンのアセトアマイドを
、ベンゼン中オキシ塩化リンと反応させて合成したエナ
ミンを出発原料として、実施例１に準じて閉環反応を行
い、２，３．１０．１１−テトラメトキシ−５，８，１
Ｂ、１３ａ−テトラヒドロ−６Ｈ−ジベンゾＥａ、ｇ］
キノリジン（キシロピニン）を３１．９％の収率で得た
。

【発明の効果】

本発明は、反応の全工程が極めて単純かつ温和な条件で
進行するため、従来合成が困難であったビスイソキノリ
ン類を高純度に得ることができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒ＿１およびＲ＿２はそれぞれ水素原子、低級
   アルキル基、ハロゲンまたはアルコキシ基から選ばれる
   １種の基を表し、Ｒ＿３は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基から選ばれる少なくとも１種の基を表し、ｎは１ま
   たは２の整数を表す。〕で示されるエナミドを、溶媒中
   ラジカル発生剤とトリ−ｎ−ブチルスタナンの存在下に
   反応させることを特徴とする一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、ｎは前記に同じ〕で
   示されるビスイソキノリン類の製造方法。
2. （２）一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中、Ｒ＿４およびＲ＿５はそれぞれ水素原子、低級
   アルキル基、ハロゲンまたはアルコキシ基から選ばれる
   １種の基を表し、Ｒ＿６は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基から選ばれる少なくとも１種の基を表し、ｎは１ま
   たは２の整数を表す。〕で示されるエナミンを、溶媒中
   ラジカル発生剤とトリ−ｎ−ブチルスタナンの存在下に
   反応させることを特徴とする一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６、ｎは前記に同じ〕で
   示されるビスイソキノリン類の製造方法。