JPH0325957A - Lsi多層膜構造最適設計支援方式 - Google Patents
Lsi多層膜構造最適設計支援方式Info
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- JPH0325957A JPH0325957A JP1159523A JP15952389A JPH0325957A JP H0325957 A JPH0325957 A JP H0325957A JP 1159523 A JP1159523 A JP 1159523A JP 15952389 A JP15952389 A JP 15952389A JP H0325957 A JPH0325957 A JP H0325957A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はLSI製造の多層膜形成工程に係り、特に、ア
ルミ配線の微細化、多層膜化に伴う層間絶縁膜のクラッ
ク発生抑止条件の決定に好適なLSI多層膜構造最適設
計支援技法に関する。
ルミ配線の微細化、多層膜化に伴う層間絶縁膜のクラッ
ク発生抑止条件の決定に好適なLSI多層膜構造最適設
計支援技法に関する。
従来、LSI製造のアルミ配線を中心とする多層膜形戊
工程については、電子情報通信学会技術研究報告,R8
7−36,(1987年)において論じられているよう
に、アルミ配線自体のエレクトロマイグレーションおよ
びストレスマイグレーション現象による断線、あるいは
配線批抗変動に関する実験を主体とする信頼性#価が行
なわれていた.しかし、索子微細化に伴い顕在化したア
ルミ2M配線間のM間絶縁膜のクラック発生については
,未だこの問題が認識され始めたあるいは、発生メカニ
ズムの検討が行なわれ始めた状態であり、クラック発生
抑止条件の決定法については配慮されていなかった, 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は、素子微細化に伴い顕在化し始めてきた
アルミ配線部の均間1&’クラックの発生評価について
配慮がされておらず,素子の信頼性低−ドの要因である
クラックの発生限界内における多層膜構造の最適化を合
理的にできないという問題があった. 本発明のl」的は、従来まで/+lrE化していた層間
膜のクラック発生に対し、素子微3l11化によります
ます顕在化することを予想し、その発生メカニズムの解
明に基づき、このクラック発生の限界内にLSI多層膜
構造の最適化を支援することにある.〔課題を解決する
ための手段〕 上記目的を達成するために、熱応力起因による層間膜ク
ラックの発生を、クラックの進展しやすさの目安を与え
る破壊パラメータの算出モデルの構築によりシミュレー
ション予81リできるようにしたものである。
工程については、電子情報通信学会技術研究報告,R8
7−36,(1987年)において論じられているよう
に、アルミ配線自体のエレクトロマイグレーションおよ
びストレスマイグレーション現象による断線、あるいは
配線批抗変動に関する実験を主体とする信頼性#価が行
なわれていた.しかし、索子微細化に伴い顕在化したア
ルミ2M配線間のM間絶縁膜のクラック発生については
,未だこの問題が認識され始めたあるいは、発生メカニ
ズムの検討が行なわれ始めた状態であり、クラック発生
抑止条件の決定法については配慮されていなかった, 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は、素子微細化に伴い顕在化し始めてきた
アルミ配線部の均間1&’クラックの発生評価について
配慮がされておらず,素子の信頼性低−ドの要因である
クラックの発生限界内における多層膜構造の最適化を合
理的にできないという問題があった. 本発明のl」的は、従来まで/+lrE化していた層間
膜のクラック発生に対し、素子微3l11化によります
ます顕在化することを予想し、その発生メカニズムの解
明に基づき、このクラック発生の限界内にLSI多層膜
構造の最適化を支援することにある.〔課題を解決する
ための手段〕 上記目的を達成するために、熱応力起因による層間膜ク
ラックの発生を、クラックの進展しやすさの目安を与え
る破壊パラメータの算出モデルの構築によりシミュレー
ション予81リできるようにしたものである。
破壊パラメータは、多層1県構造中の潜在クラックを考
慮した熱弾性モデルを有限要素法により計算すれば求め
られる。この熱弾性モデルは、シリコン基板」二に、酸
化11% ,アルミ第1−層配線,屓間膜(1),層間
+J!a(2)というように、線j影帳係数,弾性定数
がそれぞれ異なる膜が順次形成された多M膜構造が、4
00〜500℃の熱処理を受けた時のクラック進展の駆
動力を破壊パラメータとして与えるものである。断面形
状,各膜物性の影響がこの破壊パラメータに反映してお
り、この挿が大きいほど、クラックが進展しやすい、つ
まり,層間膜が破壊しやすい.したがって、クラック発
生率を有する既実験データに対応する破壊パラメータを
求め、その発生限界値を推定しておけば、この値と,評
価対象膜構造に対し求められる破壊パラメータとの比較
から、耐クラック性がシミュレーション予測できる。
慮した熱弾性モデルを有限要素法により計算すれば求め
られる。この熱弾性モデルは、シリコン基板」二に、酸
化11% ,アルミ第1−層配線,屓間膜(1),層間
+J!a(2)というように、線j影帳係数,弾性定数
がそれぞれ異なる膜が順次形成された多M膜構造が、4
00〜500℃の熱処理を受けた時のクラック進展の駆
動力を破壊パラメータとして与えるものである。断面形
状,各膜物性の影響がこの破壊パラメータに反映してお
り、この挿が大きいほど、クラックが進展しやすい、つ
まり,層間膜が破壊しやすい.したがって、クラック発
生率を有する既実験データに対応する破壊パラメータを
求め、その発生限界値を推定しておけば、この値と,評
価対象膜構造に対し求められる破壊パラメータとの比較
から、耐クラック性がシミュレーション予測できる。
以下、本発明の一実施例を第1図から第10図により説
明する。
明する。
第王図は本発明の評価方式の全体図を示し、II’J構
造断面形状データの設定1,FEM (有限要素法)メ
ッシュデータ自動生或2,FEMによる応力計算3,破
壊評価パラメータの算出4,不確定膜物性値,限界破壊
評価パラメータの推定5,クラック発生予浦6から構成
される。
造断面形状データの設定1,FEM (有限要素法)メ
ッシュデータ自動生或2,FEMによる応力計算3,破
壊評価パラメータの算出4,不確定膜物性値,限界破壊
評価パラメータの推定5,クラック発生予浦6から構成
される。
第2図は本発明を計算機システム上に実現した場合の全
体構成を示し、LSI多層11κ構造の断向SEM写真
10,イメージリーダ1工,イメージプロセッサー12
,膜形状変化点座標データ13,計算モデルを格納した
汎用計算機14,各膜の物性4(<データファイル15
,計算結果格納ファイル15,計算結果の表示用グラフ
ィック端末16から構成される。
体構成を示し、LSI多層11κ構造の断向SEM写真
10,イメージリーダ1工,イメージプロセッサー12
,膜形状変化点座標データ13,計算モデルを格納した
汎用計算機14,各膜の物性4(<データファイル15
,計算結果格納ファイル15,計算結果の表示用グラフ
ィック端末16から構成される。
次にその動作を説明する.
LSI多層膜構造断面SEM写真10から直接、あるい
は、商精度化のために,イメージリーダ11,イメージ
プロセッサー12を通して得られる膜形状変化点座標デ
ータ13がF E Mメッシュデ〜タ自動生成部2に人
力され、対象膜構造断面全体に対する有限要素分割が行
われ、各膜の物性値データファイル15を人力して、l
’EM計算3が実行される。この応力,変位状態の計算
結果、及び応力拡大係数算の破壊Hl,価パラメータ計
算4の結果が計算結果格納ファイル16に保存され,適
宜,計算結果の表示用グラフィック端末17にその内容
が表示される. 次に,本発明の骨格部をなす熱弾性モデル、及び応力拡
大係数算出モデルについて説明する。
は、商精度化のために,イメージリーダ11,イメージ
プロセッサー12を通して得られる膜形状変化点座標デ
ータ13がF E Mメッシュデ〜タ自動生成部2に人
力され、対象膜構造断面全体に対する有限要素分割が行
われ、各膜の物性値データファイル15を人力して、l
’EM計算3が実行される。この応力,変位状態の計算
結果、及び応力拡大係数算の破壊Hl,価パラメータ計
算4の結果が計算結果格納ファイル16に保存され,適
宜,計算結果の表示用グラフィック端末17にその内容
が表示される. 次に,本発明の骨格部をなす熱弾性モデル、及び応力拡
大係数算出モデルについて説明する。
まず、ここで対象としているアルミ配線部の多層1漠断
而を第3図に示す。シリコン基盤100J二に順次、酸
化膜SiO21 10+アルミ第IJ7配線AI2(1
)120,層間膜p−Sio(プラズマ生成S i O
) 1 3 0, SOG (Spj.on on
Glass)plJ 1 4 0 , P S G (
Phospho−Silicate Glass)膜1
50,アルミ第2層配mA Q(2)160が熱処理,
エッチング処理等の処理を受けながら形成されていく.
今、ここではS O G 11% 1 4 0形成時の
熱処理に伴う2磨層間膜P − S i 0 1 3
0 /SOG140にクラック上70が発生する不良に
着目する.断而沖;直方向、つまり、配線長手方向には
断面寸法に比べ十分長いため、31L向ひずb状態が仮
定でき,三角形定ひずみ要素婢を用いたイf限要索法に
より、熱処理の温度上昇に伴う熱応力計算を行なう.弾
性限界内でモデル化すれば、この時の等価外力は各収1
の線膨張係数α,,ボアツソン比vlが異なることによ
り発生する熱ひずみ( M O) ” ( t OXX
+ εOyy+ E Oxl)”から与えられるー。
而を第3図に示す。シリコン基盤100J二に順次、酸
化膜SiO21 10+アルミ第IJ7配線AI2(1
)120,層間膜p−Sio(プラズマ生成S i O
) 1 3 0, SOG (Spj.on on
Glass)plJ 1 4 0 , P S G (
Phospho−Silicate Glass)膜1
50,アルミ第2層配mA Q(2)160が熱処理,
エッチング処理等の処理を受けながら形成されていく.
今、ここではS O G 11% 1 4 0形成時の
熱処理に伴う2磨層間膜P − S i 0 1 3
0 /SOG140にクラック上70が発生する不良に
着目する.断而沖;直方向、つまり、配線長手方向には
断面寸法に比べ十分長いため、31L向ひずb状態が仮
定でき,三角形定ひずみ要素婢を用いたイf限要索法に
より、熱処理の温度上昇に伴う熱応力計算を行なう.弾
性限界内でモデル化すれば、この時の等価外力は各収1
の線膨張係数α,,ボアツソン比vlが異なることによ
り発生する熱ひずみ( M O) ” ( t OXX
+ εOyy+ E Oxl)”から与えられるー。
・・・(1)
ここに、Δ゛I゛は温度差を表わす。
第4図にボすイf限要索分割に対し、各要素の剛性マト
リックスを合戊した全体剛性マトリックス[K]、及び
先の熱ひずみによる等価等点カベクトル(ト’>Eoか
ら、未知節点変位ベクトル{5}が次式を満足するよう
に決定される。
リックスを合戊した全体剛性マトリックス[K]、及び
先の熱ひずみによる等価等点カベクトル(ト’>Eoか
ら、未知節点変位ベクトル{5}が次式を満足するよう
に決定される。
c K ](a)=− (F)E。
・・・ (Z)
ここで、境μ条・件として、X方向向端[r11におけ
るX方向変(12,及びド+f+iにおけるy方向変位
K’Sとする。
・・・ (Z)
ここで、境μ条・件として、X方向向端[r11におけ
るX方向変(12,及びド+f+iにおけるy方向変位
K’Sとする。
一方,耐クランク性を課価する応力拡大係故については
、MIEクラック長さaが第5一口y 7Jjすように
存在した場合、このクラックがMu )Jtt Lてl
I’J I’J部を貫通し,破壊に至るかどうかの尺度
を与えるものである。ここで着Ef Lた不良は、Al
(1)120中心線七に堆積した硬いレジスト残り18
0がクラックの起点となっていることが推定され、温度
上昇時の熱応力が潜在クラック長さaをイIするレジス
ト残り部に集中して、下層膜P − S i 030か
ら上層liκSUG140にかけて膜が破壊するものと
考えられる。第6図には、破壊した層間膜の断1+j
S E M写真の模式図を示す。上部からアルミエッチ
液を流しているため、中心線上のクラックした磨間1助
部の下方のAl(1)120は半円状に削られている。
、MIEクラック長さaが第5一口y 7Jjすように
存在した場合、このクラックがMu )Jtt Lてl
I’J I’J部を貫通し,破壊に至るかどうかの尺度
を与えるものである。ここで着Ef Lた不良は、Al
(1)120中心線七に堆積した硬いレジスト残り18
0がクラックの起点となっていることが推定され、温度
上昇時の熱応力が潜在クラック長さaをイIするレジス
ト残り部に集中して、下層膜P − S i 030か
ら上層liκSUG140にかけて膜が破壊するものと
考えられる。第6図には、破壊した層間膜の断1+j
S E M写真の模式図を示す。上部からアルミエッチ
液を流しているため、中心線上のクラックした磨間1助
部の下方のAl(1)120は半円状に削られている。
今、第5図に示したように、クラック部をイr l!j
J要素分割し、レジスト残り部を剛性の非常に大きい物
体として空洞近似してやれば、熱応力によるクラックの
駆動力により.lf!J在クラック部が隙間を広げるよ
うにX方向に変位する.クラック先端からの距離rにお
けるこの変位luxから、引張りモードの応力拡大係数
K+ は次のように求められる. 第7図は、第8図に示したクラック発生率の実験データ
を有する多層11q断面形状に対する破壊パラメータの
上記モデルに基づく評価結果である。
J要素分割し、レジスト残り部を剛性の非常に大きい物
体として空洞近似してやれば、熱応力によるクラックの
駆動力により.lf!J在クラック部が隙間を広げるよ
うにX方向に変位する.クラック先端からの距離rにお
けるこの変位luxから、引張りモードの応力拡大係数
K+ は次のように求められる. 第7図は、第8図に示したクラック発生率の実験データ
を有する多層11q断面形状に対する破壊パラメータの
上記モデルに基づく評価結果である。
横軸は、不確定物性値である体積収縮を伴うSOG11
1J L 4 0の線膨張係数αsoo .縦輔は(3
)式から応力拡大係数K+ と1対1対応するX方向変
位ux を破壊パラメータとして取っている。もちろん
、クラックを右する評価対象11QはP − S i
0120で回一、クランク先端からの比離rも同一とす
る。
1J L 4 0の線膨張係数αsoo .縦輔は(3
)式から応力拡大係数K+ と1対1対応するX方向変
位ux を破壊パラメータとして取っている。もちろん
、クラックを右する評価対象11QはP − S i
0120で回一、クランク先端からの比離rも同一とす
る。
第゛l図から、α300が−5 U X 1 0−II
/Cより左側、つまり、S O G I県王40の体積
収縮か大きい領域では、クランク発生率と破壊パラメー
タの対応がよ<一致する。このαsoaの領域は、SU
G膜140の体積収細による+1IJ!.pメ減少から
換算される線膨張係数のオーダに星敵している。さらに
、この不4KF定パラメータαS O Oの絞り込みの
ため、クラック発生のない実験データを追加し、この一
ノ『+m形状に対して得られた彼壊パラメータを妬′l
図中の破線76で示す。αS O G依存性から,αS
OG=−150X10−(多/℃より左側では、クラッ
ク発生を起こす断面形状に対するイ波壊パラメータ72
.73と回レベルになってしまい、結ノ,),a so
oは、−1.OOxlO−”/℃近傍であることが推定
される。これよりαsoa= IOOXIO−’/℃
として,膜断而形状変化に対応する破壊パラメータを求
めてやれば酊クラック性が秤価できる。
/Cより左側、つまり、S O G I県王40の体積
収縮か大きい領域では、クランク発生率と破壊パラメー
タの対応がよ<一致する。このαsoaの領域は、SU
G膜140の体積収細による+1IJ!.pメ減少から
換算される線膨張係数のオーダに星敵している。さらに
、この不4KF定パラメータαS O Oの絞り込みの
ため、クラック発生のない実験データを追加し、この一
ノ『+m形状に対して得られた彼壊パラメータを妬′l
図中の破線76で示す。αS O G依存性から,αS
OG=−150X10−(多/℃より左側では、クラッ
ク発生を起こす断面形状に対するイ波壊パラメータ72
.73と回レベルになってしまい、結ノ,),a so
oは、−1.OOxlO−”/℃近傍であることが推定
される。これよりαsoa= IOOXIO−’/℃
として,膜断而形状変化に対応する破壊パラメータを求
めてやれば酊クラック性が秤価できる。
以上の計算においては、第41y1に示した各+lL;
!.iのヤング率E+,線膨張係数α,を与え、ボアツ
ソン比V.は全で0.2 とした。また、熱処理時の
室温からの温度差Δ゛I゛は400℃であり.a+71
a領域におけるアルミの塑性挙動を考慮して、アルミの
ヤング率を1/5に低下させている。
!.iのヤング率E+,線膨張係数α,を与え、ボアツ
ソン比V.は全で0.2 とした。また、熱処理時の
室温からの温度差Δ゛I゛は400℃であり.a+71
a領域におけるアルミの塑性挙動を考慮して、アルミの
ヤング率を1/5に低下させている。
なお、各評価断曲形状に対する有限要素メッシュデータ
は、第9図に示すように,各膜の変化点座標値のみ与え
ることにより自動生威される。つまり、対象とする多λ
111κ断血が知ノ1ウの組合せで表現できることに着
目し、第9国の左側の基本メッシュ分割を,各矩形小位
、例えばB C 11 Gのijえへれた変化点座標イ
l’( B(XB+ y n) + c (Xc+ Y
c) +H(X.+++ Yu)+ G(Xa,Yo)
にN応シテ変形シテやれば、全体として右側のような胛
価対象断面のメッシュ分割が自動生戊できる。基本メッ
シュ分割の詳細を第10図に示す。
は、第9図に示すように,各膜の変化点座標値のみ与え
ることにより自動生威される。つまり、対象とする多λ
111κ断血が知ノ1ウの組合せで表現できることに着
目し、第9国の左側の基本メッシュ分割を,各矩形小位
、例えばB C 11 Gのijえへれた変化点座標イ
l’( B(XB+ y n) + c (Xc+ Y
c) +H(X.+++ Yu)+ G(Xa,Yo)
にN応シテ変形シテやれば、全体として右側のような胛
価対象断面のメッシュ分割が自動生戊できる。基本メッ
シュ分割の詳細を第10図に示す。
本実施例によれば、熱応力起因による層間膜の耐クラッ
ク性をシミュレーション予Rillできるので、多層膜
構造変化に伴うクラック発生を−$前秤価し,クラック
発生限界内での膜構造の最Xl!lI設計期間を大幅に
姐縮する効果がある。
ク性をシミュレーション予Rillできるので、多層膜
構造変化に伴うクラック発生を−$前秤価し,クラック
発生限界内での膜構造の最Xl!lI設計期間を大幅に
姐縮する効果がある。
本発1リ1によれば、LSI製造の多A! Ig!形成
u’l k’Aで発生するクラ゜ツクに対し、その発生
条件の予測が計算機シミュレーションにより実現できる
ので,今後の素子微細化,多周膜化に伴いますます顕在
化する本不良に対し、発生メカニズムの解明に糸づく多
層膜構造の最適設計を合理的に進め効果がある。
u’l k’Aで発生するクラ゜ツクに対し、その発生
条件の予測が計算機シミュレーションにより実現できる
ので,今後の素子微細化,多周膜化に伴いますます顕在
化する本不良に対し、発生メカニズムの解明に糸づく多
層膜構造の最適設計を合理的に進め効果がある。
第l図は本発明の支援方式の全体構或図、単2図は第1
図の方式を、計算機システム上で実現した場合の全体構
成図、第3図は対象としている多層膜構造の断面図、第
4図は解析対象の有限要素メッシュ分割図、第5図は破
壊パラメータの算出モデルの概要図、第6図は層間膜ク
ラックを起こした多周膜の断面SEM写真の模式図、第
7図は断面形状変化に対応した破壊パラメータの計算結
果グラフ、第8図は第7図に対応する断面形状データ、
第9図は有限要素メッシュデータの自動生或の概要図、
第10図は第9図における基本メッシュ分割図をそれぞ
れ示す。 1・・・膜構造断面形状データの設定、2・・・FEM
メッシュデータ自動生成、3・・・E? E Mによる
応力計算、4・・・破壊評価パラメータの算出,5・・
・不確定膜物性値,限界破壊評価パラメータの推定、6
・・・クラック発生予測、70〜76・・・破壊パラメ
ータの計算結果、】20・・・アルミ第1層配線,l3
0・・・層間膜(P−S i 0112) . 1 4
0・・・層間膜(SOG膜).170・・・層間1県
クラック。 q 図 囁 3 ■ 笛 S ■ SO仔 一一Mρ 1Bρ 6 6 図 柘 7 図 第 3 図 )ニ
図の方式を、計算機システム上で実現した場合の全体構
成図、第3図は対象としている多層膜構造の断面図、第
4図は解析対象の有限要素メッシュ分割図、第5図は破
壊パラメータの算出モデルの概要図、第6図は層間膜ク
ラックを起こした多周膜の断面SEM写真の模式図、第
7図は断面形状変化に対応した破壊パラメータの計算結
果グラフ、第8図は第7図に対応する断面形状データ、
第9図は有限要素メッシュデータの自動生或の概要図、
第10図は第9図における基本メッシュ分割図をそれぞ
れ示す。 1・・・膜構造断面形状データの設定、2・・・FEM
メッシュデータ自動生成、3・・・E? E Mによる
応力計算、4・・・破壊評価パラメータの算出,5・・
・不確定膜物性値,限界破壊評価パラメータの推定、6
・・・クラック発生予測、70〜76・・・破壊パラメ
ータの計算結果、】20・・・アルミ第1層配線,l3
0・・・層間膜(P−S i 0112) . 1 4
0・・・層間膜(SOG膜).170・・・層間1県
クラック。 q 図 囁 3 ■ 笛 S ■ SO仔 一一Mρ 1Bρ 6 6 図 柘 7 図 第 3 図 )ニ
Claims (1)
- 1、LSI製造のAl配線系の多層膜形成工程において
発生する層間膜クラックを、膜断面に対する熱弾性モデ
ルから計算される応力拡大係数等の破壊パラメータで評
価することにより、多層膜形状、各膜物性値等の耐クラ
ック性に優れた最適構造をシミュレーションを通して求
めることを特徴とするLSI多層膜構造最適設計支援方
式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1159523A JPH0325957A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Lsi多層膜構造最適設計支援方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1159523A JPH0325957A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Lsi多層膜構造最適設計支援方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0325957A true JPH0325957A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15695627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1159523A Pending JPH0325957A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Lsi多層膜構造最適設計支援方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0325957A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7217459B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-05-15 | Rohm And Haas Company | Moisture-curing adhesives |
JP2014174927A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | シミュレーション解析装置、シミュレーション解析方法、プログラム |
JP2018006708A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 株式会社Sumco | 転位発生予測方法およびデバイス製造方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1159523A patent/JPH0325957A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7217459B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-05-15 | Rohm And Haas Company | Moisture-curing adhesives |
JP2014174927A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | シミュレーション解析装置、シミュレーション解析方法、プログラム |
JP2018006708A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 株式会社Sumco | 転位発生予測方法およびデバイス製造方法 |
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