JPH0325412Y2 - - Google Patents

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【考案の詳細な説明】 〔考案の利用分野〕 本考案は半導体装置基体によつて発生される熱
を冷却装置に伝達するための構成及び技法に関す
る。更に具体的には、本考案は半導体装置基体が
微少はんだボールで基板に取付けられた、単一装
置基体もしくは多重装置基体を含む集積回路パツ
ケージ組立体中の半導体装置基体を冷却する熱伝
導冷却モジユール装置に関する。

〔考案の背景〕

従来において、大型電子計算機では計算速度の
速いことが要求されるため、近年、限定された半
導体基体中に半導体素子を多数個集積し、もして
各素子間の電気的連絡配線長を可及的に短縮した
半導体装置、即ちLarge Scale Integrated
Circuit（以下LSIと言う）チツプが開発されてい
る。又、そのLSIチツプを搭載し、同チツプと外
部回路とを電気的中継接続する基板も多層から高
密度に電気配気され、もつて中継接続配線長を実
質的に短縮した回路基板が開発されている。更に
上記LSIチツプは上記回路基板上に多数個実装さ
れる方法が開発されている。LSIチツプの動作パ
ラメータを予定の範囲内に保持するとともに、過
熱による同チツプの破壊を防止するためには、動
作によつて発生した熱を効率的に外部へ放散させ
る必要がある。

上記LSIチツプの実装密度が低く、発生熱量が
少ない場合は、従来、熱発生源としてのLSIチツ
プから熱中継媒体を経由して連なる放熱体を、強
制的的に風冷する冷却法が採られてきた。しかし
ながら、上記チツプの実装密度が高くなり、発生
熱量の増大を招くにつれ、限られた表面積の放熱
体を十分冷却する必要があるが、このためには、
空気速度を増さねばならず、これに伴なう騒音問
題を無視できなくなる。したがつて、この強制空
冷方式に代り得る何等かの補助的冷却手段を施さ
なければ、LSIチツプをこれらにとつて適切な動
作温度範囲に維持することはできない。

補助的冷却手段の一例として提案されているも
のに、１以上の冷却されるべき半導体チツプの如
き熱発生装置をガスとともにカプセル封止した冷
却モジユール装置がある。これは、米国特許第
3993123号公報に開示されている。熱発生装置は
アルミナ基板上に搭載され、上記基板とキヤツプ
により密閉され、この密閉空間に不活性ガスが充
填されるとともに、熱伝導性部材が配置されてい
る。基板に対向するキヤツプ壁面は熱発生装置に
向つて該装置と同一中心上を延びる細長い開孔を
有している。上記開孔の内方端部には弾性部材が
配置されている。熱伝導性部材が上記の各開孔内
に配置されており、各開孔の壁面とそれに関連す
る熱伝導性部材との間に狭い周辺間隙が形成され
ている。上記弾性部材は上記熱伝導性部材を上記
熱発生装置に圧接するような力を、上記熱伝導性
部材に付与している。上記気密空間内には不活性
ガスが充填されていて、この不活性ガスにより上
記周辺間隙及び上記熱発生装置と上記熱伝導性部
材間の界面を満している。熱発生装置で生じた熱
は、不活性ガスや熱伝導性部材を経由してキヤツ
プに至り、同キヤツプと結合したヒートシンクへ
放出される。

上記カプセル封止冷却モジユール装置には、キ
ヤツプ材及び熱伝導性部材として銅やアルミニウ
ムが用いられる。しかしながら、キヤツプ及び熱
伝導性部材はカプセル封止冷却モジユール装置の
全重量の50％以上を占める。一例を示すと、上記
熱発生装置としてのLSIチツプを90個搭載した典
型的な冷却モジユール装置で効率的な冷却を行わ
しめる場合、上記熱伝導性部材及びキヤツプに銅
を使用すると、これらだけで1.5Kgにも達する。
冷却モジユール装置は、一般に上記基板に金一錫
ろう材の如きもので固定された多数の接続ピンに
よつて、補助回路等を担持するプリント基板には
んだの如きもので接続され、冷却モジユール装置
の全荷重が上記ピンと金一錫ろう材やはんだから
なる接続部材で支持されるように実装される。冷
却モジユール装置は、筐体から上記プリント基板
を介し機械的振動を受ける。この際、過大な荷重
により、冷却モジユール装置を支持する接続ピン
並びに接続部材の機械的劣化が加速され、これに
伴なう故障を生ずるに至る。

上記開孔壁面と熱伝導性部材間には間隙が存在
し、振動運動に伴なつて、軟らかい銅からなる熱
伝導性部材は上記熱発生装置との接触部で摩耗さ
れる。この結果、微粉状となつて封入モジユール
内部に飛散した導電性物質は、相互に電気絶縁さ
れている導電路間に付着し、導通状態に至らし
め、所定の回路機能を消失せしめる。同様な摩耗
は、キヤツプの開孔壁面と熱伝導性部材間におい
ても生ずる。又、上記摩耗の問題は、キヤツプ材
及び熱伝導性部材にアルミニウムを用いた場合に
も共通する問題である。又、上記熱伝導性部材の
振動は、単に熱発生装置と熱伝導性部材間の接触
面のすべり運動のみを引起す訳ではない。例え
ば、熱発生装置の主要面に対して垂直な成分と平
行な成分からなる合力振動が与えられた場合、熱
伝導部材が重いと、合力振動の垂直成分を上記弾
性部材で吸収しきれなくなり、熱伝導性部材は上
記主要面に対して点接触若しくは線接触の如き界
面の係合状態を呈することとなり、熱伝導機能の
低下にあいまつて上記熱生装置の局所に集中した
押力ないしシヨツクを付与するに至る。このよう
な場合は、上記熱発生装置若しくは上記熱発生装
置と上記基板間の電気接続を担う微少はんだボー
ルの如き接続部材の劣化、即ち割れ、欠れ、つぶ
れ等を加速せしめる。この種の問題は、上記熱伝
導性部材の荷重が大きい程、上記キヤツプと上記
熱伝導性部材間のギヤツプの公差が増大する程顕
著になる。

更に、封入カプセル内の基板には、熱発生装置
が可及的高密度に実装されている。それぞれの熱
発生装置は、限定された半導体基板中に多数個集
積した半導体素子を有している。各々の半導体素
子が電気回路を形成するためには、必要に応じて
個々の素子を電気絶縁しなければならない。した
がつて、一般に半導体素子は、pⁿ接合を逆バイア
スすることによつて電気的に分離された、通常島
と呼ばれる半導体領域に形成される。問題は、上
記pⁿ接合を逆バイアスするための電圧が上記半導
体基体、即ち熱伝導性部材と接触界面を形成する
熱発生装置基体に与えられることである。基板上
に実装される熱発生装置の全てが同一機能を有す
る半導体基板からなる場合は希稀で、一般には機
能の異なる２種ないしそれ以上の熱発生装置が同
一冷却モジユール装置内に実装されると考えねば
ならない。このような場合は上記逆バイアス電圧
を２ないしそれ以上の水準に維持する必要があ
る。ところで、異なる逆バイアス電圧の与えられ
た上記熱発生装置どうしは、導電性の上記熱伝導
性部材、弾性部材、キヤツプを介して電気的に連
絡することとなり、あらかじめ予定された逆バイ
アス条件を維持できず、冷却モジユール装置全体
の回路機能が損なわれる。又、冷却モジユール装
置内に実装された全ての熱発生装置の逆バイアス
条件が全く同一である場合は上述の問題は解消さ
れる。しかしながら、上記キヤツプに連なつて接
触界面を形成するヒートシンクないし冷媒中の不
純物や汚染物質を通じて冷却モジユール装置相互
が電気的に連絡されたり、更に筐体中に高密度実
装されたプリント基板上の、冷却モジユール装置
どうしの振動接触による電気連絡網を形成する危
険を伴なう。したがつて、基板上に実装された熱
発生装置どうしは、あらかじめ予定された導電路
以外で電気的連絡されることは好ましくなく、こ
の意味で具体的にはキヤツプないし熱伝導性部材
に電気絶縁機能を付与しておくことが望ましい。

〔考案の目的〕

本考案の主な目的は、上記冷却されるべき熱発
生装置の冷却を効率的に行わしめ、上記熱発生装
置から放熱のためのヒートシンクに至る熱伝導路
の伝熱性能を維持する熱伝導中継部材ないしハウ
ジングを有する熱伝導冷却モジユール装置を提供
することである。

本考案の他の目的は、上記接続ピン並びに接続
部材の劣化を防止ないし軽減する、軽量な熱伝導
冷却モジユール装置、及び上記熱発生装置を基板
配線に電気連路する接続部材ないし上記熱発生装
置の劣化、損失を防止ないし軽減する、軽量な熱
伝導中継部材を有する熱伝導冷却モジユール装置
を提供することである。

本考案の他の目的は、上記摩耗とこれに伴なう
導電路間の電気的導通を防止ないし軽減し、併せ
て電圧を付与された１ないしその以上の熱発生装
置相互間の電気的連絡を防止するため、耐摩耗性
と電気絶縁性を維持できる熱伝導中継部材ないし
ハウジングを有する熱伝導冷却モジユール装置を
提供することである。

〔考案の概要〕

本考案熱伝導冷却モジユール装置は、以下各項
目の特徴を有する。即ち、1.本考案の熱伝導冷却
モジユール装置は、少なくとも１の冷却されるべ
き熱発生装置と、上記熱発生装置の各々に対向す
る如くに熱伝導路内に含まれているハウジング
と、上記ハウジングの表壁との間で熱交換を行う
ように配置されている熱伝導中継部材と、上記熱
発生装置に上記熱伝導中継部材を圧接して上記両
者間に熱伝導界面を形成する弾性手段を含む熱伝
導冷却モジユール装置であつて、上記ハウジング
又は上記熱伝導中継部材が窒化アルミニウムを主
成分とする焼結体であることを特徴とする。

又、2.本考案の熱伝導冷却モジユール装置は、
上記１項において、上記ハウジングないし上記熱
伝導中継部材に10¹⁰Ωcm以上の電気抵抗率が付与
されている焼結体であることを他の特徴とする。

又、3.本考案の熱伝導冷却モジユール装置は、
上記１項において、上記ハウジングないし上記熱
伝導中継部材に温室で10¹⁰Ωcm以上、100W／mK
以上の熱伝導率が付与されている焼結体であるこ
とを他の特徴とする。

又、4.本考案の熱伝導冷却モジユール装置は、
上記１項において、上記ハウジングにしや光性が
付与されている焼結体であることを特徴とする。

ところで、前述した熱伝導中継部材とハウジン
グが具備すべき主な性質は、(1)熱伝導性が銅やア
ルミニウム等の金属に近い程に優れ、(2)可及的に
軽量であり、(3)電気絶縁性に優れ、そして(4)機械
加工性に優れていることである。そこで、こうし
た性能有する材料を探索し比較検討した結果、陽
イオン不純物総量200ppm以下、炭素量約0.05重
量％、酸素量約1.1重量％の高純度窒化アルミニ
ウム焼結体（ホツトプレス：1650℃以上、200
Kg／cm²、窒素中、常圧焼結：1700℃以上、窒素
中）が上記(1)〜(4)の性能を有することを試作品に
より確認した。具体的には、上記窒化アルミニウ
ム焼結体は、熱伝導率100W／mK以上（室温〜
150℃）、密度3.0〜3.3ｇ／cm³、電気抵抗率10¹¹〜
10¹³Ωcm（室温）なる物性値を有し、しかも例え
ば砥石研削によつて幅0.5mm、ピツチ１mmの多数
溝形成が容易であり、上記熱伝導中継部材並びに
ハウジング用材料として好適な性能を有している
ことに着目した。

上記窒化アルミニウム焼結体は、可及的に高純
度化され、理論的電気絶縁性（真性半導体化、エ
ネルギギヤツプ6.2eV）及び熱伝導性（320w／
mK）に近ずけられている。しかしながら、出発
原料中に含まれている各種不純物は窒化アルミニ
ウム焼結体にも一部引継がれるが、その主なもの
はNi（30ppm）、Fe（21ppm）、Zn（9ppm）、Si
（91ppm）、Cr（19ppm）であり、他にMg，Cu，
Mn，Ti，Co（いずれも5ppm以下）が含有されて
いる。

本考案において、熱伝導中継部材やハウジング
として必要な抵抗率は10¹⁰Ωcm以上、そして熱伝
導率は100W／mK以上であることが望ましい。
これを達成するためには上記高純度化窒化アルミ
ニウム焼結体が適用するが、理論密度の90％以上
の緻密体であればCoO，BaO，Y₂O₃，La₂O₃，
Sm₂O₃，BN，Ｃ等を添加した場合であつても適
用可能である。

又、特にハウジングは、基板や他の部材ととも
に熱発生装置を包囲する空間を形成し、熱伝導中
継部材とハウジング又は熱発生装置間界面の伝熱
を補助するヘリウムガスの如く気体を封入する容
器を兼ねるため、高気密性を有していなければな
らない。ヘリウムガスは原子半径の小さい気体で
あつて、極めて微小な間隙や気孔を通して散逸し
やすいからである。このような気密性の問題は、
ハウジング用素材として金属を用いる場合て異な
り、セラミクス材を適用する場合に特に解決しな
ければならない点である。この気密性は、ヘリウ
ムガスのもれ量に換算して10^-7atmml／ｓ以下が
好ましい値であるが、焼結窒化アルミニウムにこ
の程度の気密性を付与するには、同焼結体の相対
密度を90％以上にすることが望ましい。上述した
CaOをはじめとする助剤の添加は、緻密化した窒
化アルミニウム焼結体を得るのに有利である。

本考案において、窒化アルミニウム焼結体をハ
ウジングとして適用する場合、他部材とのろう付
けによる接合体を得る必要がある。このような場
合、モリブデンとシリコンからなる金属を窒化ア
ルミニウム体表面に被着し後熱処理して設けた金
属化層にニツケルめつきを施した形態を適用でき
る。この方法によれば、窒化アルミニウム体と金
属化層が金属間化器物により強固が気密性よく接
合され、気密封止体を形成するのに有利になる。
このように好ましい金属化層を形成するため、モ
リブデンの代替物としてクロム、チタニウム、ア
ルミニウム、タングステン、マンガンを、そして
シリコンの代替物としてゲルマニウムを用いるこ
とができる。

〔考案の実施例〕

次に、図面を参照して、本考案の実施例を更に
詳細に説明する。第１図はLSIチツプ１０として
示されている熱発生装置とこれを冷却するための
補助的冷却手段を有した気体封入熱伝導冷却モジ
ユール装置を示す概略断面図である。チツプ１０
は、一般に知られているように、高密度に実装さ
れた素子や配線を有する固体回路を形成している
もので、チツプ内の回路において消費された電力
が熱に変換される。したがつて、同回路を所定の
動作パラメータの範囲内で安定動作させるため、
以下の熱伝導放熱手段が取られる。

チツプ１０は、一般にセラミツクの多層配線基
板１２の一方の側に微少はんだボール１１により
装着されており、基板１２はその他方の側から突
出する接続ピン１４を有している。これらのピン
１４を補助回路等を担執した配線ボード１３のス
ルーホール１３ａに差込み、この部分をはんだ等
のろう材の如き接続部材１３ｂで固着することに
より、基板１２並びにこれに連なる各種部材から
なる熱伝導冷却モジユール装置が支持される。こ
の際、接続ピン１４は基板１２に金−錫ろう１４
ａにより接続されている。基板１２のチツプ１０
を搭載した側の周辺部には金属又はセラミツクか
らなるスペーサ１５が、そしてスペーサ１５の他
方の側にはキヤツプ即ちハウジング１６が連なつ
て配置され、はんだ等のろう材の如く封着部材１
７，１８により固着されている。これらの部材構
成によつて、密閉空間１９が形成されている。ハ
ウジンク１６の材質は、熱伝導性及び電気絶縁性
に優れ、軽量かつ加工性の良い材料であつて、熱
膨張係数が基板１２に近似している観点、更に好
ましくはスペーサ１５のそれに近似している観点
で選択されるべきである。熱膨張係数の観点を優
先する理由は基板１２又はスペーサ１５との間の
熱膨張係数差に起因して、熱的サイクルが与えら
れたとき生ずる封着部材の疲労破壊を避ける必要
からである。例えば基板１２がアルミナセラミツ
ク、ムライトセラミツクの場合、これらの諸条件
を満し得る材料として上述した窒化アルミニウム
焼結体が適合する。ハウジング１６は後述するよ
うに複雑な形状に加工される必要があるが、窒化
アルミニウム焼結体はこの点においても好適な素
材になり得る。又、スペーサ１５は熱伝導性の観
点よりも、むしろ基板１２及びハウジング１６と
熱膨張係数が一致又は近似としている点を優先し
て選択されるべきである。例えば基板１２がアル
ミナセラミツク、ムライトセラミツクそしてハウ
ジングが窒化アルミニウム焼結体の場合、アルミ
ナセラミツク、ムライトセラミツク、窒化アルミ
ニウム、炭化ケイ素、コバール、58Fe−42Ni、
タングステンカーバイドの如き材質を選ぶことが
できる。

ハウジング１６の内方には、相対して配置され
ているチツプ１０の各々に対向して突出部１６ａ
が形成されており、この突出部１６ａに案内され
るように開孔２０ａを有する熱伝導中継部材２０
が配置され、突出部１６ａと開孔２０ａで形成さ
れる空間にばね２１が配置されている。このばね
２１の押圧によりチツプ１０と熱伝導中継部材２
０との接触を維持している。熱伝導中継部材２０
の材質は、前記した性質を兼備している点で窒化
アルミニウム焼結体が最も適切である。熱伝導中
継部材２０の開孔２０ａはハウジング１６の突出
部１６ａの側壁との間に小さい間隙３０が形成さ
れている。この間隙３０は、熱伝導中継部材２０
とチツプ１０間の係合が平坦面による面接触的に
接触されるように、ゆとりが存在するような幅を
有している。又、熱伝導中継部材２０は種々の高
さを有しているチツプ１０に適合できるようにば
ね２１の弾性力が与えられるようになつている。
熱伝導中継部材２０に開孔２０ａを設け、そして
ハウジング１６側に突出部１６ａを設けている理
由は、熱伝導中継部材２０の自重を軽減し、チツ
プ１０と微小はんだボール１１の劣化の進行ない
し損傷を抑制する点に基づく。基板１２、スペー
サ１５、そしてハウジング１６で構成される空間
１９にはヘリウムガス３１が導入されていて、チ
ツプ１０と熱伝導中継部材２０との間の微少間隙
や熱伝導中継部材２０とハウジング１６との間の
間隙を満して、気体による熱伝導路を形成してい
る。ヘリウムガスは周知の如く、低分子量気体で
あつて微少間隙に侵入して満しやすく、良好な熱
伝導体であつて熱抵抗を下げ、不活性ガスであつ
て安全性が高く、腐蝕性や毒性が無く、最も好ま
しい封入用気体材料になり得る。しかし、チツプ
１０の安全動作を維持する上で放熱能力に余裕が
ある場合は、水素、二酸化炭素、窒素等の気体を
封入すること及びヘリウムガスを含めた上記気体
の２種類以上の混合体を封入することも可能であ
る。この場合、気体の種類や気体の混合組成は冷
却されるべきチツプ１０の発生熱量と熱伝導冷却
モジユール装置全体の放熱能力とのバランスで適
宜選択されるべきである。空間１９は、基板１
２、スペーサ１５、ハウジング１６とこれら各部
材を固着している封止部材１７，１８により気密
性を維ちし、封入ヘリウムガス３１の散逸を防ぐ
と同時に外気の侵入による腐蝕等から保護される
ようになつている。このような気密性保持や疲労
破壊防止の観点で選択される限りにおいては封止
部材１７，１８として、錫、鉛、ゲルマニウム、
シリコン、アンチモン、ビスマス、カドミウム、
ガリウムから選択された少くとも１種を含む金系
合金材や、錫、鉛、銀、アンチモン、インジウ
ム、ビスマス、銅、亜鉛、金、カドミウムから選
択された少くとも１種を含む鉛又は錫又は銀合金
等のろう材が好ましい。又、金属ろう材による固
着手段以外にガラス組成物により封止することも
可能である。しかしながら、チツプ１０は基板１
２上に可及的高密度に搭載されていて、その中の
一部に故障を生じた場合は、所定の回路機能を維
持できなくなる。このような場合には、熱伝導冷
却モジユール装置全体の構成を全て交換するか、
あるいはチツプ１０の一部を交換するか、いずれ
かの方法によつて再生を計らねばならない。後者
の方法は、前者に比べて経済的損失を軽震徴にと
どめる点で好ましい方法と言える。しかしこのた
めには、封止部を開放してチツプ１０の交換が可
能な状態にすること、即ち熱伝導冷却モジユール
装置には開封性が付与されているなければらず、
更に開封並びに再封止の熱処理によつて他の接続
部、例えば微少はんだボール１１に悪影響を及ぼ
さないように配慮がなされねばならない。このよ
うな観点で封止部材１７又は１８を選択するなら
ば、例えば微少はんだボール１１の材質として95
鉛−５錫系はんだを用いた場合は、少くとも同は
んだ材の固相点よりも低い融点を有するろう材、
即ち95錫−５銀、63錫−37鉛、80インジウム−15
鉛−５銀、50錫−50インジウム、34錫−20鉛−46
ビスマス、14錫−29鉛−48ビスマス−10アンチモ
ン等のろう材が好ましい。このような場合は、ハ
ウジング１６の所要面に上述のマンガン及びシリ
コン又はこれらの代替物による金属化処理が施さ
せる。

熱伝導中継部材２０の各々からハウジング１６
に伝達された熱は、ハウジング１６に取付けられ
ている冷却板３２の如きヒートシングに伝達され
る。第１図で理解されるように、ハウジング１６
の表面と冷却板３２の表面は、両者間で良好な熱
伝達がなされるように平坦に形成されている。冷
却板３２の空間部３２ａには、冷却板３２に伝達
された熱を除去する冷却液体４２が循環されてい
て、効率的な冷却がなされる。効率的な冷却をな
し得る冷却液体として、水の如き液体が望まし
い。

以上に説明した構成により、本考案熱伝導冷却
モジユール装置は3.5℃／Ｗ（チツプ１０−ハウジ
ング16／冷却板３２界面間）なる熱抵抗を保有す
る。又、第２図は熱抵抗の変化量を、−55〜＋150
℃の温度サイクルを与えながら追跡した結果であ
る。温度サイクル数400回までの間に熱抵抗の変
化は見られず、封止部材１７，１８の疲労破壊や
ヘリウムガス３１の散逸を生じていないことが認
められる。ヘリウムガス３１散逸防止には、上述
したようにハウジング１６の金属化層が強固かつ
気密性よく形成されていることも寄与している。

又、ハウジング１６及び熱伝導中継部材２０は
ともに電気絶縁性が付与されているため、チツプ
１０間の電気的干渉による問題を全く生じないこ
と、軽量なモジユール装置が得れるため接続部材
１３ｂの故障を生じにくいことと共に、複雑形状
のハウジング１６及び熱伝導中継部材が容易に得
られること等、多くの利点を享受できる。これ
は、窒化アルミニウム焼結体を適用することによ
り容易になつた点である。

次に第２の実施例として、光しや断性を改良し
たハウジング１６′を有する熱伝導冷却モジユー
ル装置を説明する。ハウジング１６′は前述の実
施例において、高純度窒化アルミニウム粉末85重
量％、炭化ケイ素粉末14重量％、ベリリヤ粉末１
重量％からなる混合粉末（粒径1μｍ以下）を
1650℃、200Kg／cm²、窒素中なる条件下でホツド
プレスして得た焼結体を研削加工したもので、熱
伝導率100W／mK以上（室温−150℃）、密度3.0
〜3.3ｇ／cm³、電気抵抗率10¹¹〜10¹³Ωcm（室温）
なる物性値を有している。この場合であつても機
械加工性は窒化アルミニウム焼結体の場合と略同
等であるほか、光しや断性の点で有用な改善効果
が認められた。

例えば厚さ0.1mmの場合の光透過率は0.05％以
下（波長0.5μm）、0.05％以下（同3μm）、0.07％
以下（同6μm）、0.01％以下（同10μm）と極めて
良いしや光性が得られた。これにより、LSIチツ
プ１０に集積された素子の光による誤動作を避け
ることが一層有利になる。しや光性を付与する観
点では、上述の炭化ケイ素やベリリヤ以外に、
CaO，BaO，Y₂，O₃，La₂O₃，Sm₂O₃，BN，Ｃ
等を用いてもよい。ただし、これらの添加物量は
窒化アルミニウム焼結体の熱的特性に大きな影響
を与えない範囲に選定されるべきである。

尚、本考案熱伝導冷却モジユール装置では、炭
化ケイ素焼結体からなるハウジング１６が、封入
モジユール装置の外方で冷却媒体に直接触れるヒ
ートシンクを兼ねることは何等障害になるもので
はない。又、炭素ケイ素焼結体からなる熱伝導中
継部材２０は、摩耗問題に対する対策を施すこと
により例えばアルミニウムの如き素材に代替でき
る。この際には、アネミニウムからなる熱伝導中
継部材の表面に酸化アルミニウムの如き耐摩耗性
のよい膜を被覆するような対策がとられる。

〔考案の効果〕

以上述べたように、本考案によれば冷却効率の
優れた熱伝導冷却モジユール装置を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例の熱伝導冷却モジユー
ル装置の概略図、第２図は温度サイクルを与えた
ときの放熱特性の変化を示す線図である。 １０……LSIチツプ、１２……基板、１３……
配線ボード、１６……ハウジング、２１……ば
ね、３１……ヘリウムガス。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 少なくとも１の冷却されるべき熱発生装置と、
   上記熱発生装置に対向する如くに熱伝導路内に含
   まれているハウジングと、上記熱発生装置とハウ
   ジングとの間で熱交換を行うように配置されてい
   る熱伝導中継部材を含む熱伝導冷却モジユール装
   置であつて、上記ハウジング又は上記熱伝導中継
   部材が窒化アルミニウムを主成分とする焼結体で
   あることを特徴とする熱伝導冷却モジユール装
   置。