JPH03252402A - 配向性有機薄膜及びその作製方法 - Google Patents
配向性有機薄膜及びその作製方法Info
- Publication number
- JPH03252402A JPH03252402A JP2049369A JP4936990A JPH03252402A JP H03252402 A JPH03252402 A JP H03252402A JP 2049369 A JP2049369 A JP 2049369A JP 4936990 A JP4936990 A JP 4936990A JP H03252402 A JPH03252402 A JP H03252402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- organic thin
- oriented
- formulas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- -1 dinitrophenyl groups Chemical group 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 125000006501 nitrophenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1 OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- WGHUNMFFLAMBJD-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CC[N+](CC)(CC)CC WGHUNMFFLAMBJD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 3
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- MABNMNVCOAICNO-UHFFFAOYSA-N selenophene Chemical compound C=1C=C[se]C=1 MABNMNVCOAICNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 2,2'-bithiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1 OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Chemical group CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- WBLIXGSTEMXDSM-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound Cl[CH2] WBLIXGSTEMXDSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005446 heptyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- SHFJWMWCIHQNCP-UHFFFAOYSA-M hydron;tetrabutylazanium;sulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC SHFJWMWCIHQNCP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005767 propoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[#8]C([H])([H])* 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M sodium perchlorate Chemical compound [Na+].[O-]Cl(=O)(=O)=O BAZAXWOYCMUHIX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001488 sodium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UQFSVBXCNGCBBW-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium iodide Chemical compound [I-].CC[N+](CC)(CC)CC UQFSVBXCNGCBBW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は配向性有機薄膜に関する。さらに詳しくは電解
酸化法を用いて電極面上に形成される共役ポリマーの配
向性薄膜に関する。
酸化法を用いて電極面上に形成される共役ポリマーの配
向性薄膜に関する。
従来より、共役電子系を有するポリマー薄膜を高配向化
することは、ポリマー鎖配向方向の電気電導塵の向上及
び電気的、光学的異方性の発現の点で非常に興味が持た
れていた。しかしながら、電解酸化法を用いて電極面上
に形成されるポリマー薄膜の場合には、高配向化に関す
る報告はきわめて少ないのが現状である。電解酸化法に
より電極面上に形成されたポリピロール薄膜を電極から
剥離した後に一方向に伸延することにより高配向化する
方法が特開昭６０−８８０３７号に開示されているが、
この方法には、■伸延に適した膜質を得るために特殊な
条件（−２０’Ｃ）下で電Ｍ酸化をしなくてはならない
、■・伸延時に膜を電極から剥離させなくてはならない
、■伸延に耐えるだけの機械的強度が必要となるため厚
い膜を形成しなくてはならず、膜の形成に時間がかかる
、などの問題があった。
することは、ポリマー鎖配向方向の電気電導塵の向上及
び電気的、光学的異方性の発現の点で非常に興味が持た
れていた。しかしながら、電解酸化法を用いて電極面上
に形成されるポリマー薄膜の場合には、高配向化に関す
る報告はきわめて少ないのが現状である。電解酸化法に
より電極面上に形成されたポリピロール薄膜を電極から
剥離した後に一方向に伸延することにより高配向化する
方法が特開昭６０−８８０３７号に開示されているが、
この方法には、■伸延に適した膜質を得るために特殊な
条件（−２０’Ｃ）下で電Ｍ酸化をしなくてはならない
、■・伸延時に膜を電極から剥離させなくてはならない
、■伸延に耐えるだけの機械的強度が必要となるため厚
い膜を形成しなくてはならず、膜の形成に時間がかかる
、などの問題があった。
本発明は、従来技術とは異なる方法により、かつ、従来
技術に比べて簡略化された工程により、膜面内の特定方
向に分子が配向した薄膜を、電解酸化法により電極面上
に直接形成させることを目的とする。
技術に比べて簡略化された工程により、膜面内の特定方
向に分子が配向した薄膜を、電解酸化法により電極面上
に直接形成させることを目的とする。
上記目的を達成するために本発明においては、電極とし
て、膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層によ
り表面があらかじめ被覆された電極、または、あらかじ
め有機薄膜層で被覆された後に、一方向にラビング処理
された表面を有する電極のいずれかを用いて電解酸化を
行う。これにより、該電極面上に、膜面内の特定方向に
分子が配向した薄膜が形成される。
て、膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層によ
り表面があらかじめ被覆された電極、または、あらかじ
め有機薄膜層で被覆された後に、一方向にラビング処理
された表面を有する電極のいずれかを用いて電解酸化を
行う。これにより、該電極面上に、膜面内の特定方向に
分子が配向した薄膜が形成される。
膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層により表
面が被覆された電極は次のようにして作製することがで
きる。
面が被覆された電極は次のようにして作製することがで
きる。
すなわち、まず第１図に示すような可動バリア付きの水
槽を用意する。第１図（ａ）は平面図を、同（ｂ）は側
断面図を示す。第１図において、符号１は水槽、２およ
び３は圧縮バリア、４および５は圧縮バリアの進行方向
（圧縮方向）、６は成膜分子が展開される水面、７は清
浄水面、８は水相、をそれぞれ意味する。まず、バリア
４と５をそれぞれ水槽の左端および右端に寄せ、水面６
を広げる。この状態で水面６に成膜分子を単分子膜状に
展開する。バリア４と５をそれぞれ右方および左方にゆ
っくり移動させ、水面６に展開されている膜を圧縮する
。水面６上に展開されている膜の表面圧が一定の値にな
った時点でバリアの移動を停止する。本発明で用いられ
る成膜物質からなる膜であれば、この状態において成膜
分子が膜面内で成る特定の方向に一様に配向する。第１
図に示したのは気液界面に展開されている膜を対向する
二方向から圧縮する方式であるが、通常のＬＢ膜装置で
多く見られる一方向のみから圧縮する方式を用いても同
様の結果が得られる。
槽を用意する。第１図（ａ）は平面図を、同（ｂ）は側
断面図を示す。第１図において、符号１は水槽、２およ
び３は圧縮バリア、４および５は圧縮バリアの進行方向
（圧縮方向）、６は成膜分子が展開される水面、７は清
浄水面、８は水相、をそれぞれ意味する。まず、バリア
４と５をそれぞれ水槽の左端および右端に寄せ、水面６
を広げる。この状態で水面６に成膜分子を単分子膜状に
展開する。バリア４と５をそれぞれ右方および左方にゆ
っくり移動させ、水面６に展開されている膜を圧縮する
。水面６上に展開されている膜の表面圧が一定の値にな
った時点でバリアの移動を停止する。本発明で用いられ
る成膜物質からなる膜であれば、この状態において成膜
分子が膜面内で成る特定の方向に一様に配向する。第１
図に示したのは気液界面に展開されている膜を対向する
二方向から圧縮する方式であるが、通常のＬＢ膜装置で
多く見られる一方向のみから圧縮する方式を用いても同
様の結果が得られる。
上述のような手順で気液界面に形成された配向性膜は第
２図に示す水平付着法もしくは第３図に示す水平浸漬法
を用いて、膜の配向性と秩序性を崩すことなく電極面上
に移しとることができる。
２図に示す水平付着法もしくは第３図に示す水平浸漬法
を用いて、膜の配向性と秩序性を崩すことなく電極面上
に移しとることができる。
第２図および第３図において、９は上記方法で液面上に
形成された配向性膜を、１０は電極をそれぞれ意味する
。その他の符号は第１図と共通である。水平付着法（第
２図）の場合には、電極面をほぼ水平に保ったままゆっ
くりと降下させ（ａ）、電極表面が液面上の膜に接触（
ｂ）したら、今度は電極をゆっくりと上昇させる（ｃ）
。このとき、液面上の膜が電極面上に移しとられる。水
平浸漬法（第３図）では、電極面をほぼ水平に保ったま
まゆっくりと降下させ（ａ）、電極表面が液面上の膜と
接触（ｂ）しても電極をそのまま下降させて水相中に沈
める（ｃ）。このとき、液面上の膜が電極面上に移しと
られる。第２図または第３図の（ａ）から（ｃ）に示す
操作はこの順序で何回でも繰り返すことができる。この
場合には繰り返し回数に応じた層数の膜が電極面上に蓄
積される。
形成された配向性膜を、１０は電極をそれぞれ意味する
。その他の符号は第１図と共通である。水平付着法（第
２図）の場合には、電極面をほぼ水平に保ったままゆっ
くりと降下させ（ａ）、電極表面が液面上の膜に接触（
ｂ）したら、今度は電極をゆっくりと上昇させる（ｃ）
。このとき、液面上の膜が電極面上に移しとられる。水
平浸漬法（第３図）では、電極面をほぼ水平に保ったま
まゆっくりと降下させ（ａ）、電極表面が液面上の膜と
接触（ｂ）しても電極をそのまま下降させて水相中に沈
める（ｃ）。このとき、液面上の膜が電極面上に移しと
られる。第２図または第３図の（ａ）から（ｃ）に示す
操作はこの順序で何回でも繰り返すことができる。この
場合には繰り返し回数に応じた層数の膜が電極面上に蓄
積される。
水平付着法および水平浸漬法いずれの場合も、電極表面
を界面活性剤を用いてあらかじめ疎水化処理しておくこ
とにより、電極と膜の間の密着性を高めることができる
。
を界面活性剤を用いてあらかじめ疎水化処理しておくこ
とにより、電極と膜の間の密着性を高めることができる
。
上記方法で気液界面に形成した配向性有機薄膜では、通
常、圧縮方向の法線方向に成膜分子が面内配向し、かつ
膜面全体にわたって均一な配向が得られるので、電極を
望む方向に設定して第２図または第３図に示す膜採取操
作を行えば、電極面内の望む方向に分子の面内配向方向
が揃った配向性膜を形成することができる。
常、圧縮方向の法線方向に成膜分子が面内配向し、かつ
膜面全体にわたって均一な配向が得られるので、電極を
望む方向に設定して第２図または第３図に示す膜採取操
作を行えば、電極面内の望む方向に分子の面内配向方向
が揃った配向性膜を形成することができる。
本発明において、気液界面での一方向または対向する二
方向からの圧縮により、膜面内の一定方向への分子配向
が実現できる成膜分子として用いることのできる化合物
の例としては、式（１）から式（１５）で表わされる化
合物をあげることができる。
方向からの圧縮により、膜面内の一定方向への分子配向
が実現できる成膜分子として用いることのできる化合物
の例としては、式（１）から式（１５）で表わされる化
合物をあげることができる。
Ｒ７
（１４）
Ｒ２
（ここで、置換基Ｒ，，Ｒ２，Ｒ，，Ｒ４は一船人％式
％ で表わされる構造を有し、ｈ＝２〜１８．に＝○または
１ 、 ｆｌ ＝ １−１８ 、 ｍ ＝ Ｏまたは１
．ｐ＝Ｏ〜１８である。） 上記（１）〜（１５）の化学式で表わされる化合物のう
ち特に好ましい化合物の例としては次のものをあげるこ
とができる。
％ で表わされる構造を有し、ｈ＝２〜１８．に＝○または
１ 、 ｆｌ ＝ １−１８ 、 ｍ ＝ Ｏまたは１
．ｐ＝Ｏ〜１８である。） 上記（１）〜（１５）の化学式で表わされる化合物のう
ち特に好ましい化合物の例としては次のものをあげるこ
とができる。
（式中、
５
Ｒ６
は
基を表わし、
ｔ＝２〜１５である。
）
（式中、ｕ ＝ ３〜２１である。）
ＣＨ３
ζ
ＣＨ。
（式中、ｖ ＝ ４〜２１である。）
ラビング処理を施すためにあらかじめ電極面上に被覆さ
せる有機薄膜は、真空蒸着法９分子線蒸着法，ディップ
法、スプレー法、スピンナー法。
せる有機薄膜は、真空蒸着法９分子線蒸着法，ディップ
法、スプレー法、スピンナー法。
キャスト法、吸着法、ラングミュア・プロジェット法ま
たは水平付着法のいずれかの方法で形成することができ
る。ラビング処理を施すための薄膜用の素材としてはか
なり広い範囲から選択することができるが、一般式（１
６）で表わされるポリジアセチレン誘導体が特に有効で
ある。
たは水平付着法のいずれかの方法で形成することができ
る。ラビング処理を施すための薄膜用の素材としてはか
なり広い範囲から選択することができるが、一般式（１
６）で表わされるポリジアセチレン誘導体が特に有効で
ある。
（１６）
（式中−Ｐｔ ｓはＯまたは１を、ｑ＋ ｒは０がら１
５のいずれかの整数をそれぞれ表わし、Ｘ１Ｘ２ は、
−ＯＳ○２−、−５ｏ２ｏ−−ｏｃｏ−−ＣＯＯ−、−
ＣＯＮＨ−−ＮＨＣ○ −０ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣ○○−、−ＣＨ２０−○ＣＨ
２−のいずれかの基を表わし、Ｙ工。
５のいずれかの整数をそれぞれ表わし、Ｘ１Ｘ２ は、
−ＯＳ○２−、−５ｏ２ｏ−−ｏｃｏ−−ＣＯＯ−、−
ＣＯＮＨ−−ＮＨＣ○ −０ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣ○○−、−ＣＨ２０−○ＣＨ
２−のいずれかの基を表わし、Ｙ工。
Ｙ２はアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、
アルコキシフェニル基、ハロゲン化フェニル基、ニトロ
フェニル基、ジニトロフェニル基。
アルコキシフェニル基、ハロゲン化フェニル基、ニトロ
フェニル基、ジニトロフェニル基。
カルバゾリル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基。
アンスリル基、アルキルオキシカルボニルアルキル基の
いずれかの基をそれぞれ表わす。）これらのポリジアセ
チレン誘導体は、通常はまずモノマー薄膜として電極上
に積層され、そ九から紫外線、ガンマ線等を照射してポ
リマー化される。
いずれかの基をそれぞれ表わす。）これらのポリジアセ
チレン誘導体は、通常はまずモノマー薄膜として電極上
に積層され、そ九から紫外線、ガンマ線等を照射してポ
リマー化される。
本発明で用いられるラビング処理とは、布などにより、
電極表面を被覆している薄膜表面を一方向にのみ、摩擦
することをいう。ラビング処理に用いる布としては、シ
リコンクロス、パフ布、ガーゼ等をあげることができる
が、これら以外にも多種多様の布を用いることができる
。
電極表面を被覆している薄膜表面を一方向にのみ、摩擦
することをいう。ラビング処理に用いる布としては、シ
リコンクロス、パフ布、ガーゼ等をあげることができる
が、これら以外にも多種多様の布を用いることができる
。
本発明による電解酸化法は、かなり広範囲の化合物を電
解酸化の対象とすることができるが、特に好ましいのは
式（１７）から式（２０）に一般式で示すピロール、フ
ラン、チオフェンおよびセレノフェンの各誘導体である
。
解酸化の対象とすることができるが、特に好ましいのは
式（１７）から式（２０）に一般式で示すピロール、フ
ラン、チオフェンおよびセレノフェンの各誘導体である
。
Ｒ７Ｒ。
（式中、Ｒ７，Ｒ，は水素原子、アルキル基。
アルコキシアルキル基またはアルコキシ基を表わし、Ｒ
ｇは水素原子またはアルキル基を表わす。）一般式（１
７）〜（２０）で示されるビロール、フラン。
ｇは水素原子またはアルキル基を表わす。）一般式（１
７）〜（２０）で示されるビロール、フラン。
チオフェンおよびセレノフェンの各誘導体において、置
換基Ｒ７およびＲ８の具体例としては、水素原子；メチ
ル基、エチル基、直鎖状もしくは分岐鎖状のプロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基。
換基Ｒ７およびＲ８の具体例としては、水素原子；メチ
ル基、エチル基、直鎖状もしくは分岐鎖状のプロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基。
デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル
基等のアルキル基；メトキシメチル基、プロポキシメチ
ル基、ブトキシメチル基、オクチルオキシメチル基、メ
トキシエチル基、ブトキシエチル基等のアルコキシアル
キシ基；メトキシ基。
基等のアルキル基；メトキシメチル基、プロポキシメチ
ル基、ブトキシメチル基、オクチルオキシメチル基、メ
トキシエチル基、ブトキシエチル基等のアルコキシアル
キシ基；メトキシ基。
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキ
シ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、オクタデ
シル基等のアルコキシ基があげられる。
シ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、オクタデ
シル基等のアルコキシ基があげられる。
Ｒｇ の具体例としては、水素原子；メチル基。
エチル基、直鎖状もしくは分岐鎖状のプロピル基。
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基。
オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基。
ヘキサデシル基、オクタデシル基等のアルキル基があげ
られる。
られる。
上記化合物は、支持電解質と共に有機溶媒、水、または
水と有機溶媒との混合溶媒に溶かして電解酸化するが、
この時支持電解質として、ＣΩ−Ｂ ｒ−Ｉ Ｉ−、Ｃ
ＯＯ４−，５ＯＳ−、Ｎｏｊ−、ＢＦ４−ｔＰ Ｆ３−
、 Ａ ｓ Ｆ、−、Ｓ ｂ Ｆｓ−、ＨＣＯＯ−ＣＨ
、ＣＯＯ−９Ｈ○○Ｃ−ＣＯＯ−、ＣＨ２Ｃｌ・ＣＯＯ
−、ＣＨＣＱ２ＣＯＯ−、ＣＣＱ３ＣＯ○ＣＦ３Ｃ○○
−、ＣＣ氾３Ｓ○、−、ＣＦ３５○３−ンとする四級ア
ンモニウム塩およびアルカリ金属塩等を用いることがで
きる。
水と有機溶媒との混合溶媒に溶かして電解酸化するが、
この時支持電解質として、ＣΩ−Ｂ ｒ−Ｉ Ｉ−、Ｃ
ＯＯ４−，５ＯＳ−、Ｎｏｊ−、ＢＦ４−ｔＰ Ｆ３−
、 Ａ ｓ Ｆ、−、Ｓ ｂ Ｆｓ−、ＨＣＯＯ−ＣＨ
、ＣＯＯ−９Ｈ○○Ｃ−ＣＯＯ−、ＣＨ２Ｃｌ・ＣＯＯ
−、ＣＨＣＱ２ＣＯＯ−、ＣＣＱ３ＣＯ○ＣＦ３Ｃ○○
−、ＣＣ氾３Ｓ○、−、ＣＦ３５○３−ンとする四級ア
ンモニウム塩およびアルカリ金属塩等を用いることがで
きる。
支持電解質の具体例としては、臭化テトラエチルアンモ
ニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テ
トラエチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラ
エチルアンモニウムｐＰ−トルエンスルホン酸テトラエ
チルアンモニウム。
ニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テ
トラエチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラ
エチルアンモニウムｐＰ−トルエンスルホン酸テトラエ
チルアンモニウム。
臭化テトラｎ−ブチルアンモニウム、ヨウ化テトラｎ−
ブチルアンモニウム、過塩素酸テトラｎ−ブチルアンモ
ニウム、テトラフルオルホウ酸テトラｎ−ブチルアンモ
ニウムｔ Ｐ −トルエンスルホン酸テトラｎ−ブチル
アンモニウム、硫酸水素テトラｎ−ブチルアンモニウム
、過塩素酸リチウム。
ブチルアンモニウム、過塩素酸テトラｎ−ブチルアンモ
ニウム、テトラフルオルホウ酸テトラｎ−ブチルアンモ
ニウムｔ Ｐ −トルエンスルホン酸テトラｎ−ブチル
アンモニウム、硫酸水素テトラｎ−ブチルアンモニウム
、過塩素酸リチウム。
硝酸リチウム、テトラフルオルホウ酸リチウム。
過塩素酸ナトリウム、酢酸テトラブチル−ｎ−アンモニ
ウム等があげられる。
ウム等があげられる。
反応溶液中における上記電解質の濃度は、溶媒。
電解質の種類により変化するが、通常０．００１モル／
Ｑから２モル／Ｑの範囲であり、好ましくは０．０５モ
ル／Ｑから０．５モル／Ｑである。
Ｑから２モル／Ｑの範囲であり、好ましくは０．０５モ
ル／Ｑから０．５モル／Ｑである。
電解酸化反応に用いる溶媒の具体例としてはアセトニト
リル、ベンゾニトリル、ヘキサヒドロフラン、ニトロベ
ンゼン、炭酸プロピレン、ヘキサメチルホスホルアミド
等があげられる。電解溶液に水を混合する場合、その濃
度は通常０．１ モル／Ｑから５モル／Ｑであり、特
に好ましいのは０．３ モル／！ｉから３モル／Ｑであ
る。
リル、ベンゾニトリル、ヘキサヒドロフラン、ニトロベ
ンゼン、炭酸プロピレン、ヘキサメチルホスホルアミド
等があげられる。電解溶液に水を混合する場合、その濃
度は通常０．１ モル／Ｑから５モル／Ｑであり、特
に好ましいのは０．３ モル／！ｉから３モル／Ｑであ
る。
本発明で用いられる電極材料の具体例としては白金、金
、銅、ニッケルなどの金属や、５ｎＯ２Ｉｎ２０．など
の酸化物があげられる。
、銅、ニッケルなどの金属や、５ｎＯ２Ｉｎ２０．など
の酸化物があげられる。
本発明における電解電圧は、１．０ ボルト以上。
３．０ボルト以下が好ましく、２．０ ボルト以上、３
．０ ボルト以下が特に好ましい。
．０ ボルト以下が特に好ましい。
本発明の特徴は、高配向性のポリマー薄膜を、電解酸化
法により電極面上に直接形成する点にあるが、これは電
極面を、膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層
により被覆するか、あるいは、電極面を適当な方法によ
り有機薄膜層で被覆後、一方向にラビング処理するか、
いずれかの表面処理に電極面にほどこすことによって達
成された。これは、このような電極面上に電解酸化によ
って形成される薄膜中におけるポリマー鎖の配向方向が
、下地薄膜層の分子配向方向又はラビング方向と一致す
ることからも明らかである。
法により電極面上に直接形成する点にあるが、これは電
極面を、膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層
により被覆するか、あるいは、電極面を適当な方法によ
り有機薄膜層で被覆後、一方向にラビング処理するか、
いずれかの表面処理に電極面にほどこすことによって達
成された。これは、このような電極面上に電解酸化によ
って形成される薄膜中におけるポリマー鎖の配向方向が
、下地薄膜層の分子配向方向又はラビング方向と一致す
ることからも明らかである。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが
１本発明はこれら実施例により何ら限定を受けるもので
はない。
１本発明はこれら実施例により何ら限定を受けるもので
はない。
寒施孤上
式（２１）で表わされるポリジアセチレン誘導体（以下
、ｐ−３８ＣＭＴＪと略記する）ｃ Ｓ （ここでＲ３は置換基 を表わす）の０．！５ｇＩＱクロロホルム溶液を調製し
、その溶液をＬＢ膜装置内の純水表面に滴下した。クロ
ロホルムが蒸発するのを待って、第１図のように、対向
する二方向からバリアをゆつくり動かし、水面上に展開
しているｐ−３ＢＣＭｔＪ膜を圧縮した。膜の表面圧が
２０ ｍ Ｎ ／ ｍに達したところでバリアを止め、
水面上に形成されたｐ−３ＢＣＭＵ単分子膜の膜面内転
向性を偏光反射スペクトル測定により評価した。偏光測
定は直線偏光を水面上の膜に対して垂直に入射させて行
った。その結果反射強度が最大および最小になるのは、
偏光方向が、圧縮方向に対して、それぞれ垂直（上）お
よび平行（１）の場合であることがわかった。この結果
より、上記単分子膜の面内でＲ３Ｂ ＣＭ Ｕ分子の主
鎖が、圧縮方向に対して垂直に配向していることが明ら
かになった。また、この偏光特性が膜面内で位置依存性
を示さないことから、水面上に形成されたｐ −３Ｂ
ＣＭＵ単分子膜全体（この場合は膜面積約６０ａ＋ｆ）
にわたり、分子主鎖が同一方向に、かつ、−様に配向し
ていることがわかった。この膜の約６２０ｎｍにおける
二色比は上記スペクトルより約２０であることがわかっ
た。
、ｐ−３８ＣＭＴＪと略記する）ｃ Ｓ （ここでＲ３は置換基 を表わす）の０．！５ｇＩＱクロロホルム溶液を調製し
、その溶液をＬＢ膜装置内の純水表面に滴下した。クロ
ロホルムが蒸発するのを待って、第１図のように、対向
する二方向からバリアをゆつくり動かし、水面上に展開
しているｐ−３ＢＣＭｔＪ膜を圧縮した。膜の表面圧が
２０ ｍ Ｎ ／ ｍに達したところでバリアを止め、
水面上に形成されたｐ−３ＢＣＭＵ単分子膜の膜面内転
向性を偏光反射スペクトル測定により評価した。偏光測
定は直線偏光を水面上の膜に対して垂直に入射させて行
った。その結果反射強度が最大および最小になるのは、
偏光方向が、圧縮方向に対して、それぞれ垂直（上）お
よび平行（１）の場合であることがわかった。この結果
より、上記単分子膜の面内でＲ３Ｂ ＣＭ Ｕ分子の主
鎖が、圧縮方向に対して垂直に配向していることが明ら
かになった。また、この偏光特性が膜面内で位置依存性
を示さないことから、水面上に形成されたｐ −３Ｂ
ＣＭＵ単分子膜全体（この場合は膜面積約６０ａ＋ｆ）
にわたり、分子主鎖が同一方向に、かつ、−様に配向し
ていることがわかった。この膜の約６２０ｎｍにおける
二色比は上記スペクトルより約２０であることがわかっ
た。
このようにして水面上に形成されたｐ −３ＢＣＭＬｌ
の配向性膜を、ヘキサメチルジシラザンを用いて疎水化
処理したＩｎ２Ｏ３電極付ガラス基板（２］Ｘ２ａｏ）
上に、第２図に示す水平付着法を用いて一層だけ移し取
った。ｐ−３ＢＣＭＵ膜は、上記ガラス基板上でも配向
性を保持していることがわかった。
の配向性膜を、ヘキサメチルジシラザンを用いて疎水化
処理したＩｎ２Ｏ３電極付ガラス基板（２］Ｘ２ａｏ）
上に、第２図に示す水平付着法を用いて一層だけ移し取
った。ｐ−３ＢＣＭＵ膜は、上記ガラス基板上でも配向
性を保持していることがわかった。
次に、２００ｍＱのアセトニトリルに、Ｎ−メチルピロ
ール１．５ｇ と、過塩素酸テトラエチルアンモニウム
１．４ｇ を溶解させて電解反応溶液とした。ｐ−３Ｂ
ＣＭＵ膜に被覆された上記Ｉ ｎ２０３電極付ガラス基
板を作用電極とし、対極として白金電極を、参照電極と
して飽和カロメル電極を使用し、上記反応溶液中にこれ
らをいっしょに浸し窒素ガス雰囲気下で作用電極を陽極
として対極との間に一定電流（約５０μＡ−■−２）を
２時間流し、上記作用電極上にπ電子共役系ポリマー薄
膜を析出させた。
ール１．５ｇ と、過塩素酸テトラエチルアンモニウム
１．４ｇ を溶解させて電解反応溶液とした。ｐ−３Ｂ
ＣＭＵ膜に被覆された上記Ｉ ｎ２０３電極付ガラス基
板を作用電極とし、対極として白金電極を、参照電極と
して飽和カロメル電極を使用し、上記反応溶液中にこれ
らをいっしょに浸し窒素ガス雰囲気下で作用電極を陽極
として対極との間に一定電流（約５０μＡ−■−２）を
２時間流し、上記作用電極上にπ電子共役系ポリマー薄
膜を析出させた。
上記ポリマー薄膜を偏光スペクトルを測定し７たところ
、４５０ｎｍにおける二色比は４てあり、ポリマー鎖が
膜面内の特定方向に配向した薄膜が電解酸化法により電
極面上に直接形成できることがわかった。
、４５０ｎｍにおける二色比は４てあり、ポリマー鎖が
膜面内の特定方向に配向した薄膜が電解酸化法により電
極面上に直接形成できることがわかった。
ス１板え
式（２２）で表わされるポリジアセチレン誘導体（以下
、ｐ−４ＢＣＭＵと略記する） ポリマー鎖が面内の特定方向に配向した薄膜が形成され
ていることがわかった。
、ｐ−４ＢＣＭＵと略記する） ポリマー鎖が面内の特定方向に配向した薄膜が形成され
ていることがわかった。
失差皇１
式（２３）で表わされるポリチオフェン誘導体（以下、
ＰＨＤＴと略記する） Ｒ６ （ここでＲ６は置換基 を表わす）の配向性単分子膜を実施例１と全く同様の方
法でＩ ｎ、Ｏ，電極付ガラス基板上に形成した。この
ガラス基板を作用電極として、実施例１と全く同様にし
てＮ−メチルピロールを電解酸化し、上記電極上にπ電
子系共役ポリマー薄膜を析出させた。
ＰＨＤＴと略記する） Ｒ６ （ここでＲ６は置換基 を表わす）の配向性単分子膜を実施例１と全く同様の方
法でＩ ｎ、Ｏ，電極付ガラス基板上に形成した。この
ガラス基板を作用電極として、実施例１と全く同様にし
てＮ−メチルピロールを電解酸化し、上記電極上にπ電
子系共役ポリマー薄膜を析出させた。
上記ポリマー薄膜の偏光スペクトルを測定したところ、
４５０ｎｍにおける二色比は３であり、とｐ−３ＢＣＭ
Ｕを１：１のモル比で混合したクロロホルム溶液を調製
し５実施例１と全く同し方法で水面上に配向性単分子膜
を形成し、水平付着法で工ｎ２０３電極付ガラス基板上
に移しとった。
４５０ｎｍにおける二色比は３であり、とｐ−３ＢＣＭ
Ｕを１：１のモル比で混合したクロロホルム溶液を調製
し５実施例１と全く同し方法で水面上に配向性単分子膜
を形成し、水平付着法で工ｎ２０３電極付ガラス基板上
に移しとった。
次に、２００ ｍ Ｑのアセトニトリルに、式（２４）
で表わされるチオフェン誘導体０．６ ｇ と、過塩
素酸テトラエチルアンモニウム１．５ｇ を熔解させて
電解反応溶液とした。
で表わされるチオフェン誘導体０．６ ｇ と、過塩
素酸テトラエチルアンモニウム１．５ｇ を熔解させて
電解反応溶液とした。
ＰＨＤＴとｐ−３８ＣＭＵの混合膜に被覆された上記Ｉ
ｎ２Ｏ３電極付ガラス基板を作用電極とし対極として白
金電極を、参照電極として飽和カロメル電極を使用し、
上記反応溶液中にこれらをいっしょに浸し、窒素ガス雰
囲気下で作用電極を陽極として対極との間に一定電流（
約６０μＡ・■−２）を２時間流し、上記作用電極上に
π電子共役系ポリマー薄膜を析出させた。
ｎ２Ｏ３電極付ガラス基板を作用電極とし対極として白
金電極を、参照電極として飽和カロメル電極を使用し、
上記反応溶液中にこれらをいっしょに浸し、窒素ガス雰
囲気下で作用電極を陽極として対極との間に一定電流（
約６０μＡ・■−２）を２時間流し、上記作用電極上に
π電子共役系ポリマー薄膜を析出させた。
上記ポリマー薄膜の偏光スペクトルを測定したところ、
４９０ｎｍにおける二色比は２゜５でありポリマー鎖が
膜面内の特定方向に配向した薄膜が形成されていること
がわかった。
４９０ｎｍにおける二色比は２゜５でありポリマー鎖が
膜面内の特定方向に配向した薄膜が形成されていること
がわかった。
尖五析土
式（２４）で表わされるポリジヘキシルシランＨ３
Ｈ３
とｐ −３Ｂ ＣＭＵをｌ：１のモル比で混合したクロ
ロホルム溶液を調製し、実施例１と全く同じ方法で水面
上に配向性単分子膜を形成し、水平付着法でＩｎ２Ｏ，
電極付ガラス基板上に移しとった。
ロホルム溶液を調製し、実施例１と全く同じ方法で水面
上に配向性単分子膜を形成し、水平付着法でＩｎ２Ｏ，
電極付ガラス基板上に移しとった。
このガラス基板を作用電極として、実施例１と全く同様
にしてＮ−メチルピロールを電解酸化し、上記電極上に
π電子系共役ポリマー薄膜を析出させた。 上記ポリマ
ー薄膜の偏光スペクトルを測定したところ、４５０ｎｍ
における二色比は３゜５でありポリマー鎖が面内の特定
方向に配向した薄膜が形成されていることがわかった。
にしてＮ−メチルピロールを電解酸化し、上記電極上に
π電子系共役ポリマー薄膜を析出させた。 上記ポリマ
ー薄膜の偏光スペクトルを測定したところ、４５０ｎｍ
における二色比は３゜５でありポリマー鎖が面内の特定
方向に配向した薄膜が形成されていることがわかった。
尖１孤立
ポリエチレンテレフタレートの０．４ 重量％クロロ
フェノール溶液をＩｎ２Ｏ３電極付ガラス基板上にスピ
ンナー塗布後、加熱によりクロロフェノールを揮発させ
、ポリエチレンテレフタレートの薄膜を形成した。この
膜の表面を、シリコンクロスで一方向に繰り返し摩擦し
てラビング処理を行った。この基板を作用電極として、
実施例１と全く同様にしてＮ−メチルピロールの電解酸
化を行った。得られたポリマー薄膜の二色比は、４５０
ｎｍにおいて６であった。
フェノール溶液をＩｎ２Ｏ３電極付ガラス基板上にスピ
ンナー塗布後、加熱によりクロロフェノールを揮発させ
、ポリエチレンテレフタレートの薄膜を形成した。この
膜の表面を、シリコンクロスで一方向に繰り返し摩擦し
てラビング処理を行った。この基板を作用電極として、
実施例１と全く同様にしてＮ−メチルピロールの電解酸
化を行った。得られたポリマー薄膜の二色比は、４５０
ｎｍにおいて６であった。
大筈鼾
式（２５）で示される４、４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル化合物と式（２６）で示されるピロメリット酸二
無水物をＮ−メチル−２−ピロリドン中で重合させポリ
アミド酸ワニスを得た。
ーテル化合物と式（２６）で示されるピロメリット酸二
無水物をＮ−メチル−２−ピロリドン中で重合させポリ
アミド酸ワニスを得た。
電極付きガラス基板上に蒸着し、厚さ約３００人のジア
セチレン誘導体子ツマー膜を作製した。
セチレン誘導体子ツマー膜を作製した。
このポリアミド酸ワニスをＩｎ、０３電極付ガラス基板
上レコスピンナー塗布後、３００℃で焼成し、ポリイミ
ド薄膜を形成した。この膜の表面を、シリコンクロスで
一方向に繰り返し摩擦することによってラビング処理し
た。この基板を作用電極として、実施例１と全く同様に
してＮ−メチルピロールの電解酸化を行った。得られた
ポリマー薄膜の二色比は、４５０ｎｍにおいて８であっ
た。
上レコスピンナー塗布後、３００℃で焼成し、ポリイミ
ド薄膜を形成した。この膜の表面を、シリコンクロスで
一方向に繰り返し摩擦することによってラビング処理し
た。この基板を作用電極として、実施例１と全く同様に
してＮ−メチルピロールの電解酸化を行った。得られた
ポリマー薄膜の二色比は、４５０ｎｍにおいて８であっ
た。
失息奥ニー
式（２７）示されるジアセチレン誘導体を、 Ｉｎ、０
゜この蒸着膜に紫外線を照射してモノマーを重合させた
後、この膜の表面を、シリコンクロスで一方向に繰り返
し摩擦することによりラビング処理した。この基板を作
用電極として、実施例１と全く同様にしてＮ−メチルピ
ロールの電解酸化を行った。得られたポリマー薄膜の二
色比は、４５０ｎｍにおいて７であった。
゜この蒸着膜に紫外線を照射してモノマーを重合させた
後、この膜の表面を、シリコンクロスで一方向に繰り返
し摩擦することによりラビング処理した。この基板を作
用電極として、実施例１と全く同様にしてＮ−メチルピ
ロールの電解酸化を行った。得られたポリマー薄膜の二
色比は、４５０ｎｍにおいて７であった。
失態孤立
第１表に示すジアセチレン誘導体を、それぞれＩ ｎ２
０．電極付ガラス基板上に、真空蒸着し、厚さ約２００
人のモノマー薄膜を形成した。これらの膜に紫外線を照
射してモノマーを重合させた後これらの膜の表面を、実
施例７と同じ方法でラビング処理した。これらの各基板
を作用電極とじて実施例１と全く同様にしてＮ−メチル
ピロールの電解酸化を行った。得られたポリマー薄膜の
それぞれについて偏光スペクトルを測定したところ。
０．電極付ガラス基板上に、真空蒸着し、厚さ約２００
人のモノマー薄膜を形成した。これらの膜に紫外線を照
射してモノマーを重合させた後これらの膜の表面を、実
施例７と同じ方法でラビング処理した。これらの各基板
を作用電極とじて実施例１と全く同様にしてＮ−メチル
ピロールの電解酸化を行った。得られたポリマー薄膜の
それぞれについて偏光スペクトルを測定したところ。
いずれの膜も膜面内に異方性を有することがわかった。
下地膜を用いたジアセチレン誘導体ごとにその上に電解
酸化によって形成されたポリマー薄膜の二色比（測定波
長４５０ｎｍ）を第１表に示す。
酸化によって形成されたポリマー薄膜の二色比（測定波
長４５０ｎｍ）を第１表に示す。
実施例９
式（２８）で示されるジアセチレン誘導体を、酢酸エチ
ルに溶解し、０．５重量パーセント溶液とした。この溶
液中にＩｎ２Ｏ３ガラス基板を２時間浸漬して、基板表
面にジアセチレン誘導体分子を吸着させた。
ルに溶解し、０．５重量パーセント溶液とした。この溶
液中にＩｎ２Ｏ３ガラス基板を２時間浸漬して、基板表
面にジアセチレン誘導体分子を吸着させた。
（２８）
この基板を溶液から引き上げてから９０″Ｃに加熱して
乾燥させた。基板表面を実施例７と同じ方法でラビング
処理してから、この基板を作用電極として、２，２′−
ジチオフェンの電解酸化を行った。反応溶液には、２０
０ｍＱのアセトニトリル中に２，２′−ジチオフェン０
．８ ｇ と過塩素酸テトラエチルアンモニウム１．
４ｇ をン容解させたものを用いた。得られたポリマー
薄膜の二色比は、４４−９０ｎにおいて８であった。
乾燥させた。基板表面を実施例７と同じ方法でラビング
処理してから、この基板を作用電極として、２，２′−
ジチオフェンの電解酸化を行った。反応溶液には、２０
０ｍＱのアセトニトリル中に２，２′−ジチオフェン０
．８ ｇ と過塩素酸テトラエチルアンモニウム１．
４ｇ をン容解させたものを用いた。得られたポリマー
薄膜の二色比は、４４−９０ｎにおいて８であった。
災庭粁よ立
ｐ−３ＢＣＭＵの配向性単分子膜を実施例１と全く同様
の方法で、白金板（３ａｎ Ｘ ３α）上に形成した。
の方法で、白金板（３ａｎ Ｘ ３α）上に形成した。
この白金板を作用電極として、実施例１とほぼ同様の方
法で、２５時間かけて、Ｎ−メチルビロールの電解酸化
を行った。
法で、２５時間かけて、Ｎ−メチルビロールの電解酸化
を行った。
上記白金板上に得られたポリマー薄膜を乾燥後白金板よ
り剥離させた。このポリマー薄膜の電気伝導度を四端子
法により、デジタルボルトメーターで測定した電圧値か
ら算出したところ、ポリマー鎖の配向方向については７
４０ Ｓ ／ ｃｓ、配向方向と垂直な面内方向につい
ては１１５Ｓ／ｃｎという値が得られた。すなわち、膜
の電気伝導度に面内異方性があることがわかった。
り剥離させた。このポリマー薄膜の電気伝導度を四端子
法により、デジタルボルトメーターで測定した電圧値か
ら算出したところ、ポリマー鎖の配向方向については７
４０ Ｓ ／ ｃｓ、配向方向と垂直な面内方向につい
ては１１５Ｓ／ｃｎという値が得られた。すなわち、膜
の電気伝導度に面内異方性があることがわかった。
本発明の方法によれば、従来とは異なる方法により、か
つ、従来技術に比べて簡略化された工程により、膜面内
で光学的・電気的異方性を示す薄膜を、電解酸化法を用
いて電極面上に直接形成させることができる。さらに本
発明では、機械的に伸延する工程を含まないため、従来
法に比べて薄い膜でも面内異方性を実現することができ
る。
つ、従来技術に比べて簡略化された工程により、膜面内
で光学的・電気的異方性を示す薄膜を、電解酸化法を用
いて電極面上に直接形成させることができる。さらに本
発明では、機械的に伸延する工程を含まないため、従来
法に比べて薄い膜でも面内異方性を実現することができ
る。
第１図は、本発明で使用される面内配向性単分子膜を気
液界面に形成するための装置の概要図であり、第２図は
水平付着法を用いて上記単分子膜を基板上へ移し取る手
順を、第３図は水平浸漬法を用いて同じく上記単分子膜
を基板上へ移し取る第 ２ 回 ＜ａ＞ （ｂ） （Ｉｔ’）
液界面に形成するための装置の概要図であり、第２図は
水平付着法を用いて上記単分子膜を基板上へ移し取る手
順を、第３図は水平浸漬法を用いて同じく上記単分子膜
を基板上へ移し取る第 ２ 回 ＜ａ＞ （ｂ） （Ｉｔ’）
Claims (11)
- １．電解酸化法を用いて電極面上に形成される有機薄膜
において、電極として、膜面内の特定方向に分子が配向
した有機薄膜層により表面があらかじめ被覆された電極
、または、あらかじめ有機薄膜層で被覆された後に、一
方向にラビング処理された表面を有する電極、のいずれ
かを用いて作製されたことを特徴とする配向性有機薄膜
。 - ２．電解酸化法により電極面上に有機薄膜を形成する方
法において、電極として、膜面内の特定方向に分子が配
向した有機薄膜層により表面があらかじめ被覆された電
極、または、あらかじめ有機薄膜層で被覆された後に、
一方向にラビング処理された表面を有する電極、のいず
れかを用いることを特徴とする配向性有機薄膜の作製法
。 - ３．膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層の形
成法が、気液界面に展開された成膜分子を一方向または
対向する二方向から圧縮して該成膜分子が膜面内の特定
方向に配向した薄膜を気液界面に形成せしめ、しかる後
に該薄膜を水平付着法もしくは水平浸漬法を用いて電極
面上に移しとる方法であることを特許請求範囲第１項記
載の配向性有機薄膜。 - ４．あらかじめ電極を被覆する有機薄膜層の形成法が、
真空蒸着法，分子線蒸着法，ディップ法，スプレー法，
スピンナー法，キャスト法，吸着法，ラングミュア・プ
ロジェット法または水平付着法のいずれかの方法である
ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の配向性有機
薄膜。 - ５．特許請求範囲第３項記載の形成法を２回以上繰り返
すことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の配向性有
機薄膜。 - ６．膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層を構
成する化合物の少なくとも一種類が、化学式（１）から
（１５）で表わされる化合物から選ばれることを特徴と
する特許請求範囲第１項記載の配向性有機薄膜。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（３） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） ▲数式、化学式、表等があります▼（６） ▲数式、化学式、表等があります▼（７） ▲数式、化学式、表等があります▼（８） ▲数式、化学式、表等があります▼（９） ▲数式、化学式、表等があります▼（１０） ▲数式、化学式、表等があります▼（１１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１２） ▲数式、化学式、表等があります▼（１３） ▲数式、化学式、表等があります▼（１４） ▲数式、化学式、表等があります▼（１５） ここで置換基Ｒ＿１，Ｒ＿２，Ｒ＿３，Ｒ＿４は一般式
▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｈ＝２〜１８，ｋ＝０または１，ｌ＝１〜１８
，ｍ＝０または１，ｐ＝０〜１８である）で表わされる
構造を有する。 - ７．あらかじめ電極表面を被覆する有機薄膜層を構成す
る化合物の少なくとも一種類が、ポリジアセチレン誘導
体から選ばれることを特徴とする特許請求範囲第１項記
載の配向性有機膜。 - ８．ポリジアセチレン誘導体が一般式（１６）で表わさ
れることを特徴とする特許請求範囲第７項記載の配向性
有機薄膜。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１６） （式中、ｐ，ｓは０または１を、ｑ，ｒは０から１５の
いずれかの整数をそれぞれ表わし、Ｘ＿１，Ｘ＿２は、
−ＯＳＯ＿２−，−ＳＯ＿２Ｏ−，−ＯＣＯ−，−ＣＯ
Ｏ−，−ＣＯＮＨ−， −ＮＨＣＯ−，−ＯＣＯＮＨ−，−ＮＨＣＯＯ−，−Ｃ
Ｈ＿２Ｏ−，−ＯＣＨ＿２−のいずれかの基を表わし、
Ｙ＿１，Ｙ＿２はアルキル基，フェニル基，アルキルフ
ェニル基，アルコキシフェニル基，ハロゲン化フェニル
基，ニトロフェニル基，ジニトロフエニル基，カルバゾ
リル基，ヒドロキシ基，カルボキシ基，アンスリル基，
アルキルオキシカルボニルアルキル基のいずれかの基を
それぞれ表わす。） - ９．膜面内の特定方向に分子が配向した有機薄膜層を構
成する化合物の少なくとも一種類が、化学式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿５，Ｒ＿６は ▲数式、化学式、表等があります▼ 基を表わし、ｔ＝２〜１５である。）で表わされる化合
物から選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第６項
記載の配向性有機薄膜。 - １０．気液界面に展開された成膜分子を一方向または対
向する二方向から圧縮して該成膜分子が膜面内の特定方
向に配向した薄膜を気液界面に形成せしめた後、該薄膜
の配向方向が電極面上で所望の方向を向くように、電極
の方向を規定しながら該薄膜の移し取りを行うことを特
徴とする特許請求範囲第３項記載の配向性有機薄膜。 - １１．電解酸化法を用いて電極面上に形成される有機薄
膜を構成する化合物が式（１７）から式（２０）で表わ
される繰り返し単位を有するポリマーであることを特徴
とする特許請求範囲第１項記載の配向性有機薄膜。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１７） ▲数式、化学式、表等があります▼（１８） ▲数式、化学式、表等があります▼（１９） ▲数式、化学式、表等があります▼（２０） （式中、Ｒ＿７，Ｒ＿８は水素原子，アルキル基，アル
コキシアルキル基またはアルコキシ基を表わし、Ｒ＿９
は水素原子またはアルキル基を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049369A JPH03252402A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 配向性有機薄膜及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049369A JPH03252402A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 配向性有機薄膜及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252402A true JPH03252402A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12829110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2049369A Pending JPH03252402A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 配向性有機薄膜及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252402A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08506640A (ja) * | 1993-02-05 | 1996-07-16 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイション | 冷却可能なガスタービンエンジン用アウターエアシール装置 |
| JP2003512647A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-04-02 | アグフア−ゲヴエルト，ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | 液晶整列層 |
| CN105937037A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-09-14 | 东北石油大学 | 一种有机电合成用防腐电极 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2049369A patent/JPH03252402A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08506640A (ja) * | 1993-02-05 | 1996-07-16 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイション | 冷却可能なガスタービンエンジン用アウターエアシール装置 |
| JP2003512647A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-04-02 | アグフア−ゲヴエルト，ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | 液晶整列層 |
| CN105937037A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-09-14 | 东北石油大学 | 一种有机电合成用防腐电极 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fulghum et al. | Conjugated poly (phenylacetylene) films cross-linked with electropolymerized polycarbazole precursors | |
| US4828917A (en) | Layer of metallomacrocyclic polymer on substrate | |
| TW201030028A (en) | Photocurable polymeric dielectrics and methods of preparation and use thereof | |
| WO2002052581A1 (fr) | Film fin organique conducteur et son procede de fabrication, dispositif photoelectrique organique, fil electrique et electrode mettant en oeuvre ledit film | |
| WO2003067675A1 (fr) | Dispositif electronique organique et son procede de fabrication | |
| Huang et al. | Electrochemical cross-linking and patterning of nanostructured polyelectrolyte− carbazole precursor ultrathin films | |
| Benten et al. | Layer-by-layer deposition films of copper phthalocyanine derivative; their photoelectrochemical properties and application to solution-processed thin-film organic solar cells | |
| TW201242987A (en) | Conductive polymer solution and preparation method thereof | |
| Nejati et al. | Integration of polymer electrolytes in dye sensitized solar cells by initiated chemical vapor deposition | |
| JP2003286336A (ja) | 透明の導電性層の製造方法、こうして得られる層並びにその使用 | |
| JPH03252402A (ja) | 配向性有機薄膜及びその作製方法 | |
| CA1328786C (en) | Layer elements and their production | |
| Dolas et al. | Electrosynthesis of poly (3-dodecyl thiophene) in acetonitrile with boron trifluoride diethyl etherate: the effect of the electrolyte on electrochemical impedance and morphology | |
| JPS6314472A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| Tsumura et al. | Studies on Langmuir-Blodgett films fabricated from the monolayers containing polydiacetylene and polythiophene derivatives | |
| JPH06273811A (ja) | 光・電子機能材料およびその薄膜の製法 | |
| JP2003309307A (ja) | 有機電子デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2552705B2 (ja) | 単分子膜もしくは単分子累積膜およびその製造方法 | |
| JP2004091503A (ja) | ポリチオフェン誘導体薄膜及びその製造方法、並びに当該薄膜を用いた導電性超薄膜及びその製造方法 | |
| Tada et al. | In situ polymerization of polypyrrole in alcohols: Controlling deposition rate and electrical conductivity | |
| JPS62209132A (ja) | ピロ−ル／沃素錯体プラズマ重合膜及びその製造方法 | |
| KR20160070735A (ko) | 새로운 ＷＡＴＥＲ ＶＡＰＯＲ Ａｒ 플라즈마 처리를 통한 초고전도도 PEDOT 박막의 제작 방법 및 이를 포함하는 전자소자 | |
| JPS6339664A (ja) | 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 | |
| Suzuki et al. | SYNTHESIS OF CHIRAL POLYPHNYLACETYLENES BEARING AN ONE-HANDED HELICAL BACKBONE AND PHOTO-RESPONSIVE SIDE CHAINS | |
| JPS62246204A (ja) | 導電体の形成方法 |