JPH03252157A - 放熱フィン - Google Patents
放熱フィンInfo
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- JPH03252157A JPH03252157A JP5002590A JP5002590A JPH03252157A JP H03252157 A JPH03252157 A JP H03252157A JP 5002590 A JP5002590 A JP 5002590A JP 5002590 A JP5002590 A JP 5002590A JP H03252157 A JPH03252157 A JP H03252157A
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- JP
- Japan
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- heat dissipation
- piezoelectric element
- fins
- heat
- flat
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放熱フィン、特に電子機器を構成する半導体パ
ッケージ等に使用する放熱フィンに関する。
ッケージ等に使用する放熱フィンに関する。
近年の電子機器の開発は、半導体素子の高集積化1機器
自体の小型化、高機能化が急速に進んでいる。これに伴
い、電子機器のモジュールから放出する発熱密度が非常
に大きくなっており、熱に対する半導体素子の信頼性及
び安定性を保証するための放熱設計がますます重要とな
ってきた。
自体の小型化、高機能化が急速に進んでいる。これに伴
い、電子機器のモジュールから放出する発熱密度が非常
に大きくなっており、熱に対する半導体素子の信頼性及
び安定性を保証するための放熱設計がますます重要とな
ってきた。
従来の放熱フィンは、アルミニウム等の熱伝導率の高い
材質からなる複数の平板を平行に設ける構造を有してい
る。
材質からなる複数の平板を平行に設ける構造を有してい
る。
次に従来の放熱フィンについて図面を参照して詳細に説
明する。第5図は従来の放熱フィンの一例を示す斜視図
である。
明する。第5図は従来の放熱フィンの一例を示す斜視図
である。
第5図に示す放熱フィンは、半導体パッケージ3の上部
に平板状の放熱フィン2が固定されている。
に平板状の放熱フィン2が固定されている。
発熱体である半導体パッケージ3から伝達された熱は放
熱フィン2を介し空気中に放出される。
熱フィン2を介し空気中に放出される。
一般に空気中に放出される熱量は、放熱フィンの表面積
を増すことで増加する。また放熱フィン周囲の杖態によ
っても異なり、空気を自然対流させた場合の熱伝達率は
約10W/m ”C程度であるが、強制対流させた場
合の熱伝達率は約100W/m ”C程度である。
を増すことで増加する。また放熱フィン周囲の杖態によ
っても異なり、空気を自然対流させた場合の熱伝達率は
約10W/m ”C程度であるが、強制対流させた場
合の熱伝達率は約100W/m ”C程度である。
上述した従来の放熱フィンは、熱伝達率を良くするため
に放熱フィンをとりまく空気を強制対流させる方法をと
った場合においても、放熱フィンのごく近傍領域での空
気の対流が十分に起こらず滞留した状態になっており、
実質的な熱伝達率の低下を引き起こすという欠点があっ
た。
に放熱フィンをとりまく空気を強制対流させる方法をと
った場合においても、放熱フィンのごく近傍領域での空
気の対流が十分に起こらず滞留した状態になっており、
実質的な熱伝達率の低下を引き起こすという欠点があっ
た。
本発明の放熱フィンは、熱伝導率の高い材質からなる複
数の平板を平行に設ける放熱体と、少なくとも一つの前
記平板に設ける平板状の圧電素子とを含んで構成される
。
数の平板を平行に設ける放熱体と、少なくとも一つの前
記平板に設ける平板状の圧電素子とを含んで構成される
。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明の実施例を示す断面図である。
第1図に示す放熱フィンは、平板状の圧電素子1が放熱
フィン2の両側にそれぞれ形成され、半導体パッケージ
3の上部に固定されている。
フィン2の両側にそれぞれ形成され、半導体パッケージ
3の上部に固定されている。
次に本発明の動作原理について説明する。
第2図(a)、(b)+ (c)は、放熱フィン2の
片側に形成した圧電素子1へ、0バイアス。
片側に形成した圧電素子1へ、0バイアス。
順バイアス、逆バイアスの電圧印加を行った場合につい
て、放熱フィン2の動作する様子を示した断面図である
。
て、放熱フィン2の動作する様子を示した断面図である
。
第2図(a)において、圧電素子1は0バイアスである
ので、圧電素子の伸縮はない。
ので、圧電素子の伸縮はない。
第2図(b)において、圧電素子1は順バイアスの電圧
印加することで圧電素子1が矢印で示すような高さ方向
に対し膨張するため、第2図(b)のどとくΔXの変位
量で湾曲する。
印加することで圧電素子1が矢印で示すような高さ方向
に対し膨張するため、第2図(b)のどとくΔXの変位
量で湾曲する。
また第2図(C)において、圧電素子1は逆バイアスの
電圧印加によって圧電素子1が高さ方向に対し収縮する
ため、第2図(C)のごとく順バイアスと逆方向のΔX
′の変位量で湾曲する。
電圧印加によって圧電素子1が高さ方向に対し収縮する
ため、第2図(C)のごとく順バイアスと逆方向のΔX
′の変位量で湾曲する。
上述の動作は、交流バイアスを印加することによって、
連続的な圧電素子1の振動状態をつくる。
連続的な圧電素子1の振動状態をつくる。
この振動状態は、放熱フィンの形状及び材質によって決
定される固有振動数に同調した交流バイアスの周波数を
選ぶことによって、放熱フィン全体に伝播することがで
きる。
定される固有振動数に同調した交流バイアスの周波数を
選ぶことによって、放熱フィン全体に伝播することがで
きる。
尚、圧電素子を取り付けたフィンの部分は、他のフィン
と固有周波数が異らないようフィンの厚み等で調整する
。
と固有周波数が異らないようフィンの厚み等で調整する
。
さらに、放熱フィン2を強制空冷した場合の空気の流速
状態を第3図に示す。
状態を第3図に示す。
第3図において、放熱フィン2の近傍では、空気の流れ
6の滞留が起こり流速を低下させている。この空気の滞
留域の幅は、第3図に示す流速状態かられかるように放
熱フィン2を圧電素子1によって振動させた方が従来の
放熱フィンと比較して小さい。
6の滞留が起こり流速を低下させている。この空気の滞
留域の幅は、第3図に示す流速状態かられかるように放
熱フィン2を圧電素子1によって振動させた方が従来の
放熱フィンと比較して小さい。
熱伝導から考えると、空気の滞留が少ない程放熱フィン
2の界面付近での空気の熱伝導率が良くなるので放熱効
果は向上する。
2の界面付近での空気の熱伝導率が良くなるので放熱効
果は向上する。
第4図は、本発明の動作状態を示す断面図である。
第4図において、圧電素子1に電極4と放熱フィン2を
電極として交流バイス5を印加する。交流バイアス5の
周波数は放熱フィン2の固有振動数と同調させておけば
放熱フィン2は第4図に示すごとく全体が振動する。
電極として交流バイス5を印加する。交流バイアス5の
周波数は放熱フィン2の固有振動数と同調させておけば
放熱フィン2は第4図に示すごとく全体が振動する。
以下に本発明のさらに具体的な実施例について説明する
。
。
まず圧電素子は、ジルコンチタン酸鉛系材料を用いた。
圧電素子の厚みはt = 0.25mm 1交流バイア
ス印加用の電極として圧電素子表面に金を蒸着している
。
ス印加用の電極として圧電素子表面に金を蒸着している
。
また、放熱フィンの材料はアルミニウムを用いており、
圧電素子の電極として代用している。使用した放熱フィ
ンの固有振動数は約4kHzで、0.3v程度の交流バ
イアス印加により放熱フィン全体が共鳴振動をした。
圧電素子の電極として代用している。使用した放熱フィ
ンの固有振動数は約4kHzで、0.3v程度の交流バ
イアス印加により放熱フィン全体が共鳴振動をした。
この振動を得るために必要なエネルギーは、当然熱エネ
ルギーとなって放出されるが、半導体パッケージの発熱
体より放出される熱エネルギーと比較し無視できる程度
の値である。
ルギーとなって放出されるが、半導体パッケージの発熱
体より放出される熱エネルギーと比較し無視できる程度
の値である。
尚、圧電材料はジルコンチタン酸鉛系のほかに、チタン
酸バリウム系、ニオブ酸塩系等であってもよい。放熱フ
ィン材料としては、アルミニウムのほかに、熱伝導率の
高い銅、窒化アルミニウム等が挙げられる。
酸バリウム系、ニオブ酸塩系等であってもよい。放熱フ
ィン材料としては、アルミニウムのほかに、熱伝導率の
高い銅、窒化アルミニウム等が挙げられる。
次に放熱効果を確認するために、半導体パッケージを実
際に動作し発熱体としての温度測定を放熱フィンのない
場合、従来の放熱フィンの場合、振動させる本発明の放
熱フィンの場合についてそれぞれ評価した。
際に動作し発熱体としての温度測定を放熱フィンのない
場合、従来の放熱フィンの場合、振動させる本発明の放
熱フィンの場合についてそれぞれ評価した。
その結果、放熱フィンのない場合に70℃であった発熱
体は、従来の放熱フィンを使用した場合で62℃、振動
させる本発明の放熱フィンを使用した場合で59℃にな
った。このことより放熱フィン全体を振動させる本発明
は、放熱効果が十分にあることを確認した。
体は、従来の放熱フィンを使用した場合で62℃、振動
させる本発明の放熱フィンを使用した場合で59℃にな
った。このことより放熱フィン全体を振動させる本発明
は、放熱効果が十分にあることを確認した。
本発明の放熱フィンは、平板の放熱フィンの少なくとも
片面の1箇所を平板状の圧電素子で形成し、放熱フィン
の固有振動数に同調した交流電圧の印加により、放熱フ
ィン全体を強制振動させ、半導体パッケージの放熱効果
を向上できるという効果がある。
片面の1箇所を平板状の圧電素子で形成し、放熱フィン
の固有振動数に同調した交流電圧の印加により、放熱フ
ィン全体を強制振動させ、半導体パッケージの放熱効果
を向上できるという効果がある。
また、この放熱効果の改善による、半導体パッケージの
動作の安定性及び信頼性が向上できる。
動作の安定性及び信頼性が向上できる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図(a)
〜(C)は本発明の動作原理を示す断面図、第3図は第
2図の原理の効果を説明するための特性図、第4図は本
発明の動作杖態を示す断面図、第5図は従来の一例を示
す斜視図である。 1・・・圧電素子、2・・・放熱フィン、3・・・半導
体パッケージ、4・・・電極、5・・・交流バイアス、
6・・・空気の流れ。
〜(C)は本発明の動作原理を示す断面図、第3図は第
2図の原理の効果を説明するための特性図、第4図は本
発明の動作杖態を示す断面図、第5図は従来の一例を示
す斜視図である。 1・・・圧電素子、2・・・放熱フィン、3・・・半導
体パッケージ、4・・・電極、5・・・交流バイアス、
6・・・空気の流れ。
Claims (1)
- 熱伝導率の高い材質からなる複数の平板を平行に設け
る放熱体と、少なくとも一つの前記平板に設ける平板状
の圧電素子とを含むことを特徴とする放熱フィン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5002590A JPH03252157A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 放熱フィン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5002590A JPH03252157A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 放熱フィン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252157A true JPH03252157A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12847462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5002590A Pending JPH03252157A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 放熱フィン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03252157A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6334480B1 (en) * | 1999-11-09 | 2002-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cooling device with micro cooling fin |
JP2002151873A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | 電子機器の冷却構造および冷却装置ならびに電子機器 |
JP2008210876A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ヒートシンク |
JP2010239165A (ja) * | 2005-03-25 | 2010-10-21 | Yamaguchi Univ | プラズマシンセティックジェットを用いた冷却装置 |
US9006956B2 (en) * | 2012-05-09 | 2015-04-14 | Qualcomm Incorporated | Piezoelectric active cooling device |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP5002590A patent/JPH03252157A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6334480B1 (en) * | 1999-11-09 | 2002-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cooling device with micro cooling fin |
US6425439B1 (en) | 1999-11-09 | 2002-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cooling device with micro cooling fin |
JP2002151873A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | 電子機器の冷却構造および冷却装置ならびに電子機器 |
JP2010239165A (ja) * | 2005-03-25 | 2010-10-21 | Yamaguchi Univ | プラズマシンセティックジェットを用いた冷却装置 |
JP2008210876A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ヒートシンク |
US9006956B2 (en) * | 2012-05-09 | 2015-04-14 | Qualcomm Incorporated | Piezoelectric active cooling device |
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