JPH03245407A - 高誘電率磁器組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、セラミックコンデンサに好適に用いることが
できる高誘電率磁器組成物の製造方法に関する。

（従来の技術） 以前より、高誘電率磁器組成物を電極間に介在させたコ
ンデンサ素子からなるコンデンサは広く知られており、
このようなコンデンサに好適に用いることのできる誘電
体材料が数多く開発されている。係る誘電体材料に対し
て要求される電気的特性としては、大きな誘電率、小さ
い誘電率温度係数、小さい誘電損失、小さい誘電率バイ
アス電界依存性、大きい絶縁抵抗等があげられる。また
コンデンサを電子回路に用いる場合、特に店範囲な温度
領域にわたって安定な温度特性を要求される場合があり
、たとえばＥＩＡ（米国電子工業会）規格のＸ７Ｒ規格
では一り５℃〜＋　１２５℃の温度領域における容量の
変化率が±１５％以内、さらにＸ７Ｓ規格では同じ温度
領域における容量の変化率が±２２％以内と規定されて
いる。

上述したような電気的特性のすべてが良好で、しかも極
めて優れた温度特性を有する誘電体材料としては、従来
、鉛複合ペロブスカイト系材料の仮焼粉体と、チタン酸
バリウム系材料の仮焼粉体との混合物を焼成することに
より得られる高誘電率磁器組成物が提供されている。例
えば特開昭６１−２５０９０４号には、Ｐｂ　（Ｚｎ　
Ｉ／３　Ｎｂ　２／３　）　　Ｏｓ系材料の仮焼粉体と
Ｂａ　Ｔｉ　０３系材料の仮焼粉体との混合物を焼成す
ることにより、極めて平坦な誘電率磁器組成物を得る技
術が開示されている。

しかしながらこのような従来の高誘電率磁器組成物にお
いては、コンデンサ、特に積層セラミックコンデンサと
して用いるには、−層の機械的強度の向上が望まれてい
た。すなわち、前記高誘電率磁器組成物を用いて形成し
た積層セラミックコンデンサ素子をインサートマシンに
より回路基板上に装着する際に、素子が破損するおそれ
があり信頼性に欠けるという問題点があった。

（発明が解決しようとする課題） 上述したように従来の高誘電率磁器組成物においては、
各種の電気的特性、温度特性、機械的強度等のすべてが
満足されていないため、信頼性に欠けるという問題点が
あった。

本発明はこのような問題点を解決して、機械的強度が極
めて高く、平坦な誘電率温度係数を有して温度特性にも
優れ、さらには電気的特性、耐湿性も充分な信頼性の高
い高誘電率磁器組成物の製造方法を提供することを目的
としている。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段及び作用）本発明は、一般
式 ％式％ なる組成を有する第一の仮焼粉体と、 一般式 ％式％） なる組成を有する第二の仮焼粉体とを、モル比で９０：
１０乃至５０：５Ｇの範囲内で混合した後、焼成する工
程を具備した高誘電率磁器組成物の製造方法である。す
なわち、一般式 ％式％ で表される誘電体材料（以下、ＰＬＺＴと略す）と、一
般式 ％式％） で表される誘電体材料（以下ＢＴＺと略す）の仮焼粉体
をそれぞれ別工程で作成して、両者を混合した後焼成を
行なうことを特徴としている。

本発明者らは、極めて機械的強度が高く、さらには電気
的特性等地の緒特性も良好な高誘電率磁器組成物を得る
ことのできる材料として、ＰＬＺＴ−ＢＴＺ系の二成分
系誘電体材料が好適であることを見出した。本発明では
上述した組成を有するＰＬＺＴとＢＴＺとが、モル比で
９０：１０乃至５０：５Ｇの範囲内で混合されることに
より、所望の特性を有する高誘電率磁器組成物を得るこ
とができる。また一般に高誘電率磁器組成物は、出発材
料としてすべての構成元素、すなわちＰｂ、Ｌａ。

Ｚｔ、Ｔｉ、Ｂａ等の例えば酸化物を用いて、これらを
混合して仮焼した後焼成することにより得ることができ
る。しかしながら、本発明の製造方法は上述した一般的
な方法に代えて、ＰＬＺＴの仮焼粉体とＢＴＺの仮焼粉
体をあらかじめ別々に作成しておき、これらを混合して
焼成するものである。このような方法により製造された
高誘電率磁器組成物は特に機械的強度が高く、さらには
誘電率温度係数が平坦化される。

本発明で用いられるＰＬＺＴは、−層成％式％ より好ましくは０，５０≦ｙ≦０．８０なる組成を有す
る。

ｘ、ｙを上記範囲とした理由は、この範囲を外れた場合
誘電率温度係数が大きくなってしまうためである。ＰＬ
ＺＴの仮焼粉体を作成するには、まず、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚ
ｔ、Ｔｉの酸化物、あるいは仮焼により酸化物になる炭
酸塩、しゅう酸塩等の塩類、水酸化物、有機金属化合物
等の化合物を所定の割合に秤量して充分に混合した後、
７００℃〜９５０℃で仮焼する。単独の化合物の代わり
にたとえばＺｒＴｉＯ４のような中間化合物を用いても
よい。仮焼後、得られた仮焼体を粉砕して仮焼粉体とす
るが、このときより平坦な誘電率温度係数を得るために
は、比表面積が１〜ｌ０ｒｄ／　ｇとなるよう粉体粒径
等を制御することが好ましい。例えば９００℃で２時間
仮焼し、５■φのジルコニアボールを用いて２４〜４８
時間粉砕することにより、３〜６　ｎ（／　ｇ程度の粉
体粒子が得られる。

一方、本発明で用いられるＢＴＺは、一般弐Ｂ　！　　
（Ｔ　Ｉ　、−ｘ　Ｚ　ｔ　、）　Ｏｓで表したときに
Ｏｓ２≦０．３５なる組成を有する。

２が０．３５より大きい場合誘電率温度係数が大きくな
ってしまう。ＢＴＺの仮焼粉体を作成するには、ＰＬＺ
Ｔのときと同様に、Ｂｌ、Ｔｉ、Ｚｔの酸化物等を所定
の割合に秤量し、充分に混合して１）００℃〜１３００
℃で仮焼する。この後、粉砕して仮焼粉体が得られるが
、このときは比表面積が０．５〜２．７／ｇとなるよう
に粉体粒径等を制御することが好ましい。例えば１３０
０℃で８時間仮焼し、５　ｍｍφのジルコニアボールを
用いて２〜４時間粉砕することにより、１　ｒｄ　／　
ｇ程度の粉体粒子が得られる。

また、前述したような仮焼粉体を作成する場合、固相反
応法に変えて共沈法、水熱合成法、ガラス結晶化法等を
用いて仮焼体を製造することもできる。さらに仮焼体の
粉砕を行なう際には、不純物の混入を防止するために部
分安定化ジルコニアボール等の高硬度、高靭性のボール
を用いることが好ましい。なお本発明では、ＰＬＺＴ、
ＢＴＺの組成が若干化学量論比よりずれていても構わな
い。

さらに、特性に影響しない範囲内でＢａの一部をＳｔ、
Ｃｘ、Ｍｇ、Ｃｅ等で、Ｔｉの一部をＳｎ等で置換する
ことも許容される。

本発明では、上述したような方法で作成されたＰ　Ｌ　
Ｚ　Ｔ及びＢＴＺの仮焼粉体を、モル比で９０：１０乃
至５０・５０の範囲内で混合した後、所定の形状に成型
して焼成することにより、本発明に係る高誘電率磁器組
成物が得られる。このような製造方法により得られた高
誘電率磁器組成物においては、ＰＬＺＴ及びＢＴＺ各々
についてのキュリー点が維持されるため、広い温度範囲
内で誘電率温度係数が平坦化される。ただし、ＰＬＺＴ
及びＢＴＺの仮焼粉体の相互拡散が激しすぎるとこのよ
うな効果が低減するので、これらの仮焼粉体の比表面積
が上述したように制御されることが好ましい。また、Ｐ
ＬＺＴとＢＴＺの混合比が上記範囲内に限定される理由
は、ＰＬＺＴが多すぎると誘電率温度係数が大きくなっ
てしまい、ＢＴＺが多すぎると焼成温度が高くなってし
まうからである。

また本発明では、上述したような組成の高誘電率磁器組
成物に対して、Ｍｎ　Ｏ，Ｃｏ　、　Ｏｓ　、及びＮｂ
　２０Ｂの少なくとも一種をｌ　　ｍｏ１％以下、好ま
しくは０．５ｍｏ１％以下添加することもできる。

このような添加成分は、ＰＬＺＴまたはＢＴＺの仮焼粉
体の作成時及び両者の仮焼粉体混合時のいずれにおいて
も添加することができる。ＰＬＺＴまたはＢＴＺの仮焼
粉体の作成時に添加するときは、Ｐ　ｂ、　Ｌ　ａ、　
Ｚ　Ｔ、　Ｔ　ｉ、　Ｂ　ａ等の化合物の秤量時に、同
時に添加成分を秤量し添加すればよい。またこの際、仮
焼により酸化物になる化合物としてＭｕ。

Ｃｏ、　Ｎ　ｂが添加されても構わない。係る添加成分
は、ＰＬＺＴの仮焼粉体に添加された場合は高誘電率磁
器組成物焼成時の緻密化促進に寄与し、ＢＴＺの仮焼粉
体に添加された場合は誘電損失を低減せしめる効果を有
する。さらに、添加成分がＰＬＺＴ及びＢＴＺの仮焼粉
体の混合時に添加された場合は、焼成時の緻密化促進と
誘電損失の低減がともに達成される。ただしこのときは
、Ｍｎ。

Ｃｏ、　Ｎ　ｂは酸化物として添加されることが好まし
い。係る添加成分は、少なくとも（１，＆Ｊｍｏ１％の
添加により添加効果が現れる。逆に１ｍｏ　１％を越え
ると、かえって誘電損失が増加してしまう。

さらに本発明では、高誘電率磁器組成物に対して、ホウ
ケイ酸系のガラス成分をｌｖ１％以下添加することもで
きる。係るガラス成分の添加により、本発明では高誘電
率磁器組成物の緻密化、焼成温度の低下、さらに耐湿性
の向上が達成される。しかしながら添加量がｌｖ１％を
越えると、高誘電率磁器組成物の誘電率が低下してしま
う。また係るガラス成分の添加は、０．　［１５ｘ１％
以上添加したとき添加効果が現れる。このようなガラス
成分は、ＰＬＺＴまたはＢＴＺの仮焼粉体作成時に添加
しても、両者の仮焼粉体４合時に添加しても構わないが
、仮焼粉体混合時に添加した方が添加効果が顕著とはる
。

ガラス成分は、例えば、所定量の酸化物、炭酸塩等の材
料を白金るつぼの中で溶融し、水中急冷して得たかたま
りを粉砕するという通常の方法で得ることができる。た
だし、本発明で用いられるガラス成分は、良好な耐圧性
を有する高誘電率磁器組成物を得るために数μｍ程度、
好ましくは１μｍ程度に粉砕しておくことが望ましい。

このガラス成分は　３２５メツシユ（４０μｍφ孔）通
過程度の粉末を、１〜２ｉＩＩＩｌφの硬質部分安定化
ジルコニアボールと樹脂ポットを用いて粉砕することに
より得られる。

本発明に係るホウケイ酸系のガラス成分としては、酸化
物に換算して、５Ｗ１％以上のＢ２Ｏ５及びｌｏｖｌ％
以上の５ｉｎ２を含有していればよく、他にＢ、Ｐｂ、
ＡＩ、Ｂｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｚｎ等を含んで
もかまわない。各構成成分を酸化物に換算して表にした
時、 Ｓ　ｆ　　０２　　　　　　Ｉｎ〜６０　　　　ｖ１％
ＢｘＯｘ　　　　　　　５〜８０　　　　ｖ１％ＡＩ　
　２　０ｘ　　　　　Ｏ〜２０　　　　ｖ１％ＰｂＯＣ
１〜４０　　　　Ｗ１％ ＢＩＯＯ〜２０　　　　ｗ１％ Ｓ　］　０　　　　　　０〜２０　　　ｗＩ％ＣａＯＯ
〜２０　　　　ｖｊ％ ＭｇＯＯ〜２０　　　　ｖ１％ ＺｎＯＯ〜２０　　　　ｖ１％ Ｌｉ０Ｏ〜３０ｖ１％ （但し合計で　ｌｏｏｖｌ％） ＰｂＯ５〜４０　　　Ｗ（％ ＢａＯＯ〜２０　　　　ｖ１％ Ｓｒ０　　　　　　　０〜１５　　　　ｖ１％Ｃａ０Ｏ
〜ｌ０ｖｔ％ ＭｇＯＯ〜１５　　　Ｗ１％ ＺｎＯＯ〜Ｉ５　　　　ｖ１％ Ｌｉ　　２０　　　　　０〜２０　　　　ｖ１％（但し
合計で１００ｖ１％） であることが望ましい。さらに鉛（ｐｂ）、　　アルミ
ニウム（Ａｌｌ、硼素（Ｂ）、硅素（Ｓｌ）を同時に含
むアルミノホウケイ酸ガラスはより好ましい。

この場合硼素を５ｘ１％以上、硅素をｌｏｖｔ％以上。

アルミニウムを５ｘ１％以上、鉛を５ｘ１％以上含有す
ることが好ましい。このようなアルミノホウケイ酸鉛ガ
ラスとしては各構成成分を酸化物に換算して表にした時
、 Ｓ　ｌ　０２　　　　ｉｌｌ〜３０　　　ｖ１％Ｂ２Ｏ
３５〜４５’　　ｖ１％ Ａ　Ｉ　２０　ｓ　　　５〜２０　　　マ１％であるこ
とが望ましい。

このような本発明に係る高誘電率磁器組成物を誘電体層
として用いれば、該高誘電率磁器組成物を介して少なく
とも一対の電極を対向形成することにより、機械的強度
が極めて優れたセラミックコンデンサを得ることができ
る。係るセラミックコンデンサを形成するときの具体的
形態は、コンデンサ素子を樹脂や絶縁ワニス等でモウル
ドまたはコーティングしたものであってもよく、絶縁油
中に保持させたものであってもよく、当該分野で知られ
ているいかなる形態で用いられてもよい。

積層タイプのセラミックコンデンサを製造する場合には
前述の材料粉末にバインダー、溶剤等を加え、スラリー
化してグリーンシートを形成し、このグリーンシート上
に内部電極を印刷した後、所定Ｑ）枚数を積層１圧着し
、脱脂後、焼成することにより製造する。このとき本発
明の組成物は１）００〜１２００℃での低温焼成ができ
るため、内部電極材料としてたとえば銀パラジウム系の
ような比較的安価な低融点金属材料を使用することがで
きる。

またこの組成物を圧電、電歪効果を利用する微小変位素
子に用いても、特性の温度による変動が少なく有効であ
る。また回路基板等に印刷、焼成される厚膜誘電体ペー
ストの材料としても有効である。このような本発明に係
る高誘電率磁器組成物は優れた機械的強度、及び平坦な
誘電率温度係数を有し、また容量抵抗積も大きく、さら
に高温でも充分に高い値を示し信頼性に優れている。さ
らに誘電率バイアス電界依存性も優れており、２　ｋ　
Ｖ　／　ｍｍの電界強度でも１０％以下の容量低下率を
持つ材料を作ることができる。したがって、高圧用の材
料としても有効である。また誘電損失が小さく、交流用
、高周波用としても有効である。

さらに焼成時のグレインサイズも１〜３μｍと均一化さ
れるため耐圧特性にも優れている。

なお本発明においては、本発明の効果を損わない範囲で
の不純物等の含有もかまわない。例えば、Ｚｎ　Ｏ，Ｔ
ｉ　２０ｓ　、　ＷＯ３Ｓｒ　Ｏ，Ｎｉ　Ｏ，ＡｌＯ３
、Ｍｇ　Ｏ，Ｓｂ　　０！　。

ＺＴ０２．ＳｉＯ□、ランタニド元素が挙げられる。し
かしながら、これらの不純物等の含有量は多くても　０
．５Ｗ１％以下である。

（実施例） 以下に本発明の詳細な説明する。

実施例１〜５ ＰＬＺＴについては、Ｐｂ　Ｏ，Ｌａ　２０３゜ＺＴ　
０２．Ｔｔ　０２を所定の割合になるよう秤量し、ボー
ルミルで充分混合した後、９００℃で２時間仮焼し、そ
の後５■φのＺｒ　０２ボールとボットミルを用いて２
４時間粉砕し、乾燥した。

また、ＢＴ　ｚｌ、：ついてｔ；ＬＢｇ　ＣＯ３、Ｔｉ
　０２　。

Ｚｔ０２を所定の割合になるよう秤量し、ボールミルで
十分混合した後、１３００℃で８時間仮焼し、さらに５
■φのＺ＋Ｏ□ボールとボットミルを用いて２時間粉砕
し、乾燥した。

上述したような方法で作成したＰＬＺＴ及びＢＴＺの仮
焼粉体について、比表面積をＢＥＴ法により測定したと
ころ、各々　３．２ｒｒｆ／　ｇ、　　０．８ｒｉ／ｇ
の値が得られた。次にこれらを所定の割合になるように
秤量し、ポットを用いて混合した。この後、ＰＶＡ　（
ポリビニルアルコール）をバインダーとして添加して造
粒し、プレス成型して直径１７鴫φ厚さ２　ｍｍ及び直
径３０１ＩＩＩｎφ厚さ４ｍｍの円板状の成型体を得た
。これらの成型体を空気中１０５０〜１２００℃で焼成
することにより、それぞれ第１表に示した組成からなる
高誘電率磁器組成物を製造した。なお比較例として、Ｂ
ａ　Ｔｉ　Ｏ，−Ｃｏ　Ｏ−Ｎｂ　、Ｏ，系の三成分系
の誘電体材料を用いた高誘電率磁器組成物を製造した（
比較例１）。ただし比較例はすべての構成元素を出発材
料として用い、これらを−度に混合した後、仮焼・焼成
する一般的な方法を用いた。

得られた直径３０ｍｍφ厚さ４Ｉの焼成物を厚さ３ｍｍ
、幅５■、長さ１５■の角柱状に切り出し、各面を粒径
約０．６μｍのアルミナで研磨した後、支持点間隔１０
ｍｍの三点曲げ装置を用い、曲げ破壊過重Ｗ（ｋｇ）を
測定して、この値より次式を用いて機械的強度を求めた
。なお機械的強度は２０試料の平均値で示した。

σ−３３，３Ｗ　（ｋｇ／ｃｎｆ） 一方、直径１７閤φ厚さ２　ｍｍの高誘電率磁器組成物
を厚さが０．２あるいはＯ，Ｉｍｍになるまで研磨した
後、両面に銀を蒸着して電極とし、各種の電気的特性を
測定した。誘電損失ＤＦ、容量はｌｋＨ！で、５Ｖ＋ｍ
ｓ　、　２５℃の条件下でデジタルＬＣＲメーターによ
り測定した。誘電率にはこの値より算出した。また誘電
率温度係数ＴＣＣは２５℃での値を基準とし、−５５℃
〜１２５℃の温度範囲内における変化中の最大値で表し
た。

また誘電率バイアス電界依存性は厚さ　０．１ｍｍの試
料を用い、直流バイアス電力を２００■まで印加して容
量変化率を測定し、この時の容量変化率で表した。結果
を第１表に示す。第１表から明らかなように、本発明に
係る高誘電率磁器組成物においては優れた機械的強度を
有しており、各種の電気的特性も良好であった。

以下余白 実施例６〜１２ ＰＬＺＴもしくはＢＴＺの仮焼粉体にＭｎＯ。

Ｃｏ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５が添加含有された場合の例を第
２表に示した。これらは各々の成分の仮焼前に所定量添
加含有せしめた。

このような高誘電率磁器組成物について、実施例１〜５
と同様の方広で焼成物を製造した後、諸特性を測定した
。同時に、本発明の範囲外の２１）１＋ＩＩ％のＭｎＯ
が添加含有された高誘電率磁器組成物を製造して、諸特
性を測定した（比較例２）。結果を第２表に示す。第２
表から明らかなように、本発明の範囲内で添加成分が添
加された高誘電率磁器組成物では優れた機械的強度及び
電気的特性が得られている。

以下余白 実施例１３〜２２ 実施例６の高誘電率磁器組成物にガラス成分を添加した
例を第３表に示した。なおガラス成分としては７種類の
試料を用いたが、これらの試料１〜７のガラス成分の組
成を第４表に示した。なおガラス成分は、ＰＬＺＴ及び
ＢＴＺの仮焼粉体を混合する際に同時に添加した。

このような高誘電率磁器組成物について、実施例１〜５
と同様の方法で焼成物を製造した後、諸特性を測定した
。また同時に比較例として、本発明の範囲外の２ｖ１％
のガラス成分を添加したもの（比較例３）、 Ｐｂ　Ｏｓ　Ｓｒ　（１２ｆ（Ｚｎ　＋ｙｓ　Ｎｂ２／
３）　Ｔ！　０．３］３ の仮焼粉体とＢ”　（Ｔｌ　ｏ、５ａＺｆ　Ｏ，Ｇ２）
　０３の仮焼粉体とを、モル比６０：４０で混合せしめ
た後、ガラス成分を添加して仮焼・焼成を行なったもの
（比較例４）、 すべての構成元素を出発材料として用い、これらを実施
的６と同様の組成化が得られるような割合で一度に混合
した後、＋０００’ｃ、　　２時間仮焼を行ない、さら
に焼成したもの（比較例５） を用意して、同様に諸特性を測定した。また耐湿性試験
として、０．２−厚みの円板試料を用い、８５℃、９５
％ＲＨの雰囲気下で直流７ｆｌ（ＩＶを印加し、２００
時間後に破壊した数量を調べ、母数２０個中の破壊個数
で特性を表わした。結果を第３表に示す。

第３表から明らかなように、本発明に係る高誘電率磁器
組成物では比較例と比べて、機械的強度、電気的特性、
耐湿性のすべてに優れていることが確認された。

以下余白 以上示したように、本発明に係る高誘電率磁器組成物は
、機械的強度が極めて優れ（１０００ｋｇ／ａｊ以上）
、さらには高誘電率（Ｋ≧２０００）　、温度係数が良
好（−５５〜　１２５℃で＋２２〜−４０％以内）で、
誘電率バイアス電界依存性が小さく、また耐湿性でも良
好な結果を示している。

実施例２３ 実施例１５の高誘電率磁器組成物を用いて、積層セラミ
ックコンデンサを作成した実施例を説明する。まずＰＬ
ＺＴ及びＢＴＺの仮焼粉体ならびにガラス成分を混合し
た後、有機溶剤及びバインダーを加えてスラリー化し、
ドクターブレード型キャスターを用いて３８μｍ厚みの
グリーンシートを作成した。このグリーンシート上に６
０Ａｇ／４０Ｐｄの電極ペーストを所定のパターンで印
刷し、このような電極パターンを有するシートを６枚積
層圧着した。その後、所定の形状に切断し、バインダー
を脱脂し、ｌｌｌｌＯ℃で焼成を行なった。焼成後外部
電極として銀ペーストを８００℃で焼き付け、積層セラ
ミックコンデンサを作成した。形状は４．５Ｘ　　３．
２ｍｍ、焼成後の１層あたりの厚みは約２４μｍ、容量
は２２ｎ　Ｆであった。得られた素子の機械的強度は５
．０！で、また温度特性は一５５〜１２５℃の範囲で一
２２％以内であり、ＥＩＡ規格のｘ７Ｓを満した。また
バイアス電圧５０Ｖ印加した時の容量変化率は一１７％
であった。

また８５℃、９５％ＲＨでｊｉｌｔ）Ｖを２０１）時間
印加して耐湿性試験を行なった後の故障率は総数２０個
に対し、０個であった。

［発明の効果コ 以上詳述したように本発明の製造方法によれば、機械的
強度が極めて高く、平坦な誘電率温度係数を有して温度
特性にも優れ、さらには電機的特性、耐湿性も充分な信
頼性の高い高誘電率磁器組成物を実現することができる
。またこのような本発明により実現される高誘電率磁器
組成物は、セラミックコンデンサ、特に電子回路に使用
される積層セラミックコンデンサ等の積層タイプのセラ
ミック素子として好適であり、その工業的価値は大なる
ものがある。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 Ｐｂ＿１＿−＿ｘＬａ＿ｘ（Ｚｒ＿ｙＴｉ＿１＿−＿ｙ
   ）＿１＿−＿ｘ＿／＿４Ｏ＿３で表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．１６ ０．２０≦ｙ≦０．８０ なる組成を有する第一の仮焼粉体と、 一般式 Ｂａ（Ｔｉ＿１＿−＿ｚＺｒ＿ｚ）Ｏ＿３ で表したとき、 ０≦ｚ≦０．３５ なる組成を有する第二の仮焼粉体とを、モル比で９０：
   １０乃至５０：５０の範囲内で混合した後、焼成する工
   程を具備したことを特徴とする高誘電率磁器組成物の製
   造方法。
2. （２）第一の仮焼粉体と第二の仮焼粉体とが混合されて
   なる混合物に対し、ＭｎＯ、Ｃｏ＿２Ｏ＿３及びＮｂ＿
   ２Ｏ＿５の少なくとも一種が１ｍｏｌ％以下添加されて
   いることを特徴とする請求項１記載の高誘電率磁器組成
   物の製造方法。
3. （３）第一の仮焼粉体と第二の仮焼粉体とが混合されて
   なる混合物に対し、ホウケイ酸系のガラス成分が１ｗｔ
   ％以下添加されていることを特徴とする請求項１または
   ２記載の高誘電率磁器組成物の製造方法。