JPH03237814A - パルス発生回路 - Google Patents
パルス発生回路Info
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- JPH03237814A JPH03237814A JP3425590A JP3425590A JPH03237814A JP H03237814 A JPH03237814 A JP H03237814A JP 3425590 A JP3425590 A JP 3425590A JP 3425590 A JP3425590 A JP 3425590A JP H03237814 A JPH03237814 A JP H03237814A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
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- Lasers (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は例えばパルスレーザ−等に使用されるパルス
発生回路に関するものである。
発生回路に関するものである。
第6図は例えばコツパー ベーパ レーザスカムオフ
x −シ(COPPERVAPORLASERS CO
MEOP AGE)レーザ フォーカス 7月 198
2(LASERFOCUS、 JULY、 19B2)
に記載された従来の銅蒸気レーザ用のパルス発生回路を
示す図であり、図において、1は高圧電源、2は充電用
リアクトル、3は充電用ダイオード、4は充放電を行う
主コンデンサ、5は充電用抵抗、6はサイラトロンスイ
ッチ、7はガス放電によって内部に収容した金属(例え
ば銅)を加熱、気化させてレーザ出力を得る放電管(レ
ーザチューブ)である。 次に動作について説明する。高圧電源1から発生される
高圧電圧(数KV〜数+KV)は、リアクトル2、ダイ
オード3、充電用抵抗5を介して主コンデンサ4に充電
される。 この充電状態において、サイラトロンスイッチ6が導通
すると、主コンデンサ4に蓄えられていた電荷は、サイ
ラトロンスイッチ6を通り放電管7に印加され、放電管
7の中にガス放電を形成する。その際、放電管7のイン
ピーダンスは充電用抵抗5の抵抗値より大幅に小さくな
るため、サイシトロンスイッチ6に流れる電流は主とし
て放電管7に流れることで、放電管7は励起されてレー
ザ発振を生ずる。しかしながら、このようなパルス発生
回路は以上のようにして急峻なパルス電圧を放電管7に
印加して、より高いレーザ出力を得るために、大電力用
で数IQnsecでスイッチングオンが可能なサイラト
ロンスイッチ6が必要であり、一方、このようなサイラ
トロンスイッチ6は真空管であるため寿命が短く、頻繁
に交換する必要があった。また、サイラトロンスイッチ
6はレーザ効率に影響する電流の立ち上がりやスイッチ
ング時間にバラツキがある等、品質の安定性に問題があ
った。 一方、このようなサイラトロンスイッチの問題に対処す
るため固体スイッチ素子を使った第7図に示すようなパ
ルス発生回路を、本出願人は提案している。これについ
て説明すると、8はパルス発生用スイッチで、固体スイ
ッチ素子としての複数個のFET9を並列接続したもの
を多段にわたって直列接続したものからなる。また、1
0は主コンデンサ4に直列接続した振動抑制ダイオード
、11はこの振動抑制ダイオード10に対し並列接続し
たバイパス抵抗である。そして、これによれば全体とし
て数KV〜数10KVおよび数100A〜数KAの電圧
、電流のスイッチングが可能になり、レーザチューブで
ある放電管7を励起するに十分なパルスエネルギを発生
することができる。 また、振動抑制ダイオード10は、主コンデンサ4から
の放電管などの負荷に対する放電電流がレーザ発振終了
以後に正負に振動する場合に、その負の電流をカフ)し
て、無効の放電電力を負荷に人力しないようにし、これ
により負荷たる放電管のレーザ発振効率などを向上する
ように機能する。 つまり、第8図に示す電流波形における負の電流がカン
トされる。
x −シ(COPPERVAPORLASERS CO
MEOP AGE)レーザ フォーカス 7月 198
2(LASERFOCUS、 JULY、 19B2)
に記載された従来の銅蒸気レーザ用のパルス発生回路を
示す図であり、図において、1は高圧電源、2は充電用
リアクトル、3は充電用ダイオード、4は充放電を行う
主コンデンサ、5は充電用抵抗、6はサイラトロンスイ
ッチ、7はガス放電によって内部に収容した金属(例え
ば銅)を加熱、気化させてレーザ出力を得る放電管(レ
ーザチューブ)である。 次に動作について説明する。高圧電源1から発生される
高圧電圧(数KV〜数+KV)は、リアクトル2、ダイ
オード3、充電用抵抗5を介して主コンデンサ4に充電
される。 この充電状態において、サイラトロンスイッチ6が導通
すると、主コンデンサ4に蓄えられていた電荷は、サイ
ラトロンスイッチ6を通り放電管7に印加され、放電管
7の中にガス放電を形成する。その際、放電管7のイン
ピーダンスは充電用抵抗5の抵抗値より大幅に小さくな
るため、サイシトロンスイッチ6に流れる電流は主とし
て放電管7に流れることで、放電管7は励起されてレー
ザ発振を生ずる。しかしながら、このようなパルス発生
回路は以上のようにして急峻なパルス電圧を放電管7に
印加して、より高いレーザ出力を得るために、大電力用
で数IQnsecでスイッチングオンが可能なサイラト
ロンスイッチ6が必要であり、一方、このようなサイラ
トロンスイッチ6は真空管であるため寿命が短く、頻繁
に交換する必要があった。また、サイラトロンスイッチ
6はレーザ効率に影響する電流の立ち上がりやスイッチ
ング時間にバラツキがある等、品質の安定性に問題があ
った。 一方、このようなサイラトロンスイッチの問題に対処す
るため固体スイッチ素子を使った第7図に示すようなパ
ルス発生回路を、本出願人は提案している。これについ
て説明すると、8はパルス発生用スイッチで、固体スイ
ッチ素子としての複数個のFET9を並列接続したもの
を多段にわたって直列接続したものからなる。また、1
0は主コンデンサ4に直列接続した振動抑制ダイオード
、11はこの振動抑制ダイオード10に対し並列接続し
たバイパス抵抗である。そして、これによれば全体とし
て数KV〜数10KVおよび数100A〜数KAの電圧
、電流のスイッチングが可能になり、レーザチューブで
ある放電管7を励起するに十分なパルスエネルギを発生
することができる。 また、振動抑制ダイオード10は、主コンデンサ4から
の放電管などの負荷に対する放電電流がレーザ発振終了
以後に正負に振動する場合に、その負の電流をカフ)し
て、無効の放電電力を負荷に人力しないようにし、これ
により負荷たる放電管のレーザ発振効率などを向上する
ように機能する。 つまり、第8図に示す電流波形における負の電流がカン
トされる。
従来のパルス発生回路は以上のように構成されているの
で、サイラトロンスイッチ6を必要とせず、しかもレー
ザ発振終了後の振動電流を抑制してレーザ発振効率を向
上させることは達成できたが、振動抑制ダイオードlO
を、多数の高速ダイオードを直並列接続して構成した場
合に、各高速ダイオードに付随するインダクタンス分が
ばらついて、各高速ダイオードに流れる電流が均等にな
らないという課題があった。 この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、直並列接続された各高速ダイオードのインダク
タンスを均等にして、各高速ダイオードに流れる電流を
均等化した効率のよい振動抑制ダイオードを有するパル
ス発生回路を得ることを目的とする。
で、サイラトロンスイッチ6を必要とせず、しかもレー
ザ発振終了後の振動電流を抑制してレーザ発振効率を向
上させることは達成できたが、振動抑制ダイオードlO
を、多数の高速ダイオードを直並列接続して構成した場
合に、各高速ダイオードに付随するインダクタンス分が
ばらついて、各高速ダイオードに流れる電流が均等にな
らないという課題があった。 この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、直並列接続された各高速ダイオードのインダク
タンスを均等にして、各高速ダイオードに流れる電流を
均等化した効率のよい振動抑制ダイオードを有するパル
ス発生回路を得ることを目的とする。
請求項(1)記載の発明に係るパルス発生回路は、主コ
ンデンサに直列接続された振動抑制ダイオードを、複数
の高速ダイオードを直並列接続した構成とし、パルス発
生回路の一部を導体板で構成し、この導体板を、各高速
ダイオードとの距離が均等になる位置に配置したもので
ある。 また、請求項(2)記載の発明に係るパルス発生回路は
、各高速ダイオードよりなる直並列ダイオード群を内部
に収容する冷却容器と、この冷却容器に冷却媒体を流し
込む冷却媒体入口と、冷却容器から冷却媒体を取り出す
冷却媒体出口とをさらに備えたものである。
ンデンサに直列接続された振動抑制ダイオードを、複数
の高速ダイオードを直並列接続した構成とし、パルス発
生回路の一部を導体板で構成し、この導体板を、各高速
ダイオードとの距離が均等になる位置に配置したもので
ある。 また、請求項(2)記載の発明に係るパルス発生回路は
、各高速ダイオードよりなる直並列ダイオード群を内部
に収容する冷却容器と、この冷却容器に冷却媒体を流し
込む冷却媒体入口と、冷却容器から冷却媒体を取り出す
冷却媒体出口とをさらに備えたものである。
この発明における導体板は、各高速ダイオードに付随す
るインダクタンス分を均等化し、その結果、各高速ダイ
オードに流れる電流を均等化するように作用する。
るインダクタンス分を均等化し、その結果、各高速ダイ
オードに流れる電流を均等化するように作用する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は第7図に示すパルス発生回路の一部を示したもので
あり、第1図において、12aは導体板として実現され
る帰還回路である。第2図は振動抑制ダイオード10と
して高速ダイオード13を多数直並列接続した直並列ダ
イオード群10aで構成したものを示す回路図である。 振動抑制ダイオード10には大電圧大電流がかかるため
、1個のダイオードで構成するよりも、特性が揃った高
速ダイオード13を用いて、このような構成にした方が
定格面で有利である。 次に動作について説明する。主コンデンサ4に充電され
た電圧電流は、第1図には示していないスイッチ手段が
オンすることにより、瞬時に放電管7に供給される。供
給された電流は、帰還回路12aおよび振動抑制ダイオ
ード10を通って帰還する。ここで、帰還回路12aは
、第3図に示すように導体板12で構成され、振動抑制
ダイオード10は直並列ダイオード群10aで構成され
ている。しかも、第3図において振動抑制ダイオード1
0aと導体板12とは平行に配置されているので、各高
速ダイオード13に付随して存在するインダクタンス分
は、はぼ均等になっている。 従って、直並列ダイオード群10aの各高速ダイオード
13を流れる電流は、はぼ均等になる。なお、第3図に
おいては、直並列ダイオード群10aは、筐体に収容さ
れた構造となっている。 第4図はこの発明の第2の実施例によるパルス発生回路
の一部を示したものである0図において、12bは放電
管7に電流を流入させる注入回路であり、この注入回路
12bが第3図に示す導体板12で構成される。このよ
うに構成しても、各高速ダイオード13に流れる電流が
均等になるとともに、パルス発生回路全体のインダクタ
ンスを低減させることができる。 第5図はこの発明の他の実施例によるパルス発生回路に
用いられる直並列ダイオード群10a等の構造を示した
ものである0図において、14は直並列ダイオード群1
0aを収容するとともに、内部に水などの冷却媒体を流
しうるように形成された冷却容器、15は冷却媒体入口
、16は冷却媒体出口である。また、17.18はそれ
ぞれ直並列ダイオード群10aのアノード側またはカソ
ード側の端子であり、一方は導体板12に接続される。 導体板12は、上述のように帰還回路12aや注入回路
12bとなっている。 このような構成によれば、直並列ダイオード群10aの
発熱を抑えることができ、高速ダイオード13の特性劣
化や破壊を防ぐことができる。その結果、所定の特性を
長期間にわたって維持できるパルス発生回路を得ること
ができる。
図は第7図に示すパルス発生回路の一部を示したもので
あり、第1図において、12aは導体板として実現され
る帰還回路である。第2図は振動抑制ダイオード10と
して高速ダイオード13を多数直並列接続した直並列ダ
イオード群10aで構成したものを示す回路図である。 振動抑制ダイオード10には大電圧大電流がかかるため
、1個のダイオードで構成するよりも、特性が揃った高
速ダイオード13を用いて、このような構成にした方が
定格面で有利である。 次に動作について説明する。主コンデンサ4に充電され
た電圧電流は、第1図には示していないスイッチ手段が
オンすることにより、瞬時に放電管7に供給される。供
給された電流は、帰還回路12aおよび振動抑制ダイオ
ード10を通って帰還する。ここで、帰還回路12aは
、第3図に示すように導体板12で構成され、振動抑制
ダイオード10は直並列ダイオード群10aで構成され
ている。しかも、第3図において振動抑制ダイオード1
0aと導体板12とは平行に配置されているので、各高
速ダイオード13に付随して存在するインダクタンス分
は、はぼ均等になっている。 従って、直並列ダイオード群10aの各高速ダイオード
13を流れる電流は、はぼ均等になる。なお、第3図に
おいては、直並列ダイオード群10aは、筐体に収容さ
れた構造となっている。 第4図はこの発明の第2の実施例によるパルス発生回路
の一部を示したものである0図において、12bは放電
管7に電流を流入させる注入回路であり、この注入回路
12bが第3図に示す導体板12で構成される。このよ
うに構成しても、各高速ダイオード13に流れる電流が
均等になるとともに、パルス発生回路全体のインダクタ
ンスを低減させることができる。 第5図はこの発明の他の実施例によるパルス発生回路に
用いられる直並列ダイオード群10a等の構造を示した
ものである0図において、14は直並列ダイオード群1
0aを収容するとともに、内部に水などの冷却媒体を流
しうるように形成された冷却容器、15は冷却媒体入口
、16は冷却媒体出口である。また、17.18はそれ
ぞれ直並列ダイオード群10aのアノード側またはカソ
ード側の端子であり、一方は導体板12に接続される。 導体板12は、上述のように帰還回路12aや注入回路
12bとなっている。 このような構成によれば、直並列ダイオード群10aの
発熱を抑えることができ、高速ダイオード13の特性劣
化や破壊を防ぐことができる。その結果、所定の特性を
長期間にわたって維持できるパルス発生回路を得ること
ができる。
以上のように、この発明によればパルス発生回路を、直
並列ダイオード群を構成する各高速ダイオードのインダ
クタンスが均等になるように導体板を設けた構成とした
ので、各高速ダイオードを流れる電流が均等になって、
電流の偏りに起因する特定の高速ダイオードへの負荷集
中がなくなり長寿命となるものが得られるとともに、直
並列ダイオード群の並列数を増やさずに済み低価格とな
るものが得られる効果がある。
並列ダイオード群を構成する各高速ダイオードのインダ
クタンスが均等になるように導体板を設けた構成とした
ので、各高速ダイオードを流れる電流が均等になって、
電流の偏りに起因する特定の高速ダイオードへの負荷集
中がなくなり長寿命となるものが得られるとともに、直
並列ダイオード群の並列数を増やさずに済み低価格とな
るものが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるパルス発生回路の主
要部を示す回路図、第2図は直並列ダイオード群の構成
を示す回路図、第3図は直並列ダイオード群および導体
板を示す斜視図、第4図はこの発明の第2の実施例によ
るパルス発生回路の主要部を示す回路図、第5図はこの
発明の他の実施例によるパルス発生回路の直並列ダイオ
ード群等を示す斜視図、第6図は従来のパルス発生回路
を示す回路図、第7図は固体スイッチ素子を用いたパル
ス発生回路を示す回路図、第8図は振動抑制ダイオード
に流れる電流を示す波形図である。 10は振動抑制ダイオード、10aは直並列ダイオード
群、12は導体板、13は高速ダイオード、14は冷却
容器、15は冷却媒体入口、16は冷却媒体出口。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
要部を示す回路図、第2図は直並列ダイオード群の構成
を示す回路図、第3図は直並列ダイオード群および導体
板を示す斜視図、第4図はこの発明の第2の実施例によ
るパルス発生回路の主要部を示す回路図、第5図はこの
発明の他の実施例によるパルス発生回路の直並列ダイオ
ード群等を示す斜視図、第6図は従来のパルス発生回路
を示す回路図、第7図は固体スイッチ素子を用いたパル
ス発生回路を示す回路図、第8図は振動抑制ダイオード
に流れる電流を示す波形図である。 10は振動抑制ダイオード、10aは直並列ダイオード
群、12は導体板、13は高速ダイオード、14は冷却
容器、15は冷却媒体入口、16は冷却媒体出口。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)高圧電源からの電流によって充電される主コンデ
ンサと、この主コンデンサの電圧をスイッチングして負
荷に供給するスイッチ手段と、上記主コンデンサに対し
直列接続された振動抑制ダイオードとを備えたパルス発
生回路において、前記振動抑制ダイオードを、複数の高
速ダイオードを直列接続したものを複数個並列接続した
直並列ダイオード群で構成するとともに、パルス発生回
路の一部を導体板で構成し、この導体板を、前記直並列
ダイオード群を構成する各高速ダイオードとの距離が均
等になる位置に配置したことを特徴とするパルス発生回
路。 - (2)直並列ダイオード群を内部に収容する冷却容器と
、この冷却容器に冷却媒体を流し込む冷却媒体入口と、
前記冷却容器から前記冷却媒体を取り出す冷却媒体出口
とをさらに備えた請求項(1)記載のパルス発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3425590A JPH03237814A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | パルス発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3425590A JPH03237814A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | パルス発生回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03237814A true JPH03237814A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12409068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3425590A Pending JPH03237814A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | パルス発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03237814A (ja) |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP3425590A patent/JPH03237814A/ja active Pending
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