JPH03237017A - ガドリニウムインジウムガリウムガーネット - Google Patents
ガドリニウムインジウムガリウムガーネットInfo
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- JPH03237017A JPH03237017A JP3316890A JP3316890A JPH03237017A JP H03237017 A JPH03237017 A JP H03237017A JP 3316890 A JP3316890 A JP 3316890A JP 3316890 A JP3316890 A JP 3316890A JP H03237017 A JPH03237017 A JP H03237017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は新規組成のガーネットに関し、特に、磁気光学
素子及び光熱磁気記録媒体用等の光デバイス用結晶膜の
成膜用基板単結晶として、或いは光発光中心になる遷移
金属元素又は希土類元素を添加するためのホスト結晶と
して有用なガドリニウムインジウムガリウムガーネット
に関するものである。
素子及び光熱磁気記録媒体用等の光デバイス用結晶膜の
成膜用基板単結晶として、或いは光発光中心になる遷移
金属元素又は希土類元素を添加するためのホスト結晶と
して有用なガドリニウムインジウムガリウムガーネット
に関するものである。
（従来の技術及び解決しようとする課題）ガーネット結
晶は、１２面体８配位、８面体６配位及び４面体４配位
の３つの異なる原子占有サイトを持っている。
晶は、１２面体８配位、８面体６配位及び４面体４配位
の３つの異なる原子占有サイトを持っている。
従来、１２面体８配位サイトをガドリニウムが占め、４
面体４配位サイトをガリウムが占めるガーネットとして
は、ガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｇａ、０
１□）、ガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット
（Ｇ ｄ ３ Ｓ Ｃ２Ｇ ａ ａ○１□）、及びガド
リニウムルテチウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｌｕ２
Ｇａ３０１２）等が知られているにすぎない。
面体４配位サイトをガリウムが占めるガーネットとして
は、ガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｇａ、０
１□）、ガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット
（Ｇ ｄ ３ Ｓ Ｃ２Ｇ ａ ａ○１□）、及びガド
リニウムルテチウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｌｕ２
Ｇａ３０１２）等が知られているにすぎない。
これらのガーネットの格子定数は、ガドリニウムガリウ
ムガーネットにおいては１．２３８ｎｍであり、ガドリ
ニウムスカンジウムガリウムガーネットにおいては１．
２５６ｎｍであり、これでは、基板単結晶或いは発光域
を広くするためのホスト結晶としては格子定数が小さす
ぎることが問題となり得る。
ムガーネットにおいては１．２３８ｎｍであり、ガドリ
ニウムスカンジウムガリウムガーネットにおいては１．
２５６ｎｍであり、これでは、基板単結晶或いは発光域
を広くするためのホスト結晶としては格子定数が小さす
ぎることが問題となり得る。
また、上記ガドリニウムルテチウムガリウムガーネット
においては、格子定数が１．２６〜１．２７ｎｍの結晶
を作り得るが、結晶育成に必要な原料（酸化ルテチウム
）が非常に高価であることが問題視されている。
においては、格子定数が１．２６〜１．２７ｎｍの結晶
を作り得るが、結晶育成に必要な原料（酸化ルテチウム
）が非常に高価であることが問題視されている。
本発明は、か）る事情に鑑みてなされたものであって、
従来のガドリニウムガリウムガーネット及びガドリニウ
ムスカンジウムガリウムガーネットより格子定数が大き
く、ガドリニウムルテチウムガリウムガーネットと類似
の格子定数を有し、しかもガドリニウムルテチウムガリ
ウムガーネットより安価な原料で作成可能な新規組成の
ガーネットを提供することを目的とするものである。
従来のガドリニウムガリウムガーネット及びガドリニウ
ムスカンジウムガリウムガーネットより格子定数が大き
く、ガドリニウムルテチウムガリウムガーネットと類似
の格子定数を有し、しかもガドリニウムルテチウムガリ
ウムガーネットより安価な原料で作成可能な新規組成の
ガーネットを提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は、前記目的を達成す八く鋭意研究を重ねた
結果、従来のガドリニウムガリウムガーネットにおける
ガリウムの一部をインジウムで置換し、或いはガドリニ
ウムスカンジウムガリウムガーネットにおけるスカンジ
ウムを、またガドリニウムルテチウムガリウムガーネッ
トにおけるルテチウムをインジウムで一部若しくは完全
に置換できることを見い出した。また、格子定数は、置
換量において制御可能であることを見い出した。
結果、従来のガドリニウムガリウムガーネットにおける
ガリウムの一部をインジウムで置換し、或いはガドリニ
ウムスカンジウムガリウムガーネットにおけるスカンジ
ウムを、またガドリニウムルテチウムガリウムガーネッ
トにおけるルテチウムをインジウムで一部若しくは完全
に置換できることを見い出した。また、格子定数は、置
換量において制御可能であることを見い出した。
更に、完全置換体であるガドリニウムインジウムガリウ
ムガーネット（Ｇｄ３Ｉ ｎ２Ｇａ３０１２）の格子定
数は、１．２６５ｎｍであることを見い出した。
ムガーネット（Ｇｄ３Ｉ ｎ２Ｇａ３０１２）の格子定
数は、１．２６５ｎｍであることを見い出した。
これらの知見に基づき、本発明をなしたものである。
（作用）
本発明のガーネットは、少なくとも、ガドリニウム、イ
ンジウム、ガリウム及び酸素の４元素を含み、結晶構造
としてガーネット構造を有している。
ンジウム、ガリウム及び酸素の４元素を含み、結晶構造
としてガーネット構造を有している。
特に、一般式
％式％）
）
で表わされるガドリニウムインジウムガリウムガーネッ
トの場合、前記一般式のｘ、ｙ、ｚが前記３ ４− 範囲内ではガーネット単一組が得られるが、この範囲外
においては、ペロブスカイト相等の第二相が生成する。
トの場合、前記一般式のｘ、ｙ、ｚが前記３ ４− 範囲内ではガーネット単一組が得られるが、この範囲外
においては、ペロブスカイト相等の第二相が生成する。
したがって、ガーネット単一組を得るにはｘ、ｙ、ｚが
上記範囲内の値であることが必要である。
上記範囲内の値であることが必要である。
（実施例）
以下に本発明の実施例を示す。
失り鯉よ
ガドリニウム、インジウム、ガリウムの酸化物を原子比
でＧｄ： Ｉｎ： Ｇａ＝３．ＯＯ： ２．００ ：３
、Ｏｏになるように調整した混合物を、１３００℃及び
１５００ ’Ｃで２４時間固相反応させることにより生
成物を得た。得られた生成物を粉末Ｘ線回折法により同
定した結果、生成物は、ガーネット単一組であり、格子
定数は、に２６５ｎｍであった・ 去４Ｉ４４ ガドリニウム、インジウム、ガリウムの酸化物を原子比
でＧｄ： Ｉｎ： Ｇａ＝３．ＯＯ： ２．００ ：３
．００になるように調整した混合物を融液固化させて生
成物を得た。得られた生成物を粉末Ｘ線回折法により同
定した結果、生成物は、ガーネット単一組であり、格子
定数は１．２６５ｎｍであった。
でＧｄ： Ｉｎ： Ｇａ＝３．ＯＯ： ２．００ ：３
、Ｏｏになるように調整した混合物を、１３００℃及び
１５００ ’Ｃで２４時間固相反応させることにより生
成物を得た。得られた生成物を粉末Ｘ線回折法により同
定した結果、生成物は、ガーネット単一組であり、格子
定数は、に２６５ｎｍであった・ 去４Ｉ４４ ガドリニウム、インジウム、ガリウムの酸化物を原子比
でＧｄ： Ｉｎ： Ｇａ＝３．ＯＯ： ２．００ ：３
．００になるように調整した混合物を融液固化させて生
成物を得た。得られた生成物を粉末Ｘ線回折法により同
定した結果、生成物は、ガーネット単一組であり、格子
定数は１．２６５ｎｍであった。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、新規組成のガー
ネットであって、従来のガドリニウムガリウムガーネッ
ト及びガドリニウムスカンジウムガリウムガーネットに
比べて格子定数が大きく、また、ガドリニウムルテチウ
ムガリウムガーネットより安価な原料により、格子定数
が１．２６ｎｍ近傍のガーネットを提供できる。
ネットであって、従来のガドリニウムガリウムガーネッ
ト及びガドリニウムスカンジウムガリウムガーネットに
比べて格子定数が大きく、また、ガドリニウムルテチウ
ムガリウムガーネットより安価な原料により、格子定数
が１．２６ｎｍ近傍のガーネットを提供できる。
この新規組成のガーネットは、その格子定数の点から、
磁気光学素子、光熱磁気記録媒体用等の光デバイス用基
板ガーネット、或いは発光材料として有用である。
磁気光学素子、光熱磁気記録媒体用等の光デバイス用基
板ガーネット、或いは発光材料として有用である。
Claims (2)
- （１）少なくとも、ガドリニウム、インジウム、ガリウ
ム及び酸素の４元素を含み、結晶構造としてガーネット
構造を有するガドリニウムインジウムガリウムガーネッ
ト。 - （２）一般式 ｛Ｇｄ＿１−＿ｘＩｎ＿ｘ｝＿３〔Ｇｄ＿ｙＩｎ＿ｚＧ
ａ＿１＿−＿ｙ＿−＿ｚ〕＿２（Ｇａ）＿３Ｏ＿１＿２
（但し、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．５及び０≦ｚ≦
１．０） を有し、ガーネット単一相である請求項１に記載のガド
リニウムインジウムガリウムガーネット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033168A JPH0629134B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | ガドリニウムインジウムガリウムガーネット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033168A JPH0629134B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | ガドリニウムインジウムガリウムガーネット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237017A true JPH03237017A (ja) | 1991-10-22 |
| JPH0629134B2 JPH0629134B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12379009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2033168A Expired - Lifetime JPH0629134B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | ガドリニウムインジウムガリウムガーネット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629134B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018043323A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-09-06 | 出光興産株式会社 | 新規ガーネット化合物、それを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP2033168A patent/JPH0629134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018043323A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-09-06 | 出光興産株式会社 | 新規ガーネット化合物、それを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット |
| US11447398B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-09-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Garnet compound, sintered body and sputtering target containing same |
| US11987504B2 (en) | 2016-08-31 | 2024-05-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Garnet compound, sintered body and sputtering target containing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629134B2 (ja) | 1994-04-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |