JPH03236232A - 湿式洗浄装置及びその操作方法 - Google Patents
湿式洗浄装置及びその操作方法Info
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- JPH03236232A JPH03236232A JP3155690A JP3155690A JPH03236232A JP H03236232 A JPH03236232 A JP H03236232A JP 3155690 A JP3155690 A JP 3155690A JP 3155690 A JP3155690 A JP 3155690A JP H03236232 A JPH03236232 A JP H03236232A
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- cleaning
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000011017 operating method Methods 0.000 title description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007710 freezing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010407 vacuum cleaning Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 235000008708 Morus alba Nutrition 0.000 description 1
- 240000000249 Morus alba Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハ等の減圧式湿式洗浄装置及びその
操作方法に関するものである。
操作方法に関するものである。
シリコン半導体の如ぐデバイス構造が微細化してくると
、大気圧下の洗浄では液体の表面張力のため微細構造部
の気体と洗浄液の置換が十分に行えなくなり、洗浄が不
十分であるとの間層が生じる。減圧洗浄法はこの問題を
解決できる方法である。従来の減圧式洗浄装置は、例え
ば、特開昭６１−１５４１３０号公報に記載のように減
圧操作が可能に構成されていた。
、大気圧下の洗浄では液体の表面張力のため微細構造部
の気体と洗浄液の置換が十分に行えなくなり、洗浄が不
十分であるとの間層が生じる。減圧洗浄法はこの問題を
解決できる方法である。従来の減圧式洗浄装置は、例え
ば、特開昭６１−１５４１３０号公報に記載のように減
圧操作が可能に構成されていた。
上記従来技術は洗浄液の温度制御について配慮されてお
らず、減圧すべき圧力に制限があり、操作圧力範囲が狭
く洗浄上必要な圧力に減圧できないという問題があった
。
らず、減圧すべき圧力に制限があり、操作圧力範囲が狭
く洗浄上必要な圧力に減圧できないという問題があった
。
衆知のごと＜液体の窪み構造部への浸透に対する抵抗力
は液体の表面張力に比例し、窪み部径の２乗に逆比例す
るため、水が主成分の洗浄液の場合、約１μｍ以下の構
造寸法の窪みに対し抵抗力が大となって洗浄液と窪み構
造部の気体との置換が行われなくなる。これに対して洗
浄物を洗浄液に浸漬する前に減圧すれば窪み部の気体は
脱離され、その後に洗浄液に漫潰せると洗浄液は窪み部
に浸透する。従来技術のごとく液体が混在する洗浄室を
減圧する場合、その液体の温度に対する蒸気圧が存在す
るため飽和蒸気圧以下には安定した減圧ができない。洗
浄液が水、洗浄液、温度は洗浄装置の設置室温度にほぼ
等しく約２１℃の場合の飽和蒸気圧は１Ｂ、６ｍＨＬ！
であり、したがって安定して減圧できる圧力はこれ以上
の圧力範囲に制限され、分率１８．６／３６０の気体が
残有することになる。残存気体の影響を少なくしたい場
合には、上記圧力の制限が障害となって洗浄目的が果た
せないという間層が生じた。
は液体の表面張力に比例し、窪み部径の２乗に逆比例す
るため、水が主成分の洗浄液の場合、約１μｍ以下の構
造寸法の窪みに対し抵抗力が大となって洗浄液と窪み構
造部の気体との置換が行われなくなる。これに対して洗
浄物を洗浄液に浸漬する前に減圧すれば窪み部の気体は
脱離され、その後に洗浄液に漫潰せると洗浄液は窪み部
に浸透する。従来技術のごとく液体が混在する洗浄室を
減圧する場合、その液体の温度に対する蒸気圧が存在す
るため飽和蒸気圧以下には安定した減圧ができない。洗
浄液が水、洗浄液、温度は洗浄装置の設置室温度にほぼ
等しく約２１℃の場合の飽和蒸気圧は１Ｂ、６ｍＨＬ！
であり、したがって安定して減圧できる圧力はこれ以上
の圧力範囲に制限され、分率１８．６／３６０の気体が
残有することになる。残存気体の影響を少なくしたい場
合には、上記圧力の制限が障害となって洗浄目的が果た
せないという間層が生じた。
本発明の目的は、上記問題を解決できる湿式洗浄装置及
びその操作方法を提供することにある。
びその操作方法を提供することにある。
〔課−を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、洗浄液の温度制御が行え、
さらに洗浄時の圧力を変化させ得るように構成したもの
である。
さらに洗浄時の圧力を変化させ得るように構成したもの
である。
温度制御手段によって洗浄液の温度は室温以下に冷却し
制御できるもので洗浄液の飽和蒸気圧を下げることがで
き、減圧する圧力の下限を拡げることができる。さらに
減圧によって脱気した後に洗浄液に浸漬し、その後で大
気圧下で洗浄するので窪み部の残存気体の体積を圧縮す
ることができる。
制御できるもので洗浄液の飽和蒸気圧を下げることがで
き、減圧する圧力の下限を拡げることができる。さらに
減圧によって脱気した後に洗浄液に浸漬し、その後で大
気圧下で洗浄するので窪み部の残存気体の体積を圧縮す
ることができる。
以下、本発明の一実施例を１１１１図により説明する。
湿式洗浄装ｘｉは内部を仕切堰２によって気相部３．洗
浄峻部の洗浄槽４．排液檜５とに区分され、気相部３に
は開閉可能な蓋６とシール板７によってウェハｌを収納
したカセ雪ト坊の出入口を有し、外部に流量制御弁８を
有する気体リークライン９と、流量制御弁ｌＯと排気手
段としての真空ポンプＵを有する排気ライン臆が気相部
３に接続され、さらに洗浄液の循環ポンプ１４．流蓋制
御管１４、フィルタを内股する吸着器１５．ｆｆｉ度制
動制御手段て冷却制御装置ｆ１６とを有する洗浄液循環
ライン１７が洗浄槽４と排液槽５に接続されて構成され
る。洗浄槽４および洗浄液循環ライン１７にはウェハ洗
浄に必要な蘂液が潰たされる。
浄峻部の洗浄槽４．排液檜５とに区分され、気相部３に
は開閉可能な蓋６とシール板７によってウェハｌを収納
したカセ雪ト坊の出入口を有し、外部に流量制御弁８を
有する気体リークライン９と、流量制御弁ｌＯと排気手
段としての真空ポンプＵを有する排気ライン臆が気相部
３に接続され、さらに洗浄液の循環ポンプ１４．流蓋制
御管１４、フィルタを内股する吸着器１５．ｆｆｉ度制
動制御手段て冷却制御装置ｆ１６とを有する洗浄液循環
ライン１７が洗浄槽４と排液槽５に接続されて構成され
る。洗浄槽４および洗浄液循環ライン１７にはウェハ洗
浄に必要な蘂液が潰たされる。
ウェハを収納したカセ呼ト比は大気圧下で出入口より気
相部３（Ａの位ＩＩ）に挿入後、量６が閉じて真空ポン
プ１３によって洗浄液の温度に対する飽和魚気圧近くま
で排気減圧される。これによりウェハの窪み部の気体は
その圧力に応じて脱気される。この圧力下でカセット１
８は洗浄槽４内（Ｂの位Ｗ）に浸漬される。その後に気
体リークライン９より清浄な気体を導入し気相部圧力を
徐々に大気圧まで戻す。一方、洗浄液中のウェハの洗浄
除去された溶解成分は吸着器１４で吸着除去され、不溶
解成分は吸着器１４に内股されたフィルタで除去され、
洗浄液は常に清浄に保たれる。
相部３（Ａの位ＩＩ）に挿入後、量６が閉じて真空ポン
プ１３によって洗浄液の温度に対する飽和魚気圧近くま
で排気減圧される。これによりウェハの窪み部の気体は
その圧力に応じて脱気される。この圧力下でカセット１
８は洗浄槽４内（Ｂの位Ｗ）に浸漬される。その後に気
体リークライン９より清浄な気体を導入し気相部圧力を
徐々に大気圧まで戻す。一方、洗浄液中のウェハの洗浄
除去された溶解成分は吸着器１４で吸着除去され、不溶
解成分は吸着器１４に内股されたフィルタで除去され、
洗浄液は常に清浄に保たれる。
清浄化された洗浄液は、冷却制御装［１６によって洗浄
液の凍結温度以上の必要な温度に冷却・制御（例えば洗
浄液が水を主体とする桑液の場合、その凍結温度以上の
５℃に冷却し制御される。５℃の水の飽和蒸気圧は６．
５１１１ＨＦであり、これより高い７１１１１Ｈｆまで
は安定して減圧できる。）され、洗浄槽４に導入され、
大気圧下のウェハを洗浄し、仕切堰２を溢流し、排液槽
５を経て後項される。
液の凍結温度以上の必要な温度に冷却・制御（例えば洗
浄液が水を主体とする桑液の場合、その凍結温度以上の
５℃に冷却し制御される。５℃の水の飽和蒸気圧は６．
５１１１ＨＦであり、これより高い７１１１１Ｈｆまで
は安定して減圧できる。）され、洗浄槽４に導入され、
大気圧下のウェハを洗浄し、仕切堰２を溢流し、排液槽
５を経て後項される。
これによりウェハの窪み部の残存気体の体積は減圧圧力
と大気圧の比０６５チ圧縮されるので洗浄液は窪み部の
深部および細部まで浸透する。洗浄されたウェハは、１
１６を開いてカセットごと装置外へ取り８され、次の工
程へ移動される。
と大気圧の比０６５チ圧縮されるので洗浄液は窪み部の
深部および細部まで浸透する。洗浄されたウェハは、１
１６を開いてカセットごと装置外へ取り８され、次の工
程へ移動される。
本実施例によれば洗浄液を冷却し、その温度を制御でき
るので、洗浄液の飽和蒸気圧を小さく維持でき湿式洗浄
装置の減圧圧力を安定して低くできる効果がある。
るので、洗浄液の飽和蒸気圧を小さく維持でき湿式洗浄
装置の減圧圧力を安定して低くできる効果がある。
本発明によれば洗浄液を冷却し、その温度を制御できる
ので、洗浄液の飽和蒸気圧を小さくでき、減圧圧力を低
くできるのでウェハの窪み部の脱気を十分に行え、かつ
残存気体の影響を少なくできる。さらに減圧脱気したウ
ェハな洗浄液に浸漬し、その後洗浄装置雰囲気を大気圧
となして洗浄できるのでウェハの微細窪み部の残存気体
を圧縮し減少させるので窪み部まで洗浄液がよく浸透し
、十分な洗浄効果をあげることができる。
ので、洗浄液の飽和蒸気圧を小さくでき、減圧圧力を低
くできるのでウェハの窪み部の脱気を十分に行え、かつ
残存気体の影響を少なくできる。さらに減圧脱気したウ
ェハな洗浄液に浸漬し、その後洗浄装置雰囲気を大気圧
となして洗浄できるのでウェハの微細窪み部の残存気体
を圧縮し減少させるので窪み部まで洗浄液がよく浸透し
、十分な洗浄効果をあげることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す湿式洗浄装置の縦断面
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部に洗浄槽と気相部を有し、外部に排気手段と洗
浄液の循環手段とを有する洗浄装置において、前記洗浄
装置内を気相部と洗浄液部に区分し、かつ、洗浄液の温
度制御手段を備えてなることを特徴とする湿式洗浄装置
。 ２、洗浄対象物を第１請求項に記載の装置の気相部に挿
入後に減圧し、減圧下で前記該洗浄対象物を洗浄液中に
浸漬した後に大気圧に戻し、大気圧下で洗浄することを
特徴とする湿式洗浄方法。 ３、前記気相部の圧力が洗浄槽の液温度に対する飽和蒸
気圧より高い圧力の減圧下で操作する第２請求項に記載
の湿式洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155690A JPH03236232A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 湿式洗浄装置及びその操作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155690A JPH03236232A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 湿式洗浄装置及びその操作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236232A true JPH03236232A (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12334458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3155690A Pending JPH03236232A (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 湿式洗浄装置及びその操作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03236232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413355B1 (en) | 1996-09-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3155690A patent/JPH03236232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413355B1 (en) | 1996-09-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
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