JPH0323002B2 - - Google Patents

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JPH0323002B2
JPH0323002B2 JP808184A JP808184A JPH0323002B2 JP H0323002 B2 JPH0323002 B2 JP H0323002B2 JP 808184 A JP808184 A JP 808184A JP 808184 A JP808184 A JP 808184A JP H0323002 B2 JPH0323002 B2 JP H0323002B2
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JP
Japan
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conductive film
dielectric
resonant
dielectric block
holes
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JP808184A
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Kikuo Wakino
Hiroshi Tamura
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、一個の誘電体ブロツクに3段以上
の共振ユニツトを構成してなる分布定数型フイル
タに関する。
〔従来の技術〕
従来より、数100MHzの周波数帯域のフイルタ
としては、LC共振回路を用いたものや、空洞型
の同軸共振器を用いたものがあつたが、構造的に
不安定あるいは複雑であつたり、特性的に満足で
きない、調整に手間がかかる、コストが引下げら
れない、など問題点があつた。
このため、数100MHzの周波数帯域のフイルタ
として一個の誘電体ブロツクに複数段の誘電体同
軸TEM共振ユニツトを構成したフイルタが実用
化されている。
この先行例を図面を用いて説明する。
第1図は先行例二段フイルタの等価回路図であ
る。
図において、1は入力端子、2は出力端子、3
は入力結合静電容量、4は出力結合静電容量、
5,6は1/4波長共振回路を集中定数回路として
示したものである。したがつてこの先行例は、1/
4波長共振回路同士は誘導結合され、外部回路と
1/4波長共振回路とが静電容量結合されたフイル
タである。第2図〜第7図はその具体的構造の第
一の例を示す。図において、10は酸化チタン系
のセラミツク誘電体からなる立方体状の誘電体ブ
ロツク、11,12は貫通孔で、一定間隔をおい
て並んだ状態で誘電体ブロツク10に設けてあ
る。13,14はそれぞれ貫通孔11,12の内
面に設けた導電膜、15は誘電体ブロツク10の
少なくとも四側面に設けた導電膜である。16は
誘電体ブロツク10の底面に設けた導電膜であつ
て、導電膜13,14の一端側と導電膜15を短
絡して1/4波長共振を生じさせるためのものであ
る。17は導電膜13の他端側に接続される入力
結合用コンデンサで、円柱状誘電体18に対向電
極19,20を有したものである。よりくわしく
のべると、導電膜13の他端側には、誘電体たと
えば金属円柱体からなる取付部材21を電気的か
つ機械的に接続固定してあり、対向電極20をこ
の取付部材21に電気的かつ機械的に接続固定し
てある。22は導電膜14の他端側に接続される
出力結合用コンデンサで、円柱状誘電体23に対
向電極24,25を有したものである。
よりくわしくのべると、導電膜14の他端側に
は誘電体たとえば金属円柱体からなる取付部材2
6を電気的かつ機械的に接続固定してあり、対向
電極25をこの取付部材26に電気的かつ機械的
に接続固定してある。誘電体10の誘電率によつ
て短縮された導電膜13あるいは14の電気長で
共振周波数が決定される。電気長は図示実施例の
ように、1/4波長でもよいし1/2波長でもよい。1/
2波長のときは、導電膜16は不要である。なお、
各図の導電膜、電極は理解のために強調された膜
厚で描いている。いずれにしても、この例では二
つの共振ユニツトが構成されている。27は空洞
で、一例としては断面長方形状であり、この寸法
形状で両共振ユニツトの誘導結合度合が左右され
る。空洞27の内周面には電極膜が設けられてい
ない。空洞27は貫通されていない場合もあり得
る。
次に具体的構造の第二の例を示す。第二の例
は、前述の静電結合構造を簡単化することに特徴
がある。つまり、第8図に示す第二の例では内面
に導電膜13,14を夫々形成した誘電体ブロツ
ク10の孔11,12に、第9図に示すように誘
電体ユニツト41,41を夫々圧入している。
上記誘電体ユニツト41は、第9図に示すよう
に、直径が例えば0.5mmφの導線42の一部に、
プラスチツクあるいは酸化チタン系の誘電体材料
等を被着して柱状に成形し、上記導線42が軸心
部を貫通するようにしたものであつて、上記誘電
体ユニツト41の先端部には誘電体ブロツク10
の孔11,12への圧入を容易にするため、テー
パ部43を設ける一方、上記誘電体ユニツト41
の後端部には、誘電体ブロツク10の上記孔1
1,12の導電膜16の非形成側の開口周縁に当
て止めされるフランジ部44を設けている。
上記誘電体ユニツト41,41は、第8図に示
すように、そのテーパ部43,43側から、内面
に導電膜13,14を形成した誘電体ブロツク1
0の上記孔11,12に誘電体ユニツト41,4
1のフランジ部44,44が誘電体ブロツク10
に当接するまで圧入している。
上記のようにすれば、導線42,42と、誘電
体ブロツク10の孔11,12の内面に形成され
た導電膜13,14とは、誘電体ユニツト41,
41の誘電体部分を介して静電結合されることに
なり、第1の先行例のような入力結合用コンデン
サ18や出力結合用コンデンサ19は不要とな
る。
従つて、入力結合用コンデンサ17や出力結合
用コンデンサ22のような面倒な取付け作業の必
要はなくなる。
このような第一、第二の先行例があるが、静電
結合構造では、第10図に示すようにTE11モー
ドの共振がスプリアスとして生じる場合がある。
TE11モードのカツトオフ周波数は図における幅
寸法a、長さ寸法bで定まるが、特に多段構成に
したとき、図における長さ寸法bが大きくなつて
TE11モードの共振周波数が低くなり、使用モー
ドであるTEMモードの共振周波数に近づいてく
る。
そして、第一の例のように、共振ユニツトと外
部回路との静電結合にコンデンサを使用すると、
誘電体ブロツクにコンデンサを取り付けるには手
間がかかり、量産性が低いうえに、誘電体フイル
タの形状が大きくなる。
また、第二の例のように、誘電体ブロツクに設
けた穴に外部回路接続用ピンを挿入したもので
は、精度を上げにくくて、上記穴と外部回路接続
用ピンとの間にエアーギヤツプが生じると結合容
量が不安定となり初期特性バラツキの原因とな
る。しかも温度変化を加えても膨張係数のちがい
によりエアギヤツプに変化が生じ、経時的にも結
合容量が不安定となる。
そこで、TE11スプリアスモードをおさえる
こと、結合状態の製品毎の均一と安定性を高め
ること、結合構造の簡略化と使用部品を減少さ
せてコストダウンをはかることを目的として、誘
電体ブロツクの貫通孔内面に導電膜を形成すると
ともに貫通孔を取り囲む誘電体ブロツクの少なく
とも四側面に導電膜を設け、貫通孔内面に設けた
上記導電膜と誘電体ブロツクの側面に設けた上記
導電膜とこれら導電膜の間の誘電体ブロツクとで
共振ユニツトを構成し、この共振ユニツトと外部
回路とを結合してなる結合構造であつて、フイル
タの縦断面上であつて結合すべき共振ユニツトよ
り誘電体ブロツクの外側面寄りに共振ユニツトの
貫通孔と沿つた孔を設けてその内面に導電膜を設
けることにより共振ユニツトと外部回路との結合
を電界と磁界の両方で得た考案(以下先行考案と
呼ぶ)がある。
以下にこの先行考案の一実施例を図面を参照し
ながら説明する。第11図以降において、51は
貫通孔で、幅Wの真中であつて、いいかえるとフ
イルタの縦断面上で共振ユニツトより誘電体ブロ
ツク10の外側面寄りに共振ユニツトの貫通孔1
1と沿つて設けたものである。この孔51の内面
に導電膜52を設けその一端側は誘電体ブロツク
10の底面に設けた導電膜16に連なつている。
導電膜52には結合用金属ピン53が接続固定し
てある。54は空洞27と同様な構造と作用をも
つ誘導結合度調整用スリツトである。ピン53
は、直接あるいはコネクタを介したり、同軸ケー
ブルを用いて外部回路に接続される。同様な貫通
孔61等が空洞27を間にして貫通孔51等と反
対側に設けられる。すなわち62は導電膜、63
は結合金属ピン、64は誘導結合度調整用スリツ
トである。さらに、フイルタの開放端面上方を囲
むようなアース板70が設けられる。
このような構成だと、アース電流がフイルタに
対称に流れ、第13図に示すような磁界結合が生
じる。図示のとおり、磁界の方向が結合すべき共
振ユニツトの内導軸の両側で逆方向になつてい
る。TE11モードでは磁界の方向は共振ユニツト
の内導軸の両側で第10図に示すように同一方向
になるものであるから、本先行考案結合構造によ
るとTE11モードが発生しない。なお入力結合度
合は、貫通孔51と貫通孔11との距離、スリツ
ト54の形状や大きさで定まる。出力結合度合
は、貫通孔61と貫通孔12との距離、スリツト
64の形状や大きさで定まる。このような先行考
案によると、スプリアス特性が向上する。また、
外部結合の強さは、結合用貫通孔と、結合される
共振ユニツトの内導体との距離、外部結合調整用
スリツトの大きさ、形状といつたもので定まるの
で、一度条件設定ができれば、その後は、金型に
よる一体成形で製造されるので、上述した部分の
寸法精度が安定し、初期特性が安定する。つま
り、加工、製造ムラによる結合状態の不均一性が
なくなる。いいかえると結合状態が製品間で均一
になる。また、使用部品は外部結合用導体(外部
結合用貫通孔に設けた電極膜と必要に応じターミ
ナルとして設けられる金属ピン)と誘電体セラミ
ツクだけであるから、温度、湿度、その他の環境
条件に対し安定であるために、経時的な特性の変
化はまつたく生じない。さらに、外部結合するの
に、結合用貫通孔内にたとえば金属ピンを挿入、
接続固定しただけであるので構造が簡単になり、
コストが下がる。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような先行考案は特に多段のフイルタに好
適なものであることは以上のとおりであるが、初
段および最終段の共振ユニツトには、誘導結合度
調整用スリツト(第11図以降における符号5
4,64を付したもの)が近接していることか
ら、残りの共振ユニツトに比べて、共振周波数が
高くなりすぎている。コムライン型の分布定数型
フイルタでは、すべての共振ユニツトの共振周波
数をほぼ同一に設定する必要があることから、初
段および最終段の共振ユニツトの共振周波数をさ
げる必要がある。
それゆえにこの発明の目的は、初段および最終
段の共振ユニツトの共振周波数を残りの共振ユニ
ツトのそれとほぼ同一にすることができる構成を
有する分布定数型フイルタを提供することであ
る。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の要旨は、誘電体ブロツクに形成され
た3つ以上の貫通孔の内面に内導電膜を形成する
とともに貫通孔を取り囲む上記誘電体ブロツクの
少なくとも四側面に外導電膜を設け、上記内導電
膜と上記外導電膜とこれら内、外導電膜の間に位
置する誘電体とで3段以上の共振ユニツトを構成
し、この共振ユニツトのうち初段および最終段の
共振ユニツトをそれぞれ結合度設定用空隙を介し
て外部回路と結合するようにした分布定数型フイ
ルタにおいて、初段および最終段の共振ユニツト
の開放端面側において、四側面に形成した外導電
膜に連続する調整用導電膜を誘電体ブロツク表面
に形成することにより、初段および最終段の共振
ユニツトの共振周波数を調整可能にしたことを特
徴とする分布定数型フイルタである。
〔作 用〕
本発明に係る分布定数型フイルタによれば、3
段以上の共振ユニツトのうち初段と最終段の共振
ユニツトのみに調整用電極膜を設けたので、この
初段、最終段の共振ユニツト部分のみの誘電体の
実効誘電率が大きくなり、それだけ該ユニツト部
分の共振周波数が低下し、その結果、他の共振ユ
ニツトにおける共振周波数と略同一になる。
以下にこの発明の一実施例を第15図を参照し
ながら説明する。
第15図において前図と同一部分には同一番号
を付して説明を省略する。
誘電体ブロツク80には、4つの貫通孔90,
91,92,93が設けられており、先行例、先
行考案と同様に内面に内導電膜100,101,
102,103が設けられている。貫通孔90,
91間には空洞27と同様な結合用空隙110が
設けられ、貫通孔91,92間には、同様な結合
用空隙111が設けられ、貫通孔92,93間に
は、同様な結合用空隙112が設けられている。
誘電体ブロツク80の四側面および底面には、先
行例の導電膜15,16に相当する外導電膜12
1が設けられている。これにより4段の共振ユニ
ツトが構成されている。そしてこの実施例では、
開放端面131側において、四側面に形成した外
導電膜121に連続する調整用導電膜141,1
42を誘電体ブロツク80の表面上に形成してい
る。調整用導電膜141,142を形成すること
により初段および最終段共振ユニツトの誘電体の
実効誘電率が大きくなり、このため、該両共振ユ
ニツトの共振周波数が低下する。調整用導電膜1
41,142の面積の大小で共振周波数が決定さ
れるから、あらかじめ大き目に調整用導電膜14
1,142を形成しておいてトリミングして目標
値になるようにしてもよい。これらの導電膜は、
導電銀塗料を塗布したのち焼付けて形成されたも
のである。
〔発明の効果〕
以上の実施例からもあきらかなようにこの発明
によると、初段および最終段の共振ユニツトの開
放端面側において、四側面に形成した外導電膜に
連続する調整用導電膜を誘電体ブロツク表面に形
成したので、該両共振ユニツト部分の実効誘電率
が大きくなり、その結果初段および最終段の共振
ユニツトの共振周波数を残りの共振ユニツトのそ
れとほぼ同一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は先行例の等価回路図、第2図は第1の
先行具体例の正面図、第3図は同左側面図、第4
図は、同右側面図、第5図は、同平面図、第6図
は、同裏面図、第7図は、同断面図、第8図は、
第2の先行具体例の断面図、第9図は誘電体ユニ
ツトの正面図、第10図は、先行例における電磁
界分布状態を示す説明図、第11図は先行考案一
実施例の平面図、第12図は第11図のA−A線
断面図、第13図は、先行考案一実施例における
電磁界分布状態を一部示す説明図、第14図は、
第12図のB−B線断面図、第15図は、本発明
一実施例の平面図。 80は誘電体ブロツク、90,91,92およ
び93は貫通孔、100,101,102および
103は内導電膜、121および122は外導電
膜、54および64は誘導結合度調整用スリツト
(結合度設定用空隙)、141および142は調整
用導電膜である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 誘電体ブロツクに3つ以上の共振用貫通孔を
    形成し、該各貫通孔の内面に内導電膜を形成する
    とともに貫通孔を取り囲む上記誘電体ブロツクの
    少なくとも四側面に外導電膜を設け、貫通孔内面
    に設けた上記内導電膜と誘電体ブロツクの側面に
    設けた上記外導電膜とこれら内、外導電膜の間に
    位置する誘電体とで3段以上の共振ユニツトを構
    成し、この共振ユニツトのうち初段および最終段
    の共振ユニツトをそれぞれ結合度設定用空隙を介
    して外部回路と結合するようにした分布定数型フ
    イルタにおいて、初段および最終段の共振ユニツ
    トの開放端面側において、四側面に形成した外導
    電膜に連続する調整用導電膜を誘電体ブロツク表
    面に形成することにより、初段および最終段の共
    振ユニツトの共振周波数を調整可能にしたことを
    特徴とする分布定数型フイルタ。
JP808184A 1984-01-19 1984-01-19 分布定数型フイルタ Granted JPS60152102A (ja)

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JPS60152102A JPS60152102A (ja) 1985-08-10
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988001104A1 (en) * 1986-07-25 1988-02-11 Motorola, Inc. Multiple resonator component-mountable filter
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