JPH03228330A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH03228330A JPH03228330A JP2367190A JP2367190A JPH03228330A JP H03228330 A JPH03228330 A JP H03228330A JP 2367190 A JP2367190 A JP 2367190A JP 2367190 A JP2367190 A JP 2367190A JP H03228330 A JPH03228330 A JP H03228330A
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- tank
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- wafer
- rinsing
- cleaning
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハ、特にシリコンウェーハのエツ
チング装置に関し、特にエツチングで付着したゴミをウ
ェーハ上より容易に取り除く為、エツチング後ウェーハ
を乾かす事なく引き続きアルカリ系の洗浄液で洗浄し、
ゴミを除去する事が出来るエツチング装置に関する。
チング装置に関し、特にエツチングで付着したゴミをウ
ェーハ上より容易に取り除く為、エツチング後ウェーハ
を乾かす事なく引き続きアルカリ系の洗浄液で洗浄し、
ゴミを除去する事が出来るエツチング装置に関する。
従来、この種のエツチング装置はローダ一部エツチング
部、リンス部、ウェーハ乾燥部、アンローダ一部を、は
ぼこの順序で有し、半導体ウェーハをその順序で処理す
るエツチング装置となっている。
部、リンス部、ウェーハ乾燥部、アンローダ一部を、は
ぼこの順序で有し、半導体ウェーハをその順序で処理す
るエツチング装置となっている。
前記従来のエツチング装置では、エツチング時及びエツ
チング後のリンス時、及びその後のつ工−ハ乾燥時に、
多大のゴミがウェーハに付着する。その後、ウェーハを
アルカリ系洗浄、特にNH4OH/H2O2/H2Oを
1:4:2O゜約60〜70°C,メガソニック有で洗
浄しているしかし、エツチング時にゴミの付着しなウェ
ーハを1度乾燥させ、その後に洗浄しているため、ゴミ
の除去率が悪く満足する清浄度にウェーハが、なかなか
達しないという欠点を従来のエツチング装置はもってい
る。
チング後のリンス時、及びその後のつ工−ハ乾燥時に、
多大のゴミがウェーハに付着する。その後、ウェーハを
アルカリ系洗浄、特にNH4OH/H2O2/H2Oを
1:4:2O゜約60〜70°C,メガソニック有で洗
浄しているしかし、エツチング時にゴミの付着しなウェ
ーハを1度乾燥させ、その後に洗浄しているため、ゴミ
の除去率が悪く満足する清浄度にウェーハが、なかなか
達しないという欠点を従来のエツチング装置はもってい
る。
本発明のエツチング装置は、エツチング槽及びリンス槽
を有するエツチング装置において、前記エツチング槽及
びリンス槽に引き続きアルカリ系の洗浄槽とリンス槽と
を設けたことを特徴として構成される。
を有するエツチング装置において、前記エツチング槽及
びリンス槽に引き続きアルカリ系の洗浄槽とリンス槽と
を設けたことを特徴として構成される。
本発明のエツチング装置では、エツチング後にウェーハ
を乾燥させずに引続きアルカリ系の洗浄を行うことが可
能となりエツチング時に半導体ウェーハに付着したゴミ
を殆んど除去することが可能になる。
を乾燥させずに引続きアルカリ系の洗浄を行うことが可
能となりエツチング時に半導体ウェーハに付着したゴミ
を殆んど除去することが可能になる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の一実施例のエツチング装置の槽構成図である
。各種の詳しい図はここでは必要ないので省くことにす
る。1はローダ一部であり、半導体シリコンウェーハを
キャリヤーに入れてスタート位置にセットする所である
。一般的にはボックスに入ったキャリヤーをボックスご
と一定位置におくと、後は自動的に装置がボックスのふ
たを開き、キャリヤーを取り出し立替機ヘセットする。
は本発明の一実施例のエツチング装置の槽構成図である
。各種の詳しい図はここでは必要ないので省くことにす
る。1はローダ一部であり、半導体シリコンウェーハを
キャリヤーに入れてスタート位置にセットする所である
。一般的にはボックスに入ったキャリヤーをボックスご
と一定位置におくと、後は自動的に装置がボックスのふ
たを開き、キャリヤーを取り出し立替機ヘセットする。
その後更に装置がウェーハを搬送キャリヤーより装置が
もっている専用キャリヤーに移し替え、スタート位置ヘ
セットする。この様な自動ローターが一般的に使用され
始めている。エツチング装置のクリーン化と、省力化が
目的である。
もっている専用キャリヤーに移し替え、スタート位置ヘ
セットする。この様な自動ローターが一般的に使用され
始めている。エツチング装置のクリーン化と、省力化が
目的である。
つづいてウェーハはキャリヤーごとエツチング槽2へ移
される。この槽は通常デイツプ方式の槽が多く、一般的
には循環オーバーフロー、フィルタリング、温調、薬品
混合と変換等の機能を有している。次に槽3ヘウェーハ
はキャリヤー毎移動する。この槽は通常はエツチングの
液をウェーハよりリンスするための槽である。温水、メ
カソニックを用いる事もある。槽4が本発明の特徴であ
るアルカリ系の洗浄層である。ウェーハはリンス槽3よ
り乾くことなく槽4へ移される。水槽は通常、N H4
0H: H2O2: H2OA:1:4:2O゜温度6
0〜70℃の洗浄及びコリン(Choline)洗浄等
を用いる。槽はその他、メガソニック オーバーフロー
循環フィルター、補充等の機能を有している。層5はリ
ンス槽であり、洗浄液をリンスする。機能は層3と全く
同じである。ウェーハはつづいてキャリヤごと、6の乾
燥部へ移される。
される。この槽は通常デイツプ方式の槽が多く、一般的
には循環オーバーフロー、フィルタリング、温調、薬品
混合と変換等の機能を有している。次に槽3ヘウェーハ
はキャリヤー毎移動する。この槽は通常はエツチングの
液をウェーハよりリンスするための槽である。温水、メ
カソニックを用いる事もある。槽4が本発明の特徴であ
るアルカリ系の洗浄層である。ウェーハはリンス槽3よ
り乾くことなく槽4へ移される。水槽は通常、N H4
0H: H2O2: H2OA:1:4:2O゜温度6
0〜70℃の洗浄及びコリン(Choline)洗浄等
を用いる。槽はその他、メガソニック オーバーフロー
循環フィルター、補充等の機能を有している。層5はリ
ンス槽であり、洗浄液をリンスする。機能は層3と全く
同じである。ウェーハはつづいてキャリヤごと、6の乾
燥部へ移される。
6は一般的にはリンサードライヤーである。イソプロピ
ルアルコールペーパー、引上げ、真空乾燥なども使用で
きる。7はアンローダ−で、処理済みウェーハはここよ
り取り出される。一般的には専用キャリヤーより搬送キ
ャリヤーへの立替機能等を有する自動アンローダ−が用
いられ、ローダ−と逆の動作を自動的に行う。各種間の
移動は自動機を用いる事が多い。又キャリヤーは用いず
つ工−ハのみを槽より槽へ移すキャリヤレス方式も用い
る事ができる。
ルアルコールペーパー、引上げ、真空乾燥なども使用で
きる。7はアンローダ−で、処理済みウェーハはここよ
り取り出される。一般的には専用キャリヤーより搬送キ
ャリヤーへの立替機能等を有する自動アンローダ−が用
いられ、ローダ−と逆の動作を自動的に行う。各種間の
移動は自動機を用いる事が多い。又キャリヤーは用いず
つ工−ハのみを槽より槽へ移すキャリヤレス方式も用い
る事ができる。
その池水エツチング装置としては、複数のエツチング・
リンス槽と複数の洗浄槽とリンス槽の組合せも可能であ
る。
リンス槽と複数の洗浄槽とリンス槽の組合せも可能であ
る。
以上実施例で説明したように、本発明のエツチング装置
はエツチング槽の後にアルカリ系洗浄槽を有している。
はエツチング槽の後にアルカリ系洗浄槽を有している。
このためエツチング後ウェハーを乾かす事なく、直ちに
アルカリ系洗浄、特にアンモニア/過酸化水素、コリン
/過酸化水素洗浄が行なえる。通常、アンモニア/過酸
化水素、コリン/過酸化水素洗浄のゴミ除去率は酸系洗
浄に較べ高くて、80〜99%である。除去率はゴミ付
着ウェーハの状態、洗浄の条件に大きく左右される。今
回、BHF処理後のウェハーを乾かした場合と、乾かさ
ない場合で、続いてアンモニア/過酸化水素洗浄を行っ
た時のゴミ除去率について調査した。ゴミはBHF処理
後のゴミの量を100としな。その結果が第2図である
。BHFは50%HFと40%N84Fか1:6の物を
用いた。
アルカリ系洗浄、特にアンモニア/過酸化水素、コリン
/過酸化水素洗浄が行なえる。通常、アンモニア/過酸
化水素、コリン/過酸化水素洗浄のゴミ除去率は酸系洗
浄に較べ高くて、80〜99%である。除去率はゴミ付
着ウェーハの状態、洗浄の条件に大きく左右される。今
回、BHF処理後のウェハーを乾かした場合と、乾かさ
ない場合で、続いてアンモニア/過酸化水素洗浄を行っ
た時のゴミ除去率について調査した。ゴミはBHF処理
後のゴミの量を100としな。その結果が第2図である
。BHFは50%HFと40%N84Fか1:6の物を
用いた。
洗浄はNH4OHとH2C。とH2Cが1:4:2Oて
温度は約65℃を使用。ウェーハは鏡面シリコンウェー
ハをテストウェーハとして使用した。第2図より分る通
り一旦ウェーハを乾がした時と乾かさない時では約2O
%の除去率の差があり、乾かさない時が良い事が分る。
温度は約65℃を使用。ウェーハは鏡面シリコンウェー
ハをテストウェーハとして使用した。第2図より分る通
り一旦ウェーハを乾がした時と乾かさない時では約2O
%の除去率の差があり、乾かさない時が良い事が分る。
ごみの付着量は、BHFの汚れ具合に大きく左右される
。又除去率も、付着量が多いと下る傾向にある。洗浄時
間をますと除去率は上る傾向にある。又アルカリ洗浄で
は除去不可能であるが、酸洗浄で除去可能なものもある
。このため、エツチング−アルカリ洗浄−酸洗浄工程を
とれば、常に除去率を高く保てる可能性があり、そのた
めにエツチング槽、続いてアルカリ系洗浄槽、続いて酸
洗浄槽を設けることにより効果をあげることができる。
。又除去率も、付着量が多いと下る傾向にある。洗浄時
間をますと除去率は上る傾向にある。又アルカリ洗浄で
は除去不可能であるが、酸洗浄で除去可能なものもある
。このため、エツチング−アルカリ洗浄−酸洗浄工程を
とれば、常に除去率を高く保てる可能性があり、そのた
めにエツチング槽、続いてアルカリ系洗浄槽、続いて酸
洗浄槽を設けることにより効果をあげることができる。
以上説明した様に本発明はエツチング槽/リンス槽の後
にアルカリ洗浄槽/リンス槽を設けることにより、ウェ
ーハを乾かす事なく、エツチング処理後に洗浄が行え、
エツチング処理時にウェーハに付着したゴミをほとんど
除去できる。
にアルカリ洗浄槽/リンス槽を設けることにより、ウェ
ーハを乾かす事なく、エツチング処理後に洗浄が行え、
エツチング処理時にウェーハに付着したゴミをほとんど
除去できる。
第1図は本発明のエツチング装置の一実施例を示す槽構
成図、第2図は本発明のエツチング装置のエツチング工
程でBHF処理後の乾燥の有無とゴミ除去率の関係を示
すグラフである。 1・・・ローダ一部、2・・・エツチング槽、3・・・
リンス槽、4・・・洗浄槽、5・・・リンス槽、6・・
・ウェーハ乾燥部、7・・・アローダ一部。
成図、第2図は本発明のエツチング装置のエツチング工
程でBHF処理後の乾燥の有無とゴミ除去率の関係を示
すグラフである。 1・・・ローダ一部、2・・・エツチング槽、3・・・
リンス槽、4・・・洗浄槽、5・・・リンス槽、6・・
・ウェーハ乾燥部、7・・・アローダ一部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、エッチング槽及びリンス槽を有するエッチング装置
において、前記エッチング槽及びリンス槽に引き続きア
ルカリ系の洗浄槽とリンス槽とを設けたことを特徴とす
るエッチング装置。 2、前記エッチング槽は酸化膜エッチング槽、リンガラ
ス層エッチング槽、チッ化膜エッチング槽、多結晶シリ
コンエッチング槽であることを特徴とする請求項1記載
のエッチング装置。 3、前記エッチング槽のエッチング液はDHF、BHF
、DHF/H_2O_2、BHF/H_2O_2、リン
酸、フッ酸/硝酸/氷酢酸等であることを特徴とする請
求項1記載のエッチング装置。 4、前記アルカリ系の洗浄液はアンモニア/H_2O_
2、コリン/H_2O_2等の洗浄液である事を特徴と
する請求項1記載のエッチング装置。 5、前記エッチング装置はエッチング槽、続いてアルカ
リ系洗浄槽、続いて酸洗浄槽を有し、その順に処理する
ことを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2367190A JPH03228330A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2367190A JPH03228330A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | エッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03228330A true JPH03228330A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12116952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2367190A Pending JPH03228330A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | エッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03228330A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6329268B1 (en) | 1997-11-28 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Semiconductor cleaning method |
JP2010092909A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
JP2019153721A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2367190A patent/JPH03228330A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6329268B1 (en) | 1997-11-28 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Semiconductor cleaning method |
JP2010092909A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
JP2019153721A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2019171670A1 (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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