JPH0322681A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0322681A JPH0322681A JP1158014A JP15801489A JPH0322681A JP H0322681 A JPH0322681 A JP H0322681A JP 1158014 A JP1158014 A JP 1158014A JP 15801489 A JP15801489 A JP 15801489A JP H0322681 A JPH0322681 A JP H0322681A
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、固体ｔｌｉｌ像装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、固体撮像装置の素子として、電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）が広く用いられている．このＣＣＤ社入射光により
生じた電荷を転送信号で転送するものである． ［発明が解決しようとする課題１ ところで、このＣＯＤは電荷の転送効率が、表面準位密
度、デバイスの形状や種々の動作条件で異なるという問
題があった．さらに、ＣＯＤは蓄積される表面電荷址が
極めて低く、外部に仕事をできるほどのＮ電機能を保持
することは極めて困雅であった． 本発明は、上述した問題点を解決するものであり、一画
素毎に蓄電機能を付与し、蓄電量すなわち、受光量を広
範囲の領域に互って正確に計測でき、複雑な信号読み出
し回路を必要とせず、光学系を用いて信号読出しを行な
うことができる固体撮像装置を提供することを目的とす
る．［課題を解決するための手段］ この目的を達成するために本発明の固体撮像装置は、光
インターカレーション機能を持つ物質を陽極材としたシ
ート状蓄電池セルを複数個配列することにより固体撮像
素子を栴成し、この固体撮像素子に蓄積された電荷を読
出す手段を備えたものである。また、光インターカレー
ション機能を持ち、かつ充電時と放電時の光吸収特性が
異なる物質を陽極材とするシート状Ｔｉ″１池セルを複
数個配列することにより固体ｍ像素子を構成し、この囚
体撮像素子の保持信号の読出時に前記陽極材へ信号保持
状態を変化させることのない光を照射する光照射手段と
、この光照射手段からの照射光の陽極材による反射光を
検出ずる検出手段とを具備したものである． ［作用］ 上記前者の梢戒において、シート状蓄電池の陽極にバン
ドギャップ以上のエネルギーを持つ光を入射すると、入
射光に比例して光インターカレーションが生じ、入射光
量に比例した電荷が蓄電池に＠積される。蓄積された電
荷の放電電流を順次読出すことにより、入射光像の電気
信号を得ることができる．また、後者の構成においては
、蓄電池の電荷蓄積量に応じて陽極の光吸収特性が変化
するので、陽極への光照射の反射光をモニターすること
により各素子の受光量を検出することができる． ［実施例］ 以下、本発明を具体化したー実施例を図面を参照して説
明する． 第３図は本発明に用いる固体撮像素子を梢成するシート
状蓄電池１の構造を示す．蓄電池１は、ＩＴＯ等で構成
される透明なＷｄｊｔＭ集電体２と、光インターカレー
ション可能な陽極３と、電解質４と、Ｌ ｉ−Ａｊ合金
を用いた陰極５と、陰極Ｓ電体６とからなる．上記光イ
ンターカレーション可能な陽極３としては、ＺｒＳｅ
，ＨｆＳｅ２，２ ＺｒＳ ，ＨｆＳ ，ＦｅＰＳ ，ＩｎＳｅ，Ｔ
２ ２ ３ １０２，Ｃｕ３ＰＳ４，Ｃｕｅ ｘＰＳｓ ｒ，（Ｃ
Ｉ）ｎを使用することができる．電解質４としては、押
入イオンがＬｉ” ，Ｎａ” ，Ｃｕ＋等のポリエチレ
ン系のボリマー電解質が好ましい．陰極集電体６として
は、画像形或能を考慮しトナー等の吸着のよいものが好
ましく、Ｎｌ又はＮ１合金が好ましい． 第ｌ図は、このような構造でなる素子をマトリックス状
に配置、結合して固体Ｉｌ像素子１０とした状態を示す
．同図に示すように各素子にはマトリックススキャンす
るためのＸ，Ｙ方向の引き出し用電極１１．１２が設け
られている．なお、上記素子の上に不図示のシャッター
を形成すれば高速の動画モニター行なうことも可能であ
る．第２図は各素子の信号消去のための回路図を示した
ものである．シート状Ｎ″Ｓ池１に光ｈνを照射して光
インターカーレーションを生じさせ蓄電池ｌに入射光に
比例した電荷を蓄積し、次いで、Ｘ，Ｙマトリックスの
スイッチｌ６をＯＮ状態として抵抗Ｎ′Ｌ荷）により蓄
電池１の放電電流を検出することにより、蓄積電荷量に
相当する電気信号を得ることができる． ここで、光インターカレーションの動作原理について説
明する．インターカレーションと呼ばれる反応は、下記
反応式（１）に見られるように、ホストＴ，Ｘ２がレド
ックス反応によって自己の結晶格子にゲストイオン（Ａ
＋〉を取り入れる反応である．その際ホストの格子定数
は膨脹するが、結晶椙造の基本は変わらない． ｘＡ”＋ｘｅ ＋Ｔ Ｘ −＋Ａ １’ｙｘ
（ｉ）ｙｚ ｘ ｚ 半導体をゲストイオンを含む電解質溶液に入れると、半
導体と溶液のフェルミ単位を一致させるように電子の出
入が生じ、表面の空間電荷層のために半導体のバンドが
曲がる．溶液のフェルミ準位とは、その電解質溶液内に
多く存在するゲストイオン種Ａ１の酸化還元電位八＋
／Ａ−を指している．第７図（ａ）に示すように、Ｐ型
半導体の場合はバンドが半導体界面で下向きに曲がる．
ここに、バンド・ギャップ以上のエネルギーを持つ光を
照射すると、価電子帯の電子が励起されて伝導帯に移り
、価電子帯には正孔が残る．バンドの曲り方が下向きで
あるため、界面の近傍で生成した正孔はバンドの曲りに
沿って半導体内部へ移動し、また内部で生成した正孔が
界面へ出てくることはない。そのため光照射によって生
じた正孔は、この半導体界面を−通して溶液内のイオン
や分子と結合することはなく、外部回路を通って対極の
方に流れてゆき、そこでの酸化反応に関与して消滅する
． 一方、伝導帯に励起された電子はバンドの曲りに沿って
界面へ移動し、電気化学反応を起こしてカソード電流が
流れる．酸化還元準位Ａ” ／Ａ’が伝導帯のバンド端
よりも下にあれば、Ａ＋が還元される．一般に、この反
応によりガスが発生したり、金属が電析するが、半導体
の禁制帯中にＡ原子を受け入れる適当な準位が存在すれ
ば、生或したＡ原子は半導体中に取り込まれる．このゲ
ストの単位がフエルミ準位よりも下に位置しておれば、
一旦取り込まれたゲストは光照射を止めた後も安定に半
導体中に残っている．こうしてｐ型半導体の場合には光
インターカレーションが起こる．ここでいうゲストの単
位はもちろん最初から存在しているものではなく、イン
ターカレーションによって生成されるものである． 還元生成物のＡ０がガスになったり金属として析出する
か、それともインターカレーションするかは、電極から
Ａ＋に電子が渡される時にＡ＋がどういう状態にいるか
に強く依存する・。インターカレーションの場合はＡ＋
とｔ極との強い相互作用による反応と言われ、Ａ＋は電
極上に一種の表面準位を形成すると考えられている．第
７図でレドックス単位が溶液と半導体の両方にまたがっ
て掃かれているのは、このことを意味している．ｎ型半
導体では、格子内のゲストが光照射により溶液中に陽イ
オンＡ＋となって溶け出す光デインターカレーションが
期待される．そのエネルギーダイアダラムを第７図（ｂ
）に示す．ｎ型半導体では界面でバンドが上向きに曲る
ため、価電子帯の正孔のみがこの電極表面における電気
化学反応に関与し、アノード電流が流れる．半導体のゲ
ストの単位が禁制帯内の適当な位置を占めておれば、そ
のゲスト原子は１！極界面で正孔を受け取り、イオンと
なって溶液中に溶け出す． このような光インターカレーション可能な物質を陽極材
とするシート状蓄電池１を、第１図に示したように、マ
トリックス状に配置、結合し、これらの陽極にバンドギ
ャップ以上のエネルギーを持つ光を入射すると、Ｎ電池
１に入射光量に比例して電荷が蓄積される．蓄積された
電荷は第２図に示すようにＸ−Ｙマトリックスのスイッ
チ１６をＯＮ状態にすれば、シート状蓄電池１の放電電
流を負荷１５で測定することができる．このようにして
各画素毎の放電電流を順次読出し、２次元にその強度分
布をプロットすると、被写体の光学像をトレースするこ
とができる．また、シート状蓄電池１の充電容量を増加
させると、蓄積した電荷により、トナーの吸着を行なう
ことにより直接、画像形戒を行なうこともできる． また、第２図のスイッチ１６とは別に、蓄電池１に対す
る充電用のスイッチ及び充電回路を設け、これらを用い
て′ｒｉ電池１を部分的（例えば撮像面の外枠部など）
に充・放電しておくことにより、得られる画像の一部を
白或いは黒にすることもできる． 次に、シート状＠電池１の他の実施例を第５図に示す．
同図において前記と同部材には同符号を付しており、陽
ｆ！１３の材質として、上記の特性に加えて、充電時と
放電時、すなわち光の非照射時と照射時とで光吸収特性
が変化するものを用いたものを用いている．この光吸収
特性の各素子での変化を、信号保持状態に変化のないよ
うな条件でレーザービーム等をスキャンさせ、検出信号
を順次モニターすれば、各素子の受光量が検知でき、固
体撮像素子としてＩ！ｌ能させることができる．上記陽
！！３の材質としては、Ｃｕ６−ＸＰＳ５Ｉが知られて
いる．この物質は可視部全域に亘って光を吸収するため
不透明であるが、蓄電池の充電反応に相当するＣｕイオ
ン又はＡｇイオンの光インターカレーションが生ずると
、赤色透明となる．また、この場合の電解質４としては
、Ｃｕイオン、Ａｇイオンが可動なポリエチレン系のボ
リマー電解質が好ましく、陰極５としては、Ｃｕ又はＡ
ｇの薄片が好ましく、また、陰極集電体６としては、Ｎ
ｉ，Ｃｕを使用すればよい。
Ｄ）が広く用いられている．このＣＣＤ社入射光により
生じた電荷を転送信号で転送するものである． ［発明が解決しようとする課題１ ところで、このＣＯＤは電荷の転送効率が、表面準位密
度、デバイスの形状や種々の動作条件で異なるという問
題があった．さらに、ＣＯＤは蓄積される表面電荷址が
極めて低く、外部に仕事をできるほどのＮ電機能を保持
することは極めて困雅であった． 本発明は、上述した問題点を解決するものであり、一画
素毎に蓄電機能を付与し、蓄電量すなわち、受光量を広
範囲の領域に互って正確に計測でき、複雑な信号読み出
し回路を必要とせず、光学系を用いて信号読出しを行な
うことができる固体撮像装置を提供することを目的とす
る．［課題を解決するための手段］ この目的を達成するために本発明の固体撮像装置は、光
インターカレーション機能を持つ物質を陽極材としたシ
ート状蓄電池セルを複数個配列することにより固体撮像
素子を栴成し、この固体撮像素子に蓄積された電荷を読
出す手段を備えたものである。また、光インターカレー
ション機能を持ち、かつ充電時と放電時の光吸収特性が
異なる物質を陽極材とするシート状Ｔｉ″１池セルを複
数個配列することにより固体ｍ像素子を構成し、この囚
体撮像素子の保持信号の読出時に前記陽極材へ信号保持
状態を変化させることのない光を照射する光照射手段と
、この光照射手段からの照射光の陽極材による反射光を
検出ずる検出手段とを具備したものである． ［作用］ 上記前者の梢戒において、シート状蓄電池の陽極にバン
ドギャップ以上のエネルギーを持つ光を入射すると、入
射光に比例して光インターカレーションが生じ、入射光
量に比例した電荷が蓄電池に＠積される。蓄積された電
荷の放電電流を順次読出すことにより、入射光像の電気
信号を得ることができる．また、後者の構成においては
、蓄電池の電荷蓄積量に応じて陽極の光吸収特性が変化
するので、陽極への光照射の反射光をモニターすること
により各素子の受光量を検出することができる． ［実施例］ 以下、本発明を具体化したー実施例を図面を参照して説
明する． 第３図は本発明に用いる固体撮像素子を梢成するシート
状蓄電池１の構造を示す．蓄電池１は、ＩＴＯ等で構成
される透明なＷｄｊｔＭ集電体２と、光インターカレー
ション可能な陽極３と、電解質４と、Ｌ ｉ−Ａｊ合金
を用いた陰極５と、陰極Ｓ電体６とからなる．上記光イ
ンターカレーション可能な陽極３としては、ＺｒＳｅ
，ＨｆＳｅ２，２ ＺｒＳ ，ＨｆＳ ，ＦｅＰＳ ，ＩｎＳｅ，Ｔ
２ ２ ３ １０２，Ｃｕ３ＰＳ４，Ｃｕｅ ｘＰＳｓ ｒ，（Ｃ
Ｉ）ｎを使用することができる．電解質４としては、押
入イオンがＬｉ” ，Ｎａ” ，Ｃｕ＋等のポリエチレ
ン系のボリマー電解質が好ましい．陰極集電体６として
は、画像形或能を考慮しトナー等の吸着のよいものが好
ましく、Ｎｌ又はＮ１合金が好ましい． 第ｌ図は、このような構造でなる素子をマトリックス状
に配置、結合して固体Ｉｌ像素子１０とした状態を示す
．同図に示すように各素子にはマトリックススキャンす
るためのＸ，Ｙ方向の引き出し用電極１１．１２が設け
られている．なお、上記素子の上に不図示のシャッター
を形成すれば高速の動画モニター行なうことも可能であ
る．第２図は各素子の信号消去のための回路図を示した
ものである．シート状Ｎ″Ｓ池１に光ｈνを照射して光
インターカーレーションを生じさせ蓄電池ｌに入射光に
比例した電荷を蓄積し、次いで、Ｘ，Ｙマトリックスの
スイッチｌ６をＯＮ状態として抵抗Ｎ′Ｌ荷）により蓄
電池１の放電電流を検出することにより、蓄積電荷量に
相当する電気信号を得ることができる． ここで、光インターカレーションの動作原理について説
明する．インターカレーションと呼ばれる反応は、下記
反応式（１）に見られるように、ホストＴ，Ｘ２がレド
ックス反応によって自己の結晶格子にゲストイオン（Ａ
＋〉を取り入れる反応である．その際ホストの格子定数
は膨脹するが、結晶椙造の基本は変わらない． ｘＡ”＋ｘｅ ＋Ｔ Ｘ −＋Ａ １’ｙｘ
（ｉ）ｙｚ ｘ ｚ 半導体をゲストイオンを含む電解質溶液に入れると、半
導体と溶液のフェルミ単位を一致させるように電子の出
入が生じ、表面の空間電荷層のために半導体のバンドが
曲がる．溶液のフェルミ準位とは、その電解質溶液内に
多く存在するゲストイオン種Ａ１の酸化還元電位八＋
／Ａ−を指している．第７図（ａ）に示すように、Ｐ型
半導体の場合はバンドが半導体界面で下向きに曲がる．
ここに、バンド・ギャップ以上のエネルギーを持つ光を
照射すると、価電子帯の電子が励起されて伝導帯に移り
、価電子帯には正孔が残る．バンドの曲り方が下向きで
あるため、界面の近傍で生成した正孔はバンドの曲りに
沿って半導体内部へ移動し、また内部で生成した正孔が
界面へ出てくることはない。そのため光照射によって生
じた正孔は、この半導体界面を−通して溶液内のイオン
や分子と結合することはなく、外部回路を通って対極の
方に流れてゆき、そこでの酸化反応に関与して消滅する
． 一方、伝導帯に励起された電子はバンドの曲りに沿って
界面へ移動し、電気化学反応を起こしてカソード電流が
流れる．酸化還元準位Ａ” ／Ａ’が伝導帯のバンド端
よりも下にあれば、Ａ＋が還元される．一般に、この反
応によりガスが発生したり、金属が電析するが、半導体
の禁制帯中にＡ原子を受け入れる適当な準位が存在すれ
ば、生或したＡ原子は半導体中に取り込まれる．このゲ
ストの単位がフエルミ準位よりも下に位置しておれば、
一旦取り込まれたゲストは光照射を止めた後も安定に半
導体中に残っている．こうしてｐ型半導体の場合には光
インターカレーションが起こる．ここでいうゲストの単
位はもちろん最初から存在しているものではなく、イン
ターカレーションによって生成されるものである． 還元生成物のＡ０がガスになったり金属として析出する
か、それともインターカレーションするかは、電極から
Ａ＋に電子が渡される時にＡ＋がどういう状態にいるか
に強く依存する・。インターカレーションの場合はＡ＋
とｔ極との強い相互作用による反応と言われ、Ａ＋は電
極上に一種の表面準位を形成すると考えられている．第
７図でレドックス単位が溶液と半導体の両方にまたがっ
て掃かれているのは、このことを意味している．ｎ型半
導体では、格子内のゲストが光照射により溶液中に陽イ
オンＡ＋となって溶け出す光デインターカレーションが
期待される．そのエネルギーダイアダラムを第７図（ｂ
）に示す．ｎ型半導体では界面でバンドが上向きに曲る
ため、価電子帯の正孔のみがこの電極表面における電気
化学反応に関与し、アノード電流が流れる．半導体のゲ
ストの単位が禁制帯内の適当な位置を占めておれば、そ
のゲスト原子は１！極界面で正孔を受け取り、イオンと
なって溶液中に溶け出す． このような光インターカレーション可能な物質を陽極材
とするシート状蓄電池１を、第１図に示したように、マ
トリックス状に配置、結合し、これらの陽極にバンドギ
ャップ以上のエネルギーを持つ光を入射すると、Ｎ電池
１に入射光量に比例して電荷が蓄積される．蓄積された
電荷は第２図に示すようにＸ−Ｙマトリックスのスイッ
チ１６をＯＮ状態にすれば、シート状蓄電池１の放電電
流を負荷１５で測定することができる．このようにして
各画素毎の放電電流を順次読出し、２次元にその強度分
布をプロットすると、被写体の光学像をトレースするこ
とができる．また、シート状蓄電池１の充電容量を増加
させると、蓄積した電荷により、トナーの吸着を行なう
ことにより直接、画像形戒を行なうこともできる． また、第２図のスイッチ１６とは別に、蓄電池１に対す
る充電用のスイッチ及び充電回路を設け、これらを用い
て′ｒｉ電池１を部分的（例えば撮像面の外枠部など）
に充・放電しておくことにより、得られる画像の一部を
白或いは黒にすることもできる． 次に、シート状＠電池１の他の実施例を第５図に示す．
同図において前記と同部材には同符号を付しており、陽
ｆ！１３の材質として、上記の特性に加えて、充電時と
放電時、すなわち光の非照射時と照射時とで光吸収特性
が変化するものを用いたものを用いている．この光吸収
特性の各素子での変化を、信号保持状態に変化のないよ
うな条件でレーザービーム等をスキャンさせ、検出信号
を順次モニターすれば、各素子の受光量が検知でき、固
体撮像素子としてＩ！ｌ能させることができる．上記陽
！！３の材質としては、Ｃｕ６−ＸＰＳ５Ｉが知られて
いる．この物質は可視部全域に亘って光を吸収するため
不透明であるが、蓄電池の充電反応に相当するＣｕイオ
ン又はＡｇイオンの光インターカレーションが生ずると
、赤色透明となる．また、この場合の電解質４としては
、Ｃｕイオン、Ａｇイオンが可動なポリエチレン系のボ
リマー電解質が好ましく、陰極５としては、Ｃｕ又はＡ
ｇの薄片が好ましく、また、陰極集電体６としては、Ｎ
ｉ，Ｃｕを使用すればよい。
第４図は上記第５図の例での各素子の信号消去のための
回路図を示したものである，本実施例では光照射による
インターカーレションに先立って、Ｘ，Ｙマトリックス
のスイッチ１６をＯＮ状態として、電源１７から抵抗負
荷１５を通して電流を流し、シート状蓄電池１のデイン
ターカレーションを行なう． この構戒では、固体撮像素子に物体（被写体）からの反
射光（可視光〉が入射すると、上述したインタカーレシ
ョンにより蓄電池に電荷が蓄積されると共に、陽極の材
質に起因して同部の光吸収特性が変化する．この様子を
モニターずるために第６図に示したごときモニター装置
を用いる．この装置は、固体撮像素子１０に蓄積された
電荷を読出すための光を放射する光源３１と、光源３１
からの光を面スキャンするための光偏向８１３２と、同
偏向１１３２からの光を固体撮像素子１０へ投射するポ
リゴンミラ−３３と、固体撮像素子１０からの反射光を
集光する集光レンズ３４と、反射光を検出する検出ＩＲ
３５から梧成される。
回路図を示したものである，本実施例では光照射による
インターカーレションに先立って、Ｘ，Ｙマトリックス
のスイッチ１６をＯＮ状態として、電源１７から抵抗負
荷１５を通して電流を流し、シート状蓄電池１のデイン
ターカレーションを行なう． この構戒では、固体撮像素子に物体（被写体）からの反
射光（可視光〉が入射すると、上述したインタカーレシ
ョンにより蓄電池に電荷が蓄積されると共に、陽極の材
質に起因して同部の光吸収特性が変化する．この様子を
モニターずるために第６図に示したごときモニター装置
を用いる．この装置は、固体撮像素子１０に蓄積された
電荷を読出すための光を放射する光源３１と、光源３１
からの光を面スキャンするための光偏向８１３２と、同
偏向１１３２からの光を固体撮像素子１０へ投射するポ
リゴンミラ−３３と、固体撮像素子１０からの反射光を
集光する集光レンズ３４と、反射光を検出する検出ＩＲ
３５から梧成される。
そして、上記光源３ｌは、Ｃｕ６−ｘＰＳ５Ｉの光イン
ターカレーションに影響のない６５００ｍ以上のレーザ
ビームが好ましい．光照射されると各素子に蓄積された
電荷量、すなわちＣ ｕ ｅ一ＸＰＳ５Ｉ中のＣｕイオ
ン又はＡｇイオン量に応じて陽極からの反射光のスペク
トル強度は変化し、検出機３５により被写（ホ）の光学
像を検出ずることができる． ［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、光インターカレーション
機能を持つ物質を陽極材としたシート状蓄電池を固体撮
像素子として使用しているので、被写体から各画素の素
子が受光した光量を蓄積電荷量として正確に読出すこと
ができ、ダイナミックレンジが大きく、画像再現精度が
高い固体撮像装置が得られる．また、蓄積された電荷で
外部に仕事をさせることができ、素子へのトナー吸着等
による画像形成等が可能になる。また、受光素子、蓄電
素子の構成が極めて簡単なため、製造上の歩留りがよく
、大面積の素子を有した撮像装置を得ることが可能であ
り、しかも安価となる．さらには、後者の例では、使用
する照射光としてのレーザ光等の波長により分解能が決
まるので、従来のＣＣＤでは到達できない高密度記録が
可能となる．また、ＣＯＤのように高密度配線が不要な
ため、歩留りがよく大面積の固体Ｉｉ像素子を有した撮
像装置を得ることができる．
ターカレーションに影響のない６５００ｍ以上のレーザ
ビームが好ましい．光照射されると各素子に蓄積された
電荷量、すなわちＣ ｕ ｅ一ＸＰＳ５Ｉ中のＣｕイオ
ン又はＡｇイオン量に応じて陽極からの反射光のスペク
トル強度は変化し、検出機３５により被写（ホ）の光学
像を検出ずることができる． ［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、光インターカレーション
機能を持つ物質を陽極材としたシート状蓄電池を固体撮
像素子として使用しているので、被写体から各画素の素
子が受光した光量を蓄積電荷量として正確に読出すこと
ができ、ダイナミックレンジが大きく、画像再現精度が
高い固体撮像装置が得られる．また、蓄積された電荷で
外部に仕事をさせることができ、素子へのトナー吸着等
による画像形成等が可能になる。また、受光素子、蓄電
素子の構成が極めて簡単なため、製造上の歩留りがよく
、大面積の素子を有した撮像装置を得ることが可能であ
り、しかも安価となる．さらには、後者の例では、使用
する照射光としてのレーザ光等の波長により分解能が決
まるので、従来のＣＣＤでは到達できない高密度記録が
可能となる．また、ＣＯＤのように高密度配線が不要な
ため、歩留りがよく大面積の固体Ｉｉ像素子を有した撮
像装置を得ることができる．
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置に用いた
撮像素子の千面図、第２図は同撮像素子を構或する蓄電
池の電気回路を含んだ′Ｍｔｊ．図、第３図は蓄電池の
構成図、第４図は他の実施例による撮像装置の素子を＃
Ｉ戊する蓄電池の電気回路を含んだ椙戒図、第５図は同
蓄電池の梢或図、第６図は後者の実施例による光学系を
含んだ装置全体のＩｌｌＩｒｌｃ図、第７図（ａ）（ｂ
）は光インターカレーションの反応機梢を示す説明図で
ある．１・・・シート状蓄電池、３・・・陽極、１０・
・・固体撮像素子、ｌ５・・・抵抗（負荷）、ｌ６・・
・スイッチ、３１・・・光源、３５・・・検出機．
撮像素子の千面図、第２図は同撮像素子を構或する蓄電
池の電気回路を含んだ′Ｍｔｊ．図、第３図は蓄電池の
構成図、第４図は他の実施例による撮像装置の素子を＃
Ｉ戊する蓄電池の電気回路を含んだ椙戒図、第５図は同
蓄電池の梢或図、第６図は後者の実施例による光学系を
含んだ装置全体のＩｌｌＩｒｌｃ図、第７図（ａ）（ｂ
）は光インターカレーションの反応機梢を示す説明図で
ある．１・・・シート状蓄電池、３・・・陽極、１０・
・・固体撮像素子、ｌ５・・・抵抗（負荷）、ｌ６・・
・スイッチ、３１・・・光源、３５・・・検出機．
Claims (2)
- （１）光インターカレーション機能を持つ物質を陽極材
としたシート状蓄電池セルを複数個配列することにより
固体撮像素子を構成し、この固体撮像素子に蓄積された
電荷を読出す手段を備えたことを特徴とする固体撮像装
置 - （２）光インターカレーション機能を持ち、かつ充電時
と放電時の光吸収特性が異なる物質を陽極材とするシー
ト状蓄電池セルを複数個配列することにより固体撮像素
子を構成し、この固体撮像素子の保持信号の読出時に前
記陽極材へ信号保持状態を変化させることのない光を照
射する光照射手段と、この光照射手段からの照射光の陽
極材による反射光を検出する検出手段とを具備したこと
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158014A JPH0322681A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 固体撮像装置 |
| US07/537,797 US5036396A (en) | 1989-06-19 | 1990-06-14 | Solid image-pickup device having storage cell unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158014A JPH0322681A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322681A true JPH0322681A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15662387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158014A Pending JPH0322681A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720293B1 (ko) * | 2007-01-19 | 2007-05-21 | 주식회사 부창엔지니어링 | 배전반용 압력방출장치 |
| KR100795522B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2008-01-16 | 주식회사 광명전기 | 배전반 내에 있는 압력을 감지하는 스위치 |
| KR100795524B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2008-01-16 | 주식회사 광명전기 | 배전반 내에 있는 아크에 의한 고온 고압의 가스를방출하는 장치 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1158014A patent/JPH0322681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720293B1 (ko) * | 2007-01-19 | 2007-05-21 | 주식회사 부창엔지니어링 | 배전반용 압력방출장치 |
| KR100795522B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2008-01-16 | 주식회사 광명전기 | 배전반 내에 있는 압력을 감지하는 스위치 |
| KR100795524B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2008-01-16 | 주식회사 광명전기 | 배전반 내에 있는 아크에 의한 고온 고압의 가스를방출하는 장치 |
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