JPH0322221A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明ＥＬＣｏとＣｒまたはＣｏとＣｒとＮｉを主成分
とする磁性層が高分子基板よりなる基板上に直接にある
いは下地層を介して形或された磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。

従来の技術 現在　磁気記録再生装置は小型化　高密度化の傾向にあ
り、従来の塗布型媒体の高密度化の限界を越えるものと
して金属薄膜型媒体が注目されていも　特に、Ｃｒを１
０〜３０重量％含むＣ　ｏ　−　Ｃ　ｒあるいはＣｏ−
Ｃｒ−ＮｉＭ４友　　短波長記録再生特性の優れた垂直
磁化膜になり得ること、また耐候性にも優れていること
から理想的な金属薄膜型媒体と言える。金属薄膜型媒体
を製造する方法にζよメッキ汰　スパッタリング汰　真
空蒸着法等がある力支　量産性を考慮すると真空蒸着法
が最も優れている。真空蒸着法によって生産性が良くか
つ安定に金属薄膜型媒体を形或するに（よ　第５図（ａ
），（ｂ）に示すように　円筒状ローラｌ１の周側面に
沿わせて高分子材料よりなる基板１を矢印Ａの方向へ移
動させつつ蒸着を行なえばよＬ１　　なお５、　６はそ
れぞれ基板１の供給ロールおよび巻き取り口一瓜　１２
はマス久　ｌ３は蒸発源であん上記の方法で形或された
金属薄膜形媒体を酸素を含む雰囲気中で加熱処理すると
前記高分子基板上の磁性層の表面に適度な層厚の安定な
酸化層を生ム　これによりこの金属薄膜形媒体表面の動
摩擦係数が低下すること、またより耐久性において優れ
た金属薄膜形媒体が得られることが知られている　（ケ
ー・ホンタゝ　エト　アル，　アイイーイーイー　トラ
ンス．　マクゝン．　エムエーシ’−（Ｋ，Ｈｏｎｄａ
　　ｅｔ．ａｌ，，　　ＩＥＥＥ　　Ｔｒａｎｓ．　Ｍ
ａｇｎ．，　　ＭＡＧ２４，　Ｎｏ．６　２６６４　（
１９８８）））。上記の磁性層形或後の加熱処理を安定
に行うには　例えば第５図と同様の基板搬送系を用へ　
酸素を含む雰囲気中において円筒状ローラの周側面を加
熱し　この周側面に沿わせて磁性層形或済の高分子基板
をローラの回転方向Ａに移動させればよ鶏 発明が解決しようとする課題 しかし　上記の方法で高分子基板上に形戒された磁性層
の加熱処理を行う場合、一般に　加熱処理による前記の
効果が得られる温度領域においては高分子基板が熱収縮
をおこすたべ　第４図に示すような磁性層が外側になる
カールを長尺の高分子基板の幅方向に生ニ　磁気記録媒
体として使用する際に走行怯　巻取り怯　磁気へッドタ
ッチなどが悪くなるという問題を生じる。すなわち第５
図に示すような円筒状ローラ系を用いた従来の加熱処理
方法においては高分子基板の長尺方向には供給ロール５
および巻取り口ール６を制御して張力をかけ、これによ
って高分子基板の熱収縮を緩和してカールを弱くするこ
とができる力（　幅方向の熱収縮についてはこれを緩和
することはできない。

本発明は　このような従来技術の課題に鑑へ磁気記録媒
体の走行性、巻き取り怯　磁気へッドタッチなどに悪影
響を及ぼすカールの発生を防止する磁気記録媒体の製造
方法を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段 本発明（よ　真空蒸着法によって移動する長尺の高分子
基板上に直接に　あるいは下地層を介してＣＯとＣｒま
たはＣｏとＣｒとＮｉを主成分とした磁性層を形或後、
酸素を含む雰囲気中におかれた円筒状ローラの周側面上
で、前記高分子基板が熱収縮をおこす温度領域において
前記磁性層を加熱処理する暇　前記高分子基板の幅方向
の両端を周側面上に固定して前記磁性層の加熱処理を行
なうことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であも作
用 一般に　高分子基板の熱収縮（上　高分子基板に張力を
かけておくことによって、その張力方向において緩和す
ることができる。本発明によれば高分子基板が円筒状ロ
ーラの周側面に沿って走行する肌　高分子基板の幅方向
の両端を円筒状ローラの周側面上に固定しておくことに
より、高分子基板が熱収縮をおこす温度領域において高
分子基板の幅方向に張力が加わるたべ　カールの原因で
ある高分子基板の幅方向の熱収縮が緩和される。

実施例 以下に　本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。

実施例（１） 円筒状ローラを、第１図（ａ）、　（ｂ）に示すように
中心部３および両端部４の３つの部分に分け、中心部３
、両端部４それぞれの周側面の温度Ｔ，Ｔ’　を、円筒
状ローラ内部のヒータにより独立に制御できる構造とＬ
Ｔを磁性層の加熱処理温度に　Ｔ′を高分子基板のガラ
ス転移点近傍以上にすも　円筒状ローラ中心部３の周側
面上を中心として円筒状ローラ両端部４の周側面上にま
たがるように磁性層形或済の高分子基板ｌを沿わせも　
この状態で円筒状ローラ３、　４を回転して磁性層の加
熱処理を行なうと、高分子基板１は幅方向両端の円筒状
ローラ両端部４の周側面上に沿う部分のみが円筒状ロー
ラ両端部４の周側面に張り付き、高分子基板ｌの幅方向
の熱収縮を抑制する方向に張力が働いた状態で走行する
。本実施例において８よ　用いた高分子フィルムは１０
μｍのポリイミドフィルムであり、円筒状ローラ中心部
３の周側面の温度Ｔを２８０℃〜３２０ａ　円筒状ロー
ラの両端部４の周側面の温度Ｔ゜を３９０℃一定とし池
　上記固定手段によれば　円筒上ローラ両端部４に張り
付けた高分子基板の幅方向の両端部分は高温のため物性
が変化して、もはや磁気記録媒体として使用できなｌ，
Ｘｏｔ，かし　第５図に示すように磁性層形或済の高分
子基板１（よ　蒸着時に蒸発源１３と高分子基板１との
間に設けられたマスク１２の幅に応じて、その幅方向に
おいて、中心の磁性層が形戊された部分Ｘと、両端の磁
性層が形成されていない部分Ｙとを持つので、円筒状ロ
ーラ３、　４の周側面にこの磁性層形或済の高分子基板
を沿わせる服　円筒状ローラの中心部３の周側面上に高
分子基板の磁性層が形戒された部分Ｘを沿わせ、また円
筒状ローラの両端部４の周側面上に高分子基板の磁性層
が形或されていない部分Ｙを沿わせれば　歩留まりを落
とさずに済ますことができる。

実施例（２） 第２図（ａ）に示すように　円筒状ローラ１１の周側面
を内部に設けられたヒータによって磁性層の加熱処理温
度に昇湿したうえで、周側面上に磁性層形或済の高分子
基板１を沿わせも　さらに円筒状ローラの外周方向の張
力を加えた２本のベルト８によって円筒状ローラの周側
面上に高分子基板ｌの幅方向の両端部を固定すも　ベル
ト８によって固定する高分子基板１の幅方向の両端部分
に１よ　実施例（１）と同様に磁性層形或済の高分子基
板ｌの磁性層が形或されていない部分Ｙを利用すればよ
賎　本実施例において｛よ　ベルト８を第２図（ｂ）に
示すように複数のベルト用ローラ９を介して円筒状ロー
ラ両端部４の周側面上を走行させ、ベルト用ローラ９の
ｌつの回転軸の位置をローラの径方向に可変にすること
によってベルト８に加わる張力を調整できる構造としｔ
ラ　　この状態で円筒状ローラｌ１を回転すると、高分
子基板はその幅方向の両端部分が円筒状ローラの両端部
に固定されたまま走行１一　実施例（１）と同様に加熱
処理屯　高分子基板の幅方向の熱収縮を抑制する方・向
に張力が働く。ベルト８の材質【よ　耐熱性と高分子基
板を固定するために必要な張力に耐え得ることを考慮し
て、本実施例においてはステンレスとした 実施例（３） 円筒状ローラを第３図（　ａ．　）、　（ｂ）に示すよ
うに中心部３および両端部４の３つの部分に分（ナ、中
心部３の周側面を内部に設けられたヒータにより磁性層
の加熱処理温度に昇温す転　円筒状ローラの中心部３と
両端部４との間を電気的に絶縁し中心部３はアース電位
に保水　両端部４にはバイアス電圧１０を加える。磁性
層形或済の高分子基板ｌの磁性層が形成されている部分
をアース電位に保った状態で、円筒状ローラの中心部３
の周側面上を中心として円一筒状ローラの両端部４の周
側面上にまたがるように沿わせると、高分子基板１の両
端部のへ　磁性層２と円筒状ローラ両端部４の周側面と
の間の静電気力によって円筒状ローラ周側面に張り付き
固定される。この状態で円筒状ローラ３、　４を回転し
　磁性層の加熱処理を行なうと、高分子基板は両端部の
みが円筒状ローラの両端部４に固定されたまま走行し　
実施例（１）、（２）と同様に加熱処理取　高分子基板
ｌの幅方向の熱収縮を抑制する方向に張力が働く。本実
施例において！友　円筒状ローラの両端部４と高分子基
板上に形或された磁性層との間のバイアス電圧が２０Ｖ
以上で、高分子基板の熱収縮を緩和する効果が顕著にみ
られた　また　円筒状ローラの両端部４を正電位として
Ｌ　負電位としても同様の効果が得られた 以上述べた実施例（１）、　（２）、　（３）における
加熱処理後の高分子基板のカールの強度を、円筒状ロー
ラ系を用いた従来の加熱処理方法にょるものと比較して
表に示す。

表 すべての実施例において、用いた高分子基板は１０μｍ
のポリイミドフィルムであり、この高分子基板上に形或
された磁性層Ｇ上Ｃｒを２０重量％含む層厚３　０　０
　０ＡのＣ　ｏ　−　Ｃ　ｒ膜であも　磁性層の加熱処
理温度は　すべての例において３１０℃としｔも　　ま
た実施例（１）における円筒状ローラ両端部４の周側面
濡度Ｔ′は３９０′ｔ−　実施例（３）における円筒状
ローラ両端部４の周側面の電位（未−ＩＯＯＶとしｆＱ
，　　表中のカール強度の評価にζ上α＝｛（Ｌ●−Ｌ
）／Ｌの）ＸＩＯＯ（％）で定義される量αを用いｆ，
　　ただＬＬは第４図に示されるようにカールした状態
での高分子基板１の幅方向の長さであり、Ｌｉはカール
がない状態での高分子基板の幅方向の長さであも　我々
の実験結果で１よ　αの値が４％以上になると走行怯　
巻き取り性、磁気ヘッドタッチなどの点で支障をきたし
磁気記録媒体として使用することはできな（ｔ表に示す
ように　すべての実施例において本発明の方法による高
分子基板の幅方向のカールの緩和に対する効果は非常に
顕著であり、磁気記録媒体として使用するために必要な
α≦４　（％）という条件を十分に満足する結果が得ら
れている。な叙（：，ｏ−Ｃｒ膜のＣｒの組或を１０〜
３０重量％の範囲で変化させた場合や、磁性層にＣｒを
ＩＯ〜３０重量％Ｊ＋Ｊｉを０〜１０重量％含むＣ　ｏ
　−　Ｃ　ｒ−　Ｎ　ｉ膜を用いた場合、厚さ７．５　
μｍ，１　５　μｍ，２　０　μｍの高分子基板を用い
た場合、また磁性層のＣ　ｏ　−　Ｃ　ｒｌｌｌＬある
いはＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ膜の層厚を５００〜５０００Ａの
範囲で変化させた場合のいずれの場合にも上記と同様の
結果が得られｔシ　　また基板上に層厚２００〜５００
Ａのパーマロイ、Ｔｉ等の下地層を設けて、その上にｃ
ｏ−Ｑ　ｒ風　あるいはＣ　ｏ　−　Ｃ　ｒ　−Ｎｉ膜
の磁性層を形或したものについても上記と同様の結果が
得られｔら 発明の効果 以上のように本発明の方法によれ（Ｌ　真空蒸着法によ
って長尺の高分子基板上に形或されたＣｏとＣｒまたは
ＣｏとＣｒとＮｉを主戊分とした磁性層を加熱処理する
際に　高分子基板の幅方向に張力を加えて高分子基板の
幅方向の熱収縮を緩和できるので、高分子基板の幅方向
のカールが十分に弱い磁気記録媒体を得られも　即板　
本発明の方法によって磁気記録媒体として使用する際の
走行怯巻き取り怯　磁気へッドタッチ等の諸特性が顕著
に改善されることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例（１）で用いた円筒状ローラ系
を説明するための略示正詠　側面ａ　第２図は本発明の
実施例（２）で用いた円筒状ローラ系を説明するための
略示正直　側面は　第３図は本発明の実施例（３）で用
いた円筒状ローラ系を説明するための略示正蕊　側面は
　第４図は磁性層を加熱処理した後の高分子基板の幅方
向のカールを示す断面諷　第５図は従来の真空蒸着法に
よって高分子基板上に磁性層を形或する際に用いる円筒
状ローラ系を示す正面、側面図である。 ■・・・・高分子基坂　２・・・・磁性凰　３・・・・
円筒状ローラ中心敵　４・・・・円筒状ローラ両端ｉ８
・・・・ベルト、　９・・・・ベルト用ローラ、　１０
・・・・バイアス電正　ｌ２・・・・マスク。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）　真空蒸着法によって移動する長尺の高分子基板
   上に直接に、あるいは下地層を介してＣｏとＣｒまたは
   ＣｏとＣｒとＮｉを主成分とした磁性層を形成後、酸素
   を含む雰囲気中におかれた円筒状ローラの周側面上で、
   前記高分子基板が熱収縮をおこす温度領域において前記
   磁性層を加熱処理する際、前記高分子基板の幅方向の両
   端を前記円筒状ローラの周側面上に固定して前記磁性層
   の加熱処理を行なうことを特徴とする磁気記録媒体の製
   造方法。
2. （２）　固定する方法として、前記高分子基板の幅方向
   の両端をガラス転移点近傍以上に加熱することにより前
   記円筒状ローラの周側面上に張り付けることを特徴とす
   る請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. （３）　固定する方法として、前記高分子基板の幅方向
   の両端をベルトによって前記円筒状ローラの周側面上に
   押さえつけることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
   媒体の製造方法。
4. （４）　固定する方法として、前記高分子基板の幅方向
   の両端近傍上の前記磁性層と前記円筒状ローラの周側面
   との間に前記高分子基板を介してバイアス電圧を加える
   ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方
   法。