JPH03221505A - シクロデキストリンポリマーの合成方法及びシクロデキストリン膜の製造方法 - Google Patents

シクロデキストリンポリマーの合成方法及びシクロデキストリン膜の製造方法

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JPH03221505A
JPH03221505A JP1870690A JP1870690A JPH03221505A JP H03221505 A JPH03221505 A JP H03221505A JP 1870690 A JP1870690 A JP 1870690A JP 1870690 A JP1870690 A JP 1870690A JP H03221505 A JPH03221505 A JP H03221505A
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JP
Japan
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cyclodextrin
polymer
film
derivative
present
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JP1870690A
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English (en)
Inventor
Masanobu Yoshinaga
雅信 吉永
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野1 本発明はシクロデキストリンポリマーの合成方法及びシ
クロデキストリン膜の製造方法に関する。
[従来の技術] シクロデキストリンは水溶液中で種々のゲスト化合物と
構造特異的な包接化合物を形成する。したがって、シク
ロデキストリンを含む固体躾には、特異的な分離能と透
過能などが期待され、またシクロデキストリンが高分子
に担持されることにより単体として威し得なかった種々
の物性を期待することができ、利用面も広がるため、シ
クロデキストリンを含む躾を自由に作成しうる方法が望
まれていた。
このようなシクロデキストリン族の作成に関して、例え
ば特開昭60−232210号公報には、シクロデキス
トリンの包接化合物の結晶とイソシアネート基を有する
化合物からなる高分子を市販の限外濾過股上にキャスト
する方法が開示されており、また、特開昭62−258
702号公報にはシクロデキストリンと各種モノマーを
反応させた後アクリロニトリル誘導体と共重合し、出来
あがった高分子を公知の方法で製膜する方法が開示され
ている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前記特開昭60−232210号開示の
方法はシクロデキストリン膜を高分子自体の膜として使
用しうるちのではなく、また、特開昭62−25870
2号開示の方法は、得られる高分子膜中のシクロデキス
トリンの導入率が2〜3%と低く十分なものではなかっ
た。
従って本発明の目的は、シクロデキストリンを高い導入
率で含有することができるシクロデキストリンポリマー
の合成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、シクロデキストリンを高い導入
率で含有し、かつ単体の膜として使用しうるシクロデキ
ストリン族の製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者等は前記課題に鑑みて鋭意研究の結果、本発明
の上記目的は、シクロデキストリンのアミン誘導体又は
カルボン酸誘導体を各々のアミノ基又はカルボキシル基
と反応しうる基を末端に有するモノマーと反応させた後
に重合させることを特徴とするシクロデキストリンポリ
マーの合成方法及び該シフロブキス]・リンポリマーを
用いたシクロデキストリン膜の製造方法により達成され
ることを見出した。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
本発明においては、シクロデキストリンのアミン誘導体
又はカルボン酸誘導体を該各々の誘導体のアミノ基又は
カルボキシル基とそれぞれ反応しつる基を末端に有する
モノマー化合物と反応させ化学結合させた後に、得られ
たシクロデキストリン−反応性モノマーを重合すること
により、シクロデキストリンを主鎖中に、またユニット
に対し必ず含みうるシクロデキストリンポリマーを形成
することができる。
本発明におけるシクロデキストリンの誘導体を形成する
シクロデキストリンとしては、例えばαシクロデキスト
リン、β−シクロデキストリン及びγ−シクロデキスト
リンが挙げられる。また、本発明に用いられるシクロデ
キストリンのアミン誘導体又はカルボン酸誘導体として
は、好ましくはジアミン誘導体又はジカルボンW1誘1
1II′4が用いられ、特にジアミノβ−シクロデキス
トリン、ジカルボン酸クロリドβ−シクロデキストリン
等が好ましく挙げられる。
本発明においてシクロデキストリンのアミン誘導体又は
カルボン酸誘導体と反応性モノマーとの重合反応は例え
ば下記のように行なわれる。
(’tβ、7−) (但し、CDはシクロデキストリンを表わす。)上記反
応に用いられるジアミノ−CD及びジカルボン酸−CD
は例えば以下のような方法で得ることができる。
・ジカルボン酸−CDの合成方法 上記シクロデキストリン誘導体と反応しうる基を末端に
有する七ツマー化合物としては、シクロデキストリンの
アミン誘導体に対しては、脂肪族ジカルボン酸類又はそ
の誘導体が用いられ、代表的にはC1−C+0口2)T
I−〇−CI2においてO○ n=Q〜8のもの、特にn=4のアジピン酸ジクロリド
やフタル酸クロライド OO たシクロデキストリンのカルボン酸誘導体に対しては脂
117i族ジアミン類又はその誘導体が用いられ、代表
的にはロrN+cロ2+−N日2のn=2〜10のもの
、特にn=5のへギサメヂレンジアミンが挙げられる。
また本発明のシクロデキストリン誘導体と反応性モノマ
ーとの反応における反応条件は、使用される化合物又は
使用目的等により任意に選択しうるが、例えば、反応組
成比N目2ニーC−Cl〇 −1:1〜1:10、特に好ましくは1:1で、反応温
度40〜100℃、反応時間6〜24時間で行なわれる
上記反応により得られるポリマーとしては製膜性の点か
ら分子量が5万以上のものが好ましい。
本発明のシクロデキストリンポリマーは、例えば膜とし
て透過又は吸着分離膜等に、粉体あるいはビーズ状にし
てガスクロマトグラフィー又は液体クロマトグラフィー
の分離カラム用充填剤に、更にビーズ状あるいはベレッ
ト状にして吸着剤、捕集剤等に用いられる。
本発明においては上記得られたポリマーを用いて製膜を
行なう。製膜には種々の公知の方法が用いられるが、例
えば具体的には以下の方法で行なわれる。
すなわち、本発明のシクロデキストリンポリマーを溶媒
に溶解して得られた溶液を支持体上に展延した後、溶媒
を除去して製!!″!jるキャスト方法。
例えば、得られたポリマーをジメチルホルムアミド(D
MF)またはジメチルスルホオキサイド(DMSO)に
溶解した溶液をテフロン板、ガラス板、金属板などの支
持体の上に展延した後、溶媒を除去(例えば蒸発〉させ
、膜を形成する。この際DMF、DMSOとも沸点が高
く蒸発しにくいため、40〜60℃の熱をかけ、ある程
度蒸発した時点で水中に入れて膜を剥離し、水洗、乾燥
してシクロデキストリン膜を得る方法をとることが出来
る。
また、別の方法として、本発明のシクロデキストリンポ
リマーを加熱して溶融し、押出し、延伸してフィルムに
成型する押出し法をとることもできる。
[実膿例コ 以下に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例1 ジアミノβ−CD4.5gとN80口0.4gを501
(の水に溶解し室温で激しく撹拌し、これにアジピン酸
ジクロリド(n =4)  o、8gのDMF溶液を滴
下した。その後60〜70℃で10時間撹拌し、次いで
減圧下で水及びDMFを留去し、残漬をアセトン中で再
沈澱させた後、これを濾過し、沈澱をよく水洗し乾燥し
てCDポリマーを得た。得られたポリマーの分子量は約
so、 oooであった。
得られたCD−ポリマーはDMFに加熱溶解後ガラス板
の上に展延後、40〜60℃のオーブン中で加熱し、は
とんどDMFがなくなる際にガラス板とともに水中に入
れ膜を剥した。これをよく水で洗浄し乾燥して良好なβ
−CDポリマー躾が得られた。
実施例2 ヘキサメチレンジアミン(n=6)  0.5fllと
Na OH0,4oを50wRの水に溶解し、室温で激
しく撹拌し、これにジカルボン酸クロリドβCD6i1
1のDMF溶液を滴下した。次いで60〜70℃で10
時間撹拌して、減圧下で水及びDMFを留去し、残渣を
アセトン中で再沈澱させた後これを濾過し、沈澱物をよ
く水洗し乾燥してCD−ポリマーを得た。
実施例1と同様得られたポリマーの分子量は52.00
0であった。
得られたポリマーを用いて実施例1と同様に製膜したと
ころ、良好なβ−CDポリマー膜が得られた。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明により得られるシク
ロデキストリンポリマーは高い導入率でシクロデキスト
リンを含有することができ、また、本発明のシクロデキ
ストリンポリマーを用いて得られるシクロデキストリン
族は、ポリマー自身が製膜性を有しているので他の支持
膜を使用する必要がなく、単体膜として使用できる。
明  細  書 1、発明の名称 シクロデキストリンポリマーの合成方法及びシクロデキ
ストリン膜の製造方法 2、特許請求の範囲 (1) シクロデキストリンのアミン誘導体又はカルボ
ン酸誘導体を各々のアミノ基又はカルボキシル基と反応
しうる基を末端に有するモノマーと反応させた後に重合
させることを特徴とするシクロデキストリンポリマーの
合成方法。
(2) シクロデキストリンのアミン誘導体又はカルボ
ン酸誘導体を各々のアミノ基又はカルボキシル基と反応
しうる基を末端に有するモノマーと反応させた後に重合
させて得られるポリマーを用いて製膜することを特徴と
するシクロデキストリン膜の製造方法。
3、発明の詳細な説明 [産業上の利用分野1 本発明はシクロデキストリンポリマーの合成方法及びシ
クロデキストリン膜の製造方法に関する。
[従来の技術] シクロデキストリンは水溶液中で種々のゲスト化合物と
構造特異的な包接化合物を形成する。したがって、シク
ロデキストリンを含む固体躾には、特異的な分離能と透
過能などが期待され、またシクロデキストリンが高分子
に担持されることにより単体として威し得なかった種々
の物性を期待することができ、利用面も広がるため、シ
クロデキストリンを含む躾を自由に作成しうる方法が望
まれていた。
このようなシクロデキストリン族の作成に関して、例え
ば特開昭60−232210号公報には、シクロデキス
トリンの包接化合物の結晶とイソシアネート基を有する
化合物からなる高分子を市販の限外濾過股上にキャスト
する方法が開示されており、また、特開昭62−258
702号公報にはシクロデキストリンと各種モノマーを
反応させた後アクリロニトリル誘導体と共重合し、出来
あがった高分子を公知の方法で製膜する方法が開示され
ている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前記特開昭60−232210号開示の
方法はシクロデキストリン膜を高分子自体の膜として使
用しうるちのではなく、また、特開昭62−25870
2号開示の方法は、得られる高分子膜中のシクロデキス
トリンの導入率が2〜3%と低く十分なものではなかっ
た。
従って本発明の目的は、シクロデキストリンを高い導入
率で含有することができるシクロデキストリンポリマー
の合成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、シクロデキストリンを高い導入
率で含有し、かつ単体の膜として使用しうるシクロデキ
ストリン族の製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明者等は前記課題に鑑みて鋭意研究の結果、本発明
の上記目的は、シクロデキストリンのアミン誘導体又は
カルボン酸誘導体を各々のアミノ基又はカルボキシル基
と反応しうる基を末端に有するモノマーと反応させた後
に重合させることを特徴とするシクロデキストリンポリ
マーの合成方法及び該シフロブキス]・リンポリマーを
用いたシクロデキストリン膜の製造方法により達成され
ることを見出した。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
本発明においては、シクロデキストリンのアミン誘導体
又はカルボン酸誘導体を該各々の誘導体のアミノ基又は
カルボキシル基とそれぞれ反応しつる基を末端に有する
モノマー化合物と反応させ化学結合させた後に、得られ
たシクロデキストリン−反応性モノマーを重合すること
により、シクロデキストリンを主鎖中に、またユニット
に対し必ず含みうるシクロデキストリンポリマーを形成
することができる。
本発明におけるシクロデキストリンの誘導体を形成する
シクロデキストリンとしては、例えばαシクロデキスト
リン、β−シクロデキストリン及びγ−シクロデキスト
リンが挙げられる。また、本発明に用いられるシクロデ
キストリンのアミン誘導体又はカルボン酸誘導体として
は、好ましくはジアミン誘導体又はジカルボンW1誘1
1II′4が用いられ、特にジアミノβ−シクロデキス
トリン、ジカルボン酸クロリドβ−シクロデキストリン
等が好ましく挙げられる。
本発明においてシクロデキストリンのアミン誘導体又は
カルボン酸誘導体と反応性モノマーとの重合反応は例え
ば下記のように行なわれる。
(’tβ、7−) (但し、CDはシクロデキストリンを表わす。)上記反
応に用いられるジアミノ−CD及びジカルボン酸−CD
は例えば以下のような方法で得ることができる。
・ジカルボン酸−CDの合成方法 上記シクロデキストリン誘導体と反応しうる基を末端に
有する七ツマー化合物としては、シクロデキストリンの
アミン誘導体に対しては、脂肪族ジカルボン酸類又はそ
の誘導体が用いられ、代表的にはC1−C+0口2)T
I−〇−CI2においてO○ n=Q〜8のもの、特にn=4のアジピン酸ジクロリド
やフタル酸クロライド OO たシクロデキストリンのカルボン酸誘導体に対しては脂
117i族ジアミン類又はその誘導体が用いられ、代表
的にはロrN+cロ2+−N日2のn=2〜10のもの
、特にn=5のへギサメヂレンジアミンが挙げられる。
また本発明のシクロデキストリン誘導体と反応性モノマ
ーとの反応における反応条件は、使用される化合物又は
使用目的等により任意に選択しうるが、例えば、反応組
成比N目2ニーC−Cl〇 −1:1〜1:10、特に好ましくは1:1で、反応温
度40〜100℃、反応時間6〜24時間で行なわれる
上記反応により得られるポリマーとしては製膜性の点か
ら分子量が5万以上のものが好ましい。
本発明のシクロデキストリンポリマーは、例えば膜とし
て透過又は吸着分離膜等に、粉体あるいはビーズ状にし
てガスクロマトグラフィー又は液体クロマトグラフィー
の分離カラム用充填剤に、更にビーズ状あるいはベレッ
ト状にして吸着剤、捕集剤等に用いられる。
本発明においては上記得られたポリマーを用いて製膜を
行なう。製膜には種々の公知の方法が用いられるが、例
えば具体的には以下の方法で行なわれる。
すなわち、本発明のシクロデキストリンポリマーを溶媒
に溶解して得られた溶液を支持体上に展延した後、溶媒
を除去して製!!″!jるキャスト方法。
例えば、得られたポリマーをジメチルホルムアミド(D
MF)またはジメチルスルホオキサイド(DMSO)に
溶解した溶液をテフロン板、ガラス板、金属板などの支
持体の上に展延した後、溶媒を除去(例えば蒸発〉させ
、膜を形成する。この際DMF、DMSOとも沸点が高
く蒸発しにくいため、40〜60℃の熱をかけ、ある程
度蒸発した時点で水中に入れて膜を剥離し、水洗、乾燥
してシクロデキストリン膜を得る方法をとることが出来
る。
また、別の方法として、本発明のシクロデキストリンポ
リマーを加熱して溶融し、押出し、延伸してフィルムに
成型する押出し法をとることもできる。
[実膿例コ 以下に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例1 ジアミノβ−CD4.5gとN80口0.4gを501
(の水に溶解し室温で激しく撹拌し、これにアジピン酸
ジクロリド(n =4)  o、8gのDMF溶液を滴
下した。その後60〜70℃で10時間撹拌し、次いで
減圧下で水及びDMFを留去し、残漬をアセトン中で再
沈澱させた後、これを濾過し、沈澱をよく水洗し乾燥し
てCDポリマーを得た。得られたポリマーの分子量は約
so、 oooであった。
得られたCD−ポリマーはDMFに加熱溶解後ガラス板
の上に展延後、40〜60℃のオーブン中で加熱し、は
とんどDMFがなくなる際にガラス板とともに水中に入
れ膜を剥した。これをよく水で洗浄し乾燥して良好なβ
−CDポリマー躾が得られた。
実施例2 ヘキサメチレンジアミン(n=6)  0.5fllと
Na OH0,4oを50wRの水に溶解し、室温で激
しく撹拌し、これにジカルボン酸クロリドβCD6i1
1のDMF溶液を滴下した。次いで60〜70℃で10
時間撹拌して、減圧下で水及びDMFを留去し、残渣を
アセトン中で再沈澱させた後これを濾過し、沈澱物をよ
く水洗し乾燥してCD−ポリマーを得た。
実施例1と同様得られたポリマーの分子量は52.00
0であった。
得られたポリマーを用いて実施例1と同様に製膜したと
ころ、良好なβ−CDポリマー膜が得られた。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明により得られるシク
ロデキストリンポリマーは高い導入率でシクロデキスト
リンを含有することができ、また、本発明のシクロデキ
ストリンポリマーを用いて得られるシクロデキストリン
族は、ポリマー自身が製膜性を有しているので他の支持
膜を使用する必要がなく、単体膜として使用できる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シクロデキストリンのアミン誘導体又はカルボン
    酸誘導体を各々のアミノ基又はカルボキシル基と反応し
    うる基を末端に有するモノマーと反応させた後に重合さ
    せることを特徴とするシクロデキストリンポリマーの合
    成方法。
  2. (2)シクロデキストリンのアミン誘導体又はカルボン
    酸誘導体を各々のアミノ基又はカルボキシル基と反応し
    うる基を末端に有するモノマーと反応させた後に重合さ
    せて得られるポリマーを用いて製膜することを特徴とす
    るシクロデキストリン膜の製造方法。
JP1870690A 1990-01-29 1990-01-29 シクロデキストリンポリマーの合成方法及びシクロデキストリン膜の製造方法 Pending JPH03221505A (ja)

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