JPH03219094A - インジウム金属の溶解析出方法 - Google Patents

インジウム金属の溶解析出方法

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JPH03219094A
JPH03219094A JP2012618A JP1261890A JPH03219094A JP H03219094 A JPH03219094 A JP H03219094A JP 2012618 A JP2012618 A JP 2012618A JP 1261890 A JP1261890 A JP 1261890A JP H03219094 A JPH03219094 A JP H03219094A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はインジウム(In)を含む有機酸水溶液から育
価物であるInを金属として回収するとともに高純度の
In有機酸水溶液を生成させる方法に関する。得られた
高純度のIn有機酸水溶液は例えばエレクトロセラミッ
クス原料用として用いられる酸化Inの製造に用いられ
る。
[従来の技術] Inを含む有機酸水溶液は、例えば、錫をトープした酸
化In(以下ITOと記載)スパッタリングターゲット
のスクラップを酸に溶解したものや亜鉛精練工程の副産
物として得られる精練中間物等を化学的に粗精製する事
により得られる有機酸水溶液が挙げられる。
Inは、エレクトロセラミックスの分野で利用されてお
り、高純度でかつ微細な酸化Inの形態で利用されてい
る。又、Inは希少金属であり1nAs等の金属間化合
物や、ITOスパッタリングターゲット等のスクラップ
から回収して再利用することが考えられている。
Inは、亜鉛製錬工程等の副産物として製造されている
がその生産量は微々たるものである。
又、ITO等のターゲットは、酸化錫を含む酸化Inの
粉末を焼結して製造されているが、その焼結体製造時に
クラックが入ったものや焼結密度が低過ぎるもの等は商
品価値がなく多量のスクラップとして処分される。又、
この焼結体をターゲットとして用い透明導電性薄膜を製
造する工程での歩留りは一般に悪く、スパッタリングタ
ーゲットの大部分が未利用のターゲットとして残る。
近時、Inの安定供給のためこれらのスクラップから有
価物であるInの回収が期待されている。
一般に、In金属は種々の化学精製、電解析出法、イオ
ン交換法、溶媒抽出法等の組合せにより製造されている
か、最終的には、電解生成法により粗In金属を陽極と
し鉱酸溶液中で電解を行ない、高純度金属Inを陰極に
析出させ回収されている。
一方、エレクトロセラミックスの分野では、高純度で且
つ微細な酸化Inを必要としているが、従来、金属酸化
物の多くは、電解精製により得られた高純度金属を酸(
塩酸、硫酸、硝酸)に溶解し、その溶液を中和して得ら
れる金属水酸化物を焼成する事により得ている。
しかし、この方法では、得られる金属酸化物の粒径のば
らつきが多く、更に、塩素、硫黄、窒素等の不純物が取
込まれたものが多くその純度は限られたものであった。
[発明の目的] 本発明は、従来技術のもつ前記課題を解決すべく為され
たものであって、Inを含む水溶液からInを回収する
と同時に高純度]n水溶液を製造する事を目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、Inを含む水溶液から高純度In金属を
回収する方法とIn金属から高純度かつ微細な酸化In
の製造方法について鋭意検討した結果、隔膜、例えばア
ニオン交換膜を配した電解槽において、陰極室に於いて
はInを含む有機酸水溶液からIn金属を回収し、同時
に陽極室に於いてIn金属からInの有機酸水溶液を生
成させることにより、高純度In金属として、又、In
の有機酸水溶液は、更にこれを濃縮する事によりInの
有機酸塩とし、この有機酸塩を焼成する事により高純度
でかつ微細な酸化Inとして利用する事ができる事を見
出し本発明を完成した。
即ち、本発明は、陽極をIn金属極又はIn金属が付着
した極とした電解槽に於いて、隔膜を隔てて陽極側の電
解液を有機酸の水溶液とし、陰極側の電解液を陽極側の
電解液と同じ有機酸のInを含む水溶液として電解を行
ない、陰極にIn金属を析出させるとともに、陽極金属
を溶解して高純度In有機酸水溶液を生成させる事を特
徴とするInの溶解析出方法に関するものである。以下
、本発明を更に詳細に説明する。
本発明に用いられるIn有機酸水溶液は、前記したIn
有機酸水溶液か用いられるか、化学精製により粗精製さ
れたもの、ITOスパッタリングターゲットのスクラッ
プを酸に溶解し、化学精製して得られたもの等が挙げら
れる。
例えば、ITOスクラップの塩酸溶解液の不純物の大部
分は錫であり、この錫を分離したものを用いる。この分
離方法としては、錫をハロゲノ錫酸塩として沈殿分離す
る方法等が挙げられる。即ち、錫を含む水溶液から強酸
性下及びハロゲンイオンの存在下てハロゲノ錫酸塩を沈
殿させて錫を選択的に分離する方法である。l\ロゲノ
錫酸塩を沈殿生成させる場合、錫を含む溶液は強酸性で
ある事か必要であり、強酸性水溶液の塩酸濃度は溶液中
のプロトン濃度に相当するか、その濃度は0.5mm。
1211以上が好ましく、更には3 mo、e / 2
以上が特に好ましい。プロトン濃度が低い場合は、ハロ
ゲノ錫酸塩の沈殿生成量が減少する。又、ハロゲノ錫酸
塩を沈殿生成させる際、Inと錫を含む水溶液にハロゲ
ンイオンが存在する事が必要である。
Inと錫を含む強酸性水溶液のハロゲンイオン濃度は、
ハロゲンイオンの種類にもよるか錫の含有量に対して5
0倍モル以上が好ましく、特に、80倍モル以上が好ま
しい。ハロゲンイオンの調整方法としてはハロゲンイオ
ンを含む酸、例えば塩酸等を添加して調整してもよいが
、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等のハロゲンイオ
ンを含む塩を添加して調整してもよい。
このような強酸及びハロゲンイオンか共存するInと錫
を含む水溶液に、ハロゲノ錫酸イオンの対イオンを供給
し、ハロゲノ錫酸塩を沈殿生成させる。ハロゲノ錫酸塩
の対イオンとなる陽イオンの添加量は、ハロゲンイオン
濃度と酸濃度にもよるが、錫に対してハロゲノ錫酸塩の
対イオンが等モル以上になるように添加する事が好まし
い。陽イオンの添加方法としては水溶液中で電解質とし
て作用するものであれば良く、無機質でも有機質でも良
い。無機質としては、アンモニア水、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム等の塩基、及びこれらの塩酸塩、硝酸
塩、硫酸塩等が挙げられる。有機質としては、メチルア
ミン、ジメチルアミン等の塩基及びこれらの塩酸塩等が
挙げられる。ハロゲノ錫酸塩はアンモニウム塩及び/又
はアミン類の塩として沈殿生成させる事が好ましく、こ
の時、溶液中へのナトリウムイオン、カルシウムイオン
等の無機金属イオンの混入が避けられるので好ましい。
このようにして、生成したハロゲノ錫酸塩を分離除去し
、錫含有量の少ないインジウム溶液を得る事ができる。
一方、ITOターゲトスクラップを硝酸水溶液を用いて
溶解する場合は、ITOの硝酸水溶液への溶解速度は塩
酸水溶液の時に比べ遅いが、得られる1nの硝酸水溶液
は、錫の含有量が極めて少なくハロゲノ錫酸塩による錫
の沈殿分離を行なう必要がない。
このようなInを含む塩酸又は硝酸水溶液から金属不純
物を除去し水酸化物としてInを回収する際、Inを含
む塩酸又は硝酸水溶液を還元剤の存在下、アルカリでp
H3〜5に中和する。溶液に還元剤を存在させる事によ
り、鉄、亜鉛、銅、タリウム等の不純物金属イオンを還
元し、これらの水酸化物が沈殿しにくいpHに調整する
事により、Inの水酸化物を選択的に沈殿させる事がで
きる。添加するアルカリの種類には制限はないが、アル
カリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、ア
ンモニア等が挙げられる。アンモニアの場合、Inを含
む塩酸又は硝酸水溶液中にナトリウムイオンやカリウム
イオン等の金属イオンが混入しないため高純度のInを
回収する場合は特に好ましい。
Inを含む塩酸又は硝酸水溶液から水酸化物としてIn
を沈殿させる際、還元剤を添加するが、例えば、ヒドラ
ジン、アスコルビン酸、亜硫酸ナトリウム、二酸化イオ
ウ等が使用できるか、ナトリウム、硫黄を含まないヒド
ラジンやアスコルビン酸が好ましい。還元剤の添加量は
還元剤の種類により異なるが、例えば不純物が鉄で還元
剤がアスコルビン酸の場合、鉄に対して2倍モル添加す
れば充分である。このようにして鉄をFe’+からFe
2+に変化させることにより、比較的溶解度の大きい水
酸化第一鉄はInの水酸化物と共沈しないようにするこ
とができる。
次に、得られたInの水酸化物を含むスラリーからIn
の水酸化物を分離回収する。分離には、通常の、例えば
、遠心分離器、ベルトフィルター ドラムフィルター等
を用いる事ができる。Inの水酸化物の濾過性は極めて
良く、短時間で容易に固液分離できる。
本発明では、このようにして得られたInの水酸化物を
有機酸に溶解して、陰極室の電解液とし、電解析出法に
よりIn金属を回収することができる。
本発明で用いるInを含む有機酸溶液は上記したような
粗精製の方法で得られた物に限定されるものではない。
本発明の高純度1n金属の回収と高純度In有機酸水溶
液の製造は、陽極室と陰極室の間に隔膜を備え付けた電
解槽を用いることにより行なわれる。
陰極室の電解液は、上記したような化学粗精製により得
られたIn有機酸水溶液であり、電極は金属In又は用
いる電解液に侵されない金属、例えばTi5Pt、黒鉛
を用いることにより析出回収した金属1nをそのまま陽
極室にて陽極として使用できる。
一方、陽極室では、金属1n、又は金属1nが電着した
極を電極として、高純度In有機酸水溶液の製造を行な
う。電解液としての有機酸はCS H,N、0からなる
酸であって、水に可溶で、さらに金属Inの溶解が可能
なpH及び液抵抗の調整か可能なものであれば使用でき
る。例えば、微細で高純度なIn酸化物を得るためには
、カルボン酸基を有する酢酸、ギ酸、クエン酸、マロン
酸等を用いる事が望ましい。
本発明の電解槽は、陽極から溶解したInイオンか陰極
に再析出する事を防止するため、又、陰極室の不純物金
属イオンが陽極室へ混入する事を防止するため、陽極室
と陰極室の間に隔膜を用いる事が必要である。本発明で
使用する隔膜は、アニオン交換膜を用いる事が望ましく
、更に膜の耐久性を考慮すればフッ素系アニオン交換膜
を用いる事が望ましい。フッ素系アニオン交換膜は、炭
素系のアニオン交換膜と同等又はそれ以上の電気化学的
特性を有し、又、耐薬品性に優れているため各種化合物
の電解製法において広範の電解液が使用できる。
このような電解槽に於いてIn有機酸水溶液を電解液と
してInを電解採取し、同時に、金属Inから高純度金
属In有機酸溶液を製造する。陰極室の電解液のpHは
高い程、水素発生を抑制する事ができ、電流効率を向上
させる事ができるが、必要以上にpHが高過ぎるとIn
の加水分解が起こる。電解液のpHは、1n以外の金属
イオン濃度にもよるが、0〜3.5が好ましい。又、電
解温度は室温から使用する電解液の沸点以下の範囲で行
なう事ができるが、一般に金属の酸に対する溶解速度は
温度が高いほど速いため、低い温度で電解を行なう方が
効率的である。好ましくは室温から60℃の範囲で電解
を行なうのがよい。
電流密度はあまり低過ぎると電解に長時間を要し、あま
り高過ぎると陰極側の電流効率が低下してくるので、一
般的には電流密度は0,01〜0.2 A/cm2の範
囲で行なうのが好ましい。
このようにして析出回収した金属Inは、そツマま陽極
室に移しIn有機酸水溶液の製造原料となる。
金属In以外の電極を陰極として用いた場合は、勿論、
陰極に付着したInのみを利用するような条件を設定す
る必要がある。一方、得られたIn有機酸水溶液は、濃
縮し、酸化Inの前駆体であるln有機酸塩として回収
することができる。
又、陽極に金属錫を用いることによりIn−8n有機酸
水溶液を生成させ、この溶液からIn−8n有機酸塩を
回収することも出来る。
この際の濃縮の方法としては、加熱濃縮や凍結乾燥、噴
霧乾燥等が適用可能であるが、設備及び効率の面から考
えて加熱濃縮で十分である。
得られたIn有機酸塩は300℃〜1200℃の温度で
焼成される。
微細な酸化Inを得るためには、焼成は300℃〜80
0℃の範囲で行なう事が好ましい。焼成温度が300℃
以下ではIn有機酸塩の酸化が不十分てあり、800℃
を越えた場合は生成した酸化Inの凝集が起こり微細な
ものとはなりにくい。
このようにして得られた酸化Inは非常に微細で、尚且
つ高純度であり、エレクトロセラミックスの原料として
非常に好適な特性を示している。
[発明の効果] 本発明によれば、Inを純度良く電解精製できると同時
に、Inの有機酸水溶液を製造する事ができ、該水溶液
から極めて微細で尚且つ高純度な酸化Inを得る事がで
きる。
本発明の方法は、Inを含むスクラップからInの再利
用に非常に有効な方法を提供するものである。
[実施例コ 以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものでない。
実施例1 撹拌機を備えた1flのセパラブルフラスコに、36%
塩酸水溶液1iとスクラップITOターゲット200g
と塩安107g入れ、80℃で3時間撹拌し、ターゲッ
トを溶解した。得られた溶解液を、濾過し、残留物を取
除き、組成を分析した結果、塩酸濃度 二 6.5  
moβ/I In     :  114 mol / J!31 
    : 10.1 mmoj / JICa   
  :  L、l mmoJ! / jFe     
:  0.8 mmoj / IZr     :  
2.2 mmol / iであった。
このターゲット溶解液100+n、!!を撹拌機を備え
た500+++Jのセパラブルフラスコにとり、28%
アンモニア水を添加しpHを2.5に調整した。その後
放冷し液温を25℃とした。次にこの溶液を撹拌しなが
ら、アスコルビン酸を0.41g添加し続いて1,4%
アンモニア水を添加し溶液のpHを4.2に調節してイ
ンジウムの水酸化物を生成した。この時の温度は、30
℃であった。次にNo、5Cの濾紙で吸引濾過し、水洗
した後、Inの水酸化物を得た。このIn水酸化物ケー
キをギ酸水溶液に溶解し陰極室の電解液とした。一方、
陽極室の電解液は、20%ギ酸水溶液とした。
電解槽は、陽極も陰極も金属Inを電極とし、隔膜はフ
ッ素系アニオン交換膜(東ソー株式会社製5F−34)
を使用した。
電解温度は25℃で電流密度は20mA/ 0m2とし
た。
電解中、極間電圧は安定しており、陽極側の電流効率は
105%、陰極側の電流効率は98%であった。
陽極側の電流効率が100%以上になるのは金属Inの
自然溶解の為である。
次に、陰極に析出した金属Inを塩酸に溶解し、不純物
の含有量をで調べたところ、Inに対してスズが340
ppm、カルシウム、鉄、ジルコニアが各々10ppm
以下であり、3NのIn金属の回収が可能であった。一
方、陽極室の電解液を加熱濃縮しInのギ酸塩を生成し
、次いで得られたInのギ酸塩を700℃、5時間焼成
することにより平均粒径0.2μmの酸化Inが得られ
た。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 陽極をインジウム金属極又はインジウム金属が付着した
    極とした電解槽に於いて、隔膜を隔てて陽極側の電解液
    を有機酸の水溶液とし、陰極側の電解液を陽極側の電解
    液と同じ有機酸のインジウムを含む水溶液として電解を
    行ない、陰極にインジウム金属を析出させるとともに、
    陽極金属を溶解して高純度インジウム有機酸水溶液を生
    成させる事を特徴とするインジウムの溶解析出方法。
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