JPH0321660A - 全芳香族ポリエステル樹脂組成物 - Google Patents
全芳香族ポリエステル樹脂組成物Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は耐熱性、耐薬品性、戒形性に優れた全芳香族ポ
リエステル系樹脂組或物に関するものである。更に詳し
くは本発明はガラス転移点が高い結晶性ポリマーと溶融
液晶性ポリマーとからなる新規な全芳香族ポリエステル
系樹脂組威物に関するものである。
リエステル系樹脂組或物に関するものである。更に詳し
くは本発明はガラス転移点が高い結晶性ポリマーと溶融
液晶性ポリマーとからなる新規な全芳香族ポリエステル
系樹脂組威物に関するものである。
(従来の技術)
近年電子工業等の発達により、耐熱性、耐薬品性、高温
下での寸法安定性および物性に優れた成形品に対する要
求が高まっている。このような成形品川柑脂としてポリ
(p−フェニレンスルフイド)やポリ(エーテルエー
テルケトン)が知られている。しかし、ポリ (p−フ
ェニレンスルフイド)は月危く、またポリ (エーテノ
レエーテノレケトン)は非常に高価であることから用途
が制限されている。
下での寸法安定性および物性に優れた成形品に対する要
求が高まっている。このような成形品川柑脂としてポリ
(p−フェニレンスルフイド)やポリ(エーテルエー
テルケトン)が知られている。しかし、ポリ (p−フ
ェニレンスルフイド)は月危く、またポリ (エーテノ
レエーテノレケトン)は非常に高価であることから用途
が制限されている。
一方、比較的安価で、本質的に上記の要求性能を満足す
るポリマー特性を有している全芳香族ポリエステルは、
現在溶融液晶性を示すものと非品性のものしか知られて
いない.前者のポリエステルから得られた成形品の耐熱
性は優れているが、物性的に異方性が大きく、実用的に
問題を持っている。又、強化用繊維や無機充填剤で補強
すると物性の異方性がやや小さくなるものの全体の物性
の低下をきたしてしまう。又、非品性全芳香族ポリエス
テルは物性的に等方性の成形品が得られるが、強化用繊
維や無機充填剤により補強しても熱変形温度はガラス転
移点以上には向上しない。すなわち、耐熱性、耐薬品性
、物性および価格にバランスのとれた戊形品用の&[I
或物はまだ得られていないのが現状である。
るポリマー特性を有している全芳香族ポリエステルは、
現在溶融液晶性を示すものと非品性のものしか知られて
いない.前者のポリエステルから得られた成形品の耐熱
性は優れているが、物性的に異方性が大きく、実用的に
問題を持っている。又、強化用繊維や無機充填剤で補強
すると物性の異方性がやや小さくなるものの全体の物性
の低下をきたしてしまう。又、非品性全芳香族ポリエス
テルは物性的に等方性の成形品が得られるが、強化用繊
維や無機充填剤により補強しても熱変形温度はガラス転
移点以上には向上しない。すなわち、耐熱性、耐薬品性
、物性および価格にバランスのとれた戊形品用の&[I
或物はまだ得られていないのが現状である。
(発明が解決しようとする課題)
本発明者らは比較的安価で、耐熱性と耐薬品性に優れて
いることが知られている全芳香族ポリエステルに注目し
て研究を行った。
いることが知られている全芳香族ポリエステルに注目し
て研究を行った。
現在のところ全芳香族ポリエステルは溶融l夜品性かま
たは非品性のものしか知られておらず、溶融液晶性全芳
香族ポリエステルは上述したように物性的な異方性が大
きく、強化用繊維や無機充填剤で補強すると物性の異方
性がやや小さくなるものの全体の物性の低下をきたして
しまう。又、非品性ポリエステルは補強しても耐熱性が
向上しないと言う問題があった。
たは非品性のものしか知られておらず、溶融液晶性全芳
香族ポリエステルは上述したように物性的な異方性が大
きく、強化用繊維や無機充填剤で補強すると物性の異方
性がやや小さくなるものの全体の物性の低下をきたして
しまう。又、非品性ポリエステルは補強しても耐熱性が
向上しないと言う問題があった。
(課題を解決するための手段)
そこで本発明者らは液晶性を示さない結晶性の全芳香族
ポリエステルを得るため鋭意研究を続けた結果、該全芳
香族ポリエステルを見いだし先に提案した。さらに本発
明者らは、このようなポリマーの耐熱性、戒形性の高い
樹脂&lI或について検討した結果、遂に本発明を完成
するに到った.すなわち本発明は、(1)下記一般式(
N〜(IV)を繰り返し構或単位とし、融点が約335
゜C以下、溶融粘度が50ポイズ〜10万ポイズであり
、かつ融解により結晶状態から光学的等方性融体となる
全芳香族ポリエステル99重置%〜l重量%と熔融液晶
性ポリマーl重量%〜99重量%とからなる全芳香族ポ
リエステル系樹脂組戒物である。
ポリエステルを得るため鋭意研究を続けた結果、該全芳
香族ポリエステルを見いだし先に提案した。さらに本発
明者らは、このようなポリマーの耐熱性、戒形性の高い
樹脂&lI或について検討した結果、遂に本発明を完成
するに到った.すなわち本発明は、(1)下記一般式(
N〜(IV)を繰り返し構或単位とし、融点が約335
゜C以下、溶融粘度が50ポイズ〜10万ポイズであり
、かつ融解により結晶状態から光学的等方性融体となる
全芳香族ポリエステル99重置%〜l重量%と熔融液晶
性ポリマーl重量%〜99重量%とからなる全芳香族ポ
リエステル系樹脂組戒物である。
(但シ、^rは1,3−フェニレン基、1.2−フヱニ
レン基、2−メチル−1.3−フエニレン基、5−メチ
ル−1.3−フェニレン基、4.4’−ビフエニレン基
、イソブロピリデンー4.4′−ジフェニレン基、メチ
レン−4.4”−ジフェニレン基、1.1−プチリデン
ー4.4′ジフェニレン基、チオー4.4゜−ジフェニ
レン基、カルボニルー4.4”−ジフエニレン基、2.
6−ナフチレン基、2.7−ナフチレン基を示す。) 以下本発明について更に詳しく説明する。
レン基、2−メチル−1.3−フエニレン基、5−メチ
ル−1.3−フェニレン基、4.4’−ビフエニレン基
、イソブロピリデンー4.4′−ジフェニレン基、メチ
レン−4.4”−ジフェニレン基、1.1−プチリデン
ー4.4′ジフェニレン基、チオー4.4゜−ジフェニ
レン基、カルボニルー4.4”−ジフエニレン基、2.
6−ナフチレン基、2.7−ナフチレン基を示す。) 以下本発明について更に詳しく説明する。
本発明で用いられる全芳香族ポリエステルは下記一般式
で示されるp−ヒドロキシ安患香酸の誘導体(V)、ヒ
ドロキノン及び/又はその誘導体(■)、芳香族二価フ
ェノール及び/又はその誘導体(■)とイソフタル酸及
び/又はそ誘導体(■)とを重合体の溶融粘度が50ポ
イズ〜10万ポイズに達するまで反応させて製造される
.!?50 Ar OR. (■) 上記式中Arは1,3−フェニレン基、1.2−フェニ
レン基、2−メチル−1.3−フエニレン基、5−メチ
ル−1.3−フェニレン基、4.4’−ビフエニレン基
、イソプロビリデン〜4,4゛−ジフエニレン基、メチ
レン−4.4゛−ジフェニレン基、1.1−プチリデン
ー4,4゜ージフェニレン基、チオー4,4゛−ジフエ
ニレン基、カノレボニノレ−4,4゛−ジフェニレン基
、2,6−ナフチレ冫′基、2,7−ナフチレン基を示
す。またR,は水素原子、炭素原子数7以下の低級アル
カノイル基、ベンヅイル基よりなる群から選ばれ、R2
は水素原子又は炭素原子数6〜12のアリール基であり
、R,〜R,はそれぞれ水素原子、炭素原子数7以下の
低級アルカノイル基、ベンゾイル基であり、R7及びR
,はそれぞれ水素原子、炭素原子数6〜12のアリール
基より選ばれる。
で示されるp−ヒドロキシ安患香酸の誘導体(V)、ヒ
ドロキノン及び/又はその誘導体(■)、芳香族二価フ
ェノール及び/又はその誘導体(■)とイソフタル酸及
び/又はそ誘導体(■)とを重合体の溶融粘度が50ポ
イズ〜10万ポイズに達するまで反応させて製造される
.!?50 Ar OR. (■) 上記式中Arは1,3−フェニレン基、1.2−フェニ
レン基、2−メチル−1.3−フエニレン基、5−メチ
ル−1.3−フェニレン基、4.4’−ビフエニレン基
、イソプロビリデン〜4,4゛−ジフエニレン基、メチ
レン−4.4゛−ジフェニレン基、1.1−プチリデン
ー4,4゜ージフェニレン基、チオー4,4゛−ジフエ
ニレン基、カノレボニノレ−4,4゛−ジフェニレン基
、2,6−ナフチレ冫′基、2,7−ナフチレン基を示
す。またR,は水素原子、炭素原子数7以下の低級アル
カノイル基、ベンヅイル基よりなる群から選ばれ、R2
は水素原子又は炭素原子数6〜12のアリール基であり
、R,〜R,はそれぞれ水素原子、炭素原子数7以下の
低級アルカノイル基、ベンゾイル基であり、R7及びR
,はそれぞれ水素原子、炭素原子数6〜12のアリール
基より選ばれる。
前記一般式(V)〜(■)で表される化合物の具体例と
してはp−ホルξルオキシ安息香酸、pアセトキシ安息
香酸、p−プロビオノイロキシ安息香酸、p−ペンゾイ
ルオキシ安息香酸、Pヒドロキシ安息香酸フェニル、p
−ヒドロキジ安息香酸トリル、p−ヒドロキシ安息香酸
p−ブチルフェニル、p−ヒドロキン安息香酸2−ナフ
チル、ヒドロキノン、l1−ジアセトキシベンゼン、】
,4−ジプロビオノイロキシベンゼン、1.4−ジベン
ゾイルオキシベンゼン、レゾルシン、13−ジアセトキ
シベンゼン、1.3−ジプロビオノイ口キシベンゼン、
1,3−ジベンゾイルオキシベンゼン、ピロカテコール
、1.2−ジアセトキシベンゼン、1.2−ジブロビオ
ノイロキシベンゼン、1.2−ジベンゾイルオキシベン
ゼン、2−メチル−1.3−ベンゼンジオール、1.3
−ジアセトキシ−2−メチルベンゼン、13−ジプロピ
オノイロキシ−2−メチルベンゼン、L3−ジベンゾイ
ルオキシ−2−メチルベンゼン、5−メチル−1,3−
ヘンゼンジオール、1.3−ジアセトキシ−5−メチル
ベンゼン、1.3−ジプロビオノイロキシ−5−メチル
ベンゼン、1.3−ジベンゾイルオキシ−5−メチルベ
ンゼン、4,4゜−ジヒドロキシビフェニル、4.4’
−ジアセトキシビフエニル、4.4”−ジブロビオノイ
ロキシビフェニル、4,4′ジベンゾイルオキシビフエ
ニル、2.2−ビス(4ヒドロキシフエニル)プロパン
、2.2−ビス(4ーアセトキシフェニル)プロパン、
2.2−ビス(4プロビオノイロキシフェニル)プロパ
ン、2.2−ビス(4−ペンゾイルオキシフエニル)プ
ロパン、ビス(4−ヒドロキジフェニル)メタン、ビス
(4−アセトキシフエニル)メタン、ビス(4−プロイ
オノイ口キシフェニル)メタン、1.1−ビス(4−ヒ
ドロキシフエニル)ブタン、1,■−ビス(4−アセト
キシフェニル)ブタン、ビス(4−ヒドロキジフエニル
)スルフィド、ビス(4−アセトキシフェニル)スルフ
ィド、ビス(4−プロイオノイロキシフェニル)スルフ
ィド、ビス(1−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(
4−アセトキシフェニル)ケトン、ビス(4−プロイオ
ノイ口キシフェニル)ケ1・ン、2.6−ジヒドロキン
ナフクレン、2,6−ジアセトキシナフタレン、2.7
−ジヒドロキシナフタレン、2.7−ジアセトキシナフ
タレン、イソフタル酸、イソフタル酸ジフェニル、イソ
フタル酸、イソフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジト
リル、イソフタル酸ジp−クロロフエニル等を挙げるこ
とができる. 本発明で用いられる全芳香族ポリエステルの持徹である
融点と融解による結晶状態からの光学的等方性融体の形
或は前記の構成単位(1)〜(IV)の適当な組み合わ
せにより得られる。
してはp−ホルξルオキシ安息香酸、pアセトキシ安息
香酸、p−プロビオノイロキシ安息香酸、p−ペンゾイ
ルオキシ安息香酸、Pヒドロキシ安息香酸フェニル、p
−ヒドロキジ安息香酸トリル、p−ヒドロキシ安息香酸
p−ブチルフェニル、p−ヒドロキン安息香酸2−ナフ
チル、ヒドロキノン、l1−ジアセトキシベンゼン、】
,4−ジプロビオノイロキシベンゼン、1.4−ジベン
ゾイルオキシベンゼン、レゾルシン、13−ジアセトキ
シベンゼン、1.3−ジプロビオノイ口キシベンゼン、
1,3−ジベンゾイルオキシベンゼン、ピロカテコール
、1.2−ジアセトキシベンゼン、1.2−ジブロビオ
ノイロキシベンゼン、1.2−ジベンゾイルオキシベン
ゼン、2−メチル−1.3−ベンゼンジオール、1.3
−ジアセトキシ−2−メチルベンゼン、13−ジプロピ
オノイロキシ−2−メチルベンゼン、L3−ジベンゾイ
ルオキシ−2−メチルベンゼン、5−メチル−1,3−
ヘンゼンジオール、1.3−ジアセトキシ−5−メチル
ベンゼン、1.3−ジプロビオノイロキシ−5−メチル
ベンゼン、1.3−ジベンゾイルオキシ−5−メチルベ
ンゼン、4,4゜−ジヒドロキシビフェニル、4.4’
−ジアセトキシビフエニル、4.4”−ジブロビオノイ
ロキシビフェニル、4,4′ジベンゾイルオキシビフエ
ニル、2.2−ビス(4ヒドロキシフエニル)プロパン
、2.2−ビス(4ーアセトキシフェニル)プロパン、
2.2−ビス(4プロビオノイロキシフェニル)プロパ
ン、2.2−ビス(4−ペンゾイルオキシフエニル)プ
ロパン、ビス(4−ヒドロキジフェニル)メタン、ビス
(4−アセトキシフエニル)メタン、ビス(4−プロイ
オノイ口キシフェニル)メタン、1.1−ビス(4−ヒ
ドロキシフエニル)ブタン、1,■−ビス(4−アセト
キシフェニル)ブタン、ビス(4−ヒドロキジフエニル
)スルフィド、ビス(4−アセトキシフェニル)スルフ
ィド、ビス(4−プロイオノイロキシフェニル)スルフ
ィド、ビス(1−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(
4−アセトキシフェニル)ケトン、ビス(4−プロイオ
ノイ口キシフェニル)ケ1・ン、2.6−ジヒドロキン
ナフクレン、2,6−ジアセトキシナフタレン、2.7
−ジヒドロキシナフタレン、2.7−ジアセトキシナフ
タレン、イソフタル酸、イソフタル酸ジフェニル、イソ
フタル酸、イソフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジト
リル、イソフタル酸ジp−クロロフエニル等を挙げるこ
とができる. 本発明で用いられる全芳香族ポリエステルの持徹である
融点と融解による結晶状態からの光学的等方性融体の形
或は前記の構成単位(1)〜(IV)の適当な組み合わ
せにより得られる。
例えば、前記一般式(I[I)のArがイソプロピリデ
ン−4,4゜−ジフエニレン基の場合、前記繰り返し構
成単位(1)〜(TV)の各々のモル%を下記のように
X,とy,で表わすと、x,およびy1が第1図中の斜
線部内(曲線Aと曲線Cとで囲まれた範囲)にあること
が好ましい. 合、前記繰り返し構成単位(1)〜(rV)の各々のモ
ル%を下記のように×2とy2で表わすと、X2および
y2が第2図中の斜線部内(曲線Dと曲線Fとで囲まれ
た範囲)にあることが好ましい。
ン−4,4゜−ジフエニレン基の場合、前記繰り返し構
成単位(1)〜(TV)の各々のモル%を下記のように
X,とy,で表わすと、x,およびy1が第1図中の斜
線部内(曲線Aと曲線Cとで囲まれた範囲)にあること
が好ましい. 合、前記繰り返し構成単位(1)〜(rV)の各々のモ
ル%を下記のように×2とy2で表わすと、X2および
y2が第2図中の斜線部内(曲線Dと曲線Fとで囲まれ
た範囲)にあることが好ましい。
( x,およびy1はモル%を表わす)x1およびy,
の値がこの範囲外であると、得られたポリマーの融点が
335”Cより高いか、または、融解後光学的異方性融
体となってしまう。特にX,およびy1の値が第1図中
の曲線Bと曲線Cで囲まれた範囲内にあることが好まし
い. 前記一般式(III)の^rが2.6−ナフチレン基の
場(xiおよびy2はモル%を表わす) X!およびy!の値がこの範囲外であると、前述したの
と同し理由で目的とするポリマーは得られない.特にx
tおよびy2の値が第2図中の曲線Eと曲線Fで囲まれ
た範囲内にあることが好ましい。
の値がこの範囲外であると、得られたポリマーの融点が
335”Cより高いか、または、融解後光学的異方性融
体となってしまう。特にX,およびy1の値が第1図中
の曲線Bと曲線Cで囲まれた範囲内にあることが好まし
い. 前記一般式(III)の^rが2.6−ナフチレン基の
場(xiおよびy2はモル%を表わす) X!およびy!の値がこの範囲外であると、前述したの
と同し理由で目的とするポリマーは得られない.特にx
tおよびy2の値が第2図中の曲線Eと曲線Fで囲まれ
た範囲内にあることが好ましい。
前記一般式(I[[)のArが1.3−フエニレン基の
場合、前記繰り返し構成単位(1)〜(TV)の各々の
モル%を下記のようにX,とy3で表わすと、X,およ
びy,が第3図中の斜線部内(曲線Gと曲線■とで囲ま
れた範囲)にあことか好ましい。
場合、前記繰り返し構成単位(1)〜(TV)の各々の
モル%を下記のようにX,とy3で表わすと、X,およ
びy,が第3図中の斜線部内(曲線Gと曲線■とで囲ま
れた範囲)にあことか好ましい。
(X3およびy,はモル%を表わす)
X,およびy3の値がこの範囲外であると、前述したの
と同じ理由で目的とするポリマーは得られない.特にX
,およびy,の値が第3図中の曲線Hと曲綿Iで囲まれ
た範囲内にあることが好ましい.尚、特殊な重合方法の
採用により製造された、例えば構成単位(1)がブロッ
ク状でポリマーの主鎖中に組み込まれるような方法によ
り、溶融液晶性を示すようなポリマーは本発明から省か
れる。
と同じ理由で目的とするポリマーは得られない.特にX
,およびy,の値が第3図中の曲線Hと曲綿Iで囲まれ
た範囲内にあることが好ましい.尚、特殊な重合方法の
採用により製造された、例えば構成単位(1)がブロッ
ク状でポリマーの主鎖中に組み込まれるような方法によ
り、溶融液晶性を示すようなポリマーは本発明から省か
れる。
本発明の全芳香族ポリエステルは前記(V)〜(■)の
モノマーを用いて溶融重合法により合威される。この際
、重合触媒や各種添加剤、例えば酸化防止剤等の安定剤
や酸化チタン等の易威形剤等、を添加してもよい。十分
な粘度を必要とする場合は、溶融重合の後、固相重合法
により高粘度化することも可能である。
モノマーを用いて溶融重合法により合威される。この際
、重合触媒や各種添加剤、例えば酸化防止剤等の安定剤
や酸化チタン等の易威形剤等、を添加してもよい。十分
な粘度を必要とする場合は、溶融重合の後、固相重合法
により高粘度化することも可能である。
本発明に用いられる溶融液晶性ポリマーには特に制ff
lはなく、ポリエステル、ポリアゾメチン等が使用され
るが、耐熱性、等方結晶性全芳香族ポリエステルとの分
散性の良好さ等から特に溶融液晶性全芳香族ポリエステ
ルが好ましい。
lはなく、ポリエステル、ポリアゾメチン等が使用され
るが、耐熱性、等方結晶性全芳香族ポリエステルとの分
散性の良好さ等から特に溶融液晶性全芳香族ポリエステ
ルが好ましい。
溶融液晶性全芳香族ポリエステルとしては、特に限定さ
れないが、該等方結晶性全芳香族ポリエステルの加工温
度である約300’C以上で溶融液晶領域が存在する必
要がある。
れないが、該等方結晶性全芳香族ポリエステルの加工温
度である約300’C以上で溶融液晶領域が存在する必
要がある。
本発明の&[l或物は、咳等方結晶性全芳香族ポリエス
テル99重量%〜1重量%と該溶融液晶性ポリマー1重
量%〜99重量%とからなり、優れた耐熱性、耐薬品性
、成形性を有する。該組威物中、溶融液晶性ポリマーが
1重量%以下の場合には組成物の結晶化速度が遅く戒形
時の寸法安定性向上の効果がみられない。また、該溶融
液晶性ポリマーが99重量%以上の場合には該組成物の
成形品に物性異方性が発現してしまう.本発明の優れた
組戒物を満足させる好ましい範囲は、該等方結晶性全芳
香族ポリエステル99重量%〜3重量%と該溶融液晶性
ポリマーl重量%〜97重量%であり、更に好ましい範
囲は該等方結晶性全芳香族ポリエステル97重量%〜1
0重量%と該溶融液晶性ポリマー3重量%〜90重景%
である。
テル99重量%〜1重量%と該溶融液晶性ポリマー1重
量%〜99重量%とからなり、優れた耐熱性、耐薬品性
、成形性を有する。該組威物中、溶融液晶性ポリマーが
1重量%以下の場合には組成物の結晶化速度が遅く戒形
時の寸法安定性向上の効果がみられない。また、該溶融
液晶性ポリマーが99重量%以上の場合には該組成物の
成形品に物性異方性が発現してしまう.本発明の優れた
組戒物を満足させる好ましい範囲は、該等方結晶性全芳
香族ポリエステル99重量%〜3重量%と該溶融液晶性
ポリマーl重量%〜97重量%であり、更に好ましい範
囲は該等方結晶性全芳香族ポリエステル97重量%〜1
0重量%と該溶融液晶性ポリマー3重量%〜90重景%
である。
本発明の組成物は該等方結晶性全芳香族ポリエステルと
該溶融液晶性ポリマーとを従来公知の方法によって混合
することによって得られる.なお本発明組成物にはその
性能を低下させない範囲内で強化用繊維や無機充填剤を
用いることができる。用いる強化用繊維としては20μ
一〜4■程度の長さでアスペクト比が約10以上のガラ
ス繊維、炭素繊維、グラファイト繊維、チタン酸カリウ
ム繊維等の無機織維類、ポリ(p−フエニレンテレフタ
ルアミド)等の有機繊mi,炭化珪素やポリ(p−オキ
シベンゾイル)等の無機又は有機のウィスカ一類が挙げ
られる.使用量は全芳香族ポリエステル系樹脂&l戒物
100重量%に対して100重量%以下、好ましくは8
0重量%以下、更に好ましくは60重量%以下が望まし
い.用いる無機充填剤としては粒径が0.5μ一〜10
0 p mのタルク、ウォラストナイト、非晶質シリカ
、カオリン、スゾライトマイカ、炭酸カルシウム等が挙
げられる。
該溶融液晶性ポリマーとを従来公知の方法によって混合
することによって得られる.なお本発明組成物にはその
性能を低下させない範囲内で強化用繊維や無機充填剤を
用いることができる。用いる強化用繊維としては20μ
一〜4■程度の長さでアスペクト比が約10以上のガラ
ス繊維、炭素繊維、グラファイト繊維、チタン酸カリウ
ム繊維等の無機織維類、ポリ(p−フエニレンテレフタ
ルアミド)等の有機繊mi,炭化珪素やポリ(p−オキ
シベンゾイル)等の無機又は有機のウィスカ一類が挙げ
られる.使用量は全芳香族ポリエステル系樹脂&l戒物
100重量%に対して100重量%以下、好ましくは8
0重量%以下、更に好ましくは60重量%以下が望まし
い.用いる無機充填剤としては粒径が0.5μ一〜10
0 p mのタルク、ウォラストナイト、非晶質シリカ
、カオリン、スゾライトマイカ、炭酸カルシウム等が挙
げられる。
使用量は全芳香族ポリエステル系樹脂&II戒物100
重量%に対して100重量%以下、好ましくは80重量
%以下、更に好ましくは60重量%以下が望ましい.強
化用繊維及び無機充填剤はそれぞれ単独で用いてもよい
し両方とも用いてもよいが、使用量の総計は該組戒物1
00重量%に対して220重景%以下が望ましい. (実施例) 以下に実施例でもって本発明の効果を具体的に説明する
が、本発明がこれらによって限定されるものではない.
なお実施例に先だって本発明において使用した測定方法
を説明する。
重量%に対して100重量%以下、好ましくは80重量
%以下、更に好ましくは60重量%以下が望ましい.強
化用繊維及び無機充填剤はそれぞれ単独で用いてもよい
し両方とも用いてもよいが、使用量の総計は該組戒物1
00重量%に対して220重景%以下が望ましい. (実施例) 以下に実施例でもって本発明の効果を具体的に説明する
が、本発明がこれらによって限定されるものではない.
なお実施例に先だって本発明において使用した測定方法
を説明する。
溶融粘度:島津製作所製のフローテスターCFT型によ
り、径1mm、長さlOIIImのノズルを用い、50
kg / cdの圧力下で350゜Cで測定したときの
溶融流体の粘度を溶融粘度とした. 融点:柳本製作所製ミクロ融点測定器を用い、2枚のガ
ラス板にはさんだ試料を7゜C/分で加熱界温し、軽く
圧力を加えてポリマーが流動し始める温度を融点とした
。
り、径1mm、長さlOIIImのノズルを用い、50
kg / cdの圧力下で350゜Cで測定したときの
溶融流体の粘度を溶融粘度とした. 融点:柳本製作所製ミクロ融点測定器を用い、2枚のガ
ラス板にはさんだ試料を7゜C/分で加熱界温し、軽く
圧力を加えてポリマーが流動し始める温度を融点とした
。
ガラス転移点:パーキンエルマー社製DSC− 7 型
(Perk in EllIIer 7 Series
Thermal AnalysisSistem)を
用いて、昇降温速度20゜C/分およびアルゴン雰囲気
下で測定した. 光学的性質:融点測定と同じ機器を用い、直交ニコル下
、2枚のガラス板にはさんだ試料に圧力を加えた流動状
態での視野の明暗により測定した.暗視野となった場合
は光学的等方性融体、明視野となった場合は液晶状融体
である. 結晶性:理学ガイガーフレックスを用い、夕一ゲントを
Cukα、フィルターをNiとし、粉末X線回折を行っ
て評価した。
(Perk in EllIIer 7 Series
Thermal AnalysisSistem)を
用いて、昇降温速度20゜C/分およびアルゴン雰囲気
下で測定した. 光学的性質:融点測定と同じ機器を用い、直交ニコル下
、2枚のガラス板にはさんだ試料に圧力を加えた流動状
態での視野の明暗により測定した.暗視野となった場合
は光学的等方性融体、明視野となった場合は液晶状融体
である. 結晶性:理学ガイガーフレックスを用い、夕一ゲントを
Cukα、フィルターをNiとし、粉末X線回折を行っ
て評価した。
熱変形温度:島津製作所製のTM−30型熱機械特性測
定装置を用いて荷重約18kg/cd、昇温速度10”
C /分の条件で測定し、シートが変形する温度を熱変
形温度とした. 曲げ試験:オリエンテック社製テンシロン、TENSI
LON RTM−100を用いて射出戒形品を測定した
。
定装置を用いて荷重約18kg/cd、昇温速度10”
C /分の条件で測定し、シートが変形する温度を熱変
形温度とした. 曲げ試験:オリエンテック社製テンシロン、TENSI
LON RTM−100を用いて射出戒形品を測定した
。
参考例1
8I拌器、冷却管および窒素導入管を取り付けた反応器
にp−アセトキシ安息香酸54.04 g ( 0.3
00モル) 、L4−ジアセトキシベンゼン118.1
4g (0.608モル) 、1.3−ジアセトキシベ
ンゼン5.90g (0.030モル)、イソフタル酸
101.18 g (0.609モル)、酢酸マグネシ
ウム100Ilg、及び酢酸400 dを入れ、窒素雰
囲気下に昇温速度1’C/分で250℃まで加熱し、反
応で生威した酢酸を除去した.250℃で10分間反応
させた後、リン酸トリフェニル2601gを添加し、更
に15分間反応を続けた。得られた反応混合物を取り出
し、粉砕したものを次の重縮合反応に用いた。
にp−アセトキシ安息香酸54.04 g ( 0.3
00モル) 、L4−ジアセトキシベンゼン118.1
4g (0.608モル) 、1.3−ジアセトキシベ
ンゼン5.90g (0.030モル)、イソフタル酸
101.18 g (0.609モル)、酢酸マグネシ
ウム100Ilg、及び酢酸400 dを入れ、窒素雰
囲気下に昇温速度1’C/分で250℃まで加熱し、反
応で生威した酢酸を除去した.250℃で10分間反応
させた後、リン酸トリフェニル2601gを添加し、更
に15分間反応を続けた。得られた反応混合物を取り出
し、粉砕したものを次の重縮合反応に用いた。
攪拌器と窒素導入管を取り付け、300゜Cに保持した
反応器に粉体の反応混合物を取り入れ、徐々に昇温して
330゜Cとした.この時点から減圧を開始して40分
で圧力を0.5msH gとした.温度を更に350”
Cまで上げ、そのまま10分間反応させた.得られたポ
リマーの融点は310″C、ガラス転移点は165゜C
で、溶融粘度は940ポイズであった.またこのポリマ
ーは粉末X線回折から結晶性であることが判り、融解に
より結晶状態から光学的等方性融体となった.このポリ
マーをポリマーAとする. 参考例2 参考例1において、1.3−ジアセトキシベンゼンの代
わりに2.2−ビス(4−アセトキシフェニル)プロパ
ン9.37 g ( 0.030モル)を用いた以外は
全て参考例1と同様にして融点が312℃、ガラス転移
点157゜Cで、光学的に等方性の融体を示す結晶性の
ポリマーを得た.溶融粘度は1020ポイズであった。
反応器に粉体の反応混合物を取り入れ、徐々に昇温して
330゜Cとした.この時点から減圧を開始して40分
で圧力を0.5msH gとした.温度を更に350”
Cまで上げ、そのまま10分間反応させた.得られたポ
リマーの融点は310″C、ガラス転移点は165゜C
で、溶融粘度は940ポイズであった.またこのポリマ
ーは粉末X線回折から結晶性であることが判り、融解に
より結晶状態から光学的等方性融体となった.このポリ
マーをポリマーAとする. 参考例2 参考例1において、1.3−ジアセトキシベンゼンの代
わりに2.2−ビス(4−アセトキシフェニル)プロパ
ン9.37 g ( 0.030モル)を用いた以外は
全て参考例1と同様にして融点が312℃、ガラス転移
点157゜Cで、光学的に等方性の融体を示す結晶性の
ポリマーを得た.溶融粘度は1020ポイズであった。
このポリマーをポリマーBとする.参考例3
参考例1おいて、4−アセトキシ安息香酸28.65g
(0.159モル) 、1.4−ジアセトキシベンゼ
ン109.52 g ( 0.564モル) 、2.6
−ジアセトキシナフタレン36.39g (0.149
モル)、イソフタル酸112.80g(0.679モル
)を用いた以外は実施例lと全く同様にして融点が32
0゜C、ガラス転移点172゜Cで、光学的に等方性の
融体を示す結晶性のポリマーを得た.溶融粘度はl10
0ポイズであった。このポリマーをポリマーCとする。
(0.159モル) 、1.4−ジアセトキシベンゼ
ン109.52 g ( 0.564モル) 、2.6
−ジアセトキシナフタレン36.39g (0.149
モル)、イソフタル酸112.80g(0.679モル
)を用いた以外は実施例lと全く同様にして融点が32
0゜C、ガラス転移点172゜Cで、光学的に等方性の
融体を示す結晶性のポリマーを得た.溶融粘度はl10
0ポイズであった。このポリマーをポリマーCとする。
比較参考例l
参考例Iにおいて、p−アセトキシ安息香酸89.72
g ( 0.498モル) 、1.4−ジアセトキシ
ベンゼン106.42 g (0.548モル)と4,
4゜−ジアセトキシビフェニル24.60 g ( 0
.099モル)を用いた以外は参考例1と全く同様にし
て融点が328“C、ガラス転移点174゜Cのポリマ
ーを得た。溶融粘度は890ポイズであり、該ポリマー
は溶融液晶性を示した. 比較参考例2 参考例lにおいて、2.2−ビス(4−アセトキシフィ
ニル)、プロパン212.4g (0.680モル)、
テレフタル#67.8 g (0.408モル)、イソ
フタル酸45.2 g ( 0.272モル)を用いた
以外は実施例1と全く同様にして融点が250℃、ガラ
ス転移点】91゜Cで、非品性を示すボリマを得た.溶
融粘度は640ポイズであった.このポリマーをポリマ
ーDとする。
g ( 0.498モル) 、1.4−ジアセトキシ
ベンゼン106.42 g (0.548モル)と4,
4゜−ジアセトキシビフェニル24.60 g ( 0
.099モル)を用いた以外は参考例1と全く同様にし
て融点が328“C、ガラス転移点174゜Cのポリマ
ーを得た。溶融粘度は890ポイズであり、該ポリマー
は溶融液晶性を示した. 比較参考例2 参考例lにおいて、2.2−ビス(4−アセトキシフィ
ニル)、プロパン212.4g (0.680モル)、
テレフタル#67.8 g (0.408モル)、イソ
フタル酸45.2 g ( 0.272モル)を用いた
以外は実施例1と全く同様にして融点が250℃、ガラ
ス転移点】91゜Cで、非品性を示すボリマを得た.溶
融粘度は640ポイズであった.このポリマーをポリマ
ーDとする。
参考例4
撹拌器、冷却管、及び窒素導入管を備え付けた反応槽に
p−アセトキシ安息香酸72.1 g (0.40モル
) 、4.4’−ジアセトキシビフェニル49.7 g
(0.20モル)、テレフタル酸21.6 g (
0. 13モル)、イソフタル酸11.6g (0.0
7モル)および酢酸400 adを入れ窒素雰囲気下に
加熱し、反応の結果生じる酢酸を除去しながら305゜
Cで1時間反応させた.その後徐々に系を減圧し、20
分かけて絶対圧約0.5mHgとして1時間反応せしめ
た.反応温度を350℃にし、この状態で更に10分間
反応せしめた.得られたポリマーの溶融粘度は1830
ポイズであり、345℃に融点(液晶転移点)を有する
R融液晶性ポリマーであった。このポリマーをポリマー
Eとする.参考例5 参考例4において、p−アセトキシ安息香酸64.9
g ( 0.36モル) 、1.4〜ジアセトキシベン
ゼン50.5 g (0.26モル)と4,4゜−ジア
セトキシビフェニル14.9g (0.06モル)、イ
ソフタル酸53.2 g(0.32モル)を用いた以外
は参考例4と全く同様にして融点(液晶転移点)が32
8゜Cの溶融液晶製ポリマーを得た。溶融粘度は100
5ポイズであった。
p−アセトキシ安息香酸72.1 g (0.40モル
) 、4.4’−ジアセトキシビフェニル49.7 g
(0.20モル)、テレフタル酸21.6 g (
0. 13モル)、イソフタル酸11.6g (0.0
7モル)および酢酸400 adを入れ窒素雰囲気下に
加熱し、反応の結果生じる酢酸を除去しながら305゜
Cで1時間反応させた.その後徐々に系を減圧し、20
分かけて絶対圧約0.5mHgとして1時間反応せしめ
た.反応温度を350℃にし、この状態で更に10分間
反応せしめた.得られたポリマーの溶融粘度は1830
ポイズであり、345℃に融点(液晶転移点)を有する
R融液晶性ポリマーであった。このポリマーをポリマー
Eとする.参考例5 参考例4において、p−アセトキシ安息香酸64.9
g ( 0.36モル) 、1.4〜ジアセトキシベン
ゼン50.5 g (0.26モル)と4,4゜−ジア
セトキシビフェニル14.9g (0.06モル)、イ
ソフタル酸53.2 g(0.32モル)を用いた以外
は参考例4と全く同様にして融点(液晶転移点)が32
8゜Cの溶融液晶製ポリマーを得た。溶融粘度は100
5ポイズであった。
このポリマーをポリマーFとする。
実施例l
参考例1で得られた等方結晶性全芳香族ポリエステル(
ポリマーA)75重景%と参考例4で得られた溶融液晶
ポリマー(ポリマーE)25重量%を、CSI社製のC
S−194A型小型押し出し機を用いて溶融混合した.
得られたストランドはカッターを用いてチップ状に切断
した.1閣の厚さのステンレス製の枠を設置した熱板の
中央にチップ状の1戒物を置いて、加熱溶融、約100
kg/CI1の圧力で加圧成形して得られたシートを所
定の大きさに切断して熱変形温度を測定した.また、C
SI社製小型射出成形機、?LINI MAX MOL
D[!R CS−183?IMXを用いて、&I1戒物
を溶融した後、金型に射出して2X4.8×40Mの成
形品を得、取り出した成形品の金型内の収縮を目視で調
べた。結果を表に示した.なお戒形品の表面光沢性は良
好であった。
ポリマーA)75重景%と参考例4で得られた溶融液晶
ポリマー(ポリマーE)25重量%を、CSI社製のC
S−194A型小型押し出し機を用いて溶融混合した.
得られたストランドはカッターを用いてチップ状に切断
した.1閣の厚さのステンレス製の枠を設置した熱板の
中央にチップ状の1戒物を置いて、加熱溶融、約100
kg/CI1の圧力で加圧成形して得られたシートを所
定の大きさに切断して熱変形温度を測定した.また、C
SI社製小型射出成形機、?LINI MAX MOL
D[!R CS−183?IMXを用いて、&I1戒物
を溶融した後、金型に射出して2X4.8×40Mの成
形品を得、取り出した成形品の金型内の収縮を目視で調
べた。結果を表に示した.なお戒形品の表面光沢性は良
好であった。
実施例2〜7
実施例1において等方結晶性全芳香族ポリエステル、溶
融液晶性ポリマー、及びそれらの組成比を変化させて実
施例1と同様にして&!I戒物の製造、成形、評価を行
った結果を表1に示す。得られた戒形品はいずれの実施
例についても良好であった.比較例1 非品性ポリマーDと溶融液晶性ポリマーとの組成物の成
形、評価結果を表1に示した。表1より明らかなように
比較例1はガラス転移点からの熱変形温度の向上はみら
れず耐熱性が実施例に比べてはるかに劣っていることが
判る. 比較例2.3 等方結晶性ポリエステルと溶融液晶性ポリマーの組成比
を変化させた結果を表1に示す.なお比較例3で得られ
たシートは放射状に裂け、物性異方性が大きかった。
融液晶性ポリマー、及びそれらの組成比を変化させて実
施例1と同様にして&!I戒物の製造、成形、評価を行
った結果を表1に示す。得られた戒形品はいずれの実施
例についても良好であった.比較例1 非品性ポリマーDと溶融液晶性ポリマーとの組成物の成
形、評価結果を表1に示した。表1より明らかなように
比較例1はガラス転移点からの熱変形温度の向上はみら
れず耐熱性が実施例に比べてはるかに劣っていることが
判る. 比較例2.3 等方結晶性ポリエステルと溶融液晶性ポリマーの組成比
を変化させた結果を表1に示す.なお比較例3で得られ
たシートは放射状に裂け、物性異方性が大きかった。
表 1
(発明の効果)
以上かかる構威よりなる本発明組成物は耐熱性、耐薬品
性、威形性に優れ、なおかつ物性、表面光沢の優れた戒
形品を与える全く新規な組成物である.また、本発明組
底物から得られた成形品は、溶融液晶性の全芳香族ポリ
エステル樹脂組戒物から得られた戒形品と比較して、物
性的に異方性が少なく工業的に価値が高い.またポリエ
ーテルエーテルケトンより比較的安価に製造でき、結晶
加速度が速いため戒形のサイクルタイムが速く、工業用
途に広く用いられるものと期待される。更に本発明の樹
脂&[l或物は繊維、フィルムの材料としても有用であ
る.
性、威形性に優れ、なおかつ物性、表面光沢の優れた戒
形品を与える全く新規な組成物である.また、本発明組
底物から得られた成形品は、溶融液晶性の全芳香族ポリ
エステル樹脂組戒物から得られた戒形品と比較して、物
性的に異方性が少なく工業的に価値が高い.またポリエ
ーテルエーテルケトンより比較的安価に製造でき、結晶
加速度が速いため戒形のサイクルタイムが速く、工業用
途に広く用いられるものと期待される。更に本発明の樹
脂&[l或物は繊維、フィルムの材料としても有用であ
る.
【図面の簡単な説明】
第1〜3図は本発明組成物に用いられる全芳香族ポリエ
ステルを構成する繰り返し単位の各々モル%Xとyとの
関係を示す. 早 1 図
ステルを構成する繰り返し単位の各々モル%Xとyとの
関係を示す. 早 1 図
Claims (1)
- (1)下記一般式( I )〜(IV)を繰り返し構成単位
とし、融点が約335℃以下、溶融粘度が50ポイズ〜
10万ポイズであり、かつ融解により結晶状態から光学
的等方性融体となる全芳香族ポリエステル99重量%〜
1重量%と溶融液晶性ポリマー1重量%〜99重量%と
を含むことを特徴とする全芳香族ポリエステル樹脂組成
物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、Arは1,3−フェニレン基、1,2−フェニ
レン基、2−メチル−1,3−フェニレン基、5−メチ
ル−1,3−フェニレン基、4,4′−ビフェニレン基
、イソプロピリデン−4,4′−ジフェニレン基、メチ
レン−4,4′−ジフェニレン基、1,1−ブチリデン
−4,4′−ジフェニレン基、チオ−4,4′−ジフェ
ニレン基、カルボニル−4,4′−ジフェニレン基、2
,6−ナフチレン基、2,7−ナフチレン基を示す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15747589A JPH0321660A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 全芳香族ポリエステル樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15747589A JPH0321660A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 全芳香族ポリエステル樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0321660A true JPH0321660A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15650493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15747589A Pending JPH0321660A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 全芳香族ポリエステル樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0321660A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011111264A1 (de) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Untersetzungsvorrichtung |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15747589A patent/JPH0321660A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011111264A1 (de) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Untersetzungsvorrichtung |
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