JPH03206983A - 電子放射レーザ刺激テスト - Google Patents
電子放射レーザ刺激テストInfo
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- JPH03206983A JPH03206983A JP2281724A JP28172490A JPH03206983A JP H03206983 A JPH03206983 A JP H03206983A JP 2281724 A JP2281724 A JP 2281724A JP 28172490 A JP28172490 A JP 28172490A JP H03206983 A JPH03206983 A JP H03206983A
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- laser beam
- electric field
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気デバイスのテスト方法、更に詳細に言えば
、プリント回路ボードあるいはそのようなもののための
テスト装置に関する。
、プリント回路ボードあるいはそのようなもののための
テスト装置に関する。
従来の技術
プリント（あるいはエッチ）回路ボードのような電気要
素は、製造が完了した後テストをおこなわなければなら
ない。そのテストではまず初めに、全ての導電路が指定
された位置にあるかどうか、コンダクタが意に反して短
くなっていないか、電気持続が存在すべき所にあるか、
といったことが判断される。様々な機能テストが外部コ
ネクタ（それらは、端装置を用いる為のものを含む）を
用いて行われる。また、視覚による検査も、そのパーツ
の品質表示を与えてくれる。しかしながら、そのような
方法は時間を消費しまたお金もかかるものであり、視覚
からは隠れていたりあるいは選択された電気機能テスト
では実行されかったショートあるいは開路を発見すると
いった場合に常に実効的というわけではない。このよう
な理由からエッチ回路ボードの表面を走査するといった
様々な他のテスト装置か用いられ、そして配線の完全性
を与えている。
素は、製造が完了した後テストをおこなわなければなら
ない。そのテストではまず初めに、全ての導電路が指定
された位置にあるかどうか、コンダクタが意に反して短
くなっていないか、電気持続が存在すべき所にあるか、
といったことが判断される。様々な機能テストが外部コ
ネクタ（それらは、端装置を用いる為のものを含む）を
用いて行われる。また、視覚による検査も、そのパーツ
の品質表示を与えてくれる。しかしながら、そのような
方法は時間を消費しまたお金もかかるものであり、視覚
からは隠れていたりあるいは選択された電気機能テスト
では実行されかったショートあるいは開路を発見すると
いった場合に常に実効的というわけではない。このよう
な理由からエッチ回路ボードの表面を走査するといった
様々な他のテスト装置か用いられ、そして配線の完全性
を与えている。
電子ビーム技術は、テスト中のＩＣチップあるいはエッ
チ回路ボードを走査するため、ボード上でパターンによ
って放射された二次電子を検出している間に使用される
。これらの方法の中のｌつは、電圧対照電子ビーム（Ｖ
ＣＥＢ）と呼ばれ、これらのテスターはセミコンダクタ
ＩＣチップ上の機能電子回路を調査する論理分析器のよ
うなものである。ＶＣＥＢ技術は、Ｗｏｏｄａｒｄらに
より、Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ．の
ｌ９８８年１１， １２月号「超ＬＳＩ回路チップパッ
ケージ基層の電圧電子ビームテスト装置Ｊ Ｐ．１９
６６に記述されている。比較的大きなデバイスに使用さ
れる時、ＶＣＥＢ技術では、大きな移送室が要求される
と同様に、複雑で高価な電子ビーム偏向装置が要求され
る。
チ回路ボードを走査するため、ボード上でパターンによ
って放射された二次電子を検出している間に使用される
。これらの方法の中のｌつは、電圧対照電子ビーム（Ｖ
ＣＥＢ）と呼ばれ、これらのテスターはセミコンダクタ
ＩＣチップ上の機能電子回路を調査する論理分析器のよ
うなものである。ＶＣＥＢ技術は、Ｗｏｏｄａｒｄらに
より、Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ．の
ｌ９８８年１１， １２月号「超ＬＳＩ回路チップパッ
ケージ基層の電圧電子ビームテスト装置Ｊ Ｐ．１９
６６に記述されている。比較的大きなデバイスに使用さ
れる時、ＶＣＥＢ技術では、大きな移送室が要求される
と同様に、複雑で高価な電子ビーム偏向装置が要求され
る。
走査Ｅビームを使用する他のテスト方法は、アブストラ
クトＮｏ． １２９の第２アブストラクト内の、Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙの、１９８
７年５月１０〜１５日の春の会合、Ｖｏｌ．８７−Ｌ
ｐ．１８５のＰａｕｌ Ｍａｙらによる、ｒＬａｓｅｒ
Ｐｕｌｓｅｄ Ｅ−Ｂｅａｍ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ
ＨｉｇｈＳｐｅｅｄ Ｉ． Ｃ． ＴｅｓｔｉｎＪに
記述されている。Ｍａｙらは非侵害テスト（ｎｏｎ−ｉ
ｎｖａｓｉｖｅ ｔｅｓｔｉｎｇ）のための装置を記述
しており、それは電子ビームを作り出すために金コート
石英光電陰極に衝突するレーザピームを用いるものであ
る。しかしながら、電子ビームは再び長い距離を移動し
なければならず、そしてある干渉機構によって照合しそ
して走査されなければならない。
クトＮｏ． １２９の第２アブストラクト内の、Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙの、１９８
７年５月１０〜１５日の春の会合、Ｖｏｌ．８７−Ｌ
ｐ．１８５のＰａｕｌ Ｍａｙらによる、ｒＬａｓｅｒ
Ｐｕｌｓｅｄ Ｅ−Ｂｅａｍ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ
ＨｉｇｈＳｐｅｅｄ Ｉ． Ｃ． ＴｅｓｔｉｎＪに
記述されている。Ｍａｙらは非侵害テスト（ｎｏｎ−ｉ
ｎｖａｓｉｖｅ ｔｅｓｔｉｎｇ）のための装置を記述
しており、それは電子ビームを作り出すために金コート
石英光電陰極に衝突するレーザピームを用いるものであ
る。しかしながら、電子ビームは再び長い距離を移動し
なければならず、そしてある干渉機構によって照合しそ
して走査されなければならない。
レーザビームは、Ａ． Ｍ． Ｗｅｉｎｅｒらによりｌ
９８７年５月、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓのｒ ＰｉｃｏｓｅｃｏｎｄＴｅｍｐｏｒａｌ
Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｐｈｏｔｏｅｍｉｓｓｉｖｅ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｊに示されたテスト方法では、電
子ビームの代わりにレーザビームが使用される。テスト
中のパーツからの、レーサか衝突したポイントにおける
電子放射か検出される。同様なテスト方法が、Ｒ． Ｂ
．Ｍａｒｃｕｓ らにより、１９８６年８月ｌｌ日のＡ
ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｐ．３
５７ ｒＨｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａ
ｌＳａｍｐｌｉｎｇ ｂｙ ｆｓ Ｐｈｔｏｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｊに示されている。
９８７年５月、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓのｒ ＰｉｃｏｓｅｃｏｎｄＴｅｍｐｏｒａｌ
Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｐｈｏｔｏｅｍｉｓｓｉｖｅ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｊに示されたテスト方法では、電
子ビームの代わりにレーザビームが使用される。テスト
中のパーツからの、レーサか衝突したポイントにおける
電子放射か検出される。同様なテスト方法が、Ｒ． Ｂ
．Ｍａｒｃｕｓ らにより、１９８６年８月ｌｌ日のＡ
ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｐ．３
５７ ｒＨｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａ
ｌＳａｍｐｌｉｎｇ ｂｙ ｆｓ Ｐｈｔｏｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｊに示されている。
それは、ハイスピード電子波形の非接触ブロービングの
方法で、信号運搬電気コンダクタが極超短レーザライト
パルスにより照らされたときに放射されたホト電極のス
ペクトル分析による。
方法で、信号運搬電気コンダクタが極超短レーザライト
パルスにより照らされたときに放射されたホト電極のス
ペクトル分析による。
Ｅｌｌｓｗｏｒｔｈ Ｗ． Ｓｔｅａｒｎｓにより、ｌ
９８９年 に出願され、Ｄｅｇｉｔａｌ Ｅｑｕｉ
ｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎに付与された、ｃ
ｏｐｅｎｄｉｎｇ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎのシリアル
番号 の ｒＳｉｎｇｌｅ−Ｐｒｏｂｅ Ｃｈ
ａｅｇｅ ＭｅｓｕｒｅｍｅｎｔＴｅｓｔｉｎｇ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｊでは、プローブが物理的にノードに接触す
ることによってプリント回路ボードあるいはそのような
ものの荷電あるいは放電を使用するテスト方法が述べら
れている。この荷電からの電流結果は、これらのノード
の荷電のために正しいＸ−Ｙパターンが示されているか
どうかを判断するため、観察されている。
９８９年 に出願され、Ｄｅｇｉｔａｌ Ｅｑｕｉ
ｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎに付与された、ｃ
ｏｐｅｎｄｉｎｇ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎのシリアル
番号 の ｒＳｉｎｇｌｅ−Ｐｒｏｂｅ Ｃｈ
ａｅｇｅ ＭｅｓｕｒｅｍｅｎｔＴｅｓｔｉｎｇ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｊでは、プローブが物理的にノードに接触す
ることによってプリント回路ボードあるいはそのような
ものの荷電あるいは放電を使用するテスト方法が述べら
れている。この荷電からの電流結果は、これらのノード
の荷電のために正しいＸ−Ｙパターンが示されているか
どうかを判断するため、観察されている。
発明の概要
本発明の１実施例によれば、エッチ回路あるいはＩＣの
ような小さな電気パーツのためのテスト装置は、非常に
小さい局部限定の電子ビームを作るため、走査レーザビ
ームを使用する。電子ビームは、テスト中のパーツのす
ぐ上に覆い被されている（しかし離されている）グリッ
ドに、レーザビームを衝突させることによって行われる
。そのグリッドは局部限定電子ビームを作るよう電子放
射物質で覆われている。レーザビームによって作り出さ
れた電子の局部放射は、回路ボード上のノードを選択的
に荷電してノードの完全さをチェックすることが出来る
よう、荷電源を接続するための「スイッチ」として働く
だけである。このように、電子ビームは荷電するために
使用されうるが、走査される必要はない。その代わりに
レーザビームは走査されるものであり、それを達或する
のはとても容易である。また、使用される探知機構は、
第２放射によるものではない。従って、放射電子が移動
する距離（製作物から）は、結果を減少させるような要
因にはならない。局部限定電子ビームは、電界により作
成物に向かって加速され、テスト中のデバイス上の回路
ノードは荷電され、そしてこの荷電が測定され、回路の
完全さの表示を与えるようビーム位置と相関される。ノ
ートの荷電を検出するための１つの方法は、電界を与え
ている電圧供給内の電流を測定することによるものであ
る。その他の方峡としては、電界を逆にし、そうして電
子パケットをグリッドへと逆に加速させて、グリッド上
の電荷を記録するものであり、それはグリッドから電気
読み出しを行うＣＣＤタイプ、あるいは、グリッドがビ
ーム電流に反応してグローされているので写実的に行う
ものである。
ような小さな電気パーツのためのテスト装置は、非常に
小さい局部限定の電子ビームを作るため、走査レーザビ
ームを使用する。電子ビームは、テスト中のパーツのす
ぐ上に覆い被されている（しかし離されている）グリッ
ドに、レーザビームを衝突させることによって行われる
。そのグリッドは局部限定電子ビームを作るよう電子放
射物質で覆われている。レーザビームによって作り出さ
れた電子の局部放射は、回路ボード上のノードを選択的
に荷電してノードの完全さをチェックすることが出来る
よう、荷電源を接続するための「スイッチ」として働く
だけである。このように、電子ビームは荷電するために
使用されうるが、走査される必要はない。その代わりに
レーザビームは走査されるものであり、それを達或する
のはとても容易である。また、使用される探知機構は、
第２放射によるものではない。従って、放射電子が移動
する距離（製作物から）は、結果を減少させるような要
因にはならない。局部限定電子ビームは、電界により作
成物に向かって加速され、テスト中のデバイス上の回路
ノードは荷電され、そしてこの荷電が測定され、回路の
完全さの表示を与えるようビーム位置と相関される。ノ
ートの荷電を検出するための１つの方法は、電界を与え
ている電圧供給内の電流を測定することによるものであ
る。その他の方峡としては、電界を逆にし、そうして電
子パケットをグリッドへと逆に加速させて、グリッド上
の電荷を記録するものであり、それはグリッドから電気
読み出しを行うＣＣＤタイプ、あるいは、グリッドがビ
ーム電流に反応してグローされているので写実的に行う
ものである。
実施例
第ｌ図及び第２図を参照すれば、本発明の実施例による
、プリント配線ボードあるいはそのようなもののための
テスト装置が示されている。レーザ源１０は、矩形グリ
ッド１２を横切って走査するレーザビーム１１を発生す
る。レーザ源は走査を行うためそれ自体回転可能なもの
であってもよく、またレーザは固定されておりビームを
所望のパターン、例えば矩形グリッド１２上をラスタス
キャンで、移動させるための走査鏡を含んでいるという
ものでもよい。また、レーザを固定位置に保持している
間に、製作物を機械的にＸＹ方向に移動させて走査を行
うというものでもよい。そのビームは変調、つまり走査
の間ターンオンされたりあるいはターンオフされたりす
ることもある。
、プリント配線ボードあるいはそのようなもののための
テスト装置が示されている。レーザ源１０は、矩形グリ
ッド１２を横切って走査するレーザビーム１１を発生す
る。レーザ源は走査を行うためそれ自体回転可能なもの
であってもよく、またレーザは固定されておりビームを
所望のパターン、例えば矩形グリッド１２上をラスタス
キャンで、移動させるための走査鏡を含んでいるという
ものでもよい。また、レーザを固定位置に保持している
間に、製作物を機械的にＸＹ方向に移動させて走査を行
うというものでもよい。そのビームは変調、つまり走査
の間ターンオンされたりあるいはターンオフされたりす
ることもある。
なぜなら、テストすべきノードが存在しないということ
が分かっている製作物の領域は走査から除かれるからで
ある。テスト中のアイテム１３は、プリント配線ボード
、あるいはＩＣチップ、あるいはＩＣパッケージ、ある
いはそのようなものであって、グリッドｌ２に平行にモ
して極隣接して配置されている。ボード１３はもし必要
なら絶縁ベースｌ４により支持され、そして第２グリッ
ドあるいは導電平面ｌ５が製作物の下に備え付けられる
。また、導電平面ｌ５は実際には、製作物それ自身の部
分を形戊することも出来る。例えば、もし回路ボードが
両面台型である場合、片面で１回、そして再びもう一方
の面でという具合にテストは２回実行されることになる
であろう。そしてこの場合、グリッド１５は、回路ボー
ドそれ自身の中にある層として一体化されるであろう。
が分かっている製作物の領域は走査から除かれるからで
ある。テスト中のアイテム１３は、プリント配線ボード
、あるいはＩＣチップ、あるいはＩＣパッケージ、ある
いはそのようなものであって、グリッドｌ２に平行にモ
して極隣接して配置されている。ボード１３はもし必要
なら絶縁ベースｌ４により支持され、そして第２グリッ
ドあるいは導電平面ｌ５が製作物の下に備え付けられる
。また、導電平面ｌ５は実際には、製作物それ自身の部
分を形戊することも出来る。例えば、もし回路ボードが
両面台型である場合、片面で１回、そして再びもう一方
の面でという具合にテストは２回実行されることになる
であろう。そしてこの場合、グリッド１５は、回路ボー
ドそれ自身の中にある層として一体化されるであろう。
電界は、グリッドｌ２及ひ平面１５に接続されたコンダ
クタ１６及ひ１７により、グリッド１２及び平面１５の
間に形成される。コンダクタ１６及び１７には．、電圧
供給ｌ８か適切な検出器１９を通じて結合されている。
クタ１６及ひ１７により、グリッド１２及び平面１５の
間に形成される。コンダクタ１６及び１７には．、電圧
供給ｌ８か適切な検出器１９を通じて結合されている。
あるｌの実施例において、検出器ｌ９はビーム１ｌのレ
ーザ走査と同期させられた単なるオシロスコープでもよ
いし、あるいはグリッドからの電子放射によって引き起
こされた電流を検出するための手段のようなものでもよ
い。グリッド１２はホト電子放射物質（ｐｈｏｔｏ−ｅ
ｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）
で覆われており、レーザビーム１１がグリッドの局部領
域に衝突した時に、電子が放射されるようになっている
。前に述べたＭａｅｃｕｓらの論文に開示されているよ
うに、光化学的に粗面にされた金の薄層が、電子放射コ
ーティングにはよい。グリッド１２は、細いワイヤメッ
シュ、あるいはガラスプレートであってもよく、これら
はその下面をコートされており、上面からレーザビーム
を透過するようになっている。グリッドｌ２及び平面ｌ
５との間の電界は放射された電子を引きつけ、そうして
放射された電子は電界方向に加速される。しかしながら
、ボードｌ３はグリッドｌ２及び平面１５の間に介挿さ
れているので、電子がコンダクタに衝突した時ボードの
コンダクタ上に電荷が蓄積する。対照的に、コンダクタ
が存在しないテスト中のエリアでは、パーツｌ３の絶縁
特質のため、グリッドｌ２からの電子流れはほとんどな
いかあるいは全くない。第ｌ図のアセンブリは、電子流
れ及びノード上の電荷の保持を促進するように真空にさ
れており、あるいはノードの荷電検出のために可視グロ
ーを引き起こすハロゲンガスで低圧にされている。この
チェインバは、大気を少し含んでおり、そのような場合
、電子滝れはプラズマによったりあるいはアーク放電に
よるか、ノードが電荷を保持している時間長は小さい。
ーザ走査と同期させられた単なるオシロスコープでもよ
いし、あるいはグリッドからの電子放射によって引き起
こされた電流を検出するための手段のようなものでもよ
い。グリッド１２はホト電子放射物質（ｐｈｏｔｏ−ｅ
ｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌ）
で覆われており、レーザビーム１１がグリッドの局部領
域に衝突した時に、電子が放射されるようになっている
。前に述べたＭａｅｃｕｓらの論文に開示されているよ
うに、光化学的に粗面にされた金の薄層が、電子放射コ
ーティングにはよい。グリッド１２は、細いワイヤメッ
シュ、あるいはガラスプレートであってもよく、これら
はその下面をコートされており、上面からレーザビーム
を透過するようになっている。グリッドｌ２及び平面ｌ
５との間の電界は放射された電子を引きつけ、そうして
放射された電子は電界方向に加速される。しかしながら
、ボードｌ３はグリッドｌ２及び平面１５の間に介挿さ
れているので、電子がコンダクタに衝突した時ボードの
コンダクタ上に電荷が蓄積する。対照的に、コンダクタ
が存在しないテスト中のエリアでは、パーツｌ３の絶縁
特質のため、グリッドｌ２からの電子流れはほとんどな
いかあるいは全くない。第ｌ図のアセンブリは、電子流
れ及びノード上の電荷の保持を促進するように真空にさ
れており、あるいはノードの荷電検出のために可視グロ
ーを引き起こすハロゲンガスで低圧にされている。この
チェインバは、大気を少し含んでおり、そのような場合
、電子滝れはプラズマによったりあるいはアーク放電に
よるか、ノードが電荷を保持している時間長は小さい。
第３図を参照すれば、レーザビーム１１がグリッドｌ２
に沿って、行路２１を走査している時、パーツｌ３の２
つのコンダクタ２２及び、２３の位置が妨害される。こ
れらのコンダクタ２２及び２３は薄膜金属化フィルムで
あり、エッチ回路ボード、あるいはＩＣチップあるいは
そのようなものに存在する。第３ａ図には、ビームｌ１
の位置の関数として、検出器１９により検出された電荷
移送あるいは電流が示されており、これら各々のコンダ
クタ２２、２３に対してパルス２４あるいは２５が作ら
れているのが分かる。これらのパルス２４及び、２５の
高さ及び幅は、各々のコンダクタの大きさと形、及びノ
ードが低抵抗接続をしている全ての金属化（ｍｅｔａｌ
ｌｉｚａｔｉｏｎ）に関連しており、パルスはそれらの
リーディングエッジで鋭く隆起し、その後、特定のコン
ダクタによって作られたノードが、電界及び、グリッド
１２上のホト放射物質によって発生された電子電流供給
により許される最大値に荷電されると、衰退する。第３
ａ図のパルス２４及び２５では、２つのコンダクタ２２
及び２３が別々の互いに接続されていないノードでそれ
らのノードは大体同じ大きさ、形をしているものを仮定
している。第３ｂ図は、同様のプロットを示しているが
、２つのコンダクタ２２及び２３は電気的にショートさ
れていると仮定している（意図的にあるいは意図的では
なく）。
に沿って、行路２１を走査している時、パーツｌ３の２
つのコンダクタ２２及び、２３の位置が妨害される。こ
れらのコンダクタ２２及び２３は薄膜金属化フィルムで
あり、エッチ回路ボード、あるいはＩＣチップあるいは
そのようなものに存在する。第３ａ図には、ビームｌ１
の位置の関数として、検出器１９により検出された電荷
移送あるいは電流が示されており、これら各々のコンダ
クタ２２、２３に対してパルス２４あるいは２５が作ら
れているのが分かる。これらのパルス２４及び、２５の
高さ及び幅は、各々のコンダクタの大きさと形、及びノ
ードが低抵抗接続をしている全ての金属化（ｍｅｔａｌ
ｌｉｚａｔｉｏｎ）に関連しており、パルスはそれらの
リーディングエッジで鋭く隆起し、その後、特定のコン
ダクタによって作られたノードが、電界及び、グリッド
１２上のホト放射物質によって発生された電子電流供給
により許される最大値に荷電されると、衰退する。第３
ａ図のパルス２４及び２５では、２つのコンダクタ２２
及び２３が別々の互いに接続されていないノードでそれ
らのノードは大体同じ大きさ、形をしているものを仮定
している。第３ｂ図は、同様のプロットを示しているが
、２つのコンダクタ２２及び２３は電気的にショートさ
れていると仮定している（意図的にあるいは意図的では
なく）。
この場合パルス２６は、コンダクタ２２、２３の両方に
接続されている導電路全体に供給するのに必要な電荷量
を表していることになり、より大きなもの（より高く、
及び／または 幅広く）として現れる。
接続されている導電路全体に供給するのに必要な電荷量
を表していることになり、より大きなもの（より高く、
及び／または 幅広く）として現れる。
第１図及び第２図の技術でコンダクタに形成された電荷
はまた、グリッド１２及び平面１５の間に供給された電
圧を逆にすることにより検出され、平面１５はその後、
グリッドに戻った電子の流れにより、グリッドｌ２から
作られたホト放射グローを見る。この探知段階の間、レ
ーザビームはターンオフされているであろう。このグロ
ーは写実的に記録され、そしてその記録は、誤りがない
ということが既知であるパーツ■３によって作られた基
準写真と比較される。もしノードが、基準より高いグロ
ーあるいは低いグロ−（電荷）を示している場合は、フ
ォールトが示されていることになる。
はまた、グリッド１２及び平面１５の間に供給された電
圧を逆にすることにより検出され、平面１５はその後、
グリッドに戻った電子の流れにより、グリッドｌ２から
作られたホト放射グローを見る。この探知段階の間、レ
ーザビームはターンオフされているであろう。このグロ
ーは写実的に記録され、そしてその記録は、誤りがない
ということが既知であるパーツ■３によって作られた基
準写真と比較される。もしノードが、基準より高いグロ
ーあるいは低いグロ−（電荷）を示している場合は、フ
ォールトが示されていることになる。
第４図を参照すれば、局部化された電気放射による他の
電荷移送検出方法は、クリット１２及び平面１５との間
に供給されている電圧を逆にすることによって電界を逆
にし、そうしてパーツ■３のノード上の電荷パケットか
、グリッド１２に逆に引きつけられるというものである
。ＣＣＤアレイ２８はグリッドｌ２に平行に配置されて
おり、そして電界が逆にされた時に電子流れのリターン
パターンを読み出すのに使用される。比較的低いセル密
度であるシリコンチップで、チップを通じてエッチされ
たスルーホールを有するＣＣＤアレイを構戊することに
より、レーザビームを透過するよう（もしプレートかグ
リッド１２の上ならば）、あるいは放射電子を透過する
よう（もしＣＣＤがグリッドの下ならば）にすることが
出来る。
電荷移送検出方法は、クリット１２及び平面１５との間
に供給されている電圧を逆にすることによって電界を逆
にし、そうしてパーツ■３のノード上の電荷パケットか
、グリッド１２に逆に引きつけられるというものである
。ＣＣＤアレイ２８はグリッドｌ２に平行に配置されて
おり、そして電界が逆にされた時に電子流れのリターン
パターンを読み出すのに使用される。比較的低いセル密
度であるシリコンチップで、チップを通じてエッチされ
たスルーホールを有するＣＣＤアレイを構戊することに
より、レーザビームを透過するよう（もしプレートかグ
リッド１２の上ならば）、あるいは放射電子を透過する
よう（もしＣＣＤがグリッドの下ならば）にすることが
出来る。
またＣＣＤアレイは、それ自体かグリッド１２を形成す
るシリコンチップあるいはウエハであってもよい。つま
り、その下方に電子を放射するようコーティングを備え
、本質的にレーザビームを透過し、一方上面に形成され
た検出器／メモリセルのアレイをも有するというもので
ある。このＣＣＤ２８による電気読み出しは、パーツ１
３のノート上における電荷パケットのビットマップ表示
を与え、そしてこの表示は、フォールトなく、パーツの
メモリ内の基準ビットマップ表示と比較されることか出
来る。どのような違いであってもグラフ画像として、つ
まりデジタルによって識別されたフォールトはコンピュ
ータからプリントアウトされることが可能である。
るシリコンチップあるいはウエハであってもよい。つま
り、その下方に電子を放射するようコーティングを備え
、本質的にレーザビームを透過し、一方上面に形成され
た検出器／メモリセルのアレイをも有するというもので
ある。このＣＣＤ２８による電気読み出しは、パーツ１
３のノート上における電荷パケットのビットマップ表示
を与え、そしてこの表示は、フォールトなく、パーツの
メモリ内の基準ビットマップ表示と比較されることか出
来る。どのような違いであってもグラフ画像として、つ
まりデジタルによって識別されたフォールトはコンピュ
ータからプリントアウトされることが可能である。
本発明は特定の実施例を参照して述べているが、この記
述は本発明を限定するものではない。本発明の他の実施
例と同様、ここに開示された発明の様々な変形が、この
記述を参照する当業者にとって明らかであろう。それ故
、本発明が真に意図するところに範囲にあるそのような
変形や実施例は、請求項に含まれるであろうと考える。
述は本発明を限定するものではない。本発明の他の実施
例と同様、ここに開示された発明の様々な変形が、この
記述を参照する当業者にとって明らかであろう。それ故
、本発明が真に意図するところに範囲にあるそのような
変形や実施例は、請求項に含まれるであろうと考える。
第１図は、本発明の１実施例にしたがうプリント回路ボ
ードあるいはそのようなもののためのテスト装置の立面
図。 第２図は、レーザビームにより走査されている時のグリ
ッド及びプリント回路ボードを示している第１図の装置
の平面図。 第３図は、プリント回路ボード上の２つのコンダクタを
横切るレーザビームの走査を示している第ｌ図及び第２
図のテスト装置の小部分の平面図。 第３ａ図及び第３ｂ図は、第３図のビーム走査で相関さ
せられたイベント対、第ｌ図及び第２図のテスト装置で
起こったイベントに対する時間とのタイミング図。 第４図は、本発明の他の実施例にしたがった、第１図に
対応する立面図。 １ｌ・・・・レーザビーム １２・・・・グリッド １３・・・・アイテム １４・・・・絶縁ベース １５・・・・導電平面 １６、１７・・コンダクタ １８・・・・電圧供給 １９・・・・検出器 ２２、２３・・コンダクタ ２４、２５・・パルス ２８・・・・ＣＣＤ 手 続 補 正 書（方式） ３．２．−１ 平成 年 月 日
ードあるいはそのようなもののためのテスト装置の立面
図。 第２図は、レーザビームにより走査されている時のグリ
ッド及びプリント回路ボードを示している第１図の装置
の平面図。 第３図は、プリント回路ボード上の２つのコンダクタを
横切るレーザビームの走査を示している第ｌ図及び第２
図のテスト装置の小部分の平面図。 第３ａ図及び第３ｂ図は、第３図のビーム走査で相関さ
せられたイベント対、第ｌ図及び第２図のテスト装置で
起こったイベントに対する時間とのタイミング図。 第４図は、本発明の他の実施例にしたがった、第１図に
対応する立面図。 １ｌ・・・・レーザビーム １２・・・・グリッド １３・・・・アイテム １４・・・・絶縁ベース １５・・・・導電平面 １６、１７・・コンダクタ １８・・・・電圧供給 １９・・・・検出器 ２２、２３・・コンダクタ ２４、２５・・パルス ２８・・・・ＣＣＤ 手 続 補 正 書（方式） ３．２．−１ 平成 年 月 日
Claims (23)
- （１）複数の導電路をその上に有する電気パーツのテス
ト装置において、 ａ）前記パーツから離間されたグリッドを 横切るパターンでレーザビームを走査する手段と、 ｂ）前記レーザビームを衝突させられた場 所に、電界により前記導電路へと引きつけられている電
子の局部放射を発生する前記グリッドと、 ｃ）前記電子の放射によって移送された電 荷の総量にレーザビームの位置の関数として反応する検
出手段、とを含むことを特徴とする装置。 - （２）請求項（１）記載の装置において、前記グリッド
は前記電子の放射を発生するためにホト放射物質をその
上に有する装置。 - （３）請求項（１）記載の装置において、前記電界は、
前記グリッド及び、前記パーツの内部あるいは後部にあ
る導電平面との間に形成されている装置。 - （４）請求項（１）記載の装置において、前記探知手段
は、前記電界を逆転する手段及び、前記パーツから前記
グリッドへと戻る電子流れの影響を記録する手段とを備
える装置。 - （５）請求項（１）記載の装置において、前記走査手段
は、ラスタ走査パターンでレーザビームを偏向する手段
を含む装置。 - （６）複数の導電路をその上に有するデバイスのテスト
方法は、 ａ）前記パーツに向かってあるパターンで レーザビームを走査し、 ｂ）電界を横切る前記導電路への流れのた めに前記レーザビームから電子の局部放射を発生し、 ｃ）前記電子の放射により移送された電荷 の総量を前記レーザビームの位置の関数として検出する
、段階を備えたことを特徴とする方法。 - （７）請求項（６）記載の方法において、前記発生段階
は、前記パーツ上方に、しかしそこから離間されている
が、延びているホト放射グリッドによる方法。 - （８）請求項（６）記載の方法において、電界はグリッ
ド及び、前記パーツの内部あるいは後方にある導電平面
との間に形成されている方法。 - （９）請求項（８）記載の方法において、前記検出段階
は前記グリッドからの電流を測定することによる方法。 - （１０）請求項（６）記載の方法において、前記局部放
射及び前記導電路との間の空間は前記レーザビームの長
さに比べて小さい方法。 - （１１）請求項（６）記載の方法において、前記ボード
を走査するために前記レーザビームは通常のパターンで
偏向させられる方法。 - （１２）複数の導電路をその上に有するデバイスのテス
ト方法において、 ａ）前記デバイスの近くに位置し且つ前記 デバイスの主要面に一般に平行に延びている電子放射グ
リッド上方でレーザビームをあるパターンで走査し、 ｂ）レーザビームを衝突させられたグリッ ドから電子放射を発生させ、電界の影響下で前記導電路
の局部領域を荷電し、 ｃ）前記電子の放射により移送された電荷 の総量を前記レーザビームの位置の関数として検出し、 ｄ）そして前記検出された電荷の総量を電 荷移送の基準パターンと比較する段階を備えたことを特
徴とする方法。 - （１３）請求項（１２）記載の方法において、前記電界
は、前記グリッド及び前記デバイスの内部あるいは後方
にある導電平面との間に形成されている方法。 - （１４）請求項（１３）記載の方法において、前記検出
の段階は前記グリッド及び前記平面との間の電流を測定
することによる方法。 - （１５）請求項（１２）記載の方法において、前記グリ
ッド及び前記導電路との間の空間は、前記レーザビーム
の長さと比較して小さい方法。 - （１６）複数の導電路をその上に有する電気パーツのテ
スト装置において、 ａ）前記パーツ近くのグリッドを横切って、あるパター
ンで動くレーザビームを作り出すレーザビームジェネレ
ータと、 ｂ）前記レーザビームを衝突させられた場 所に前記電界により前記導電路へと引きつけられる電子
の局部放射を発生させるような電子放射物質をその上に
有する前記グリッドと、 ｃ）前記電子の放射により移送された電荷 の総量に前記レーザビームの位置の関数として反応する
検出手段、とを備えることを特徴とする装置。 - （１７）請求項（１６）記載の装置において、前記電界
は前記グリッド及び前記パーツの内部あるいは後方にあ
る導電路との間に作り出される装置。 - （１８）請求項（１６）記載の装置において、パーツは
プリント回路ボードあるいはそのようなものである装置
。 - （１９）請求項（１６）記載の装置は、ラスタ走査パタ
ーンでレーザビームを偏向することによって前記レーザ
ビームを走査する手段を含む装置。 - （２０）請求項（１９）記載の装置は、前記パーツをＸ
−Ｙパターンで動かすことによって前記レーザビームを
走査する手段を含む装置。 - （２１）請求項（１６）記載の装置において、前記検出
手段は前記グリッドに与えられた電圧供給に対して直列
の検出器を含む装置。 - （２２）請求項（１６）記載の装置において、前記検出
手段は、前記電界を逆にした後、前記グリッドのホト放
射グローを可視的に検出するための手段を含む装置。 - （２３）請求項（１６）記載の装置において、前記検出
手段は前記電界を逆にした後、前記グリッドによりホト
放射を検出するため前記グリッドを電気的に走査する手
段を含む装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/424,396 US5017863A (en) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | Electro-emissive laser stimulated test |
| US424396 | 1989-10-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206983A true JPH03206983A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=23682483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2281724A Pending JPH03206983A (ja) | 1989-10-20 | 1990-10-19 | 電子放射レーザ刺激テスト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5017863A (ja) |
| EP (1) | EP0424270A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03206983A (ja) |
| CA (1) | CA2027190A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788078B2 (en) | 2001-11-16 | 2004-09-07 | Delaware Capital Formation, Inc. | Apparatus for scan testing printed circuit boards |
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| US5202623A (en) * | 1992-02-26 | 1993-04-13 | Digital Equipment Corporation | Laser-activated plasma chamber for non-contact testing |
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| KR100877243B1 (ko) | 2001-02-19 | 2009-01-07 | 니혼 덴산 리드 가부시끼가이샤 | 회로 기판 검사 장치 및 회로 기판을 검사하기 위한 방법 |
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| FR2916051A1 (fr) * | 2007-05-07 | 2008-11-14 | Beamind Soc Par Actions Simpli | Procede et dispositif d'alignement d'un systeme de test avec un element electrique a tester |
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1989
- 1989-10-20 US US07/424,396 patent/US5017863A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-10-09 CA CA002027190A patent/CA2027190A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-19 EP EP19900402946 patent/EP0424270A3/en not_active Withdrawn
- 1990-10-19 JP JP2281724A patent/JPH03206983A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5017863A (en) | 1991-05-21 |
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