JPH0567654A - 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法 - Google Patents
半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法Info
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- JPH0567654A JPH0567654A JP22794791A JP22794791A JPH0567654A JP H0567654 A JPH0567654 A JP H0567654A JP 22794791 A JP22794791 A JP 22794791A JP 22794791 A JP22794791 A JP 22794791A JP H0567654 A JPH0567654 A JP H0567654A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体試験装置に関し、信号授受に
係わり半導体チップの全パッド電極と試験用プローブ電
極との接触のみに依存することなく、該プローブ電極を
接触させることが困難なパッド電極については、該パッ
ド電極の信号変化を他の信号伝搬媒体により取得し、L
SI装置が高集積化,超微細化した場合であっても、電
気的良好な状態で試験をすることを目的とする。 【構成】 被測定対象16に電子ビーム11aを照射する
電子発生源11と、前記電子ビーム11aを偏向する偏向
駆動手段12と、前記被測定対象16から帰還する二次
電子や反射電子11bを検出する検出手段13と、前記被
測定対象16の被試験電極TAに試験用プローブ電極14
Aを接触させる電極接触手段14と、前記電子発生源1
1,偏向駆動手段12,検出手段13及び電極接触手段
14の入出力を制御する制御手段15とを具備すること
を含み構成する。
係わり半導体チップの全パッド電極と試験用プローブ電
極との接触のみに依存することなく、該プローブ電極を
接触させることが困難なパッド電極については、該パッ
ド電極の信号変化を他の信号伝搬媒体により取得し、L
SI装置が高集積化,超微細化した場合であっても、電
気的良好な状態で試験をすることを目的とする。 【構成】 被測定対象16に電子ビーム11aを照射する
電子発生源11と、前記電子ビーム11aを偏向する偏向
駆動手段12と、前記被測定対象16から帰還する二次
電子や反射電子11bを検出する検出手段13と、前記被
測定対象16の被試験電極TAに試験用プローブ電極14
Aを接触させる電極接触手段14と、前記電子発生源1
1,偏向駆動手段12,検出手段13及び電極接触手段
14の入出力を制御する制御手段15とを具備すること
を含み構成する。
Description
【0001】〔目次〕 産業上の利用分野 従来の技術(図7) 発明が解決しようとする課題(図8) 課題を解決するための手段(図1,2) 作用 実施例(図3〜6) 発明の効果
【0002】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体試験装置及び半
導体集積回路装置の試験方法に関するものであり、更に
詳しく言えば、半導体チップの周辺部とコア部とにパッ
ド電極を有するフリップチップ型の半導体集積回路装置
の試験装置及び試験方法に関するものである。
導体集積回路装置の試験方法に関するものであり、更に
詳しく言えば、半導体チップの周辺部とコア部とにパッ
ド電極を有するフリップチップ型の半導体集積回路装置
の試験装置及び試験方法に関するものである。
【0003】近年、半導体集積回路(以下LSIとい
う)装置の高集積化,超微細化に伴い、1チップに対し
てパッド電極が、数百〜数千単位、もしくはこれ以上設
置される傾向にある。また、LSI装置の出荷時等に、
半導体チップの外周辺部に設けられたパッド電極にプロ
ーブ針を接触させて、その機能試験や動作試験をする試
験用プローブ装置が使用されている。
う)装置の高集積化,超微細化に伴い、1チップに対し
てパッド電極が、数百〜数千単位、もしくはこれ以上設
置される傾向にある。また、LSI装置の出荷時等に、
半導体チップの外周辺部に設けられたパッド電極にプロ
ーブ針を接触させて、その機能試験や動作試験をする試
験用プローブ装置が使用されている。
【0004】これによれば、LSI装置の高集積化,超
微細化に伴う多ピン化の要求により、プローブ針の小型
化,高密度化が進んでいる。また、その高集積化,超微
細化に伴いフリップチップ型のLSI装置が製造される
傾向にある。
微細化に伴う多ピン化の要求により、プローブ針の小型
化,高密度化が進んでいる。また、その高集積化,超微
細化に伴いフリップチップ型のLSI装置が製造される
傾向にある。
【0005】このため、従来型の試験用プロービング装
置によりフリップチップ型のLSI装置を試験すること
が困難となる。仮に、プローブ針に改良を加え、敢え
て、コア部のパッド電極に接触させるプローブ針と、そ
の外周辺部のパッド電極に接触させるプローブ針とを共
存したプローブ体が形成された場合であっても、その垂
直位置合わせが困難となる。
置によりフリップチップ型のLSI装置を試験すること
が困難となる。仮に、プローブ針に改良を加え、敢え
て、コア部のパッド電極に接触させるプローブ針と、そ
の外周辺部のパッド電極に接触させるプローブ針とを共
存したプローブ体が形成された場合であっても、その垂
直位置合わせが困難となる。
【0006】そこで、試験用プローブ電極を接触させる
ことが困難なパッド電極については、該パッド電極の信
号変化を他の信号伝搬媒体により取得し、LSI装置が
高集積化,超微細化した場合であっても、電気的良好な
状態で試験をすることができる装置及び方法が望まれて
いる。
ことが困難なパッド電極については、該パッド電極の信
号変化を他の信号伝搬媒体により取得し、LSI装置が
高集積化,超微細化した場合であっても、電気的良好な
状態で試験をすることができる装置及び方法が望まれて
いる。
【0007】
【従来の技術】図7,8は、従来例に係る説明図であ
る。図7(a),(b)は、従来例に係る半導体試験装
置の説明図であり、図7(a)は、その構成図を示して
いる。
る。図7(a),(b)は、従来例に係る半導体試験装
置の説明図であり、図7(a)は、その構成図を示して
いる。
【0008】例えば、半導体チップ5の外周辺部のみに
パッド電極5Aを有するLSI装置を試験する試験用プ
ロービング装置は、図7(a)において、半導体試験処
理回路1,プローブ体2a,複数のプローブ針(測定電
極群)2b,ステージ駆動装置3及び試験制御装置4か
ら成る。
パッド電極5Aを有するLSI装置を試験する試験用プ
ロービング装置は、図7(a)において、半導体試験処
理回路1,プローブ体2a,複数のプローブ針(測定電
極群)2b,ステージ駆動装置3及び試験制御装置4か
ら成る。
【0009】また、該装置の機能は、各種電気回路を組
み込んだ半導体チップ5がステージ駆動装置3によりX
−Y方向に駆動され、その半導体チップ5のパッド電極
5Aとプローブ体2aに設けられたプローブ針2bとが
ステージ駆動装置3によりZ方向に駆動されて垂直位置
合わせされる。この際に、図7(b)に示すように半導
体チップ5の外周辺部に設けられたパッド電極5Aとプ
ローブ針2bとが接触される。
み込んだ半導体チップ5がステージ駆動装置3によりX
−Y方向に駆動され、その半導体チップ5のパッド電極
5Aとプローブ体2aに設けられたプローブ針2bとが
ステージ駆動装置3によりZ方向に駆動されて垂直位置
合わせされる。この際に、図7(b)に示すように半導
体チップ5の外周辺部に設けられたパッド電極5Aとプ
ローブ針2bとが接触される。
【0010】その後、パッド電極とプローブ針2bとを
接触させた状態で、該チップ内の電気回路に試験制御装
置4を介して試験データが供給され、その結果、半導体
試験処理回路1により試験結果データが処理される。こ
れにより、出荷時の該チップ内の電気回路の機能試験や
動作試験等が行われる。
接触させた状態で、該チップ内の電気回路に試験制御装
置4を介して試験データが供給され、その結果、半導体
試験処理回路1により試験結果データが処理される。こ
れにより、出荷時の該チップ内の電気回路の機能試験や
動作試験等が行われる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例の試
験用プロービング装置によれば、半導体チップ5の外周
辺部に設けられたパッド電極5Aにプローブ針2bを接
触させて、その機能試験や動作試験をしている。また、
LSI装置の高集積化,超微細化に伴う多ピン化の要求
により、プローブ針2bの小型化,高密度化が進んでい
る。
験用プロービング装置によれば、半導体チップ5の外周
辺部に設けられたパッド電極5Aにプローブ針2bを接
触させて、その機能試験や動作試験をしている。また、
LSI装置の高集積化,超微細化に伴う多ピン化の要求
により、プローブ針2bの小型化,高密度化が進んでい
る。
【0012】さらに、従来例によればLSI装置の高集
積化,超微細化に伴い、図8(a)に示すようなフリッ
プチップ型のLSI装置が製造される傾向にある。この
ため、次のような問題が生ずる。
積化,超微細化に伴い、図8(a)に示すようなフリッ
プチップ型のLSI装置が製造される傾向にある。この
ため、次のような問題が生ずる。
【0013】 従来例の試験用プロービング装置によ
りフリップチップ型のLSI装置を試験することが困難
となる。これは、半導体チップ5のコア部に設けられた
パッド電極5Bに接触させるプローブ針と、その外周辺
部に設けられたパッド電極5Aに接触させるプローブ針
2bとを共存したプローブ体を構成することが困難とな
るからである。
りフリップチップ型のLSI装置を試験することが困難
となる。これは、半導体チップ5のコア部に設けられた
パッド電極5Bに接触させるプローブ針と、その外周辺
部に設けられたパッド電極5Aに接触させるプローブ針
2bとを共存したプローブ体を構成することが困難とな
るからである。
【0014】なお、フリップチップ型のLSI装置と
は、図8(a)に示すように、半導体チップ5の外周辺
部に設けられたパッド電極5Aの他に、破線で囲まれた
半導体チップ5のコア部にもパッド電極5Bを設けたも
のをいう。また、フリップチップ型のLSI装置は、図
8(b)に示すように、半導体チップ5の外周辺部やそ
のコア部に設けられたパッド電極5A,5Bがプリント
基板6Aとバンプ6Bを介して接合されるものである。
は、図8(a)に示すように、半導体チップ5の外周辺
部に設けられたパッド電極5Aの他に、破線で囲まれた
半導体チップ5のコア部にもパッド電極5Bを設けたも
のをいう。また、フリップチップ型のLSI装置は、図
8(b)に示すように、半導体チップ5の外周辺部やそ
のコア部に設けられたパッド電極5A,5Bがプリント
基板6Aとバンプ6Bを介して接合されるものである。
【0015】これは、半導体チップ5の高集積化,超微
細化に伴い、その外周辺部に数百〜数千単位の入出力用
のパッド電極5Aを割り当てても、該電極の間隔や設置
数の増加から限界を生じ、例えば、出力パッド電極を半
導体チップ5のコア部に分割配置するものである。
細化に伴い、その外周辺部に数百〜数千単位の入出力用
のパッド電極5Aを割り当てても、該電極の間隔や設置
数の増加から限界を生じ、例えば、出力パッド電極を半
導体チップ5のコア部に分割配置するものである。
【0016】 また、仮に、プローブ針2bに改良,
例えば、プローブ針2bを保持するプローブ体2aを多
層構造にして、敢えて、コア部のパッド電極5Bに接触
させるプローブ針と、その外周辺部のパッド電極5Aに
接触させるプローブ針2bとを共存したプローブ体を形
成した場合であっても、その垂直位置合わせが困難とな
る。
例えば、プローブ針2bを保持するプローブ体2aを多
層構造にして、敢えて、コア部のパッド電極5Bに接触
させるプローブ針と、その外周辺部のパッド電極5Aに
接触させるプローブ針2bとを共存したプローブ体を形
成した場合であっても、その垂直位置合わせが困難とな
る。
【0017】これは、LSI装置の高集積化,超微細化
に伴う多ピン化の要求からプローブ針2bの小型化,高
密度化が進んでおり、例えば、タングステンを材質とす
るプローブ針2bは極細化による接触抵抗が問題となる
ため、BeCu(ベリウム銅)やPd(パラジウム)を材質と
する軟質の極細針が使用されつつある。
に伴う多ピン化の要求からプローブ針2bの小型化,高
密度化が進んでおり、例えば、タングステンを材質とす
るプローブ針2bは極細化による接触抵抗が問題となる
ため、BeCu(ベリウム銅)やPd(パラジウム)を材質と
する軟質の極細針が使用されつつある。
【0018】このことで、BeCuやPdを材質とするプロー
ブ針2bとパッド電極5A,5Bとを正確に垂直位置合
わせをすることが益々困難となるものである。また、コ
ア部のパッド電極5Bに静電気等のストレスを与えない
ように、図8(c)に示すような静電気保護回路を形成
する必要も生じてくる。これにより、電気的接触不良状
態でのLSI装置の試験をすることが予想され、その機
能試験や動作試験の信頼性の低下を招くこととなる。
ブ針2bとパッド電極5A,5Bとを正確に垂直位置合
わせをすることが益々困難となるものである。また、コ
ア部のパッド電極5Bに静電気等のストレスを与えない
ように、図8(c)に示すような静電気保護回路を形成
する必要も生じてくる。これにより、電気的接触不良状
態でのLSI装置の試験をすることが予想され、その機
能試験や動作試験の信頼性の低下を招くこととなる。
【0019】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、信号授受に係わり半導体チップ
の全パッド電極と試験用プローブ電極との接触のみに依
存することなく、該プローブ電極を接触させることが困
難なパッド電極については、該パッド電極の信号変化を
他の信号伝搬媒体により取得し、LSI装置が高集積
化,超微細化した場合であっても、電気的良好な状態で
試験をすることが可能となる半導体試験装置及び半導体
集積回路装置の試験方法の提供を目的とする。
創作されたものであり、信号授受に係わり半導体チップ
の全パッド電極と試験用プローブ電極との接触のみに依
存することなく、該プローブ電極を接触させることが困
難なパッド電極については、該パッド電極の信号変化を
他の信号伝搬媒体により取得し、LSI装置が高集積
化,超微細化した場合であっても、電気的良好な状態で
試験をすることが可能となる半導体試験装置及び半導体
集積回路装置の試験方法の提供を目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】図1は、本発明に係る半
導体試験装置の原理図であり、図2(a),(b)は本
発明に係る半導体集積回路装置の試験方法の原理図をそ
れぞれ示している。
導体試験装置の原理図であり、図2(a),(b)は本
発明に係る半導体集積回路装置の試験方法の原理図をそ
れぞれ示している。
【0021】本発明の半導体試験装置は、図1に示すよ
うに、被測定対象16に電子ビーム11aを照射する電子
発生源11と、前記電子ビーム11aを偏向する偏向駆動
手段12と、前記被測定対象16から帰還する二次電子
や反射電子11bを検出する検出手段13と、前記被測定
対象16の被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aを
接触させる電極接触手段14と、前記電子発生源11,
偏向駆動手段12,検出手段13及び電極接触手段14
の入出力を制御する制御手段15とを具備することを特
徴とする。
うに、被測定対象16に電子ビーム11aを照射する電子
発生源11と、前記電子ビーム11aを偏向する偏向駆動
手段12と、前記被測定対象16から帰還する二次電子
や反射電子11bを検出する検出手段13と、前記被測定
対象16の被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aを
接触させる電極接触手段14と、前記電子発生源11,
偏向駆動手段12,検出手段13及び電極接触手段14
の入出力を制御する制御手段15とを具備することを特
徴とする。
【0022】また、本発明の半導体集積回路装置の試験
方法は、図2(a)に示すような、電子ビームを用いた
半導体集積回路装置の試験方法において、図2(b)の
フローチャートに示すように、まず、ステップP1で半
導体集積回路装置16Aの被試験電極TAに試験用プロー
ブ電極14Aの接触処理をし、次に、ステップP2で前記
試験用プローブ電極14Aが接触された半導体集積回路装
置16Aに試験データDの供給処理と該半導体集積回路装
置16Aに電子ビーム11aの照射/偏向処理とをし、その
後、ステップP3で前記半導体集積回路装置16Aから帰
還する二次電子や反射電子11bの検出処理に基づいて半
導体集積回路装置16Aの試験処理することを特徴とす
る。
方法は、図2(a)に示すような、電子ビームを用いた
半導体集積回路装置の試験方法において、図2(b)の
フローチャートに示すように、まず、ステップP1で半
導体集積回路装置16Aの被試験電極TAに試験用プロー
ブ電極14Aの接触処理をし、次に、ステップP2で前記
試験用プローブ電極14Aが接触された半導体集積回路装
置16Aに試験データDの供給処理と該半導体集積回路装
置16Aに電子ビーム11aの照射/偏向処理とをし、その
後、ステップP3で前記半導体集積回路装置16Aから帰
還する二次電子や反射電子11bの検出処理に基づいて半
導体集積回路装置16Aの試験処理することを特徴とす
る。
【0023】なお、前記半導体集積回路装置の試験方法
において、前記半導体集積回路装置16Aの平面外周領域
に設けられた被試験電極TAに試験用プローブ電極14A
の接触処理をし、前記平面外周領域以外の平面内部領域
に設けられた他の被試験電極TBに電子ビーム11aを順
次、シリアル走査処理をすることを特徴とする。
において、前記半導体集積回路装置16Aの平面外周領域
に設けられた被試験電極TAに試験用プローブ電極14A
の接触処理をし、前記平面外周領域以外の平面内部領域
に設けられた他の被試験電極TBに電子ビーム11aを順
次、シリアル走査処理をすることを特徴とする。
【0024】また、前記半導体集積回路装置の試験方法
において、前記平面外周領域以外の平面内部領域に設け
られた他の被試験電極TBに電子ビーム11aを順次、パ
ラレル走査処理をすることを特徴とし、上記目的を達成
する。
において、前記平面外周領域以外の平面内部領域に設け
られた他の被試験電極TBに電子ビーム11aを順次、パ
ラレル走査処理をすることを特徴とし、上記目的を達成
する。
【0025】
【作 用】本発明の半導体試験装置によれば、図1に示
すように、電子発生源11,偏向駆動手段12,検出手
段13,電極接触手段14及び制御手段15が具備され
ている。
すように、電子発生源11,偏向駆動手段12,検出手
段13,電極接触手段14及び制御手段15が具備され
ている。
【0026】例えば、被測定対象16の外周辺部に設け
られた被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aが制御
手段15を介して電極接触手段14により接触され、こ
の状態で、電子発生源11から被測定対象16のコア部
分に設けられた被試験電極TBに電子ビーム11aが照射
される。
られた被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aが制御
手段15を介して電極接触手段14により接触され、こ
の状態で、電子発生源11から被測定対象16のコア部
分に設けられた被試験電極TBに電子ビーム11aが照射
される。
【0027】これにより、該電子ビーム11aが偏向駆動
手段12により偏向され、被測定対象16のコア部分の
被試験電極TBから帰還する二次電子や反射電子11bが
検出手段13により検出される。例えば、コア部に設け
られた被試験電極TBの電圧レベル「H」(ハイ),
「L」(ロー)が検出される。
手段12により偏向され、被測定対象16のコア部分の
被試験電極TBから帰還する二次電子や反射電子11bが
検出手段13により検出される。例えば、コア部に設け
られた被試験電極TBの電圧レベル「H」(ハイ),
「L」(ロー)が検出される。
【0028】このため、試験データやその試験結果デー
タの授受に係わり被測定対象16の全ての被試験電極T
A,TBと試験用プローブ電極14Aとを接触させること
なく、該プローブ電極14Aを接触させることが困難な被
試験電極TBについては、その信号変化を電子ビーム11
aによる二次電子や反射電子11bにより取得することが
でき、LSI装置が高集積化,超微細化した場合であっ
ても、電気的良好な状態で試験をすることが可能とな
る。
タの授受に係わり被測定対象16の全ての被試験電極T
A,TBと試験用プローブ電極14Aとを接触させること
なく、該プローブ電極14Aを接触させることが困難な被
試験電極TBについては、その信号変化を電子ビーム11
aによる二次電子や反射電子11bにより取得することが
でき、LSI装置が高集積化,超微細化した場合であっ
ても、電気的良好な状態で試験をすることが可能とな
る。
【0029】これにより、従来例の試験用プロービング
装置に比べて本発明の半導体試験装置によれば、フリッ
プチップ型のLSI装置等の機能試験や動作試験を精度
良く行うことが可能となる。
装置に比べて本発明の半導体試験装置によれば、フリッ
プチップ型のLSI装置等の機能試験や動作試験を精度
良く行うことが可能となる。
【0030】また、本発明の半導体集積回路装置の試験
方法によれば、図2(b)のフローチャートに示すよう
に、ステップP2で試験用プローブ電極14Aが接触され
た半導体集積回路装置16Aに試験データDの供給処理や
該半導体集積回路装置16Aに電子ビーム11aの照射/偏
向処理をしている。
方法によれば、図2(b)のフローチャートに示すよう
に、ステップP2で試験用プローブ電極14Aが接触され
た半導体集積回路装置16Aに試験データDの供給処理や
該半導体集積回路装置16Aに電子ビーム11aの照射/偏
向処理をしている。
【0031】例えば、半導体集積回路装置16Aの平面外
周領域に設けられた被試験電極TAに試験用プローブ電
極14Aが接触処理され、該平面外周領域以外の平面内部
領域に設けられた他の被試験電極TBに電子ビーム11a
が順次、シリアル走査処理される。
周領域に設けられた被試験電極TAに試験用プローブ電
極14Aが接触処理され、該平面外周領域以外の平面内部
領域に設けられた他の被試験電極TBに電子ビーム11a
が順次、シリアル走査処理される。
【0032】このため、ステップP3で半導体集積回路
装置16Aから帰還する二次電子や反射電子11bの検出処
理に基づいて半導体集積回路装置16Aの試験処理するこ
とにより、コア部に設けられた被試験電極TBの電圧レ
ベル「H」(ハイ),「L」(ロー)を検出することが
可能となる。
装置16Aから帰還する二次電子や反射電子11bの検出処
理に基づいて半導体集積回路装置16Aの試験処理するこ
とにより、コア部に設けられた被試験電極TBの電圧レ
ベル「H」(ハイ),「L」(ロー)を検出することが
可能となる。
【0033】このことで、半導体集積回路装置16Aのコ
ア部に設けられた被試験電極TAに接触させる試験用プ
ローブ電極14Aが不要となり、その外周辺部に設けられ
た被試験電極TAに接触させる試験用プローブ電極14A
の共存が強いられず、従来例のプローブ体の構成で十分
足りる。
ア部に設けられた被試験電極TAに接触させる試験用プ
ローブ電極14Aが不要となり、その外周辺部に設けられ
た被試験電極TAに接触させる試験用プローブ電極14A
の共存が強いられず、従来例のプローブ体の構成で十分
足りる。
【0034】従って、試験用プローブ電極14Aに改良を
加えることなく、その垂直位置合わせも従来例のような
外周辺部の被試験電極TAのみである。また、コア部の
被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aが当てられな
いので静電気等のストレスが避けられ、従来例のような
静電気保護回路の形成も不要となる。
加えることなく、その垂直位置合わせも従来例のような
外周辺部の被試験電極TAのみである。また、コア部の
被試験電極TAに試験用プローブ電極14Aが当てられな
いので静電気等のストレスが避けられ、従来例のような
静電気保護回路の形成も不要となる。
【0035】これにより、電気的接触の良好な状態で、
LSI装置の出荷試験等をすることが可能となり、その
機能試験や動作試験を信頼性良く行うことが可能とな
る。
LSI装置の出荷試験等をすることが可能となり、その
機能試験や動作試験を信頼性良く行うことが可能とな
る。
【0036】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図3〜6は、本発明の実施例に係る半
導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法を説明
する図であり、図3は、本発明の実施例に係る半導体試
験装置の構成図を示している。
いて説明をする。図3〜6は、本発明の実施例に係る半
導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法を説明
する図であり、図3は、本発明の実施例に係る半導体試
験装置の構成図を示している。
【0037】例えば、図5(b)に示すような外周辺部
とコア部とにパッド電極TA,TBを有する被測定対象
16の試験をする半導体試験装置(以下電子ビーム装置
ともいう)は、図3において、電子銃21,静電偏向器
22A,電磁偏向器22B,その他の偏向部22C,偏向駆動
制御装置22D,二次電子検出器23A,信号処理回路23
B,プローブ体24A,プローブ制御装置24B,制御装置
25,ステージ26,ステージ移動装置27から成る。
とコア部とにパッド電極TA,TBを有する被測定対象
16の試験をする半導体試験装置(以下電子ビーム装置
ともいう)は、図3において、電子銃21,静電偏向器
22A,電磁偏向器22B,その他の偏向部22C,偏向駆動
制御装置22D,二次電子検出器23A,信号処理回路23
B,プローブ体24A,プローブ制御装置24B,制御装置
25,ステージ26,ステージ移動装置27から成る。
【0038】すなわち、電子銃21は電子発生源11の
一実施例であり、制御装置25からのビーム制御信号S
1に基づいて被測定対象16に電子ビーム11aを照射す
るものである。
一実施例であり、制御装置25からのビーム制御信号S
1に基づいて被測定対象16に電子ビーム11aを照射す
るものである。
【0039】静電偏向器22A,電磁偏向器22B,その他
の偏向部22C及び偏向駆動制御装置22Dは偏向駆動手段
12の一実施例を構成するものであり、静電偏向器22A
は電子ビーム11aを静電偏向するものである。また、電
磁偏向器22Bは、電子ビーム11aを電磁偏向するもので
あり、その他の偏向部22Cは電子レンズや焦点調整器で
ある。
の偏向部22C及び偏向駆動制御装置22Dは偏向駆動手段
12の一実施例を構成するものであり、静電偏向器22A
は電子ビーム11aを静電偏向するものである。また、電
磁偏向器22Bは、電子ビーム11aを電磁偏向するもので
あり、その他の偏向部22Cは電子レンズや焦点調整器で
ある。
【0040】偏向駆動制御装置22Dは制御装置25から
の偏向データD1に基づいて静電偏向器22A,電磁偏向
器22B及びその他の偏向部22Cの出力を制御するもので
ある。
の偏向データD1に基づいて静電偏向器22A,電磁偏向
器22B及びその他の偏向部22Cの出力を制御するもので
ある。
【0041】二次電子検出器23A,信号処理回路23Bは
検出手段13の一実施例を構成するものであり、二次電
子検出器23Aは被測定対象16のコア部のパッド電極
(以下出力パッド電極という)TBから帰還する二次電
子や反射電子11bを検出するものである。また、信号処
理回路23Bは、二次電子検出信号S2をアナログ/デジ
タル変換をして、電圧取得データD2を制御装置25に
出力するものである。
検出手段13の一実施例を構成するものであり、二次電
子検出器23Aは被測定対象16のコア部のパッド電極
(以下出力パッド電極という)TBから帰還する二次電
子や反射電子11bを検出するものである。また、信号処
理回路23Bは、二次電子検出信号S2をアナログ/デジ
タル変換をして、電圧取得データD2を制御装置25に
出力するものである。
【0042】プローブ体24A,プローブ制御装置24Bは
電極接触手段14の一実施例を構成するものであり、従
来例の電子ビーム装置になく、本発明によって付加され
るものである。
電極接触手段14の一実施例を構成するものであり、従
来例の電子ビーム装置になく、本発明によって付加され
るものである。
【0043】プローブ体24Aは被測定対象16の外周辺
部に設けられた複数の被試験電極(以下入力パッド電極
という)TAに、1対1に対応付けて複数の試験用プロ
ーブ電極14Aを接触させるものである。また、プローブ
制御装置24Bはプローブ体24Aに試験データD3を供給
したり、試験用プローブ電極14Aの接触状態を制御する
ものである。
部に設けられた複数の被試験電極(以下入力パッド電極
という)TAに、1対1に対応付けて複数の試験用プロ
ーブ電極14Aを接触させるものである。また、プローブ
制御装置24Bはプローブ体24Aに試験データD3を供給
したり、試験用プローブ電極14Aの接触状態を制御する
ものである。
【0044】制御装置25は制御手段15の一実施例で
あり、電子銃21,偏向駆動制御装置22D,信号処理装
置23B及びプローブ制御装置24B及びステージ移動装置
27の入出力を制御するものである。
あり、電子銃21,偏向駆動制御装置22D,信号処理装
置23B及びプローブ制御装置24B及びステージ移動装置
27の入出力を制御するものである。
【0045】なお、ステージ26は、被測定対象16を
載置するものであり、ステージ移動装置27は、制御装
置25からの移動制御データD4に基づいて該ステージ
26をX−Y−Z方向に移動するものである。
載置するものであり、ステージ移動装置27は、制御装
置25からの移動制御データD4に基づいて該ステージ
26をX−Y−Z方向に移動するものである。
【0046】このようにして、本発明の実施例に係る半
導体試験装置によれば、図3に示すように、電子銃2
1,静電偏向器22A,電磁偏向器22B,その他の偏向部
22C,偏向駆動制御装置22D,二次電子検出器23A,信
号処理回路23B,プローブ体24A,プローブ制御装置24
B,制御装置25,ステージ26,ステージ移動装置2
7が具備されている。
導体試験装置によれば、図3に示すように、電子銃2
1,静電偏向器22A,電磁偏向器22B,その他の偏向部
22C,偏向駆動制御装置22D,二次電子検出器23A,信
号処理回路23B,プローブ体24A,プローブ制御装置24
B,制御装置25,ステージ26,ステージ移動装置2
7が具備されている。
【0047】例えば、被測定対象16の外周辺部に設け
られた入力パッド電極TAに試験用プローブ電極14Aが
制御装置25,プローブ制御装置24Bを介してプローブ
体24Aにより接触され、この状態で、電子銃21から被
測定対象16のコア部分に設けられた出力パッド電極T
Bに電子ビーム11aが照射される。
られた入力パッド電極TAに試験用プローブ電極14Aが
制御装置25,プローブ制御装置24Bを介してプローブ
体24Aにより接触され、この状態で、電子銃21から被
測定対象16のコア部分に設けられた出力パッド電極T
Bに電子ビーム11aが照射される。
【0048】これにより、偏向駆動制御装置22Dを介し
て静電偏向器22A,電磁偏向器22B及びその他の偏向部
22Cにより電子ビーム11aが静電偏/電磁偏向され、被
測定対象16のコア部分の出力パッド電極TBから帰還
する二次電子や反射電子11bが二次電子検出器23Aを介
して信号処理回路23Bにより検出される。例えば、コア
部に設けられた出力パッド電極TBの電圧レベル「H」
(ハイ),「L」(ロー)が信号処理回路23Bから制御
装置25に出力される。
て静電偏向器22A,電磁偏向器22B及びその他の偏向部
22Cにより電子ビーム11aが静電偏/電磁偏向され、被
測定対象16のコア部分の出力パッド電極TBから帰還
する二次電子や反射電子11bが二次電子検出器23Aを介
して信号処理回路23Bにより検出される。例えば、コア
部に設けられた出力パッド電極TBの電圧レベル「H」
(ハイ),「L」(ロー)が信号処理回路23Bから制御
装置25に出力される。
【0049】このため、試験データD3やその電圧取得
データD2の授受に係わり被測定対象16の全てのパッ
ド電極TA,TBと試験用プローブ電極14Aとを接触さ
せることなく、該プローブ電極14Aを接触させることが
困難な出力パッド電極TBについては、その信号変化を
電子ビーム11aによる二次電子や反射電子11bにより取
得することができ、LSI装置が高集積化,超微細化し
た場合であっても、電気的良好な状態で試験をすること
が可能となる。
データD2の授受に係わり被測定対象16の全てのパッ
ド電極TA,TBと試験用プローブ電極14Aとを接触さ
せることなく、該プローブ電極14Aを接触させることが
困難な出力パッド電極TBについては、その信号変化を
電子ビーム11aによる二次電子や反射電子11bにより取
得することができ、LSI装置が高集積化,超微細化し
た場合であっても、電気的良好な状態で試験をすること
が可能となる。
【0050】これにより、従来例の試験用プロービング
装置に比べて本発明の半導体試験装置によれば、フリッ
プチップ型のLSI装置等の機能試験や動作試験を精度
良く行うことが可能となる。
装置に比べて本発明の半導体試験装置によれば、フリッ
プチップ型のLSI装置等の機能試験や動作試験を精度
良く行うことが可能となる。
【0051】次に、本発明の実施例に係る半導体試験装
置を用いた半導体集積回路装置の試験方法について、当
該半導体試験装置の動作を補足しながら説明をする。図
4は本発明の実施例に係る半導体集積回路装置の試験フ
ローチャートであり、図5,6はその補足説明図をそれ
ぞれ示している。
置を用いた半導体集積回路装置の試験方法について、当
該半導体試験装置の動作を補足しながら説明をする。図
4は本発明の実施例に係る半導体集積回路装置の試験フ
ローチャートであり、図5,6はその補足説明図をそれ
ぞれ示している。
【0052】例えば、図3に示すような電子ビーム装置
を用いて図5(a)に示すような半導体集積回路(以下
LSIという)装置16Aが多数形成された半導体ウエハ
36の試験をする場合、図4のフローチャートに示すよ
うに、まず、ステップP1でLSI装置16Aが形成され
た半導体ウエハ36を電子ビーム鏡筒内のステージ26
に載置し、電子ビーム鏡筒内を真空引き処理をする。
を用いて図5(a)に示すような半導体集積回路(以下
LSIという)装置16Aが多数形成された半導体ウエハ
36の試験をする場合、図4のフローチャートに示すよ
うに、まず、ステップP1でLSI装置16Aが形成され
た半導体ウエハ36を電子ビーム鏡筒内のステージ26
に載置し、電子ビーム鏡筒内を真空引き処理をする。
【0053】次に、ステップP2で最初のLSI装置16
Aの入力パッド電極TAに試験用プローブ電極14Aの接
触処理をする。この際に、図5(b)に示すようにLS
I装置16Aの平面外周領域に設けられた入力パッド電極
TAに試験用プローブ電極14Aの接触処理をする。
Aの入力パッド電極TAに試験用プローブ電極14Aの接
触処理をする。この際に、図5(b)に示すようにLS
I装置16Aの平面外周領域に設けられた入力パッド電極
TAに試験用プローブ電極14Aの接触処理をする。
【0054】なお、プローブ体24AによりLSI装置16
Aの外周辺部に設けられた複数の入力パッド電極TAと
複数の試験用プローブ電極14Aとが1対1に対応付けら
れて接触される。また、半導体ウエハ36が載置された
ステージ26は、移動制御データD4に基づいてステー
ジ移動装置27によりX−Y−Z方向に移動される。
Aの外周辺部に設けられた複数の入力パッド電極TAと
複数の試験用プローブ電極14Aとが1対1に対応付けら
れて接触される。また、半導体ウエハ36が載置された
ステージ26は、移動制御データD4に基づいてステー
ジ移動装置27によりX−Y−Z方向に移動される。
【0055】さらに、ステップP3で試験用プローブ電
極14Aが接触されたLSI装置16Aに試験データD3の
供給処理をする。この際に、プローブ制御装置24Bから
プローブ体24Aに試験データD3が供給され、また、試
験用プローブ電極14Aの接触状態がプローブ制御装置24
Bにより制御される。
極14Aが接触されたLSI装置16Aに試験データD3の
供給処理をする。この際に、プローブ制御装置24Bから
プローブ体24Aに試験データD3が供給され、また、試
験用プローブ電極14Aの接触状態がプローブ制御装置24
Bにより制御される。
【0056】併せて、ステップP4でLSI装置16Aに
電子ビーム11aの照射/偏向処理をする。この際に、図
5(b)に示すように、LSI装置16Aの平面外周領域
以外の平面内部領域(コア部)に設けられた出力パッド
電極TBに電子ビーム11aを順次、シリアル走査処理を
する。例えば、ビーム制御信号S1に基づいて電子銃2
1から被測定対象16に電子ビーム11aが照射される
と、偏向データD1に基づいて静電偏向器22A,電磁偏
向器22B及びその他の偏向部22Cの出力が偏向駆動制御
装置22Dにより制御される。
電子ビーム11aの照射/偏向処理をする。この際に、図
5(b)に示すように、LSI装置16Aの平面外周領域
以外の平面内部領域(コア部)に設けられた出力パッド
電極TBに電子ビーム11aを順次、シリアル走査処理を
する。例えば、ビーム制御信号S1に基づいて電子銃2
1から被測定対象16に電子ビーム11aが照射される
と、偏向データD1に基づいて静電偏向器22A,電磁偏
向器22B及びその他の偏向部22Cの出力が偏向駆動制御
装置22Dにより制御される。
【0057】これにより、静電偏向器22Aにより電子ビ
ーム11aが静電偏向され、また、電磁偏向器22Bにより
電子ビーム11aが電磁偏向され、複数の出力パッド電極
TBに電子ビーム11aをシリアル走査することできる。
ーム11aが静電偏向され、また、電磁偏向器22Bにより
電子ビーム11aが電磁偏向され、複数の出力パッド電極
TBに電子ビーム11aをシリアル走査することできる。
【0058】その後、ステップP5でLSI装置16Aか
ら帰還する二次電子や反射電子11bの検出処理をする。
この際に、LSI装置16Aのコア部の出力パッド電極T
Bから帰還する二次電子や反射電子11bが二次電子検出
器23Aにより検出される。
ら帰還する二次電子や反射電子11bの検出処理をする。
この際に、LSI装置16Aのコア部の出力パッド電極T
Bから帰還する二次電子や反射電子11bが二次電子検出
器23Aにより検出される。
【0059】また、二次電子検出信号S2が図6(a)
に示すように、信号処理回路23Bによりアナログ/デジ
タル変換されて、その閾値電圧Vthを基準にした電圧取
得データD2が該回路23Bから制御装置25に出力され
る。
に示すように、信号処理回路23Bによりアナログ/デジ
タル変換されて、その閾値電圧Vthを基準にした電圧取
得データD2が該回路23Bから制御装置25に出力され
る。
【0060】さらに、ステップP6で検出処理に基づい
てLSI装置16Aの試験処理する。この際に、制御装置
25では、例えば、試験結果となる電圧取得データD2
と期待値データとが比較処理され、当該LSI装置16A
の評価される。
てLSI装置16Aの試験処理する。この際に、制御装置
25では、例えば、試験結果となる電圧取得データD2
と期待値データとが比較処理され、当該LSI装置16A
の評価される。
【0061】次いで、ステップP7で当該LSI装置16
Aの試験終了か否かの判断をする。この際に、該装置16
Aの試験が終了した場合(YES)には、ステップP8に
移行する。該装置16Aの試験が終了しない場合(NO)
には、ステップP6に戻って試験処理を継続する。
Aの試験終了か否かの判断をする。この際に、該装置16
Aの試験が終了した場合(YES)には、ステップP8に
移行する。該装置16Aの試験が終了しない場合(NO)
には、ステップP6に戻って試験処理を継続する。
【0062】さらに、ステップP8で当該半導体ウエハ
36全体の試験終了か否かの判断をする。この際に、該
ウエハの試験が全部終了した場合(YES)には、試験処
理を終了する。また、該ウエハの試験が全部終了しない
場合(NO)には、ステップP2に戻って次のLSI装
置16Aの試験処理を継続する。
36全体の試験終了か否かの判断をする。この際に、該
ウエハの試験が全部終了した場合(YES)には、試験処
理を終了する。また、該ウエハの試験が全部終了しない
場合(NO)には、ステップP2に戻って次のLSI装
置16Aの試験処理を継続する。
【0063】このようにして、本発明の実施例に係る半
導体集積回路装置の試験方法によれば、図4のフローチ
ャートに示すように、ステップP3で試験用プローブ電
極14Aが接触されたLSI装置16Aに試験データD3の
供給処理やステップP4で該LSI装置16Aに電子ビー
ム11aの照射/偏向処理をしている。
導体集積回路装置の試験方法によれば、図4のフローチ
ャートに示すように、ステップP3で試験用プローブ電
極14Aが接触されたLSI装置16Aに試験データD3の
供給処理やステップP4で該LSI装置16Aに電子ビー
ム11aの照射/偏向処理をしている。
【0064】例えば、ステップP2でLSI装置16Aの
平面外周領域に設けられた入力パッド電極TAに試験用
プローブ電極14Aが接触処理され、ステップP4でその
平面外周領域以外の平面内部領域に設けられた他の出力
パッド電極TBに電子ビーム11aが順次、シリアル走査
処理される。
平面外周領域に設けられた入力パッド電極TAに試験用
プローブ電極14Aが接触処理され、ステップP4でその
平面外周領域以外の平面内部領域に設けられた他の出力
パッド電極TBに電子ビーム11aが順次、シリアル走査
処理される。
【0065】このため、ステップP5でLSI装置16A
から帰還する二次電子や反射電子11bの検出処理に基づ
いてLSI装置16Aの試験処理することにより、コア部
に設けられた出力パッド電極TBの電圧レベル「H」
(ハイ),「L」(ロー)を検出することが可能とな
る。
から帰還する二次電子や反射電子11bの検出処理に基づ
いてLSI装置16Aの試験処理することにより、コア部
に設けられた出力パッド電極TBの電圧レベル「H」
(ハイ),「L」(ロー)を検出することが可能とな
る。
【0066】このことで、LSI装置16Aのコア部に設
けられた出力パッド電極TBに接触させる試験用プロー
ブ電極14Aが不要となり、その外周辺部に設けられた入
力パッド電極TAに接触させる試験用プローブ電極14A
の共存が強いられず、従来例のプローブ体の構成で十分
足りる。
けられた出力パッド電極TBに接触させる試験用プロー
ブ電極14Aが不要となり、その外周辺部に設けられた入
力パッド電極TAに接触させる試験用プローブ電極14A
の共存が強いられず、従来例のプローブ体の構成で十分
足りる。
【0067】従って、試験用プローブ電極14Aに改良を
加えることなく、その垂直位置合わせも従来例のような
外周辺部の入力パッド電極TAのみである。また、コア
部の出力パッド電極TBに試験用プローブ電極14Aが当
てられないので静電気等のストレスが避けられ、従来例
のような静電気保護回路の形成も不要となる。
加えることなく、その垂直位置合わせも従来例のような
外周辺部の入力パッド電極TAのみである。また、コア
部の出力パッド電極TBに試験用プローブ電極14Aが当
てられないので静電気等のストレスが避けられ、従来例
のような静電気保護回路の形成も不要となる。
【0068】さらに、真空中において試験が行われるこ
とからゴミやちり等の影響が極力抑制される。これによ
り、電気的接触の良好な状態で、LSI装置の出荷試験
等をすることが可能となり、その機能試験や動作試験を
信頼性良く行うことが可能となる。
とからゴミやちり等の影響が極力抑制される。これによ
り、電気的接触の良好な状態で、LSI装置の出荷試験
等をすることが可能となり、その機能試験や動作試験を
信頼性良く行うことが可能となる。
【0069】なお、本発明の実施例に係る半導体集積回
路装置の試験方法によれば、出力パッド電極TBに電子
ビーム11aを順次、シリアル走査する方法について述べ
たが、図6(b)に示すように該出力パッド電極TBに
電子ビーム11aを順次、パラレル走査処理をしても良
い。
路装置の試験方法によれば、出力パッド電極TBに電子
ビーム11aを順次、シリアル走査する方法について述べ
たが、図6(b)に示すように該出力パッド電極TBに
電子ビーム11aを順次、パラレル走査処理をしても良
い。
【0070】これにより、半導体集積回路装置の機能試
験や動作試験等を高速に行うことが可能となる。
験や動作試験等を高速に行うことが可能となる。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体試
験装置によれば、電子発生源,偏向駆動手段,検出手
段,電極接触手段及び制御手段が具備され、被測定対象
のコア部分に設けられた被試験電極に電子ビームが照射
される。
験装置によれば、電子発生源,偏向駆動手段,検出手
段,電極接触手段及び制御手段が具備され、被測定対象
のコア部分に設けられた被試験電極に電子ビームが照射
される。
【0072】このため、試験データやその試験結果デー
タの授受に係わり被測定対象の全ての被試験電極と試験
用プローブ電極とを接触させることなく、該プローブ電
極を接触させることが困難な被試験電極については、そ
の信号変化を電子ビームによる二次電子や反射電子によ
り取得することができ、LSI装置が高集積化,超微細
化した場合であっても、電気的良好な状態で試験をする
ことが可能となる。
タの授受に係わり被測定対象の全ての被試験電極と試験
用プローブ電極とを接触させることなく、該プローブ電
極を接触させることが困難な被試験電極については、そ
の信号変化を電子ビームによる二次電子や反射電子によ
り取得することができ、LSI装置が高集積化,超微細
化した場合であっても、電気的良好な状態で試験をする
ことが可能となる。
【0073】また、本発明の半導体集積回路装置の試験
方法によれば、試験用プローブ電極が接触された半導体
集積回路装置に試験データの供給処理や該半導体集積回
路装置に電子ビームの照射/偏向処理をしている。
方法によれば、試験用プローブ電極が接触された半導体
集積回路装置に試験データの供給処理や該半導体集積回
路装置に電子ビームの照射/偏向処理をしている。
【0074】このため、半導体集積回路装置から帰還す
る二次電子や反射電子の検出処理に基づいてコア部に設
けられた被試験電極の電圧レベルを検出することが可能
となる。このことで、半導体集積回路装置のコア部に被
試験電極が設けられた場合であっても、試験用プローブ
電極を接触させることなく、その信号変化を二次電子や
反射電子により取得することができ、従来例のプローブ
体の構成で十分足りる。
る二次電子や反射電子の検出処理に基づいてコア部に設
けられた被試験電極の電圧レベルを検出することが可能
となる。このことで、半導体集積回路装置のコア部に被
試験電極が設けられた場合であっても、試験用プローブ
電極を接触させることなく、その信号変化を二次電子や
反射電子により取得することができ、従来例のプローブ
体の構成で十分足りる。
【0075】これにより、フリップチップ型の半導体集
積回路装置の機能試験や動作試験を精度良く行うことが
可能な半導体試験装置の提供に寄与するところが大き
い。
積回路装置の機能試験や動作試験を精度良く行うことが
可能な半導体試験装置の提供に寄与するところが大き
い。
【図1】本発明に係る半導体試験装置の原理図である。
【図2】本発明に係る半導体集積回路装置の試験方法の
原理図である。
原理図である。
【図3】本発明の実施例に係る半導体試験装置の構成図
である。
である。
【図4】本発明の実施例に係る半導体集積回路装置の試
験フローチャートである。
験フローチャートである。
【図5】本発明の実施例に係る試験フローチャートの補
足説明図(その1)である。
足説明図(その1)である。
【図6】本発明の実施例に係る試験フローチャートの補
足説明図(その2)である。
足説明図(その2)である。
【図7】従来例に係る半導体試験装置の説明図である。
【図8】従来例に係る問題点を説明する半導体集積回路
装置の構成図である。
装置の構成図である。
11…電子発生源、 12…偏向駆動手段、 13…検出手段、 14…電極接触手段、 15…制御手段、 14A…試験用プローブ電極、 11a…電子ビーム、 11b…二次電子や反射電子、 TA,TB…被試験電極,他の被試験電極、 D…試験データ。
Claims (4)
- 【請求項1】 被測定対象(16)に電子ビーム(11
a)を照射する電子発生源(11)と、前記電子ビーム
(11a)を偏向する偏向駆動手段(12)と、前記被測
定対象(16)から帰還する二次電子や反射電子(11
b)を検出する検出手段(13)と、前記被測定対象
(16)の被試験電極(TA)に試験用プローブ電極
(14A)を接触させる電極接触手段(14)と、前記電
子発生源(11),偏向駆動手段(12),検出手段
(13)及び電極接触手段(14)の入出力を制御する
制御手段(15)とを具備することを特徴とする半導体
試験装置。 - 【請求項2】 電子ビーム(11a)を用いた半導体集積
回路装置の試験方法において、半導体集積回路装置(16
A)の被試験電極(TA)に試験用プローブ電極(14
A)の接触処理をし、前記試験用プローブ電極(14A)
が接触された半導体集積回路装置(16A)に試験データ
(D)の供給処理と該半導体集積回路装置(16A)に電
子ビーム(11a)の照射/偏向処理とをし、前記半導体
集積回路装置(16A)から帰還する二次電子や反射電子
(11b)の検出処理に基づいて半導体集積回路装置(16
A)の試験処理することを特徴とする半導体集積回路装
置の試験方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の半導体集積回路装置の試
験方法において、前記半導体集積回路装置(16A)の平
面外周領域に設けられた被試験電極(TA)に試験用プ
ローブ電極(14A)の接触処理をし、前記平面外周領域
以外の平面内部領域に設けられた他の被試験電極(T
B)に電子ビーム(11a)を順次、シリアル走査処理を
することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。 - 【請求項4】 請求項2記載の半導体集積回路装置の試
験方法において、前記平面外周領域以外の平面内部領域
に設けられた他の被試験電極(TB)に電子ビーム(11
a)を順次、パラレル走査処理をすることを特徴とする
半導体集積回路装置の試験方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22794791A JPH0567654A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22794791A JPH0567654A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0567654A true JPH0567654A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16868769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22794791A Withdrawn JPH0567654A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0567654A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347773A (ja) * | 2005-08-05 | 2005-12-15 | Renesas Technology Corp | 試料検査装置 |
JP2006352165A (ja) * | 2006-09-21 | 2006-12-28 | Hitachi Ltd | 不良検査方法および装置 |
JP2008300878A (ja) * | 2008-09-04 | 2008-12-11 | Hitachi Ltd | 不良検査方法および装置 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP22794791A patent/JPH0567654A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347773A (ja) * | 2005-08-05 | 2005-12-15 | Renesas Technology Corp | 試料検査装置 |
JP2006352165A (ja) * | 2006-09-21 | 2006-12-28 | Hitachi Ltd | 不良検査方法および装置 |
JP4735491B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2011-07-27 | 株式会社日立製作所 | 不良検査方法および装置 |
JP2008300878A (ja) * | 2008-09-04 | 2008-12-11 | Hitachi Ltd | 不良検査方法および装置 |
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