RU1798834C - Способ контрол чипов на пластине - Google Patents
Способ контрол чипов на пластинеInfo
- Publication number
- RU1798834C RU1798834C SU904780040A SU4780040A RU1798834C RU 1798834 C RU1798834 C RU 1798834C SU 904780040 A SU904780040 A SU 904780040A SU 4780040 A SU4780040 A SU 4780040A RU 1798834 C RU1798834 C RU 1798834C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chip
- plate
- electron
- relative
- energy analyzer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Использование: Изобретение относитс к электронно-лучевому контролю изделий микроэлектроники, Целью изобретени в-. 2 л етс повышение производительности процесса контрол чипов на пластине за счет исключени операции кривизны координат растра к координатам топологии исследуемого чипа. Сущность изобретени : во врем контрол чипа пластину жестко фиксируют относительно электронно-оптцче- ской системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществ- л кэт путем перемещени анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении движени электронного пучка, перемещающегос от узла к узлу. Искомые величины определ ютс по спектральным характеристикам вторично-эмиссионного сигнала.
Description
Изобретение относитс к области электронно-лучевого технологического контрол изделий микроэлектроники.
Целью изобретени вл етс повышение производительности способа, ..... Примером конкретного выполнени способа вл етс процедура контрол распределений потенциалов в электрических цеп х, чипов дл ИС К133.
Кремниевую пластину устанавливают в объёктодержатель и совмещают центр первого контролируемого участка первого чипа с центром приемного окна анализатора. Далее опускают на пластину зондовую головку до образовани омических контактов между зондами головки и контактными площадками чипа. После этого, сканируют поверхность чипа электронным пучком; регистрируют видеосигнал топологии участка чипа и по видеосигналу определ ют координаты тестируемых узлой, лежащих в пределах первого участка. Подают через зондо- вую головку на чип питающие и рабочие напр жени и начинают последовательное зондирование узлов, постепенно перемеща пучок в сторону следующего контролируемого участка, Причем при облучении каждого узла измер ют величину сдвига спектра вторичных электронов и определ ют по этой величине потенциал узла. Одновременно с этим, по мере перемещени пучка, осуществл ют перемещение анализатора энергий электронов. И так до тех пор, пока все участки поверхности чипа не будут просканированы и протестированы. Затем осуществл ют переход К следующему чипу и повтор ют всю последовательность операций/:
Claims (1)
- Формула изобретени Способ контрол ,чипов на пластине, включающий размещение пластины относительно анализатора энергий электронов,елс41 о0000о4подачу на контактные площадки чипа питающих и рабочих напр жений, формирование с пбмощыд электронно-оптической системы электронным пучком растра на поверхности чипа, расположенной в пределах приемной апертуры анализатора энергии электронов, последовательное облучение электронным пучком контролируемых узлов электрической цепи чипа, лежащих в пределах участка поверхности, ограниченного приемнрй апертурой анализатора, регистт рацию спектральных характеристик вторич- нб-эмибсионнрго сйгн& а, определение rto зарегистрированным данным искомых величин и переход к следующему участку поверхности чипа путем относительного перемещени пластины и анализатора энергий электронов, отличающийс тем, что, с целью повышени производительности способа, во врем контрол чипа пластину жестко фиксируют относительно электр6н но-рптической системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществл ют путем перемещени анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении электронного пучка, перемещающегос , от узла к узлу.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904780040A RU1798834C (ru) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Способ контрол чипов на пластине |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904780040A RU1798834C (ru) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Способ контрол чипов на пластине |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1798834C true RU1798834C (ru) | 1993-02-28 |
Family
ID=21490389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904780040A RU1798834C (ru) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | Способ контрол чипов на пластине |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1798834C (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2713090C1 (ru) * | 2019-03-20 | 2020-02-03 | Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук | Способ обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком |
-
1990
- 1990-01-09 RU SU904780040A patent/RU1798834C/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2713090C1 (ru) * | 2019-03-20 | 2020-02-03 | Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук | Способ обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2102880C (en) | System using induced current for contactless testing of wiring networks | |
JP4657394B2 (ja) | ウエハにおける欠陥を検知する方法及び装置 | |
US7498828B2 (en) | Probe station with low inductance path | |
EP0424270A2 (en) | Electro-emissive laser stimulated test | |
US6188074B1 (en) | Charged particle beam exposure apparatus | |
RU1798834C (ru) | Способ контрол чипов на пластине | |
US4575630A (en) | Electron-beam testing of semiconductor wafers | |
Sparrow et al. | Application of scanning transmission electron microscopy to semiconductor devices | |
US6724181B2 (en) | Method of calibrating a test system for semiconductor components, and test substrate | |
US11307247B2 (en) | Prober with busbar mechanism for testing a device under test | |
JPH1144724A (ja) | 回路基板検査装置 | |
US6653629B2 (en) | Specimen inspection instrument | |
Brunner et al. | Electron-beam MCM testing and probing | |
EP0237406A3 (en) | Electron beam testing of semiconductor wafers | |
JP3434946B2 (ja) | 荷電粒子線試験装置 | |
US6839646B2 (en) | Electron beam test system and electron beam test method | |
US7141995B2 (en) | Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method | |
JPH0567654A (ja) | 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法 | |
JP2001291750A (ja) | プローブカード及びそれを用いたチップ領域ソート方法 | |
CN116865100A (zh) | Vcsel晶圆 | |
Brunner et al. | Electron-beam MCM substrate tester | |
Weichert et al. | A charge compensation method for measuring passivated devices with high extraction voltage | |
JPS6164135A (ja) | 半導体解析装置 | |
Thong et al. | Ultrahigh speed electron beam pulsing systems for electron beam testing | |
JPH11345845A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体試験装置 |