RU1798834C - Способ контрол чипов на пластине - Google Patents

Способ контрол чипов на пластине

Info

Publication number
RU1798834C
RU1798834C SU904780040A SU4780040A RU1798834C RU 1798834 C RU1798834 C RU 1798834C SU 904780040 A SU904780040 A SU 904780040A SU 4780040 A SU4780040 A SU 4780040A RU 1798834 C RU1798834 C RU 1798834C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chip
plate
electron
relative
energy analyzer
Prior art date
Application number
SU904780040A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Витальевич Рыбалко
Original Assignee
Московский Институт Электронного Машиностроения
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Институт Электронного Машиностроения filed Critical Московский Институт Электронного Машиностроения
Priority to SU904780040A priority Critical patent/RU1798834C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1798834C publication Critical patent/RU1798834C/ru

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

Использование: Изобретение относитс  к электронно-лучевому контролю изделий микроэлектроники, Целью изобретени   в-. 2 л етс  повышение производительности процесса контрол  чипов на пластине за счет исключени  операции кривизны координат растра к координатам топологии исследуемого чипа. Сущность изобретени : во врем  контрол  чипа пластину жестко фиксируют относительно электронно-оптцче- ской системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществ- л кэт путем перемещени  анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении движени  электронного пучка, перемещающегос  от узла к узлу. Искомые величины определ ютс  по спектральным характеристикам вторично-эмиссионного сигнала.

Description

Изобретение относитс  к области электронно-лучевого технологического контрол  изделий микроэлектроники.
Целью изобретени   вл етс  повышение производительности способа, ..... Примером конкретного выполнени  способа  вл етс  процедура контрол  распределений потенциалов в электрических цеп х, чипов дл  ИС К133.
Кремниевую пластину устанавливают в объёктодержатель и совмещают центр первого контролируемого участка первого чипа с центром приемного окна анализатора. Далее опускают на пластину зондовую головку до образовани  омических контактов между зондами головки и контактными площадками чипа. После этого, сканируют поверхность чипа электронным пучком; регистрируют видеосигнал топологии участка чипа и по видеосигналу определ ют координаты тестируемых узлой, лежащих в пределах первого участка. Подают через зондо- вую головку на чип питающие и рабочие напр жени  и начинают последовательное зондирование узлов, постепенно перемеща  пучок в сторону следующего контролируемого участка, Причем при облучении каждого узла измер ют величину сдвига спектра вторичных электронов и определ ют по этой величине потенциал узла. Одновременно с этим, по мере перемещени  пучка, осуществл ют перемещение анализатора энергий электронов. И так до тех пор, пока все участки поверхности чипа не будут просканированы и протестированы. Затем осуществл ют переход К следующему чипу и повтор ют всю последовательность операций/:

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Способ контрол ,чипов на пластине, включающий размещение пластины относительно анализатора энергий электронов,
    ел
    с
    41 о
    00
    00
    о
    4
    подачу на контактные площадки чипа питающих и рабочих напр жений, формирование с пбмощыд электронно-оптической системы электронным пучком растра на поверхности чипа, расположенной в пределах приемной апертуры анализатора энергии электронов, последовательное облучение электронным пучком контролируемых узлов электрической цепи чипа, лежащих в пределах участка поверхности, ограниченного приемнрй апертурой анализатора, регистт рацию спектральных характеристик вторич- нб-эмибсионнрго сйгн& а, определение rto зарегистрированным данным искомых ве
    личин и переход к следующему участку поверхности чипа путем относительного перемещени  пластины и анализатора энергий электронов, отличающийс  тем, что, с целью повышени  производительности способа, во врем  контрол  чипа пластину жестко фиксируют относительно электр6н но-рптической системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществл ют путем перемещени  анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении электронного пучка, перемещающегос , от узла к узлу.
SU904780040A 1990-01-09 1990-01-09 Способ контрол чипов на пластине RU1798834C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904780040A RU1798834C (ru) 1990-01-09 1990-01-09 Способ контрол чипов на пластине

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904780040A RU1798834C (ru) 1990-01-09 1990-01-09 Способ контрол чипов на пластине

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1798834C true RU1798834C (ru) 1993-02-28

Family

ID=21490389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904780040A RU1798834C (ru) 1990-01-09 1990-01-09 Способ контрол чипов на пластине

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1798834C (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2713090C1 (ru) * 2019-03-20 2020-02-03 Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук Способ обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2713090C1 (ru) * 2019-03-20 2020-02-03 Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук Способ обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2102880C (en) System using induced current for contactless testing of wiring networks
JP4657394B2 (ja) ウエハにおける欠陥を検知する方法及び装置
US7498828B2 (en) Probe station with low inductance path
EP0424270A2 (en) Electro-emissive laser stimulated test
US6188074B1 (en) Charged particle beam exposure apparatus
RU1798834C (ru) Способ контрол чипов на пластине
US4575630A (en) Electron-beam testing of semiconductor wafers
Sparrow et al. Application of scanning transmission electron microscopy to semiconductor devices
US6724181B2 (en) Method of calibrating a test system for semiconductor components, and test substrate
US11307247B2 (en) Prober with busbar mechanism for testing a device under test
JPH1144724A (ja) 回路基板検査装置
US6653629B2 (en) Specimen inspection instrument
Brunner et al. Electron-beam MCM testing and probing
EP0237406A3 (en) Electron beam testing of semiconductor wafers
JP3434946B2 (ja) 荷電粒子線試験装置
US6839646B2 (en) Electron beam test system and electron beam test method
US7141995B2 (en) Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method
JPH0567654A (ja) 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法
JP2001291750A (ja) プローブカード及びそれを用いたチップ領域ソート方法
CN116865100A (zh) Vcsel晶圆
Brunner et al. Electron-beam MCM substrate tester
Weichert et al. A charge compensation method for measuring passivated devices with high extraction voltage
JPS6164135A (ja) 半導体解析装置
Thong et al. Ultrahigh speed electron beam pulsing systems for electron beam testing
JPH11345845A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体試験装置