JPH03206631A - Wire bonder - Google Patents

Wire bonder

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Publication number
JPH03206631A
JPH03206631A JP194390A JP194390A JPH03206631A JP H03206631 A JPH03206631 A JP H03206631A JP 194390 A JP194390 A JP 194390A JP 194390 A JP194390 A JP 194390A JP H03206631 A JPH03206631 A JP H03206631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
heater block
lead
lead frame
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP194390A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Shigeta
繁田 真一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu Fujitsu Electronics Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Priority to JP194390A priority Critical patent/JPH03206631A/en
Publication of JPH03206631A publication Critical patent/JPH03206631A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To execute a bonding operation whose reliability is high at a low- temperature bonding operation by a method wherein a lead piece is brought into direct contact with a heater block even at a preheating operation. CONSTITUTION:A heater block 11 is composed of a bonding part 11A and a preheating part 11B. The preheating part 11B is provided with recessed parts 12 into which stages 2 of a lead frames 1 are fitted loosely in the same manner as the bonding part 11A, and comes into contact with lead pieces 3 of the frame 1. Consequently, at both the bonding part 11A and the preheating part 11B, the stages 2 of the frame 1 come into contact with the bottom of the recessed parts 12 and the lead pieces 3 come into contact with the surface of the heater block 11.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 樹脂封止型半導体装置製造等に使用する熱圧着方式のワ
イヤボンダに関し、 低温ボンディングにおいて信頼性の高いボンディングを
可能とするワイヤボンダを提供することを目的とし、 ヒータブロック11はボンディング部11Aと予熱部1
1Bからなっており、該予熱部11Bは該ボンディング
部11Aと同様に上面にリードフレームlのステージ2
が緩く嵌入する凹所l2を有して該リードフレームlの
リード片3に接触する構造であるように構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a thermocompression type wire bonder used in the manufacture of resin-sealed semiconductor devices, the present invention aims to provide a wire bonder that enables highly reliable bonding in low-temperature bonding. The heater block 11 has a bonding part 11A and a preheating part 1.
1B, and the preheating part 11B has a stage 2 of the lead frame l on the upper surface, similar to the bonding part 11A.
The lead frame 1 is configured to have a recess 12 into which the lead frame 1 is loosely fitted, and to come into contact with the lead piece 3 of the lead frame 1.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、樹脂封止型半導体装置製造等に使用する熱圧
着方式のワイヤボンダに関する。
The present invention relates to a thermocompression type wire bonder used for manufacturing resin-sealed semiconductor devices.

樹脂封止型半導体装置におけるワイヤボンディングは、
半導体チップを搭載したリードフレームを加熱して金線
等を半導体チップの電極とリードフレームのリード片に
圧着する「熱圧着方式」が一般的である。一方、樹脂封
止型半導体装置に使用するリードフレームは近時その材
質や表面処理その他か多岐にわたるようになり、低温で
のボンディング(例えば200°C)を要求される場合
が出て来ている。そのため低温であっても信頼性の高い
ボンディングが可能なワイヤボンダの開発が望まれてい
る。
Wire bonding in resin-sealed semiconductor devices is
A common method is a "thermocompression bonding method" in which a lead frame on which a semiconductor chip is mounted is heated and a gold wire or the like is bonded to an electrode of the semiconductor chip and a lead piece of the lead frame. On the other hand, lead frames used in resin-sealed semiconductor devices have recently come in a wide variety of materials, surface treatments, and other aspects, and are now required to be bonded at low temperatures (e.g., 200°C). . Therefore, it is desired to develop a wire bonder that can perform highly reliable bonding even at low temperatures.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の熱圧着式ワイヤボンダのヒータブロック部分を第
3図により説明する。第3図(a) 、(b)は従来の
ヒータブロックの一例を示す模式図である。同図中、l
はリードフレームである。これについては第2図により
やや詳細に説明する。これはステージ2、多数のリード
片3、フレーム(図面は省略)等から構成されており、
ステージ2には半導体チップ4が固着されている。リー
ド片3の上面と半導体チップ4の上面との段差を解消(
又は減少)させるため、ステージ2はリードフレーム1
の他の部分より下方に突出させてある。
The heater block portion of a conventional thermocompression wire bonder will be explained with reference to FIG. FIGS. 3(a) and 3(b) are schematic diagrams showing an example of a conventional heater block. In the same figure, l
is a lead frame. This will be explained in more detail with reference to FIG. This consists of a stage 2, a number of lead pieces 3, a frame (not shown), etc.
A semiconductor chip 4 is fixed to the stage 2. Eliminate the level difference between the top surface of lead piece 3 and the top surface of semiconductor chip 4 (
or decrease), stage 2 is lead frame 1
It is made to protrude downward from the other parts of the.

尚、ステージ2はフレームにつながるステージバ−5に
より支持されている。
Note that the stage 2 is supported by a stage bar 5 connected to the frame.

21はヒータブロックであり、内部にヒータ14を抱持
してリードフレームlを加熱する。このヒータブロック
2lはリードフレームlのワイヤボンディングを行う部
分を加熱するだけでなく、次以降にボンディングする部
分を予熱するに足る長さを有している。便宜上、このボ
ンディング部21Aと予熱部21Bとに分けて説明する
Reference numeral 21 denotes a heater block, which holds the heater 14 inside and heats the lead frame l. This heater block 2l has a length sufficient not only to heat the portion of the lead frame I to which wire bonding is to be performed, but also to preheat the portion to be bonded subsequently. For convenience, the bonding section 21A and the preheating section 21B will be explained separately.

ボンディング部21Aの上面にはリードフレームlの下
方に突出するステージ2が緩嵌する凹所12を有してい
る。凹所l2の深さはステージ2の突出高さに合わせて
ある。従ってボンディング部21Aではリードフレーム
lはそのステージ2が凹所12の底面に、リード片3が
ヒータブロック21の上面にそれぞれ接触する。尚、前
述の通りステージ2はステージパー5に支持されている
ため、これを逃げるための逃げ溝l3が設けられている
The upper surface of the bonding portion 21A has a recess 12 into which the stage 2 protruding downward from the lead frame 1 is loosely fitted. The depth of the recess l2 is matched to the protrusion height of the stage 2. Therefore, in the bonding portion 21A, the stage 2 of the lead frame 1 contacts the bottom surface of the recess 12, and the lead piece 3 contacts the top surface of the heater block 21. Incidentally, as mentioned above, since the stage 2 is supported by the stage par 5, an escape groove l3 is provided for escaping the stage 2.

予熱部21Bの長さは、次にポンディングする一素子分
を予熱するに足るだけの場合から数素子分を予熱出来る
ようにしたものまであり、第3図では二素子分を予熱出
来るヒータブロックを示した。
The length of the preheating section 21B ranges from one that is sufficient to preheat one element to be bonded next to one that is sufficient to preheat several elements. In Fig. 3, there is a heater block that can preheat two elements. showed that.

この部分の上面はボンディング部21Aの上面よりステ
ージ2の突出高さだけ低い平面となっている。
The upper surface of this portion is a flat surface that is lower than the upper surface of the bonding portion 21A by the protrusion height of the stage 2.

従って予熱部21BではリードフレームIはそのステー
ジ2だけがヒータブロック2lに接触する。
Therefore, in the preheating section 21B, only the stage 2 of the lead frame I contacts the heater block 2l.

尚、リードフレーム1は第3図の左から右に一素子分ず
つ移動しながらボンディングして行くが、移動の際にヒ
ータブロック21を下方に退避させる機構(図面は省略
)を備えている。又、ボンディング部21Aにはリード
片3をヒータブロック2l上面に押圧するシートクラン
パ(図面は省略)を備えており、両者の接触を確実にし
ている。
The lead frame 1 performs bonding while moving one element at a time from left to right in FIG. 3, and is provided with a mechanism (not shown) for retracting the heater block 21 downward during movement. Further, the bonding portion 21A is provided with a sheet clamper (not shown) that presses the lead piece 3 against the upper surface of the heater block 2l to ensure contact between the two.

〔発明か解決しようとする課題〕[Invention or problem to be solved]

ところがこのような構造のヒータブロツクを有するワイ
ヤボンダにより加熱温度の上限を低く制限してボンディ
ングを行うと、リード片側のボンディング強度が不安定
になり、剥離し易いという問題があった。本発明は、こ
のような問題を解決して、低温ボンディングにおいて信
頼性の高いボンディングを可能とするワイヤボンダを提
供することを目的とする。
However, when bonding is performed by limiting the upper limit of heating temperature to a low value using a wire bonder having a heater block having such a structure, there is a problem that the bonding strength on one side of the lead becomes unstable and peeling occurs easily. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wire bonder that solves these problems and enables highly reliable low-temperature bonding.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この目的は、本発明によれば、ヒータブロック11はボ
ンディング部11Aと予熱部llBからなっており、該
予熱部11Bは該ボンディング部11Aと同様に上面に
リードフレーム1のステージ2が緩く嵌入する凹所12
を有して該リードフレームlのリード片3に接触する構
造であることを特徴とするワイヤボンダとすることで、
達成される。
According to the present invention, the heater block 11 is composed of a bonding part 11A and a preheating part 11B, and the stage 2 of the lead frame 1 is loosely fitted into the upper surface of the preheating part 11B, like the bonding part 11A. recess 12
By making the wire bonder characterized by having a structure that makes contact with the lead piece 3 of the lead frame l,
achieved.

〔作用〕[Effect]

予熱部でステージはヒータブロックに接触させ、リード
片は接触させないと、リード片は予熱不足となり易い。
If the stage is brought into contact with the heater block in the preheating section, but the lead pieces are not contacted, the lead pieces tend to be insufficiently preheated.

加熱温度の上限を低く制限してボンディングする場合、
ヒータブロックの温度設定を高めることでリード片側の
予熱不足をカバーしてボンディング強度を安定させるこ
とは困難となる。
When bonding with a low upper limit of heating temperature,
It is difficult to compensate for insufficient preheating on one side of the lead and stabilize the bonding strength by increasing the temperature setting of the heater block.

そのために予熱時点でもリード片をヒータブロックに直
接接触させることにより半導体チップ側と同様に充分予
熱させ、ボンディング強度を安定させる。
For this purpose, by bringing the lead piece into direct contact with the heater block during preheating, the lead piece is sufficiently preheated in the same manner as the semiconductor chip side, thereby stabilizing the bonding strength.

〔実施例〕〔Example〕

本発明に基づく熱圧着式ワイヤボンダ用ヒータブロック
部分を第1図により説明する。第1図(a) 、(b)
は本発明の一実施例を示す模式図である。同図中、■は
リードフレームである。これについては先の〔従来の技
術〕の項で第2図によりやや詳細に説明したので、ここ
では省略する。11はヒータブロツクであり、内部にヒ
ータl4を抱持してリードフレームlを加熱する。この
ヒータブロックllはリードフレームlのワイヤボンデ
ィングを行う部分を加熱するだけでなく、次以降にボン
ディングする部分を予熱するに足る長さを有している。
A heater block portion for a thermocompression wire bonder based on the present invention will be explained with reference to FIG. Figure 1 (a), (b)
1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, ■ is a lead frame. This has been explained in some detail in the prior art section with reference to FIG. 2, so it will not be repeated here. Reference numeral 11 denotes a heater block, which holds a heater l4 inside to heat the lead frame l. This heater block 11 has a length sufficient not only to heat the portion of the lead frame 1 to which wire bonding is to be performed, but also to preheat the portion to be bonded subsequently.

便宜上、このボンディング部11Aと予熱部11Bとに
分けて説明する。
For convenience, the bonding section 11A and the preheating section 11B will be explained separately.

ボンディング部11Aの上面にはリードフレームlの下
方に突出するステージ2 (第2図参照)が緩嵌する凹
所l2を有している。凹所12の深さはステージ2の突
出高さに合わせてある。l3はステージ2を支持するス
テージパー5 (第2図参照)を逃げるための逃げ溝で
ある。
The upper surface of the bonding portion 11A has a recess 12 into which a stage 2 (see FIG. 2) projecting downward from the lead frame 1 is loosely fitted. The depth of the recess 12 is matched to the protrusion height of the stage 2. 13 is an escape groove for allowing the stage par 5 (see Fig. 2) that supports the stage 2 to escape.

予熱部11Bの長さは、次にボンディングする一素子分
を予熱するに足るだけの場合でも二素子分以上を予熱出
来るようにしたものでもよく、第1図では二素子分を予
熱出来るヒータブロックを示した。この部分の上面はボ
ンディング部11Aの上面と同様、凹所l2と逃げ溝l
3を有している。
The length of the preheating section 11B may be long enough to preheat one element to be bonded next, or it may be long enough to preheat two or more elements. showed that. The upper surface of this part is similar to the upper surface of the bonding part 11A, and has a recess l2 and an escape groove l.
It has 3.

従ってボンディング部11A ,予熱部11B共にリー
ドフレームlはそのステージ2が凹所l2の底面に、リ
ード片3 (第2図参照)がヒータブロック11の上面
にそれぞれ接触する。
Therefore, in both the bonding section 11A and the preheating section 11B, the stage 2 of the lead frame 1 contacts the bottom surface of the recess 12, and the lead piece 3 (see FIG. 2) contacts the top surface of the heater block 11, respectively.

尚、リードフレームlは第1図の左から右に一素子分ず
つ移動しながらボンディングして行くが、移動の際にヒ
ータブロックitを下方に退避させる機構(図面は省略
)を備えている。又、ボンディング部11Aにはリード
片3をヒータブロック1l上面に押圧するシートクラン
パ(図面は省略)を備えており、両者の接触を確実にし
ている。
The lead frame 1 is moved one element at a time from left to right in FIG. 1 while bonding is performed, and is provided with a mechanism (not shown) for retracting the heater block it downward during movement. Further, the bonding portion 11A is provided with a sheet clamper (not shown) that presses the lead piece 3 against the upper surface of the heater block 1l, thereby ensuring contact between the two.

本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、予熱部1l全体(例えば
二素子分)をボンディング部11Aと同様の構造とする
のではなく、一部分(例えば一素子分)だけとしてもよ
く、又、予熱部11Bでもシートクランパによりリード
片3をヒータブロック11上面に押圧する構造としても
よい。
The present invention is not limited to the above embodiments, but can be implemented with various modifications. For example, instead of making the entire preheating part 1l (for example, for two elements) have the same structure as the bonding part 11A, only a part (for example, for one element) may be used. Also, even in the preheating part 11B, a sheet clamper is used to hold the lead pieces It is also possible to have a structure in which the heater block 11 is pressed against the upper surface of the heater block 11.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、低温ボンディン
グにおいて信頼性の高いボンディングを可能とするワイ
ヤボンダを提供することが出来、半導体装置の品質向上
に寄与するところが大である。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a wire bonder that enables highly reliable bonding in low-temperature bonding, which greatly contributes to improving the quality of semiconductor devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第l図(a)、(b)は本発明の一実施例を示す模式図
、 第2図はリードフレームを説明するための部分断面図、 第3図(a)、(b)は従来のヒータブロックの一例を
示す模式図である。 図中 ■はリードフレーム、 2はステージ、 3はリード片、 11.21はヒータブロック、 11A,21Aはボンディング部、 11B,21Bは予熱部、 l2は凹所、である。 (α)イ0・)断i図 木企咀の一笑方七1つ・]k示す末(火図猶 1 図 }−ドつし一へ乞鮎しe月イる尺めのも1分断面図め2
図 (a)側@面図 (b)−V−面(2) Anのヒrタ1゛口” 7 /’) −4’yU L?
 4 榎K 6巽 3 図
Figures 1 (a) and (b) are schematic diagrams showing one embodiment of the present invention, Figure 2 is a partial sectional view for explaining the lead frame, and Figures 3 (a) and (b) are schematic diagrams showing one embodiment of the present invention. It is a schematic diagram showing an example of a heater block. In the figure, ■ is a lead frame, 2 is a stage, 3 is a lead piece, 11.21 is a heater block, 11A and 21A are bonding parts, 11B and 21B are preheating parts, and l2 is a recess. (α) I0・) Cutting i Izumokkutsui Ichikata 71・]k Showing the end (Fire diagram 1 fig.}- Do Tsushiichi begged for sweetfish and e Monthly e came in 1 minute Cross-sectional diagram 2
Figure (a) side @ side view (b) -V- side (2) An's heater 1゛mouth 7/') -4'yU L?
4 Enoki K 6 Tatsumi 3 Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 上面に半導体チップ(4)を固着したステージ(2)と
複数のリード片(3)とを含むリードフレーム(1)を
加熱するためのヒータブロック(11)を備えたワイヤ
ボンダにおいて、 該ヒータブロック(11)はボンディング部(11A)
と予熱部(11B)からなっており、 該予熱部(11B)は該ボンディング部(11A)と同
様に上面に該ステージ(2)が緩く嵌入する凹所(12
)を有して該リードフレーム(1)のリード片(3)に
接触する構造であることを特徴とするワイヤボンダ。
[Claims] A wire bonder equipped with a heater block (11) for heating a lead frame (1) that includes a stage (2) on which a semiconductor chip (4) is fixed and a plurality of lead pieces (3). In the heater block (11), the bonding part (11A)
and a preheating part (11B), and the preheating part (11B), like the bonding part (11A), has a recess (12) in the upper surface into which the stage (2) is loosely fitted.
1.) A wire bonder characterized in that the wire bonder has a structure in which the lead piece (3) of the lead frame (1) comes into contact with the lead piece (3) of the lead frame (1).
JP194390A 1990-01-09 1990-01-09 Wire bonder Pending JPH03206631A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP194390A JPH03206631A (en) 1990-01-09 1990-01-09 Wire bonder

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JP194390A JPH03206631A (en) 1990-01-09 1990-01-09 Wire bonder

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195946A (en) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd Heat block

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195946A (en) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd Heat block

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