JPH03197398A - 有機結晶薄膜の製造方法 - Google Patents

有機結晶薄膜の製造方法

Info

Publication number
JPH03197398A
JPH03197398A JP33551189A JP33551189A JPH03197398A JP H03197398 A JPH03197398 A JP H03197398A JP 33551189 A JP33551189 A JP 33551189A JP 33551189 A JP33551189 A JP 33551189A JP H03197398 A JPH03197398 A JP H03197398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
organic crystal
thin film
substrate
crystal thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33551189A
Other languages
English (en)
Inventor
Takafumi Uemiya
崇文 上宮
Naota Uenishi
直太 上西
Yasuhiro Hattori
康弘 服部
Yasuji Ogaki
安二 大垣
Akira Mizoguchi
晃 溝口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP33551189A priority Critical patent/JPH03197398A/ja
Publication of JPH03197398A publication Critical patent/JPH03197398A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、有機非線形光学薄膜等の有機結晶薄膜を、
真空蒸着法、MBE (分子線エピタキシャル)法、I
CB(クラスターイオンビーム)法等の気相法によって
基板上に形成する有機結晶薄膜の製造方法に関するもの
である。
〈従来の技術と発明が解決しようとする課題〉有機非線
形光学材料や有機電導材料、有機超電導材料等の有機結
晶薄膜を基板上に形成する方法として、近時、材料の選
択範囲が広く、しかも、従来の導体回路の製造等の技術
を応用することができる、前記真空蒸着法等の気相法の
利用が検討されている。
ところで、上記有機結晶薄膜を基板上に形成する際には
、形成される結晶の配向制御を行うことが重要である。
例えば、非線形光学材料の薄膜においては、その非線形
光学効果を大きく利用するために、有機非線形光学結晶
の持つ最大の非線形光学定数の方向を利用できるように
結晶を配向させることが必要となる。
しかしながら、有機結晶薄膜を、前記従来の気相法によ
って基板上に形成した場合には、得られる単結晶の大き
さが、最大でも1−程度と小さく、しかも、隣り合う結
晶は、それぞれ方位がばらばらで、全体としてみた場合
には、モザイク状の多結晶状態になってしまうという問
題がある。このため、好ましい結晶方位が得られず、薄
膜を所期の目的に使用することができない虞がある。
これは、有機結晶材料の分子が、分子同士が強く共有結
合している半導体材料等の無機材料の結晶とは異なり、
それぞれの分子同士は、弱いVander Waals
力によって結合しているに過ぎない上、下地基板の原子
や結晶格子に比べて大きいため、基板の結晶方向に関係
なく種々の方向に配向可能であるからである。
この発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであって
、気相法によって、所望の結晶方位を有する有機結晶薄
膜を容易に得ることのできる有機結晶薄膜の製造方法を
提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段および作用〉この発明の有
機結晶薄膜の製造方法は、気相法によって基板上に有機
結晶薄膜を作成するにあたり、前記基板の表面に、有機
結晶材料と類似の部分を有する分子からなる単分子膜、
またはこの単分子膜を積層した累積膜(以下、上記2つ
の膜を併せていう場合にはrLB膜」と記す)を形成し
た後、前記有機結晶薄膜の成長を行わせることを特徴と
している。
上記構成からなる、この発明の有機結晶薄膜の製造方法
によれば、基板の表面にLB膜を形成すると、このLB
膜を構成する分子中に含まれる、有機結晶材料と類似の
部分が、分子の構造に基づいて、基板の表面において、
所定の方向に配列される。次に、上記LB膜上に、気相
法によって有機結晶材料を堆積させると、前述したLB
層膜中、有機結晶材料と類似の部分の配列に対応した結
晶方位を有する有機結晶薄膜が、LB膜上に成長する。
以下に、この発明の有機結晶薄膜の製造方法を、より詳
細に説明する。
基板の表面に形成されるLB膜は、必要とする有機結晶
薄膜を構成する有機結晶材料と類似の部分を有する化合
物からなる単分子膜、または、この単分子膜を複数積層
した累積膜により構成される。そして、上記LB膜が単
分子膜である場合には、この単分子膜を構成するそれぞ
れの分子が、当該分子中の有機結晶材料と類似の部分を
上側に向けた状態で、基板の表面に配列される。一方、
上記LB膜が累積膜である場合には、その最表層の単分
子膜を構成するそれぞれの分子が、当該分子中の有機結
晶材料と類似の部分を上側に向けた状態で配列される。
上記LB膜を構成する分子としては、前述したように、
分子中に、有機結晶材料と類似の部分を有し、従来公知
の単分子膜および累積膜の製造方法によってLB膜を製
造することができる化合物が使用される。
より具体的には、上述した、有機結晶材料に類似の部分
が疎水性で、その一端または両端に親水性部分が結合し
た化合物、または、有機結晶材料に類似の部分が親水性
で、その一端または両端に疎水性部分が結合した化合物
が好適に使用される。
例えば、有機結晶薄膜として、アントラセンの結晶薄膜
を形成する場合には、下記一般式m〜lで表されるよう
に、1分子中に、疎水性のアントラセン部分と、親水性
部分としてのカルボキシル基とを備えた化合物等を使用
することができる。
上記各化合物のうち、式(1)で表される化合物カーら
は、第1図(alに示すように、基板S:二対して、ア
ントラセン部分を直立させた状態の単分子膜gが形成さ
れる。
そして、上記単分子膜IをLB膜として用(また場合に
は、同図中に示すように、基板St二対してアントラセ
ン分子が直立配向した、アントラセンの結晶薄膜が得ら
れる。
また、前記各化合物のうち、式圓で表される化合物から
は、第1図(b)に示すように、アントラセン部分が、
基板Sの表面と平行状態に配列された単分子膜pが形成
される。
そして、上記単分子膜pをLB膜として用いた場合には
、同図中に示すように、基板Sに対してアントラセン分
子が平行に配向した、アントラセンの結晶薄膜が得られ
る。
なお、上記LB膜を構成する分子には、形成される有機
結晶薄膜の分子との相互作用を高めるために、上記有機
結晶薄膜に類似の部分(例えば、式(1)〜圓の化合物
ではアントラセン部分)に、アミノ基、シアノ基、ニト
ロ基、エステル基、アセトアミド基等の種々の官能基を
導入することもできる。
以上のような化合物からなるLB膜は、従来公知の単分
子膜および累積膜の製造方法によって製造することがで
きる。
すなわち、パラフィンを塗布した絹糸等の仕切りを浮か
べた清浄な水面のうち、上記仕切りで仕切られた一方の
水面に、上記単分子膜を拡げたのち、他方の水面に、ヒ
マシ油等をピストン油として浮かべて、仕切りの両側の
表面圧のつりあいを保たせる。
そうすると、上記ピストン油で押された単分子膜gの各
分子が、第2図(a)に示すように、水W上において、
各分子の親水性部分(図中白丸で示す)を下側に、疎水
性部分(図中直線で示す)を上側に向けた状態で配列さ
れる。
LB膜は、前述したように、有機結晶材料と類似の部分
を上側に向けた状態で、基板Sの表面に形成される必要
がある。したがって、有機結晶材料に類似の部分が疎水
性である場合には、同図に示すように、基板Sを水W中
から上方へ引き上げて、この基板Sの表面に、分子の親
水性部分を下側に、有機結晶材料に類似の疎水性部分を
上側に向けた状態で、単分子膜pを転写させる。一方、
有機結晶材料に類似の部分が親水性である場合には、図
とは逆に、基板Sを空中から水中に押し下げて、この基
板Sの表面に、分子の疎水性部分を下側に、有機結晶材
料に類似の親水性部分を上側に向けた状態で、単分子膜
gを転写させる。 この発明においては、前述したよう
に、以上の工程で形成された単分子膜gを、そのままL
B膜として使用することができる。しかし、膜の質を向
上させるためには、第2図(0月ご示すように、複数の
単分子膜g・・・が積層された累積膜りを、LB膜とし
て使用することが好ましい。
上記累積膜りとしては、図に示すように、複数の単分子
膜gが、親水性部分を交互に上下に向けて積層されたY
型の累積膜の他に、各単分子膜gの親水性部分を全て基
板の側に向けたZ型の累積膜、逆に、各単分子膜pの疎
水性部分を全て基板の側に向けたX型の累積膜がある。
上記Y型の累積膜りは、通常、第2図(ω〜(C)に示
すように、基板Sを水面で上下させて、この水面上に拡
げられた単分子膜gを裏表に折り重ねるようにして基板
S上に積層することで形成される。
一方、2型およびX型の累積膜は、基板Sを上下させず
、水面の単分子膜gに対して、常に同じ方向に移動させ
ることで形成される。
なお、上記各累積膜りにおいては、前述したように、最
上層の単分子膜gが、有機結晶材料に類似の部分を上側
に向けた状態で積層された層になっている必要がある。
したがって、有機結晶材料に類似の部分が疎水性である
場合には、Z型の構造を採用するか、或いは、Y型の構
造で、最上層の単分子膜gが、有機結晶材料に類似の疎
水性部分を上側に向けた膜になるように、積層する層数
を調整すれば良い。一方、有機結晶材料に類似の部分が
親水性である場合には、X型の構造を採用するか、或い
は、Y型の構造で、最上層の単分子膜Iが、有機結晶材
料に類似の親水性部分を上側に向けた膜になるように、
積層する層数を調整すれば良い。
上記LB膜の上に、有機結晶薄膜を積層する気相法の種
類は、この発明では特に限定されず、真空蒸着法、MB
E(分子線エピタキシャル)法、ICB(クラスターイ
オンビーム)法等の、従来公知の気相法の中から適宜選
択することができる。
〈実施例〉 以下に、実施例に基づいて、この発明を説明する。
実施例1 下記式(財)で表される化合物からなる単分子膜を、前
述したLB法で、石英基板の表面に1層転写させて繰を
形成した。
次に、上記LB膜が形成された石英基板を、真空蒸着装
置のチャンバー内の基板保持具に装填すると共に、チャ
ンバー内の蒸発源に、下記式Mで表される2−メチル−
4−ニトロアニリン(MNA)を充填した。
そして、上記チャンバー内を10−’torrまで真空
排気したのち、蒸発源を140℃に加熱し、蒸発源から
MNAが蒸発を開始した段階で、蒸発源と基板との間に
配置されたシャッターを10分間開いて、基板の表面に
MNAを蒸着させた。
蒸着後の基板を、偏光顕微鏡で観察したところ、約10
−の大きさの単結晶が多数観察された。
また、粉末X線回折パターンから、上記MNAの薄膜は
、a軸が基板に対して垂直に配向していることが判明し
た。
実施例2 下記式■で表される化合物からなる単分子膜を、前述し
たLB法で、石英基板の表面に1層転写させて膜を形成
した。
次に、上記LB膜が形成された石英基板を、真空蒸着装
置のチャンバー内の基板保持具に装填すると共に、チャ
ンバー内の蒸発源に、下記式(至)で表される化合物[
θJ、Filipenko et、al、、 Sov、
Phys、Crystallography、 22.
305(1977) ]を充填した。
そして、上記チャンバー内を10 ”’torrまで真
空排気したのち、蒸発源を150℃に加熱し、蒸発源か
らMNAが蒸発を開始した段階で、蒸発源と基板との間
に配置されたシャッターを10分間開いて、基板の表面
に、上記化合物を蒸着させた。
蒸着後の基板を、偏光顕微鏡で観察したところ、約20
//mの大きさの単結晶が多数観察されると共に、明確
な二色性が認められた。
また、粉末X線回折パターンから、上記化合物の薄膜は
、a軸が基板に、対して平行に配向していることが判明
した。
〈発明の効果〉 この発明の有機結晶薄膜の製造方法は、以上のように構
成されており、基板の表面に形成されたLB膜を構成す
る分子中に含まれる、有機結晶材料と類似の部分が、分
子の構造に基づいて、基板の表面において、所定の方向
に配列されるので、上記LB膜上に、気相法によって有
機結晶材料を堆積させると、前述したLB層膜中、有機
結晶材料と類似の部分の配列に対応した結晶方位を有す
る有機結晶薄膜が、LB膜上に成長する。したがって、
この発明の有機結晶薄膜の製造方法によれば、気相法に
よって、所望の結晶方位を有する有機結晶薄膜を容易に
得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)山)は、それぞれ、この発明の有機結晶薄
膜の製造方法に用いられるLB膜の一例における有機結
晶薄膜の配向機構を示す説明図、第2図(ω〜(C目よ
、それぞれ、この発明に用いられるLB膜の製造方法の
一例を示す工程図である。 1・・・LB膜(単分子膜)、L・・・LB膜(累積膜
)、S・・・基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、基板上に気相法によって有機結晶薄膜を作成する有
    機結晶薄膜の製造方法であって、前記基板の表面に、有
    機結晶材料と類似の部分を有する分子からなる単分子膜
    、またはこの単分子膜を積層した累積膜を形成した後、
    前記有機結晶薄膜の成長を行わせることを特徴とする有
    機結晶薄膜の製造方法。
JP33551189A 1989-12-25 1989-12-25 有機結晶薄膜の製造方法 Pending JPH03197398A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33551189A JPH03197398A (ja) 1989-12-25 1989-12-25 有機結晶薄膜の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33551189A JPH03197398A (ja) 1989-12-25 1989-12-25 有機結晶薄膜の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03197398A true JPH03197398A (ja) 1991-08-28

Family

ID=18289393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33551189A Pending JPH03197398A (ja) 1989-12-25 1989-12-25 有機結晶薄膜の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03197398A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dawson The study of crystal growth with the electron microscope II. The observation of growth steps in the paraffin n-hectane
Li et al. Order and Disorder in C60 and K x C60 Multilayers: Direct Imaging with Scanning Tunneling Microscopy
US7291223B2 (en) Epitaxial organic layered structure and method for making
JP2001223215A (ja) シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化/酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造
JP3401558B2 (ja) エピタキシャル複合構造体およびこのものを利用した素子
Fölsch et al. Epitaxial C60 films on CaF2 (111) grown by molecular beam deposition
JPH03197398A (ja) 有機結晶薄膜の製造方法
Hoshino et al. Epitaxial growth of organic crystals on organic substrates—polynuclear aromatic hydrocarbons
JP2692644B2 (ja) フラーレン薄膜製造方法
Yanagi et al. Epitaxial growth of C60 crystals vapor‐deposited on a KI (001) surface
Saito et al. Electron microscopy of fullerene thin films grown on solid surfaces
JPH09241356A (ja) 有機分子配向薄膜とその製造方法
JPH026384A (ja) 結晶性有機薄膜の作製方法
Videlot et al. Experimental and modeling analysis of highly oriented octithiophene thin films
JP2728091B2 (ja) 有機非線形光学膜の作製方法
JP2715667B2 (ja) 酸化物超電導薄膜製造装置および酸化物超電導単結晶薄膜の製造方法
JPS5878418A (ja) インジウム−アンチモン系複合結晶薄膜の製造法
JP2737674B2 (ja) フラーレン系インターカレーション化合物薄膜およびその作製方法
Le Moigne Epitaxy and single crystal growth
JP3393538B2 (ja) 有機化合物薄膜及びその製造方法
JPH02197822A (ja) 有機化合物薄膜の製法
JPH02261826A (ja) 有機薄膜の形成方法
CN106702320A (zh) 一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法
JPH04104996A (ja) 結晶性有機薄膜
JPH0226669A (ja) ジオキシピリミジン誘導体薄膜の製造方法