JPH03196490A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JPH03196490A
JPH03196490A JP1334912A JP33491289A JPH03196490A JP H03196490 A JPH03196490 A JP H03196490A JP 1334912 A JP1334912 A JP 1334912A JP 33491289 A JP33491289 A JP 33491289A JP H03196490 A JPH03196490 A JP H03196490A
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electrons
coil
fluorescent layer
light
bright spot
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Ikuhiro Yamaguchi
郁博 山口
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、トンネル効果型発光素子に関する。
[従来の技術] 発光素子は電気エネルギーを光エネルギーに変換する素
子であり、エレクトロルミネッセンス(EL)、発光ダ
イオード、半導体レーザ等が知られている。この中でエ
レクトロルミネッセンスは、固体に電界を加えて電気エ
ネルギーを光エネルギーに変換するものである。この発
光素子は、高抵抗層を2枚の電極で挟み、2枚の電極間
に電圧を印加して、電子を射出して蛍光体に衝突させて
発光させるものである。近年、p影領域およびn影領域
に高濃度の不純物を添加して両頭域に低電圧を印加する
ことによって起こるトンネル効果を利用するものが知ら
れている。
一般的なトンネル効果型発光素子の断面図を第3図に示
す。図中31は基板である。基板31上に島状に陰電極
32が形成されている。陰電極32を覆い、かつ、基板
31の陰電極32形成部分を除く部分に絶縁膜33が形
成されている。絶縁膜33上に陽電極34が形成されて
いる。また、基板31と対向して配置されている保護部
材35の内側に蛍光層36が形成されている。この蛍光
層36と陽電極34との間は所定の間隔を有しており、
その空間は真空状態となっている。このような構成の素
子において陰電極32と陽電極34の間に電圧を印加す
ることによって、電子が射出され、その電子が蛍光層3
6を叩き発光が生じる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような発光素子は、ただ単に電子が
射出されるだけであるので、比較的広範囲にわたって電
子が衝突する。この場合に、蛍光層の中央部では電子の
衝突頻度が多く、反対に端部は電子の衝突頻度が低くな
る。したがって、蛍光層の発光部分すなわち輝点の周囲
部にぼやけが生じる。また、輝点の面積が広いことによ
り輝点の輝度自体が小さくなってしまう。
また、第4図に示すように、輝点同士が近接している場
合に射出された電子41が他の輝点の蛍光層領域に衝突
して、光の干渉が生じる欠点がある。そこで、蛍光層の
寸法を小さくして光の干渉を防止する試みがなされたが
、発光に寄与する電子数が減少してしまい発光量の低下
を招く。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、輝点周
囲のぼやけ及び輝点相互の干渉を防止し、かつ、発光効
率の良いトンネル効果型発光素子を提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段] 本発明は、電子を射出させるための電子射出手段と、前
記電子射出手段と対向して設けられ、前記射出手段から
射出された電子を受けることにより発光する蛍光層と、
前記射出された電子がその中を通過するように前記射出
手段と前記蛍光層との間に設けられ、電流が通流される
ことにより前記電子の進路を制御するコイルとを具備す
ることを特徴とする。
ここで、電子射出手段は、基板と、前記基板上に島状に
形成された陰電極と、前記陰電極を覆うように形成され
た絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された陽電極とを具備
することが好ましい。また、コイルは、素子の輝点の所
定の領域に電子を集束させるように輝点毎に設けられて
いることが好ましい。また、コイルは、コイルにより生
じる磁場における磁束の方向が隣り合う輝点毎に異なる
ことが好ましい。
C作用] 本発明の発光素子は、電子射出手段より射出された電子
の進路を制御するためのコイルを具備している。このコ
イルに電流が通流されるとその内側に磁場が発生する。
このため、射出された電子は、この磁場に基づく力によ
り制御されて、その進路が規定される。したがって、射
出された電子が近接する他の輝点の蛍光層領域に衝突す
ることによる干渉や輝点周囲のぼやけを防止することが
できる。
さらに、隣り合う輝点毎に磁束の方向を異なるように配
置することによって、磁場の水平成分が強調される。こ
のため、磁場が電子を集束する効果は大きくなり、より
効果的に干渉やぼやけを防止することができる。
[実施例] 以下、本発明の実施例を添付図面を参照して具体的に説
明する。
第1図は、本発明の発光素子の一実施例を示す断面図で
ある。図中1は基板である。基板1上に島状に陰電極2
が形成されている。陰電極2を覆い、かつ、基板1の陰
電極2形成部分を除く部分に第1の絶縁膜3が形成され
ている。第1の絶縁膜3上に陽電極4が形成されている
。これらにより電子射出手段を構成している。陽電極4
の電子射出領域5を除く部分上に第2の絶縁膜6が形成
されている。第2の絶縁膜6の電子射出領域5近傍の部
分上にコイル7が設けられている。また、基板1と対向
して配置されている保護部材8の内側に蛍光層9が形成
されている。この蛍光層9と陽電極4との間は所定の間
隔を有しており、その空間は真空状態となっている。
ここで、陰電極2および陽電極4には金属等の導電体が
使用される。また、第1および第2の絶縁膜3,6には
SiO2等が用いられる。第1の絶縁膜3の厚さは電子
がトンネル効果により蛍光層9に向かって射出できるよ
うに設定する必要がある。蛍光層9には蛍光体としてA
g付活ZnS等が使用される。さらに、保護部材8は発
光した光を透過するために透明である樹脂フィルム、プ
ラスチック、ガラス等が用いられる。
コイル7の配置および配線は、コイル7に電流を流した
ときに発生する磁場の磁束の方向が隣接する輝点毎に互
いに異なるようになされている。
第2図はコイル7の配置および配線を示す概略図である
。図中21は導線である。導線21により輝点22の領
域が示されている。また、図中23は輝点の磁束方向を
示す記号である。導線21に電流を流すことによって、
必然的に磁束の方向が決定される。したがって、一つの
輝点22の磁束方向は、それに隣接する四方の輝点の磁
束方向と異なっている。
このような発光素子において、陰電極2と陽電極4の間
に電圧を印加することによって、トンネル現象を起こす
。これによって、電子が蛍光層9に向かって射出される
。一方、コイル7には電流を流して磁場を発生させてい
る。このため、蛍光層9に向かって射出された電子10
は、その磁場の影響を受けて蛍光層9の所望の位置に衝
突するように進路が制御される。したがって、素子を効
率よく発光させることができる。
[発明の効果] 以上説明した如く、本発明の発光素子は、輝点周囲のぼ
やけ及び輝点相互の干渉を防止して鮮明な画像を得るこ
とができ、かつ、発光効率の良いものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の発光素子の一実施例を示す断面図、第
2図はコイルの配置および配線を示す概略図、第3図、
第4図は従来の発光素子を示す断面図である。 1・・・基板、2・・陰電極、3・・・第1の絶縁膜、
4・・・陽電極、5・・・電子射出領域、6・・・第2
の絶縁膜、7・・・コイル、8・・・保護部材、9・・
・蛍光層、10・・・電子、21・・・導線、22・・
・輝点、23・・・磁束方向を示す記号。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 電子を射出させるための電子射出手段と、前記
    電子射出手段と対向して設けられ、前記射出手段から射
    出された電子を受けることにより発光する蛍光層と、前
    記射出された電子がその中を通過するように前記射出手
    段と前記蛍光層との間に設けられ、電流が通流されるこ
    とにより前記電子の進路を制御するコイルとを具備する
    ことを特徴とする発光素子。
  2. (2) 電子射出手段は、基板と、前記基板上に島状に
    形成された陰電極と、前記陰電極を覆うように形成され
    た絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された陽電極とを具備
    する請求項1記載の発光素子。
  3. (3) コイルは、素子の輝点の所定の領域に電子を集
    束させるように輝点毎に設けられている請求項1記載の
    発光素子。
  4. (4) コイルは、前記コイルにより生じる磁場におけ
    る磁束の方向が隣り合う輝点毎に異なる請求項3記載の
    発光素子。
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