JPH03190220A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH03190220A JPH03190220A JP33044289A JP33044289A JPH03190220A JP H03190220 A JPH03190220 A JP H03190220A JP 33044289 A JP33044289 A JP 33044289A JP 33044289 A JP33044289 A JP 33044289A JP H03190220 A JPH03190220 A JP H03190220A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造装置に関し、
定期的に窓を洗浄する必要がなく、安定した光の透過を
可能にして薄膜を安定して成長させることのできる半導
体装置の製造装置を提供することを目的とし、 光源からの光を窓を通して反応室に入射し、該反応室に
置かれたウェハの表面に光ＣＶＤ法により半導体の薄膜
を成長させる半導体装置の製造装置において、前記窓の
温度を調節する温度調節手段を設けるように構成する。
可能にして薄膜を安定して成長させることのできる半導
体装置の製造装置を提供することを目的とし、 光源からの光を窓を通して反応室に入射し、該反応室に
置かれたウェハの表面に光ＣＶＤ法により半導体の薄膜
を成長させる半導体装置の製造装置において、前記窓の
温度を調節する温度調節手段を設けるように構成する。
本発明は、半導体装置の製造装置に係り、詳しくは、光
ＣＶＤ法を用いて半導体の薄膜を成長させる半導体装置
の製造装置に関する。
ＣＶＤ法を用いて半導体の薄膜を成長させる半導体装置
の製造装置に関する。
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ ）法は、薄膜形成法の１つであり、基板
表面に原料となるガスを供給し、化学反応により膜を形
成する方法である。他の方法に比べて膜形成時の不純物
添加が容易であり、段差被膜特性もよいという特長があ
る。ＬＳＩ製作においては、主として多結晶Ｓｉ、Ｓｔ
酸化膜などのＳｉ系薄膜の形成に用いられ、ゲート電極
配線、眉間絶縁膜などの形成に広く適用されており、重
要な技術となっている。
ｓｉｔｉｏｎ ）法は、薄膜形成法の１つであり、基板
表面に原料となるガスを供給し、化学反応により膜を形
成する方法である。他の方法に比べて膜形成時の不純物
添加が容易であり、段差被膜特性もよいという特長があ
る。ＬＳＩ製作においては、主として多結晶Ｓｉ、Ｓｔ
酸化膜などのＳｉ系薄膜の形成に用いられ、ゲート電極
配線、眉間絶縁膜などの形成に広く適用されており、重
要な技術となっている。
ＣＶＤ法の１つに光ＣＶＤ法（Ｐｈｏｔｏ ＣＶ Ｄ
）があり、これは光エネルギーを気体分子の励起・分解
、表面励起、基板加熱の何れかに利用して化学反応を促
進させて薄膜を堆積する方法である。
）があり、これは光エネルギーを気体分子の励起・分解
、表面励起、基板加熱の何れかに利用して化学反応を促
進させて薄膜を堆積する方法である。
堆積温度の低温化、選択成長に有効である。
従来の光ＣＶＤ法としては、例えば
■光を熱源として用いる方法、
■光によりウェハの表面を励起する方法、■光により反
応ガスを励起し、反応を促進する方法、 等があるが、何れにしても適切な波長および光強度の光
を安定して反応室に入射させることが要求されている。
応ガスを励起し、反応を促進する方法、 等があるが、何れにしても適切な波長および光強度の光
を安定して反応室に入射させることが要求されている。
そのため、光を透過する窓の透過能力を安定させること
が重要になっている。
が重要になっている。
従来の光ＣＶＤ法を用いた半導体装置の製造装置として
は、例えば第３図に示すようなものがあり、図中、１は
光源、２は光源１からの光を透過する窓、３は反応室、
４はウェハ、５はウェハ保持台である。ウェハ保持台５
はヒータで加熱する場合もある。ウェハ４の表面に薄膜
を成長させるには反応室３に反応ガスを流すとともに、
これをポンプで引き、このとき窓２を通して光源１から
の光を反応室３に導き、光により反応ガスを励起し、反
応を促進させている。なお、窓２には単純に光を透過し
易い物質、例えば石英ガラス等を用いて光源１からの光
を反応室に入射させている。
は、例えば第３図に示すようなものがあり、図中、１は
光源、２は光源１からの光を透過する窓、３は反応室、
４はウェハ、５はウェハ保持台である。ウェハ保持台５
はヒータで加熱する場合もある。ウェハ４の表面に薄膜
を成長させるには反応室３に反応ガスを流すとともに、
これをポンプで引き、このとき窓２を通して光源１から
の光を反応室３に導き、光により反応ガスを励起し、反
応を促進させている。なお、窓２には単純に光を透過し
易い物質、例えば石英ガラス等を用いて光源１からの光
を反応室に入射させている。
しかしながら、このような従来の半導体装置の製造装置
にあっては、反応室にてウェハに薄膜を成長させる場合
、窓にも生成膜が付着してしまい、光を次第に通しに（
（なって薄膜を安定して成長させることができないとい
う問題点があった。
にあっては、反応室にてウェハに薄膜を成長させる場合
、窓にも生成膜が付着してしまい、光を次第に通しに（
（なって薄膜を安定して成長させることができないとい
う問題点があった。
すなわち、窓に生成膜が付着して光が通りにくくなと、
反応室に安定した光が透過せず、成長速度や膜質が変動
し、薄膜の成長に悪影響を及ぼす。
反応室に安定した光が透過せず、成長速度や膜質が変動
し、薄膜の成長に悪影響を及ぼす。
一方、この不具合を解消するためには、例えば定期的に
窓を洗浄する必要があり、これは面倒で、かつ製造コス
トも上昇する。
窓を洗浄する必要があり、これは面倒で、かつ製造コス
トも上昇する。
そこで本発明は、定期的に窓を洗浄する必要がなく、安
定した光の透過を可能にして薄膜を安定して成長させる
ことのできる半導体装置の製造装置を提供することを目
的としている。
定した光の透過を可能にして薄膜を安定して成長させる
ことのできる半導体装置の製造装置を提供することを目
的としている。
本発明による半導体装置の製造装置は上記目的達成のた
め、光源からの光を窓を通して反応室に入射し、該反応
室に置かれたウェハの表面に光ＣＶＤ法により半導体の
薄膜を成長させる半導体装置の製造装置において、前記
窓の温度を調節する温度調節手段を設けるように構成し
ている。
め、光源からの光を窓を通して反応室に入射し、該反応
室に置かれたウェハの表面に光ＣＶＤ法により半導体の
薄膜を成長させる半導体装置の製造装置において、前記
窓の温度を調節する温度調節手段を設けるように構成し
ている。
本発明では、ウェハの表面に薄膜を成長させる際、温度
調節手段により窓の温度がある一定範囲内の温度に調節
される。
調節手段により窓の温度がある一定範囲内の温度に調節
される。
したがって、窓に生成膜が付着しに（くなり、安定した
光の透過が可能となって薄膜が安定して成長する。
光の透過が可能となって薄膜が安定して成長する。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１．２図は本発明に係る半導体装置の製造装置の一実
施例を示す図である。本実施例の説明に当たり、従来例
と同一構成部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
施例を示す図である。本実施例の説明に当たり、従来例
と同一構成部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
第１図は本装置の構成図であり、この図において、１１
．１２は窓で、これらの窓１１．１２の間には通路１３
が形成され、通路１３には一定温度の純水が流れている
。窓１１．１２としては、従来と同様に石英ガラスが用
いられ、石英ガラスは一定温度の純水により、その温度
が調節されるようになっている。
．１２は窓で、これらの窓１１．１２の間には通路１３
が形成され、通路１３には一定温度の純水が流れている
。窓１１．１２としては、従来と同様に石英ガラスが用
いられ、石英ガラスは一定温度の純水により、その温度
が調節されるようになっている。
純水は第２図に示すように、循環経路１４を通してポン
プ１５により送給されるとともに、温度調節器１６によ
っである一定温度範囲に調節されている。
プ１５により送給されるとともに、温度調節器１６によ
っである一定温度範囲に調節されている。
上記通路１３、循環経路１４、ポンプ１５、温度調節器
１６純水は全体として温度調節手段１７を構成している
。
１６純水は全体として温度調節手段１７を構成している
。
以上の構成において、ウェハ４の表面に薄膜を成長させ
る場合、反応室３に反応ガスを流すとともに、これをポ
ンプで引き、このとき窓１１．１２を通して光源１から
の光を反応室３に導き、光により反応ガスを励起し、反
応を促進させる。
る場合、反応室３に反応ガスを流すとともに、これをポ
ンプで引き、このとき窓１１．１２を通して光源１から
の光を反応室３に導き、光により反応ガスを励起し、反
応を促進させる。
ここで、本実施例では窓１１１２の間の通路１３に一定
温度の純水が流れているため、石英ガラスの温度が調節
され、生成物が窓１２に付着しにくくなり、生成物の付
着および反応ガスの吸着を減少させることができる。し
たがって、安定した光の透過が可能となって成長速度や
膜質の変動を避けて薄膜を安定して成長させることがで
きる。また、定期的に窓１１．１２を洗浄する必要もな
く、工程の面倒さや製造コストの上昇を回避することが
できる。
温度の純水が流れているため、石英ガラスの温度が調節
され、生成物が窓１２に付着しにくくなり、生成物の付
着および反応ガスの吸着を減少させることができる。し
たがって、安定した光の透過が可能となって成長速度や
膜質の変動を避けて薄膜を安定して成長させることがで
きる。また、定期的に窓１１．１２を洗浄する必要もな
く、工程の面倒さや製造コストの上昇を回避することが
できる。
なお、上記実施例では通路１３に純水を流しているが、
これは温度調節機能がある流体であればよく、気体ある
いは他の液体でもよい。
これは温度調節機能がある流体であればよく、気体ある
いは他の液体でもよい。
例えば、光源又は窓に用いている物質に対し、より広い
バンドギャップを持つ流体ならば何でも使用できる。
バンドギャップを持つ流体ならば何でも使用できる。
また、窓には石英ガラスを用いているが、適切な波長お
よび光強度の光を反応室に入射すればよいのであるから
、他の物質を用いてもよい。
よび光強度の光を反応室に入射すればよいのであるから
、他の物質を用いてもよい。
短波長の光で反応ガス又はウェハ表面を励起する光ＣＶ
Ｄ法の場合、窓１１を構成する石英ガラスとして長波長
側の光をカットする物質を用いてもよい。このようにす
れば、反応室があまり暖まらず、反応室側の窓に生成物
がより一層付着しにくくなる。
Ｄ法の場合、窓１１を構成する石英ガラスとして長波長
側の光をカットする物質を用いてもよい。このようにす
れば、反応室があまり暖まらず、反応室側の窓に生成物
がより一層付着しにくくなる。
本発明によれば、窓に生成膜が付着しにくくなって安定
した光の透過を可能にすることができ、成長速度や膜質
の変動を避けて薄膜を安定して成長させることができる
。また、定期的に窓を洗浄する必要もなく、工程の面倒
さや製造コストの上昇を回避することができる。
した光の透過を可能にすることができ、成長速度や膜質
の変動を避けて薄膜を安定して成長させることができる
。また、定期的に窓を洗浄する必要もなく、工程の面倒
さや製造コストの上昇を回避することができる。
第１．２図は本発明に係る半導体装置の製造装置の一実
施例を示す図であり、 第１図はその構成図、 第２図はその温度調節手段の構成を説明する図、第３図
は従来の半導体装置の製造装置の構成図である。 １・・・・・・光源、 ３・・・・・・反応室、 ４・・・・・・ウェハ、 ５・・・・・・ウェハ保持台、 １１．１２・−・・・・窓、 １３・・・・・・通路、 １４・・−・・・循環経路、 １５・・・・・・ポンプ１５． １６・・・・・・温度調節器、 １７・・−・・・温度調節手段。 第１図 従来の半導体装置の製造装置の構成図 第３図
施例を示す図であり、 第１図はその構成図、 第２図はその温度調節手段の構成を説明する図、第３図
は従来の半導体装置の製造装置の構成図である。 １・・・・・・光源、 ３・・・・・・反応室、 ４・・・・・・ウェハ、 ５・・・・・・ウェハ保持台、 １１．１２・−・・・・窓、 １３・・・・・・通路、 １４・・−・・・循環経路、 １５・・・・・・ポンプ１５． １６・・・・・・温度調節器、 １７・・−・・・温度調節手段。 第１図 従来の半導体装置の製造装置の構成図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光源からの光を窓を通して反応室に入射し、該反応室に
置かれたウェハの表面に光ＣＶＤ法により半導体の薄膜
を成長させる半導体装置の製造装置において、 前記窓の温度を調節する温度調節手段を設けたことを特
徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33044289A JPH03190220A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33044289A JPH03190220A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190220A true JPH03190220A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18232667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33044289A Pending JPH03190220A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190220A (ja) |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP33044289A patent/JPH03190220A/ja active Pending
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