JPH03190021A - 遮断器 - Google Patents

遮断器

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JPH03190021A
JPH03190021A JP32708589A JP32708589A JPH03190021A JP H03190021 A JPH03190021 A JP H03190021A JP 32708589 A JP32708589 A JP 32708589A JP 32708589 A JP32708589 A JP 32708589A JP H03190021 A JPH03190021 A JP H03190021A
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JP32708589A
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Hitoshi Mizoguchi
均 溝口
Katsumi Suzuki
克巳 鈴木
Hiromichi Kono
広道 河野
Hisatoshi Ikeda
久利 池田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、電力系統の変電所、あるいは開閉所に用いら
れ、短絡事故時の電流を遮断する遮断器に関する。
(従来の技術) 主接触部の導体に磁性体を取り付けた開閉装置は既に提
案されている。ループ電流遮断用の断路器の場合で、第
6図にその回路構成を示す。第6図において、A、Bは
主母線であり、それぞれに断路器LA、 IBを有し負
荷りに接続されている。
断路器LA、 IBにおいて、3A、3Bは接触子部で
あり。
7A1.7A2.7Bl、 7B2は導体部である。
また図において、 8A、 8Bは導体部に取り付けら
れている磁性体である。磁性体8A、 8Bの取り付け
られる部分の詳細を第7図に示す、従来の例では。
第7図に示すように、導体7A1に板状の磁性体8Aが
巻かれている。従来の例では、この磁性体8A。
8Bにアモルファス合金等を使う、従って、その磁性体
8A、8BのB−Hヒステリシス特性は第8図に示すよ
うに磁界H= Oをはさんで、はとんど矩形である。
このような特性の磁性体を取り付けた断路器によってル
ープ電流を遮断する。第6図において。
断路器IBを閉極状態とし、新路器IAを開極して電流
IAを遮断するのがループ電流遮断であり、遮断電流の
最大は系統の定格電流で、遮断したときの回復電圧の最
大は、IBの流れるループのインピーダンスと系統定格
電流の積になる。この回復電圧は国内の規格では、30
0vと決められている。
(発明が解決しようとする課題) 電流iの零点付近の状態を第9図に示す、第8図に示し
た磁性体の特性は磁界のHが減少して、零点を通過した
直後に飽和が破れ、磁束密度が急変する特性である。従
って、電流の零点直後に自己誘導係数りが急激に大きく
なり、第9図に示すように電流iの零点後の電流の傾き
が緩くなって小電流の時間がしばらく保たれる。この小
電流の値を数Aに押えるように、磁性体の特性と斌を選
べば1回復電圧が最大300vと低いので、第9図に示
すように電流は点線のように減少して遮断される。すな
わち、磁性体が無いとき遮断されないところで遮断され
ることになる。
このような巧みな応用は遮断後に印加される回復電圧が
低いときのみ有効である。回復電圧が高い遮断器の場合
には、多少電流値が小さい時間があったとしても、高い
電圧による大きな電流持続力のため、第9図に示すよう
に電流は実線となって続いてしまう。
本発明の目的はこのような磁性体の特性を利用して遮断
性能を向上しようとする試みが低い回復電圧の場合にの
み限られる点を改良して、高い電圧での遮断である遮断
器を提供することにある。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明の遮断器は、電流を遮断する一対の接触子部を有
し、その接触子部と直列に接続される導体部に、飽和を
減少させた時に磁界が零になる前に磁束密度が急激に減
少するB−H特性の磁性体を取り付けたことを特徴とす
るものである。
(作 用) 本発明においては、電流零点で電流が遮断された後、遮
断器の極間に印加される回復電圧の上昇率dv/dtは
遮断器端子間から見たサージインピーダンス2と電流の
傾きdi/dtの積である。すなわち dv/dt= z  −di/dt  −=■近距離故
障(SLF)遮断では、遮断器から故障点までのサージ
インピーダンスが太きく dv/dtが高くなる。この
dv/dtが大きいと電流零点後の残留アークに非常に
速くエネルギーが注入されることになるので遮断が難し
くなる。 SLF遮断では、このdv/dtの大きさが
遮断の成否に大きく関係している。本発明では、遮断の
際、電流零点の直前でdi/dtを緩かにする。従って
、0式により、電流遮断直後のdν/dtが小さくなり
、遮断が容易になる。すなわち、SLF遮断の性能が向
上する。
(実施例) 以下本発明を第1図に示す一実施例を袢照して説明する
。第1図において、1は遮断器の遮断部、3は接触子部
、2は接触子部等を収納する容器、5は駆動装置部、6
は駆動装置に連結されて接触子部3を移動可能にする絶
縁棒、 7a、 7bは導体部、4は導体部を外部に導
くブッシングである。
そして、第1図の例においては、第6図の従来例と同様
、接触子部3と直列の導体部7aに磁性体8が巻き付け
られている。この磁性体8はアモルファス合金を長さと
直角の方向に磁界をかけてアニールしたもので、そのB
−Hヒステリシス特性は、第2図に示すように飽和領域
C1から磁界Hを減少するとき、磁界が零になる前に磁
束密度Bの急激な減少が始まる(C2の範囲)特性を有
している。したがって、このような特性の磁性体8が巻
き付けられた導体部7aで電流零点の直前に自己誘導係
数りが急激に上昇することになる。従って、磁性体8の
量を適性に選べば、第3図に示すように電流零点の直前
で電流の傾きが緩かになる特性が得られる。
本発明の遮断器で第4図に示すような近距離故障遮断の
場合、11は電源側のりアクタンスで、遮断部1に接続
された線路の数−以内の距離aで地絡故障が発生してア
ーク電流13を遮断すると、前記した電流零点直前で傾
きが減少すれば、0式によって第5図に示すように遮断
直後に極間に印加される回復電圧のdv/dtが緩かに
なる。すなわち第5図において点線9は磁性体が取り付
けられていない時、実線lOは本発明の構成とした時の
回復電圧特性を示す。従って、近距離故障の遮断が容易
になり1等価的には遮断性能が向上する。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、接触子部と直列に磁界
が零になる前に磁束密度が急激に減少する磁性体を設け
たことにより、遮断器で最も苛酷な責務の一つであるS
LF遮断の性能を向上させることができる。従って、小
形、低駆動力で高性能の遮断器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の遮断器の一実施例を示す構成図、第2
図は本発明に使用する磁性体のB−Hヒステリシス特性
図、第3図は本発明の詳細な説明する電流特性図、第4
図は本発明の効果が著しい近距離故障遮断を説明する回
路図、第5図は本発明の遮断器の近距離故障遮断時の電
圧特性図、第6図は従来の遮断器を説明する構成図、第
7図および第8図は従来使用した磁性体を示す斜視図お
よびそのB −H特性図、第9図はその従来の遮断器の
作用を説明するための電流特性図である。 1・・・遮断の遮断部    2・・・容器3・・・接
触部       4・・・ブッシング5・・・駆動装
置部     6・・・絶縁棒7a、7b・・・導体部 (8733)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電流を遮断する一対の接触子部を有し、その接触子部と
    直列に接続される導体部に、飽和状態から磁界を減少さ
    せた時に磁界が零になる前に磁束密度が急激に減少する
    B−H特性の磁性体を取りつけたことを特徴とする遮断
    器。
JP1327085A 1989-12-19 1989-12-19 遮断器 Expired - Lifetime JP2747067B2 (ja)

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