JPH03181562A - 新規なポリシラン組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の属する技術分野〕 本発明は、新規なポリシラン組成物及びその製造方法に
関する。より詳細には、本発明は、有機半導体として有
用な新規なポリシラン組成物及びその製法に関する。 〔従来技術の説明〕 ポリシランは溶剤不溶のものと報告されていたが〔ザ・
ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ
ー；１２５，２２９１ｐｐ（＋９２４．））近年、ポリ
シランが溶剤可溶性であり、フィルム形成が容易である
ことが報告され〔ザ・ジャーナル・オブ・アメリカン・
セラミック・ソサエティー；二、５０４ｐｐ（１９７８
））注目を集めるようになった。さらにポリシランは紫
外線照射で光分解を起こすためレジストに応用する研究
が報告されている〔特開昭６０９８４３１、特開昭６Ｏ
−１１９５５０）。 また、ポリシランは主鎖のσ−結合によって電荷の移動
が可能な光半導体の特性を持ち、〔フィジカル・レビュ
ー　Ｂ；１立、２８１８ｐρ（１９８７））電子写真感
光体への応用も期待されるようになった。しかし、この
ような電子材料への通用のためには、ポリシラン化合物
は溶剤可溶性でフィルム形成能があるだけではなく、微
細な欠陥のないフィルム形成、均質性の高いフィルム形
成のできることが必要となる。電子材料においては微細
な欠陥も許されないため、置換基についても構造の明確
でフィルム形成に異常を発生させない高品位のポリシラ
ン化合物を要求されている。 従来からポリシラン化合物の合成研究は種々の報告があ
るが、電子材ｒ４の用いるにはまだ問題点を残している
。低分子量のポリンラン化合物では全てのＳｉ基に有機
基が置換した構造のものがＩｉｉ告されている〔ザ・ジ
ャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー
（Ｊ　ｏｕｒｎａ　１ｏｆ　　Ａｍｅｒｉｃａｎ　　Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ　；　９４　、（Ｉ
　　Ｉ　）３８０６ｐｐ（１９７２）、）、特公昭６３
−３８０３３）前者の刊行物に記載のものはジメチルシ
ランの末端基にメチル基を置換した構造であり、後者の
刊行物に記載のものはジメチルシランの末端基にアルコ
キノ基を置換した構造であるが、いずれも重合度が２〜
Ｇであり、高分子の特徴を示さない。つまり、低分子量
のためにそのままではフィルム形成能がなく、産業上の
利用は難しい、高分子量のポリシラン化合物で全てのＳ
ｉ基に有機基を置換した構造のものが最近報告されてい
る〔日経ニューマテリアル８月１５日号４６ページ（１
９８Ｂ））、Ｌかし特殊な反応中間体を経由するため、
合成収率の低下が予想され工業的な大量生産は困難であ
る。 また、ポリシラン化合物の合成方法が〔ザ・ジャーナル
・オブ・オルガノメタリック・ケミストリー；　１９８
ｐｐ、Ｃ２７，（１９８０）又はザ・ジャーナル・オブ
・ポリマー・サイエンス、ポリマー・ケミストリー・エ
デイジョン；　Ｖｏｌ。 ２２．１５９−１７０ｐｐ　（１９８４））により報告
されている。しかし、報告されているいずれの合成方法
もポリシラン主鎖の縮合反応のみで、末端基については
全く言及はない。そしていずれの合成方法の場合も未反
応のクロル基や副反応による副生物の生成があり、所望
のポリシラン化合物を定常的に得るのは困難である。 前記のポリシラン化合物を光導電体として使用する例も
、報告されているが（Ｕ、Ｓ、Ｐ、１ｍ４６１８５５１
、Ｕ、Ｓ、Ｐ、拠４７７２５２５、特開昭６２−２６９
９６４）　、未反応のクロル基や副反応による副生物の
影響が推測される。 ｕ、ｓ、ｐ、弘４６１８５５１では、前記のポリシラン
化合物を電子写真感光体として用いているが、−ｇの複
写機では印加電位が５００〜８００Ｖで良いのに、異常
に高い印加電位１０００Ｖを用いている。これは通常の
電位ではポリシランの構造欠陥により電子写真感光体に
欠陥を生し、画像上の斑点状の異常現象を消失させるた
めと考えられる。また、特開昭６２−２６９９６４では
前記のポリシラン化合物を用いて電子写真感光体を作製
し、光感度を測定しているが、光感度が遅く、従来知ら
れているセレン感光体や有機感光体に比べ何の利点も持
たない。 このような電子材料に利用するためには、まだ数多くの
問題点を残し、産業上に利用できるポリシラン化合物は
未だ提供されていないのが実状である。 特に、このポリシラン化合物においていわゆる有機半導
体として、伝導型制御が出来るか否かが、従来の無機半
導体材料に代えて利用し得るかどうかの重要な分かれ目
であり、早急な検討が社会的要求としである。 例えば、前述の資料１において、ドナー順位又はアクセ
プター順位形成用物質の具体的例示はあるものの、電気
特性や調整法に関する具体的説明、示唆は全く無く、今
後更なる検討が必要である。 〔発明の目的〕 本発明は、重量平均分子量が６０００乃至２０００００
で、その置換基及び末端基の全てが特定の有機基で置換
されているポリシラン化合物に特定の物質を含有させる
ことにより、有機半導体として伝導型制御を可能にした
ポリシラン組成物及びその製造方法を提供することにあ
る。 本発明の他の目的は、溶媒溶解性が良く、優れた特性を
有する半導体フィルムの形成を可能にする前記新規なポ
リシラン組成物及びその製造方法を提供することにある
。 本発明の更に他の目的は、各種電子デバイス等の作製に
有用な前記新規なポリシラン組成物及びその製造方法を
提供することにある。 〔発明の構成・効果〕 本発明は、前記目的を達成すべく本発明者等が鋭意研究
を重ね完成するに至ったものであり、その骨子とすると
ころは、 下記一般式（１）で表され重量平均分子量が６０００乃
至２０００００であるポリシラン化合物に、ドナー順位
形成用物質として、前記ポリシラン化合物１００重量部
に対して、アミン化合物をＩ　Ｘ　１０−’乃至１０重
量部含有させた新規なポリシラン組成物にある。 Ｒ＋　　　　　　　Ｒ３ Ａ−←−８ｉ−＋］−−−÷６　←チ１−　Ａ′・・・
（１）Ｒｘ　　　　　　　　　　Ｒ。 （但し、式中、Ｒ，は、炭素数１又は２のアルキル基、
Ｒ２は炭素数３乃至８のアルキル基、シクロアルキル基
、アリール基又はアラルキル基、Ｒ８は炭素数１乃至４
のアルキル基、Ｒ４は炭素数１乃至４のアルキル基をそ
れぞれ示す、Ａ、Ａ’は、それぞれ炭素数４乃至１２の
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラル
キル基であり、両者は同しであっても或いは異なっても
よい。 ｎ、ｍは、ポリマー中の総七ツマ−に対するそれぞれの
モノマー数の割合を示すモル比であり、ｎ＋ｍ＝１とな
り、０＜ｎ≦１．０≦ｍ＜１である。） なお、一般式（１）で示されるポリシラン化合物におい
て、Ａ及びＡ′は炭素数５乃至１２のアルキル基、又は
シクロアルキル基である。 本発明において好適に用いられる一般式（Ｉ）で表され
重量平均分子量が６０００乃至２０００００であるポリ
シラン化合物は、クロル基や副反応生成基を全く持たず
全てのＳｉ基が酸素を有さない特定の有８！基で置換さ
れたものであって、毒性がなく、トルエン、ベンゼン、
キシレン等の芳香族系溶剤、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化溶剤
、その他テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン等
の溶剤に易溶であり、優れたフィルム形成能を有するも
のである。そして、該ポリシラン化合物をもって形成し
たフィルムは均質にして均一膜厚のもので、優れた耐熱
性を有し、硬度に富み且つ靭性（ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）
に富むものである。 こうしたことから、本発明において好適に用いられる前
記ポリシラン化合物は、電子デバイス、医療機器等への
適用が可能であり、産業上の利用価値の高い高分子物質
である。 なお、上記電子デバイスとしては、有機光導電体、電気
伝導体、フォトレジスト、光情報記憶素子等が挙げられ
る。 本発明において用いられる一般弐〇）で表されるポリシ
ラン化合物は、上述したように、その重量平均分子量が
６０００乃至２０００００のものであるが、溶剤への溶
解性およびフィルム形成能の観点からするより好ましい
ものは、重量平均分子量が８０００乃至１２００００の
ものであリ、最適なものは重量平均分子量が１００００
乃至ａｏｏｏｏのものである。 なお、重量平均分子量について、それが６０００以下で
あるものは高分子の特徴を示さず、フィルム形成能がな
い。また、２０００００以上であるものは溶剤に対して
の溶解性が悪く、所望のフィルム形成が困難である。 また、本発明において好適に用いられる一般式（１）で
表される上述のポリシラン化合物は、形成するフィルム
について特に強靭性を望む場合、その末端基Ａ及びＡ′
が、炭素数５乃至１２のアルキル基、炭素数５乃至１２
のシクロアルキル基、了り−ル基及びアラルキル基から
なる群から選択、される基であることが望ましい、この
場合の最も好ましい本発明のポリシラン化合物は、末端
基Ａ及びＡ′が炭素数５乃至１２のアルキル基及び炭素
数５乃至１２のシクロアルキル基の中から選択される基
である場合である。 本発明において好適に用いられる上述のポリシラン化合
物はつぎのようにして合成することができる。即ち、酸
素及び水分を無くした高純度不活性雰囲気下で、ジクロ
ロシランモノマーをアルカリ金属からなる縮合触媒に接
触させてハロゲン脱離と縮重合を行い、中間体ポリマー
を合成し、得られた該中間体ポリマーを未反応のジクロ
ロシランモノマーと分離し、該中間体ポリマーに所定の
ハロゲン化有機試薬をアルカリ金属からなる縮合触媒の
存在下で反応せしめて、該中間体ポリマーの末端に有機
基を縮合せしめることにより合成する。このようにして
合成されたポリシラン化合物に、更に、アミン化合物を
添加、含有させることにより本発明の新規なポリシラン
組成物が製造される。 上記合成操作にあたっては、出発′＃ＩＪｔたるジクロ
ロシランモノマー、前記中間体ポリマー、ハロゲン化有
機試薬及びアルカリ金属縮合触媒は、いずれも酸素や水
分との反応性が高いので、これら酸素や水分が存在する
雰囲気の下では本発明の目的とする上述のポリシラン化
合物は得られない。 したがって、本発明において好適に用いられるポリシラ
ン化合物を得る上述の操作は、酸素及び水分のいずれも
が存在しない雰囲気下で実施することが必要である。こ
のため、反応系に酸素及び水分のいずれもが存在すると
ころとならないように反応容器及び使用する試薬の全て
について留意が必要である０例えば、反応容器について
は、グローブボックス中で真空吸引とアルゴンガス置換
を行って水分や酸素の系内への吸着がないようにする。 使用するアルゴンガスは、いずれの場合にあっても予め
シリカゲルカラムに通し脱水して、ついで銅粉末を１０
０℃に加熱したカラムに通して脱酸素処理して使用する
や 出発原料たるジクロロシランモノマーについては、反応
系内への導入直前で脱酸素処理した上述のアルゴンガス
を使用して減圧蒸留を行った後に反応系内に導入する。 特定の有機基を導入するための上記ハロゲン化有機試薬
及び使用する上記溶剤についても、ジクロロシランモノ
マーと同様に脱水処理した後に反応系内に導入する。な
お、溶剤の脱水処理は、上述の脱酸素処理したアルゴン
ガスを使用して減圧蒸留した後、金属ナトリウムで更に
脱水処理する。 上記縮合触媒については、表面積を大きくするためにワ
イヤー化或いはチップ化して使用するのが好ましく、前
記ワイヤー化又はチップ化は無水のパラフィン系溶剤中
で行い、酸化が起こらないようにして使用するのが望ま
゛しい。 本発明において用いられる一般式（１）で表されるポリ
シラン化合物の合成時に使用されるジクロロシランモノ
マーとしては、後述する一般式：Ｒ＋　Ｒ□５ｔＣ１ｚ
で表されるジクロルシラン化合物か又はこれと一般式：
　Ｒ５Ｒａ５ｒＣＩ！、で表されるジクロルシラン化合
物が選択的に使用される。 上述の縮合触媒は、ハロゲン脱離して縮合反応をもたら
しめるアルカリ金属が望ましく使用され、該アルカリ金
属の具体例としてリチウム、ナトリウム、カリウムが挙
げられ、中でもリチウム及びナトリウムが好適である。 上述のハロゲン化有機試薬は、Ａ及びＡ′で表される置
換基を導入するためのものであって、ハロゲン化アルキ
ル化合物、ハロゲン化シクロアルキル化合物、ハロゲン
化了り−ル化合物及びハロゲン化アラルキル化合物から
なる群から選択される適当な化合物、即ち、−ｍ弐：Ａ
−Ｘ及び／又は一般式：Ａ’−Ｘ（但し、ＸはＣｌ又は
Ｂｒ）で表され、後述する具体例の中の適当な化合物が
選択的に使用される。 」二連の中間体ポリマーを合成するに際して使用する一
般式：　Ｒ，Ｒｘ５ｉＣＩｔｓ又はこれと一般式：Ｒ３
Ｒ４５ｉＣ１，，で表されるジクロロシランモノマーは
、所定の溶剤に溶解して反応系に導入されるところ、該
溶剤としては、パラフィン系の無極性炭化水素溶剤が望
ましく使用される。該溶剤の好ましい例としては、ｎ−
へキサン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−ドデカン、
シクロヘキサン及びシクロオクタンが挙げられる。 そして、生成する中間体ポリマーはこれらの溶剤に不溶
であることから、該中間体ポリマーを未反応のジクロロ
シランモノマーから分離するについて好都合である。分
離した前記中間体ポリマーは、ついで上述のハロゲン化
有機試薬と反応せしめるわけであるが、その際両者は同
じ溶剤に溶解せしめて反応に供される。この場合の溶剤
としてはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族？？
ｉ　剤が好適に使用される。 上述のジクロロシランモノマーを上述のアルカリ金属触
媒を使用して縮合せしめるにあたり、反応温度と反応時
間とを調節することによって、得られる中間体ポリマー
の重合度が適宜制御される。しかしながら、その際の反
応温度は６０℃〜１３０℃の間に設定するのが望ましい
。 本発明において用いられる一般式（１）で表される上述
のポリシラン化合物の製造方法の望ましい一態様を以下
に述べる。 即ち、本発明において好適に用いられる上述のポリシラ
ン化合物の製造方法は、（ｉ）中間体ポリマーを製造す
る工程と（ｉｉ）該中間体ポリマーの末端に置換基Ａ及
びＡ′を導入する工程とからなる。 上記（１）の工程はつぎのようにして行われる。 即ち、反応容器の反応系内を酸素及び水分を完全に除い
てアルゴンで置換し、所定の内圧に維持した状態にして
、無水のパラフィン系溶剤と縮合触媒を入れ、ついで無
水のジクロロシランモノマーを入れ、全体を撹拌しなが
ら所定温度に加熱して該モノマーの縮合を行う。この際
前記ジクロロシランモノマーの重合度は、反応温度と反
応時間とを調節し、所望の重合度の中間体ポリマーが生
成されるようにする。 この際の反応は、下記の反応式（ｉ＞で表されるように
ジクロロシランモノマーのクロル基と触媒が脱塩反応を
起こしてＳｉ基同志が縮合を繰り返してポリマー化して
中間体ポリマーを生成する。 触媒 ｎ　Ｒ＋Ｒ２ＳｉＣ１２＋ｍＲ＊Ｒａ　ＳｉＣ１２−［
？、　　　　　　　　　　Ｒｊ Ｃ１−％ｉ÷ト、−−千−５ｉ−ト１−Ｃ１−（ｉ　）
■ Ｒｚ　　　　　　　　　Ｒａ なお、具体的反応操作手順は、パラフィン系溶剤中に縮
合触媒（アルカリ金属）を仕込んでおき、加熱、撹拌し
ながらジクロロシランモノマーを滴下する。重合度は、
反応液をサンプリングして確認する。 重合度の簡単な確認は、サンプリング液を採取し、溶剤
を揮発させフィルムが形成できるかで判断できる。縮合
が進み、ポリマーが形成されると白色固体となって反応
系から析出してくる。 ここで冷却し、反応系からモノマーを含む溶媒をデカン
テーションで分離し、中間体ポリマーを得る。 ついで、前記（ｂｌの工程を行う。即ち、得られた中間
体ポリマーの末端基のクロル基をハロゲン化有機試薬と
縮合触媒（アルカリ金属）を用いて脱塩縮合を行いポリ
マー末端基を所定の有ｍ基で置換する。この際の反応は
下記の反応式で表される。 Ｒ，Ｒｆｆ ｉ ＣＺ　　−←ｓｉ−トＴ−−−−十うｉ−＋１−）　　
　　　　Ｉ Ｒ，Ｒ４ ｌ 触媒 ＋　　（２Ａ−Ｘ　　　ｏｒ　　　　Ａ−Ｘ＋Ａ’　　
−Ｘ）　　　−ｍ−−−→Ｒ，Ｒｆｆ Ａ　−％ｉ÷トＴ−−−−＋ろｉ−←］−Ａ′・・・　
（１１）Ｒ１Ｒ。 具体的には、ジクロロシランモノマーの縮合で得られた
中間体ポリマーに芳香族系溶剤を加え溶解する０次に縮
合触媒（アルカリ金属）を仕込み、室温でハロゲン化有
機試薬を滴下する。この置換反応はポリマー末端基同士
の縮合反応と競合するためハロゲン化有機試薬を出発モ
ノマーに対して０．０１〜０．１倍の過剰量添加する。 徐々に加熱し、８０℃〜１００℃で１時間加熱撹拌し、
目的の反応を行う。 反応終了後冷却し、触媒のアルカリ金属を除去するため
、メタノールを加える。次にポリシランをトルエンで抽
出し、シリカゲルカラムで精製する。かくして、所望の
本発明において好適に用いられるポリシラン化合物が得
られる。 （以下余白） Ｒ＋ｌｈ　ＳｉＣ１ｚ　　び１ｉ３Ｒ４ＳｉＣ１ｚの注
）：下記の化合物の中、ａ−２〜１６．１Ｂ、２０，２
１２３．２４がＲ，ｌｈ　５ｉＣ１ｘに用いられ、ａ　
−１゜２．１１，１７．１９，２２，２３．２５がＲ３
Ｒ４ＳＩＣｊ！　ｚに用いられる。 ■ωｚｓｉｃ　１１ −１ （（ＣＪ（Ｊ　ｚｃ＋（）　ｚｓｉｃ　ｌｌ　。 ａ−な （（ａ１３＞　ｘｃ）　ｚｓ　ｉＣ／　ｚａ−ろ Ａ−Ｘ　　びＡ’　−ＸのＵ本例 （ＣＩｌｓンｔｏＩｏＩｚｃｌ −１ Ｃｔｌｚ（Ｏｈ）４ｃｆ −２ Ｃｌｈ　（ＣＩＩＪ　ｓＣＩｌ −３ ＣＨｓ　（ＣＨＺ）　Ｉ　ＱＣｊｌ −４ くンＣ１ ＣＨ３＜Ｄｃｔｔ 開３’Ｇ−Ｃ’ 暑刈Ｊｃ− 会ＣＨ，Ｃ１ （ト（貼Ｃｌ Ｃｌ＋３　（Ｃｌ＋２）　５ｉｒ Ｃ１＋３　（Ｃ）Ｉｚ）　＋　ｏＢｒ ｆ＼３゜ ゝμノ （トＢ・ 木 に だち人 された 体特性を せしめ るに なポリシラン化合物の例 １３ Ｃｌｌ２ Ｃｌｌ、　（Ｃｌｌｚ）　ｓ−４３ｉ　−）−ｙ−（（
１１２）　５０１３−１８ Ｃ）Ｉ（Ｃ１ω２ Ｃ）Ｉ（ＣＩ！＋）ｚ Ｃｌｌ。 Ｃｌｌ３ １３ １１３ Ｃ）ｌ。 Ｃ１１゜ Ｑｌ。 ＣＨ。 Ｃ１ｌ。 Ｃ１＋。 １ｌｉ Ｃ１１゜ Ｃｌｌ２ ０１３（Ｃｌｌ２）　＋６　ｉ　Ｓｉ　テ「イＳｉ　ト
「（ＣＨ２）　＋ｏＣｔｌ。 Ｃ−渕 ＣＨ。 ａら （Ｑ１２）ｉ ＣＨ３ ｈ （ＣＩ＋２）　ｚ 注）二上記構造式中のＸとＹはいずれも重量噴位を示す
。モしてｎは、Ｘ／　（Ｘ＋Ｙ）　、またｍ番よ、Ｙ／
（Ｘ＋Ｙ）の計算式によりそれぞれ求められる。 〔合成例〕 本発明に先だちポリシラン化合物の合成を行ったので、
以下に合成例を挙げて詳しく説明する。 金塊廻土 真空吸引とアルゴン置換を行ったグローブボ。 クスの中に三ツロフラスコを用意し、これにリフラック
スコンデンサーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴
下ロートのバイパス管からアルゴンガスを通した。 この三ツロフラスコ中に、脱水ドデカン１００グラムと
ワイヤー状金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌し
ながら１００℃に加熱した。次にジクロロシランモノマ
ー（チッソ■Ｗ）（ａ−７）０．１モルを脱水ドデカン
３０グラムに溶解させて、用意した）容液を反応系にゆ
っくり滴下した。 滴下終了後、１００℃で１時間縮重合させたところ、白
色固体が析出した。この後冷却し、ドデカンをデカンテ
ーシちンにて除去し、さらに脱水トルエン１００グラム
を加えて白色固体を溶解させ、又、金属ナトリウム０．
０１モルを加えた。 次に、この溶解液を攪拌しつつｎ−ヘキシルクロライド
（東京化成製）（ｂ−３）０．０１モルをトルエンＩＯ
ｍｊ！に溶解させて用意した？８Ｗをゆっくりと滴下し
、１００℃で１時間加熱、撹拌を続けた。この後冷却し
、過剰の金属ナトリウムを処理するため、メタノール５
　Ｑｍｉ２をゆっくり滴下した。これにより悲濁層とト
ルエン層とに分離した。 次に、トルエン層を分離抽出し、減圧／！縮した後シリ
カゲルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、
ポリシラン化合物１ｋｌ　　（Ｃ−１１を得た。収率は
６５％であった。 このポリシラン化合物の重量平均分子量は、ＧＰＣ法に
よりＴＨＦ展開して測定したところ、７５．０００であ
った（ポリスチレンを標準とした）。 ＩＲスペクトルはＫＢｒベレットを作製し、Ｎ１ｃｏｌ
ｅｔ　ＦＴ　−Ｉ　Ｒ７５０にコレ−ジャパン製）によ
り（則定した。また、Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトルはサンプ“
ルをＣＤＣｊ！３に？容解し、ＦＴ　　ＮＭＲＦＸ−９
０Ｑ（日本電子！りにより測定しポリンラン化合物の同
定を行った。結果を第４表に示す。 なお、木合成例にて合成されたポリシラン化合物におい
ては、未反応の５ｉ−Ｃ７！、副生成物のＳ　ｉ　−０
−３ｉ、　　Ｓ　ｉ　−０−Ｒニ帰属されるＩＲ吸収は
全く存在しなかった。 金虞斑又 真空吸引とアルゴン置換を行ったグローブボックスの中
に三ツロフラスコを用意し、これにリフラックスコンデ
ンサーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロート
のバイパス管からアルゴンガスを通した。 この三ツロフラスコ中に、脱水ドデカン１００グラムと
１ｕ角の金属リチウム０．３モルを仕込み、撹拌しなが
ら１００℃に加熱した。次に、ジクロロシランモノマー
（チッソ■製）（ａ　−７）　０．１モルを脱水ドデカ
ン３０グラムに溶解させて用意した溶酸を反応系にゆっ
くり滴下した。滴下終了後、１００℃で２時間縮重合さ
せたところ、白色固体が析出した。この後冷却し、ドデ
カンをデカンテーンヨンにて除去し、さらに脱水トルエ
ン１００グラムを加えて白色固体を溶解させ、又、金属
リチウム０．０２モルを加えた。 次に、この溶解液を攪拌しつつクロルベンゼン（東京化
ｔ２製）（ｂ−７＞０．０２モルをトルエン１０ｍ１に
溶解させて用意したン容ン夜をゆっくりと滴下し、１０
０℃で１時間加熱、攪拌を続けた。 この後冷却し、過剰の金属リチウムを処理するため、メ
タノール５０ｍ１をゆっくり滴下した。これにより懸濁
層とトルエン層とに分離した。 次に、トルエン層を分離抽出し、減圧濃縮した後、シリ
カゲルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、
ポリシラン化合物Ｎ１２　（Ｃ−３）を得た。収率は７
２％であり、合成例１と同様に重量平均分子量を測定し
たところ９２．０００であった。更に、合成例１と同様
に同定を行った結果を第４表に示した。 なお、このポリシラン化合物においては未反応のＳ　１
−ＣＩ、副生成物の５ｉ−０−３ｉ、Ｓｉ−〇−Ｒに帰
属されるＩＲ吸収は全く存在しなかった。 合成例３ 真空吸引とアルゴン置換を行ったグローブボ。 クスの中に三ツロフラスコを用意し、これにリフラック
スコンデンサーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴
下ロートのバイパス管からアルゴンガスを通した。 この三ツロフラスコ中に、脱水ｎ−ヘキサン１００グラ
ムと］　ｓｉ角の金属ナトリウム０．３モルを仕込み、
撹拌しながら８０℃に加熱した。次にジクロロシランモ
ノマー（チッソ■製）（ａ−７）０．１モルを脱水ｎ−
ヘキサンに溶解させて用意した溶液を反応系にゆっくり
と滴下した。滴下終了１１８０　ｔで３時間縮重合させ
たところ、白色固体が析出した。この後冷却し、ｎ−へ
キサンをデカンテーンヨンにて除去し、さらに脱水トル
エン１００グラムを加えて白色固体を溶解させ、又、金
属ナトリウム０．０１モルを加えた。次に、この溶解液
をｖＬ拌しつつベンジルクロライド（東京化成製）（ｂ
　−１２＞　０．０１モルをトルエン１０ｍ１に７容解
させて用意したン容渣をゆっくりと滴下し、８０℃で１
時間加熱、攪拌を続けた。この後冷却し、過剰の金属ナ
トリウムを処理するため、メタノール５０ｍ１をゆっく
り滴下した。これにより懸濁層とトルエン層とに分離し
た。 次に、トルエン層を分離抽出し、減圧濃縮した後、シリ
カゲルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、
ポリシラン化合物Ｔｈ３　　（（、−４）を得た。収率
は６１％であり、合成例１と同様に重量平均分子量を測
定したところ４７，０００であった。更に、合成例１と
同様に同定を行った結果を第４表に示した。 なお、このポリシラン化合物においては未反応の５ｉ−
ＣｊＬ副生酸生成物ｉ−０−３ｉ、５ｉＯ−Ｒに帰属さ
れるＩＲ吸収は全く存在しなかった。 査基Ｕ匡ｉ 第１表に示すジクロロシランモノマーと末端基処理剤を
用いて合成例３と同様に合成を行った。 合成したポリシランの収率、及び合成例１と同様に重量
平均分子量、ＩＲおよびＮＭＲスペクトルを測定した結
果を第４表に示す。 なお、このポリシラン化合物においては未反応の５ｉ−
Ｃ１、副生成物の５ｉ−０−３ｉ、５ｉ−Ｏ−１？に帰
属されるＩＲ吸収は全く存在しなかった。 止転立虞斑上 合成例３と同様にしてジクロロシランモノマー（チッソ
■製）（ａ−７）を縮合させポリマーの末端基を処理し
ない以外は実施例３と同様に合威しポリシラン化合物１
ｂＤ−１を得た。収率は６０％で、合成例Ｉと同様に重
量平均分子量を測定したところ４６．０００であった。 更に、合成例１と同様に同定を行った結果を第４表に示
した。 なお、このポリシラン化合物においては、末端基には未
反応の５ｉ−Ｃ１、副生成物の５ｉ−０−Ｒに帰属され
るＩＲ吸収が認められた。 合成例６〜１０ ジクロロシランモノマー及び反応時間、更に末端基処理
剤を第２表に示したように変化させた以外は合成例３と
同様の縮重合反応操作及び精製を行い、ポリシラン化合
物ＮＱ６〜１０を得た。 合成したポリシラン化合物の収率、及び合成例１と同様
に重量平均分子量、ＩＲおよびＮＭＲスペクトルを測定
した結果を第４表に示す。 なお、このポリシラン化合物においては未反応のＳ　１
−ＣＩ、副生成物の５ｉ−０−５ｉ、Ｓｉ−〇−Ｒに帰
属されるＩＲ吸収は全くなかった。 處校金炙桝１ 合成例６において、反応時間を１０分とした以外は合成
例６と全く同様に合成しポリシラン化合物ＮＱＤ−２を
得た。 合成したポリシランの収率、及び合成例１と同様に重量
平均分子量、ＩＲおよびＮＭＲスペクトルを測定した結
果を第４表、に示す。 なお、このポリシラン化合物においては、未反応の５ｉ
−Ｃ１！、副生成物の５ｉ−０−３ｉ５１−〇−Ｒに帰
属されるＩＲ吸収は全く存在しなかった。 金虞舅Ｊ」二二り土 第３表に示すジクロロシランモノマーと末端基処理剤を
用いて実施例１と同様にして合成を行った。 合成したポリシランの収率、及び合成例１と同様に重量
平均分子量、ＩＲおよびＮＭＲスペクトルを測定した結
果を第４表に示す。 なお、シランモノマーの共重合比はＮＭＲのプロトン数
より求めた。 志４魚医量主 真空吸引とアルゴン置換を行ったグローブボ。 クスの中に三ツロフラスコを用意し、これにリフラック
スコンデンサーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴
下ロートのバイパス管からアルゴンガスを通した。 この三ツロフラスコ中に、脱水ドデカンｌＯＯグラムと
ワイヤー状金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌し
ながら１００℃に加熱した。次にジクロロシランモノマ
ー（チッソ■製）ヲ０．１モルを脱水ドデカン３０グラ
ムに溶解させて用意した溶液を反応系にゆっくり滴下し
た。滴下終了後、！　００　′ｃで１時間縮重合させた
ところ、白色固体が析出した。この後冷却し、過剰の金
属ナトリウムを処理するため、メタノール５０ｍ１をゆ
っくり滴下した。 次に、白色固体を濾葉し、ｎ−へキサンとメタノールで
洗浄を繰り返し、ポリシラン化合物１１ｋＩＤ−３を得
た。 このポリシラン化合物はトルエン、クロロホルム、ＴＨ
Ｆ等の有機溶剤に不溶のため、同定はＩＲスペクトルに
て行った。結果を第４表に示す。 里紋企炭世土 真空吸引とアルゴン置換を行ったグローブボックスの中
に三ツロフラスコを用意し、これにリフラックスコンデ
ンサーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロート
のバイパス管からアルゴンガスを通した。 この三ツロフラスコ中に、脱水ドデカン１００グラムと
ワイヤー状金属ナトリウム０．３モルを仕込み、撹拌し
ながら１００℃に加熱した。 次に、ジフェニルジクロロシランモノマー（チッソ■製
）を０．１モルを脱水ドデカン３０グラムに溶解させて
用意した溶液を反応系にゆっくり滴下した０滴下終了後
、１００℃で１時間縮重合させたところ、白色固体が析
出した。 この後冷却し、過剰の金属ナトリウムを処理するため、
メタノール５０ｍｊ！をゆっくり滴下した。 次に、白色固体を濾葉し、ｎ−へキサンとメタノールで
洗浄を繰り返し、ポリシラン化合物Ｎ１１ＩＤ４を得た
。 このポリシラン化合物はトルエン、クロロホルム、ＴＨ
Ｆ等の有機溶剤に不溶のため、同定はＩＲスペクトルに
て行った。結果を第４表に示す。 前述の合成例において合成されたポリシラン化合物は優
れた成形性を有しフィルム状、粒子状、繊維状に成形す
ることができる。 具体的な成形法としては、塗布法、スピンコーティング
法、デイツプ法、電着法、昇華蒸着法、圧縮成形法、カ
レンダー加工法等が挙げられる。 更に、本発明において、前記ポリシラン化合物の伝導型
制御のため、即ちドナー準位を形成するのに好適に用い
られる物質、いわゆるドーパント剤としては、アミン化
合物が挙げられる。具体的には、一般弐Ｃ−Ｈｚ−＋　
Ｎ　Ｈｚで表される脂肪族第一アミン、一般式（Ｃ，Ｈ
ｔ＊−＋）ｚＮＨで表される脂肪族第三アミン、一般式
（Ｃ，Ｈ２−１１）３Ｎで表される脂肪族第三アミン（
ただし、ｍはし）ずれも１以上の整数）、アリルアミン
、ジアリルアミン、トリアリルアミン等の脂肪族不飽和
アミン、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、
シクロベンチルア名ン、シクロヘキシルアミン等の脂環
式アミン、アニリン、メチルアニリン、ジメチルアニリ
ン、エチルアニリン、ジエチルアニリン、Ｑ−９ｍ−、
ｐ−トルイジン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、
トリベンジルアミン、ジフェニルアミン、トリフェニル
アミン、α−ナフチルアミン、β−ナフチルア短ン、０
−１ｍｐ−フェニレンジアミン、テトラメチル−ｐ−フ
ェニレンジアミン（ＴＭＰＤ）等の芳香族アミンが挙げ
られる。 本発明においては、上記アミン化合物から選択される少
なくとも１つ以上のアミン化合物を単独又は混合してド
ーパント剤として用いる。 次に、本発明において前記ポリシラン化合物に前記アミ
ン化合物を添加し所望の伝導型を有するポリシラン化合
物を製造する方法、即ちドーピング処理方法として、具
体的には以下に述べる三種類の方法を挙げることができ
る。 （１）前記アミン化合物が固体又は液体である場合には
以下の方法を採用することができる。 まず、前述の合成例で合成したポリシラン化合物を十分
に脱水処理されたベンゼン、トルエン、ＴＨＦ等の有機
溶媒に熔解させた溶液（以降、この’７ｇ　？＆、を「
ポリシラン溶解液」という、）を調製する。この時のポ
リシラン熔解液中のポリシラン化合物の濃度は、好まし
くは１×１０−’ｇ／ｉ！乃至２ｘｌＯ’ｇ／６、より
好ましくは１ｘｌＯ−”ｇ／ｊ！乃至１ｘｌＯ’ｇ／ｎ
、最適には１　ｘ　１０−’ｇ／ｌ乃至５ｘｌＯ２ｇ／
Ａ！とされるのが望ましい。 一方、ドーパント剤としての前記アミン化合物を単独で
、もしくは前記有ａ溶媒と相溶性があっで十分に脱水処
理された有ａ溶媒に溶解させた／８液（以降、この溶液
を「ドーパントｌ夜」という。）を調製する。この時の
ドーパント液中のアミン化合物の温度は、好ましくはＩ
　Ｘ　Ｉ　ＣＶ”ｇ／ｌ乃至２Ｘ］Ｏ”ｇ／／、より好
ましくは２　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’ｇ／ｌ乃至１ｘｌＯ”ｇ　
／　ｌ　、最適にはＩ　ｘ　Ｉ　Ｏ−’ｇ／ｌ乃至５×
］０’ｇ／ｊ！とされるのが望ましい。次に、該ドーパ
ント液を前記ポリシラン熔解液に滴下し、必要に応して
加熱しながら十分攪拌処理を行う。 （以降、このような処理を行った溶液を「処理液」とい
う。）この時の加熱温度は、好ましくはポリシラン化合
物のガラス転移点以下の温度に設定されるのが望ましい
。 その後、該処理液を所望の成形装置に移してフィルム状
、粒子状あるいは繊維状等に成形し、本発明のポリシラ
ン組成物を得る。 （２）　　前記アミン化合物が固体又は液体で、昇華あ
るいは気化させることができる場合には以下の方法を採
用することができる。 まず、前述の合成例で合成したポリシラン化合物を十分
に脱水処理されたヘンゼン、トルエン、Ｔ　ＨＦ等の有
機溶媒に溶解させたポリシラン溶解液を調製する。この
時のポリシラン溶解液中のポリシラン化合物の濃度は、
好ましくは１、　ｘ　１０−３ｇ　／ｅ乃至２Ｘ１０’
　ｇ／ｌ、より好ましくは］、　Ｘ　１０−”ｇ／　ｊ
！乃至２×１０３ｇ／ｅ、Ｗｔ適にはＩ　Ｘ　１０−’
ｇ／＃乃至５×１０”ｇ／ｌとされるのが望ましい。 次に、所望の成形装置に前記ボリンラン熔解液を移しポ
リシランをフィルム状、粒子状あるいは繊維状に成形す
る。更に、該成形物を密封可能なドーピング処理装置に
移し、必要に応して加熱しながら前記アミン化合物の雰
囲気下に曝し、アミン化合物を吸着、含浸処理させ所望
のポリシラン組ｒｆ７．物を得る。前記アミン化合物の
雰囲気としては加圧、常圧及び減圧のいずれであっても
よい。また、この時のポリシラン成形物の加熱処理温度
は、好ましくはポリシラン化合物のガラス転移点以下の
温度に設定されるのが望ましい。 （３）本発明のポリシラン化合物は、電気化学的方法に
よりドーピング処理することができる。 具体的には、適宜の電解質溶液中に前述の（２）の方法
の中で説明したのと同様の成形方法にて成形したポリシ
ラン成形物を一方の電極として挿入し、又これに対向し
て他の金属電極を挿入しこれらの電極間に電圧を印加さ
せることによりドーピング処理を行い、所望のボリンラ
ン組成物を得る。 前記電解質ｉ８液は、有機溶媒中に前記アミン化合物を
電解質として溶解させたものであり、前記有機溶媒とし
て具体的には、アセトニトリル、プロピレンカーボネー
ト、γ−ブチロラクトン、クロロベンゼン等が挙げられ
る。この時の電解質濃度は、好ましくは５　Ｘ　１０−
’ｇ／１２乃至５ｘｔｏ”　ｇ／１２、より好ましくは
５×１０−５ｇ／ｌ乃至５ｘｌＯ”　ｇ／Ｉｌ、最適に
は１　×Ｉ　Ｏ−’ｇ／　１乃至Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ”　ｇ
／ｌとされるのが望ましい。 又、前記金属電極としては、具体的には、ｐ５　Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ等を挙げることができる。 本発明においては、前記ポリシラン成形物を陰極とする
ことによりドナー準位が形成される。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明は何らこれらに限定されるものではない。 去遣迩土 本実格例においては、前述のドーピング処理力、：ｌ＋
ｌにて本発明のポリシラン組成物を作製した。 まず、十分乾燥、Ｎ素置換をｊテったニッロフラスコに
、合成例１において合成したポリシラン化合物（ｍｌ＞
１０ｇを取り、窒素気流中で撹拌しながら、２回蒸留乾
燥をｊテフたテトラヒドロフランＬＯＯｍｌを滴下し溶
解させポリシラン溶解液を調製した。 次に、乾燥ベンゼン１０００ｍｌ！に、ドーパント剤と
してのＮ、Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラメチルフェニレ
ンシア名ン（ＴＭＰＤ）５ｇをン容解させ、ドーパント
液（Ｄ−１）を調製した。 ひき続き、該ドーパント液（Ｄ−１）０．０２ｍ１を、
三ツロフラスコ中の前記ポリシラン溶解液に窒素気疏中
で膚下し、３０分間室温で攪拌を続けた。 攪拌終了後、このポリシラン溶解液を、窒素充填された
グローブボックス内に設置されたスピンコーティング装
置に移し、基板としてコーニング社製＃７０５９ガラス
（１インチク３インチ）を用い、該ガラス基板上に１．
０μｍの厚さでポリシラン組成物のフィルムを形成させ
た。 更に、該フィルムを真空乾燥処理して試料Ｍ１とした。 前記ドーパント液の滴下量を０．２ｍＣ２ｍｊ！２０ｍ
１．２００ｍＬ　　５００ｍ６とした以外は同様の操作
及び方法でポリシラン＆［ｌ酸物のフィルム試料旭２〜
６を作製した。 次いで、各試料を真空７Ｎ着装置にセットし、］　Ｘ　
Ｉ　Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の真空度においてＰ

【をギャ、
ブＴＬ極形成用の蒸着金属として用い、電子ビーム蒸着
法により、電気伝導率測定用のギヤノブ中１５０μｍ、
長さ３ｏの櫛型電極、及び熱起電力測定用のギヤ７ブ巾
１００μｍ、長さ５ｎの平行ギャップ電極をそれぞれ１
０００人の膜厚で形成した。蒸着時は特に試料の加熱は
行わなかった。 取り出し後、微小電流計ＨＰ４］４０Ｂを用い、印加電
圧３０Ｖにて、暗電流を測定し、暗中電気伝導率σａ　
　（Ｓ／Ｃｌ１１）を求め、更に熱起電力測定Ｗｌを用
いて伝導型の判定を行った。測定、評価結果を第５表に
示した。 これらの結果より、試１４ｍ１及び６以外はすべて良好
な電気特性を示すことが判った。 更に、市販のセロテープを中５ｍｓ、長さ１■に切って
ポリシラン組成物のフィルムに貼り、５分後このセロテ
ープを剥がし、形成された前記フィルムの基板との密着
性試験を行ったところ、すべて良好な密着性を示した。 又、ダイヤモンド針を用いて引っかき試験を行ったとこ
ろ、針圧２ｇまでは引っかき傷は生しなかった。 去１０狙え 実施例１において、ポリシラン化合物（ｍｌ）の代わり
に、合成例６で合成したポリシラン化合物（狙６）を用
いた以外は同様の操作及び方法で、ドーピング量の異な
る６種類のポリシラン組成物フィルム試料を作製した。 得られた各試料について、実施例１と同様の測定、評価
を行った結果を第５表に示した。 ドーパント液の滴下量を０．０２ｍ７！及び５００ｍＡ
として作製した以外のフィルム試料にて良好な電気特性
を示すことが判った。 又、密着性及び耐引っかき偏性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 失屯班１ 実施例１において、ポリシラン化合物（ｍｌ）の代わり
に、合成例１１で合成したポリシラン化合物（ｌｌｈＬ
ｌ）を用い、又、ドーパント剤としてはＮ、Ｎ、Ｎ’　
、Ｎ’　　−テトラメチルフェニレンシア短ンの代わり
に０−トルイジンを用いた以外は同様の操作及び方法で
、ドーピング量の異なる６種類のポリシラン組成物フィ
ルム試料を作製した。 得られた各試料について、実施例１と同様の測定、評価
を行った結果を第５表に示した。 ドーパント液の滴下量を０．０２ｍ７＋及び５００ｍ１
ｌとして作製した以外のフィルム試料にて良好な電気特
性を示すことが判った。 又、密着性及び耐引っかき偏性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 去児班土 本実施例においては、前述のドーピング処理方法（２）
にて本発明のポリシラン組成物を作製した。 まず、十分乾燥、窒素置換を行った三ツロフラスコに、
合成例２において合成したポリシラン化合物（！ｂ２＞
１０ｇを取り、窒素気流中で攪拌しながら、２回蒸留乾
燥を行ったトルエン１００ｍ１を滴下し溶解させポリシ
ラン溶解液を調製した。 次に、このポリシラン溶解液を、窒素充填されたグロー
ブボックス内に設置されたスピンコーティング装置に移
し、基板としてコーニング社製＃７０５９ガラス（１イ
ンチ×３インチ）を用い、該ガラス基板上に１．０μｍ
の厚さでポリシランフィルムを形成させた。 更に、該ポリシランフィルムを真空処理装置内に設置さ
れたフィルムホルダ− ィルムホルダーを４０℃に加熱しつつ真空乾燥した。 ひき続き、前記真空処理装置内の圧力が５００Ｔ　ｏｒ
ｒとなるまでジメチルアごンを気化させながら導入し、
前記圧力を保ちつつ前記ポリシランフィルムをジメチル
アミン雰囲気下に２時間曝すことでドーピング処理を行
った。 以下、真空処理装置内の圧力を３　０　０　Ｔｏｒｒｌ
　０　０Ｔｏｒｒ　、　　５　０Ｔｏｒｒ　、　　１　
０Ｔｏｒｒとした以外は同様の操作でドーピング処理を
行った。 このようにして作製された各ポリシラン組成物のフィル
ム試料について、実施例１と同様の測定、評価を行った
結果を第６表に示した。 真空処理装置内の圧力を１０Ｔｏｒｒとして作製した以
外のフィルム試料にて良好な電気特性を示すことが判っ
た。 又、密着性及び耐引っかき偏性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 大旌班亙 実施例４において、ポリシラン化合物（ぬ２）の代わり
に、合成例８で合成したポリシラン化合物（拠８）を用
いた以外は同様の操作及び方法で、ドーピング量の異な
る６種類のポリシラン組成物フィルム試料を作製した。 得られた各試料について、実施例Ｉと同様の測定、評価
を行った結果を第６表に示した。 真空処理装置内の圧力をＩ　ＯＴｏｒｒとして作製した
以外のフィルム試料にて良好な電気特性を示すことが判
った。 又、密着性及び耐引っかき偏性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 大見飢ｉ 本実施例においては、前述のドーピング処理方法（３）
にて本発明のポリシラン組成物を作製した。 まず、十分乾燥、窒素置換を行った三ツロフラスコに、
合成例１２において合成したポリシラン化合物（＆１２
ＨＯｇを取り、窒素気流中で攪拌しながら、２回蒸留乾
燥を行ったトルエン１００ｍ１を滴下し溶解させポリシ
ラン溶解液を調製した。 次に、このポリシラン溶解液を、窒素充填されたグロー
ブボックス内に設置されたバーコーティング装置に移し
、基板としてコーニング社製＃７０５９ガラス（１イン
チ×３インチ）を用い、該ガラス基板上に５．０μｍの
厚さでポリシランフィルムを形成させた。 更に、該フィルムを窒素気流下で、３０℃に加熱しなが
ら十分乾燥を行った後、真空蒸着装置にセットし、抵抗
加熱蒸着法によりφ３璽■の、１１．／ドツト電極を蒸
着した。ワイヤーボンダーにて、前記Ａ／ｌドツト電極
にｐｔ線を結線した後、これを定電圧ｉｉｔ源装置の（
−）電圧側に導線を用いて接続しポリシラン電極とした
。 一方、プロピレンカーボネートｌｌ中に、ＮＮＮ’、Ｎ
’　　−テトラメチルフェニレンジアミン５ｇを溶解さ
せた電解′Ｘ溶液を調製し、該電解質溶液中に定電圧′
ｒ！ｊ、ａ装置の（＋）′ｇ１圧倒に接続したｐｔ仮電
極（２０ｔｌＸ５０ｗｍＸ１ｍｍ）　、及び前述の操作
で作製したポリシランフィルム電極を浸し両電極間に０
．５Ｖの定電圧を印加しつつ、２時間ドーピング処理を
行った。 ドーピング処理後、ポリシラン電極を取り出し真空乾燥
を行い、ポリシラン組成物フィルム試料を作製した。 更に、印加電圧をＩＶ、５Ｖ、ＩＯＶ、５０Ｖとした以
外は同様の操作でドーピング処理を行い、ポリシラン＆
ｌｌ戊物フィルム試料を作製した。 得られた各試料について、実施例１と・同様の測定、評
価を行った結果を第７表に示した。 印加電圧を０．５Ｖ、５０Ｖとして作製した以外のフィ
ルム試料にて良好な電気特性を示すことが判った。 又、密着性及び耐引っかき偏性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 大嵐廻ユ 実施例６において、ポリシラン化合物（ｋ１２）の代わ
りに、合成例４で合成したポリシラン化合物（拠４）を
用い、又、ドーパント剤としてはＮ。 Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　−テトラメチルフェニレンジアミン
の代わりにトリフェニルアミンを用いた以外は同様の操
作及び方法で、ドーピング１の異なる５種類のポリシラ
ンＡｌｌ酸物フィルム試料を作製した。 得られた各試料について、実施例１と同様の測定、評価
を行った結果を第７表に示した。 印加電圧を０．５Ｖ、５０Ｖとして作製した以外のフィ
ルム試料にて良好な電気特性を示すことが判った。 又、密着性及び耐引っかき偏性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 大旋舅１ 実施例６において、ポリシラン化合物（Ｎｎ１２）の代
わりに、合成例９で合成したポリシラン化合＠１Ｊ（ｌ
ｔ９）を用い、又、ドーパント剤としてはＮ。 Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラメチルフェニレンジアミ
ンの代わりにｏ−トルイジンを用いた以外は同様の操作
及び方法で、ドーピング量の異なる５種類のポリシラン
組成物フィルム試料を作製した。 得られた各試料について、実施例りと同様の測定、評価
を行った結果を第７表に示した。 印加電圧を０．５Ｖ、５０Ｖとして作製した以外のフィ
ルム試料にて良好な電気特性を示すことが判った。 又、密着性及び耐引っかき慣性は、実施例１で得られた
結果と同様良好であった。 太聾遺ユ 実施例１において、ポリシラン化合物（Ｉｌｋｌ）の代
わりに、合成例７で合成したポリシラン化合物（ぬ７〉
を用い、又、ドーパント剤としてはＮ。 Ｎ、Ｎ’　、Ｎ’　　−テトラメチルフェニレンジアミ
ンの代わりにトルフェニルアミンを用い、更に、基板を
コーニング社製７０５９ガラスの代わりにＡｇを１μｍ
７７ｇ着したステンレススチール製基板（５インチ×５
インチ、厚さ１ｍ）を用いた以外は同様の操作及び方法
で、ポリシランＩＪＩ放物フィルム試料を作製した。な
お、ドーパント液の滴下量は２００ｍｌとした。 ひき続き、ポリシランＭｉ戒物フィルム上に、φ５ｎの
ＡｕＦｉｊ膜を電子ビーム蒸着法にてｌＯＯ人蒸着した
。また、ｊ亥、Ａｕ薄膜にワイヤーボンダーにて電流取
り出し用の導線をボンディングし、微小電流計ＨＰ４１
４０Ｂを用いてダイオード特性を評価した。 その結果、ダイオード因子はｎ＝１．３５±０，０５で
あり、良好なダイオード特性を示した。 叉益班工１ 実施例４において、ポリシラン化合物（狙２）の代わり
に、合成例１０で合成したポリシラン化合物０ｔｏｏ）
を用い、基板は実施例９で行ったのと同様の処理を行っ
たステンレススチール製基板を用いた以外は同様の操作
及び方法で、ポリシラン組成物フィルム試料を作製した
。なお、真空処理装置内の圧力はＩ　００　Ｔｏｒｒと
した。 ひき続き、得られた各試料のポリシランＭｉ戒物フィル
ム上に、φ５ｕのｐｔ薄膜を電子ビーム蒸着性にて１０
０人蒸着した。また、該Ｐｔ薄膜にワイヤーボンダーに
て電流取り出し用の導線をボンディングし、微小電流計
ＨＰ　４．１４０　Ｂを用いてダイオード特性を評価し
た。 その結果、ダイオード因子はｎ−１，３０±０，０５で
あり、良好なダイオード特性を示した。 失盗斑上上 実施例６において、ポリシラン化合物（Ｎｌ１２）の代
わりに、合成例】４で合成したポリシラン化合物（ｌｋ
１４）を用い、基板は実施例９で行ったのと同様の処理
を行ったステンレススチール製基板を用いた以外は同様
の操作及び方法で、ポリシラン組成物フィルム試料を作
製した。なお、印加電圧はＩＯＶとした。 ひき続き、得られた各試料のポリンラン組成物フィルム
上に、φ５１−のｐｔ薄膜を電子ビーム蒸着法にて１０
０人蒸着した。また、該Ｐｔｌ膜にワイヤーボンダーに
てｔ流取り出し用の導線をボンディングし、微小電疏計
ＨＰ４１４０８を用いてダイオード特性を評価した。 その結果、ダイオード因子はｎ　＝　１．３０±０．０
５であり、良好なダイオード特性を示した。 第１表 第 表 〔発明の効果の概略〕 以上説明したように、本発明のポリシラン組成物は、ジ
クロロシランモノマーからハロゲン脱離を行って縮重合
し、さらにそのポリシランの末端基をハロゲン化有機基
やアルコール置換有機基とアルカリ金属存在下に、脱塩
縮合することにより合成されたポリシラン化合物に、更
に、特定量のアミン化合物を含有させることによって良
好な電気特性（ドナー準位）を生せしめることができる
。 又、このポリシラン組成物は溶媒への溶解性、フィルム
形成能に優れているとともに、密着性、フィルム強度に
富んでいる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ）で表され重量平均分子量が６００
   ０乃至２０００００であるポリシラン化合物に、ドナー
   順位形成用物質として、前記ポリシラン化合物１００重
   量部に対して、アミン化合物を１×１０＾−＾４乃至１
   ０重量部含有させたことを特徴とするポリシラン組成物
   。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （但し、式中、Ｒ＿１は炭素数１又は２のアルキル基、
   Ｒ＿２は炭素数３乃至８のアルキル基、シクロアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ＿３は炭素数１乃
   至４のアルキル基、Ｒ＿４は炭素数１乃至４のアルキル
   基をそれぞれ示す。Ａ、Ａ′は、それぞれ炭素数４乃至
   １２のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は
   アラルキル基であり、両者は同じであっても或いは異な
   ってもよい。ｎ、ｍは、ポリマー中の総モノマーに対す
   るそれぞれのモノマー数の割合を示すモル比であり、ｎ
   ＋ｍ＝１となり、０＜ｎ≦１、０≦ｍ＜１である。）
2. （２）一般式（ I ）で示されるポリシラン化合物にお
   いて、Ａ及びＡ′が炭素数５乃至１２のアルキル基、又
   はシクロアルキル基である請求項（１）に記載のポリシ
   ラン組成物。
3. （３）前記アミン化合物は、脂肪族アミン類、脂肪族不
   飽和アミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類から選
   択される少なくとも１つ以上のアミン化合物である請求
   項（１）に記載のポリシラン組成物。