JPH03180725A - 多極型検出用アノード構造 - Google Patents
多極型検出用アノード構造Info
- Publication number
- JPH03180725A JPH03180725A JP32102589A JP32102589A JPH03180725A JP H03180725 A JPH03180725 A JP H03180725A JP 32102589 A JP32102589 A JP 32102589A JP 32102589 A JP32102589 A JP 32102589A JP H03180725 A JPH03180725 A JP H03180725A
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- Japan
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- anode
- anodes
- anode structure
- electrons
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子を出力信号として集収する複数のアノ
ードが比較的絶縁性の高い材質上に形成された多極型検
出用アノード構造に関するものである。
ードが比較的絶縁性の高い材質上に形成された多極型検
出用アノード構造に関するものである。
光電子増倍管は、−膜内に、光電管の充電面とアノード
との間に電子増倍部を組み込んだものであり、入射光が
光電面に当ると充電面は管内に光電子を放出し、その光
電子は集束電極により電子増倍部に導かれて二次電子放
出効果により増倍される。増倍された電子は最終的に出
力信号としてアノードに集収される。このアノードを複
数個備え、同時に光の入射位置を検出することができる
。
との間に電子増倍部を組み込んだものであり、入射光が
光電面に当ると充電面は管内に光電子を放出し、その光
電子は集束電極により電子増倍部に導かれて二次電子放
出効果により増倍される。増倍された電子は最終的に出
力信号としてアノードに集収される。このアノードを複
数個備え、同時に光の入射位置を検出することができる
。
第４図は、光電子増倍管における従来のアノード構造を
示すものである。同図（ａ）はアノード構造を電子の入
射方向から見た平面図、同図（ｂ）はアノード構造の同
図（ａ）におけるＡ−Ａ’線断面図である。従来のアノ
ード構造によると、複数の矩形アノード１が一定の間隔
で絶縁体基板２上に配置されており、矩形アノード１の
間には絶縁体基板２が露出している。その為、二次電子
放出効果により増倍された多量の電子が露出した絶縁体
基板２にも衝突する。
示すものである。同図（ａ）はアノード構造を電子の入
射方向から見た平面図、同図（ｂ）はアノード構造の同
図（ａ）におけるＡ−Ａ’線断面図である。従来のアノ
ード構造によると、複数の矩形アノード１が一定の間隔
で絶縁体基板２上に配置されており、矩形アノード１の
間には絶縁体基板２が露出している。その為、二次電子
放出効果により増倍された多量の電子が露出した絶縁体
基板２にも衝突する。
従って、従来のアノード構造によると、多量の電子の衝
突によりアノード間の絶縁体領域にマイナス電荷が蓄積
され、その領域へ到来する電子は反発される。その結果
、後で到来する電子は両側に位置する矩形アノード１に
空間で分流され、各々のアノードからは擬似信号が出力
される。その為、従来のアノード構造は、入射光の位置
弁別精度が低いという欠点があった。
突によりアノード間の絶縁体領域にマイナス電荷が蓄積
され、その領域へ到来する電子は反発される。その結果
、後で到来する電子は両側に位置する矩形アノード１に
空間で分流され、各々のアノードからは擬似信号が出力
される。その為、従来のアノード構造は、入射光の位置
弁別精度が低いという欠点があった。
そこで本発明は、空間で分流され隣接するアノードに流
れ込む成分及びアノード間の帯電からの漏洩電流成分を
除去・低減することにより、位置弁別精度の向上を図る
ことを目的とするものである。
れ込む成分及びアノード間の帯電からの漏洩電流成分を
除去・低減することにより、位置弁別精度の向上を図る
ことを目的とするものである。
上記課題を達成するため、この発明は電子を出力信号と
して集収する複数のアノードが比較的絶縁性の高い材質
上に形成された多極型検出用アノード構造であって、上
記アノード間に設けられ、当該アノードより実効的に同
電位又は高電位の分割電極を備えていることを特徴とす
る。
して集収する複数のアノードが比較的絶縁性の高い材質
上に形成された多極型検出用アノード構造であって、上
記アノード間に設けられ、当該アノードより実効的に同
電位又は高電位の分割電極を備えていることを特徴とす
る。
この発明は、以上のように構成されているので、アノー
ド間に到来した電子は分割電極に捕捉される。その為、
アノード間に形成された絶縁性の高い物質上に電荷が蓄
積されることが防止され、アノード間に到来した電子は
両側のアノードに分流されない。
ド間に到来した電子は分割電極に捕捉される。その為、
アノード間に形成された絶縁性の高い物質上に電荷が蓄
積されることが防止され、アノード間に到来した電子は
両側のアノードに分流されない。
以下、この発明の一実施例に係る多極型検出用アノード
構造を添付図面に基づき説明する。なお、説明において
同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する
。
構造を添付図面に基づき説明する。なお、説明において
同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する
。
第１図は、一実施例に係る光電子増倍管の多極型検出用
アノード構造を示すものである。同図（ａ）はアノード
構造を電子の入射方向から見た平面図、同図（ｂ）はア
ノード構造の同図（ａ）におけるＢ−Ｂ’線断面図であ
る。アノード３は、アノード３より絶縁性の高い絶縁性
基板（比較的絶縁性の高い材質）４上に配置されており
、アノード３の周囲には分割電極５が一体的に形成され
ている。この分割電極５は、アノード３と比べて実効的
に同電位あるいは高電位になっている。ここでいう「実
効的に同電位あるいは高電位」とは、電子を効果的に分
離できる程度の電位差があり、かつ、リーク電流が生じ
ない程度であれば足りる。
アノード構造を示すものである。同図（ａ）はアノード
構造を電子の入射方向から見た平面図、同図（ｂ）はア
ノード構造の同図（ａ）におけるＢ−Ｂ’線断面図であ
る。アノード３は、アノード３より絶縁性の高い絶縁性
基板（比較的絶縁性の高い材質）４上に配置されており
、アノード３の周囲には分割電極５が一体的に形成され
ている。この分割電極５は、アノード３と比べて実効的
に同電位あるいは高電位になっている。ここでいう「実
効的に同電位あるいは高電位」とは、電子を効果的に分
離できる程度の電位差があり、かつ、リーク電流が生じ
ない程度であれば足りる。
従って、例えば分割電極の電位がアノードの電位より一
時的に低くなる場合や、連続的に僅かに小さい場合も含
むものである。重要なことは、アノード間に到来する電
子が分割電極の存在により積極的に捕捉される点である
。
時的に低くなる場合や、連続的に僅かに小さい場合も含
むものである。重要なことは、アノード間に到来する電
子が分割電極の存在により積極的に捕捉される点である
。
第２図は、アノード間に配置された分割電極の接地例を
示す配線図である。アノード３にはオペアンプ６を用い
たＩ／Ｖ変換回路が接続されており、分割電極５はアー
スされている。この接続例によると、オペアンプ６のａ
端子は仮想的にアースされているので、アノード３と分
割電極５との間にリーク電流は流れない。
示す配線図である。アノード３にはオペアンプ６を用い
たＩ／Ｖ変換回路が接続されており、分割電極５はアー
スされている。この接続例によると、オペアンプ６のａ
端子は仮想的にアースされているので、アノード３と分
割電極５との間にリーク電流は流れない。
第３図は、この発明の他の実施例に係る光電子増倍管の
アノードの縦断面図である。同図（ａ）に示すアノード
は、絶縁性基板４からの物理的な高さがアノード３より
分割電極５の方が高くなっている。その為、広い領域に
亘って到来電子を捕捉することができる。同図（ｂ）に
示すアノードは、絶縁性基板４に対して高い位置に分割
電極５が配置されている点で同図（ａ）に示すアノード
と差異はないが、アノード３と分割電極５が絶縁体７を
介して分離されている点で特徴がある。この場合、絶縁
性基板４が表面に露出しないので、到来電子は必ずアノ
ード３あるいは分割電極５に捕捉される。
アノードの縦断面図である。同図（ａ）に示すアノード
は、絶縁性基板４からの物理的な高さがアノード３より
分割電極５の方が高くなっている。その為、広い領域に
亘って到来電子を捕捉することができる。同図（ｂ）に
示すアノードは、絶縁性基板４に対して高い位置に分割
電極５が配置されている点で同図（ａ）に示すアノード
と差異はないが、アノード３と分割電極５が絶縁体７を
介して分離されている点で特徴がある。この場合、絶縁
性基板４が表面に露出しないので、到来電子は必ずアノ
ード３あるいは分割電極５に捕捉される。
上記実施例によると、絶縁性基板４に蓄積されるマイナ
ス電荷及びそのチャージを吸収することができ、アノー
ド間のクロストークを防止することができる。
ス電荷及びそのチャージを吸収することができ、アノー
ド間のクロストークを防止することができる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、アノードの形状、配置、間隔、数量は当該アノード構
造が適用される装置により適切なものが設定されるもの
である。
、アノードの形状、配置、間隔、数量は当該アノード構
造が適用される装置により適切なものが設定されるもの
である。
例えば、アノードを円周方向に沿って多重に配列し、こ
れらのアノード間に分割電極を放射方向及び円周方向に
配置してもよい。この場合、分割電極は連続的に一体構
造あるいは不連続的に独立構造で形成することができる
。
れらのアノード間に分割電極を放射方向及び円周方向に
配置してもよい。この場合、分割電極は連続的に一体構
造あるいは不連続的に独立構造で形成することができる
。
また、上記実施例ではアノードが絶縁性基板上に形成さ
れた例で説明しているが、アノードより絶縁性の高い半
絶縁性基板や半絶縁性薄膜上に形成されている場合を含
むものである。
れた例で説明しているが、アノードより絶縁性の高い半
絶縁性基板や半絶縁性薄膜上に形成されている場合を含
むものである。
さらに、アノード及び分割電極の接地例としては多種多
様のものがあり、アノードの接続ラインと分割電極の接
続ラインは独立でもコモンでもよい。
様のものがあり、アノードの接続ラインと分割電極の接
続ラインは独立でもコモンでもよい。
なお、この発明に係るアノード構造はガス人二次元比例
計数管にも適用することができる。
計数管にも適用することができる。
この発明は、以上説明したように構成されているので、
空間で分流され隣接するアノードに流れ込む成分及びア
ノード間の帯電からの漏洩成分を除去・低減することが
でき、入射光の位置弁別精度を向上させることができる
。
空間で分流され隣接するアノードに流れ込む成分及びア
ノード間の帯電からの漏洩成分を除去・低減することが
でき、入射光の位置弁別精度を向上させることができる
。
第１図は本発明の一実施例に係る光電子増倍管の多極型
検出用アノード構造を示す図、第２図は分割電極の接地
例を示す配線図、第３図は本発明の他の実施例に係る多
極型検出用アノード構造の縦断面図、第４図は従来技術
に係る光電子増倍管の多極型検出用アノード構造を示す
図である。 １・・・矩形アノード、２・・・絶縁体基板、３・・・
アット、４・・・絶縁性基板（比較的絶縁性の高い材質
）、５・・・分割電極、６・・・オペアンプ、７・・・
絶縁体。
検出用アノード構造を示す図、第２図は分割電極の接地
例を示す配線図、第３図は本発明の他の実施例に係る多
極型検出用アノード構造の縦断面図、第４図は従来技術
に係る光電子増倍管の多極型検出用アノード構造を示す
図である。 １・・・矩形アノード、２・・・絶縁体基板、３・・・
アット、４・・・絶縁性基板（比較的絶縁性の高い材質
）、５・・・分割電極、６・・・オペアンプ、７・・・
絶縁体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子を出力信号として集収する複数のアノードが比
較的絶縁性の高い材質上に形成された多極型検出用アノ
ード構造であって、 前記アノード間に設けられ、当該アノードより実効的に
同電位又は高電位の分割電極を備えていることを特徴と
する多極型検出用アノード構造。 ２、前記分割電極が、前記アノードの周囲に設けられて
いることを特徴とする請求項１記載の多極型検出用アノ
ード構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32102589A JPH0820307B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 多極型検出用アノード構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32102589A JPH0820307B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 多極型検出用アノード構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180725A true JPH03180725A (ja) | 1991-08-06 |
| JPH0820307B2 JPH0820307B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=18127955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32102589A Expired - Fee Related JPH0820307B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 多極型検出用アノード構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820307B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098658A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Tube photomultiplicateur et son procédé d'utilisation |
| WO2005086202A1 (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | The University Of Tokyo | 光電撮像センサ及びそれに用いられる出力電極アレイ |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32102589A patent/JPH0820307B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098658A1 (fr) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Tube photomultiplicateur et son procédé d'utilisation |
| WO2005086202A1 (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | The University Of Tokyo | 光電撮像センサ及びそれに用いられる出力電極アレイ |
| JPWO2005086202A1 (ja) * | 2004-03-10 | 2008-01-24 | 国立大学法人 東京大学 | 光電撮像センサ及びそれに用いられる出力電極アレイ |
| US7476838B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-01-13 | The University Of Tokyo | Photoelectric imaging sensor and two-dimensional output electrode array used therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820307B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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