JPH0820307B2 - 多極型検出用アノード構造 - Google Patents
多極型検出用アノード構造Info
- Publication number
- JPH0820307B2 JPH0820307B2 JP32102589A JP32102589A JPH0820307B2 JP H0820307 B2 JPH0820307 B2 JP H0820307B2 JP 32102589 A JP32102589 A JP 32102589A JP 32102589 A JP32102589 A JP 32102589A JP H0820307 B2 JPH0820307 B2 JP H0820307B2
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- Japan
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- anode
- anodes
- anode structure
- electrons
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子を出力信号として集収する複数のア
ノードが比較的絶縁性の高い材質上に形成された多極型
検出用アノード構造に関するものである。
ノードが比較的絶縁性の高い材質上に形成された多極型
検出用アノード構造に関するものである。
光電子増倍管は、一般的に、光電管の光電面とアノー
ドとの間に電子増倍部を組み込んだものであり、入射光
が光電面に当ると光電面は管内に光電子を放出し、その
光電子は集束電極により電子増倍部に導かれて二次電子
放出効果により増倍される。増倍された電子は最終的に
出力信号としてアノードに集収される。このアノードを
複数個備え、同時に光の入射位置を検出することができ
る。
ドとの間に電子増倍部を組み込んだものであり、入射光
が光電面に当ると光電面は管内に光電子を放出し、その
光電子は集束電極により電子増倍部に導かれて二次電子
放出効果により増倍される。増倍された電子は最終的に
出力信号としてアノードに集収される。このアノードを
複数個備え、同時に光の入射位置を検出することができ
る。
第４図は、光電子増倍管における従来のアノード構造
を示すものである。同図（ａ）はアノード構造を電子の
入射方向から見た平面図、同図（ｂ）はアノード構造の
同図（ａ）におけるＡ−Ａ′線断面図である。従来のア
ノード構造によると、複数の矩形アノード１が一定の間
隔で絶縁体基板２上に配置されており、矩形アノード１
の間には絶縁体基板２が露出している。その為、二次電
子放出効果により増倍された多量の電子が露出した絶縁
体基板２にも衝突する。
を示すものである。同図（ａ）はアノード構造を電子の
入射方向から見た平面図、同図（ｂ）はアノード構造の
同図（ａ）におけるＡ−Ａ′線断面図である。従来のア
ノード構造によると、複数の矩形アノード１が一定の間
隔で絶縁体基板２上に配置されており、矩形アノード１
の間には絶縁体基板２が露出している。その為、二次電
子放出効果により増倍された多量の電子が露出した絶縁
体基板２にも衝突する。
従って、従来のアノード構造によると、多量の電子の
衝突によりアノード間の絶縁体領域にマイナス電荷が蓄
積され、その領域へ到来する電子は反発される。その結
果、後で到来する電子は両側に位置する矩形アノード１
に空間で分流され、各々のアノードからは疑似信号が出
力される。その為、従来のアノード構造は、入射光の位
置弁別精度が低いという欠点があった。
衝突によりアノード間の絶縁体領域にマイナス電荷が蓄
積され、その領域へ到来する電子は反発される。その結
果、後で到来する電子は両側に位置する矩形アノード１
に空間で分流され、各々のアノードからは疑似信号が出
力される。その為、従来のアノード構造は、入射光の位
置弁別精度が低いという欠点があった。
そこで本発明は、空間で分流され隣接するアノードに
流れ込む成分及びアノード間の帯電からの漏洩電流成分
を除去・低減することにより、位置弁別精度の向上を図
ることを目的とするものである。
流れ込む成分及びアノード間の帯電からの漏洩電流成分
を除去・低減することにより、位置弁別精度の向上を図
ることを目的とするものである。
上記課題を達成するため、この発明は電子を出力信号
として集収する複数のアノードが比較的絶縁性の高い材
質上に形成された多極型検出用アノード構造であって、
上記アノード間に設けられ、当該アノードより実効的に
同電位又は高電位の分割電極を備えていることを特徴と
する。
として集収する複数のアノードが比較的絶縁性の高い材
質上に形成された多極型検出用アノード構造であって、
上記アノード間に設けられ、当該アノードより実効的に
同電位又は高電位の分割電極を備えていることを特徴と
する。
この発明は、以上のように構成されているので、アノ
ード間に到来した電子は分割電極に捕捉される。その
為、アノード間に形成された絶縁性の高い物質上に電荷
が蓄積されることが防止され、アノード間に到来した電
子は両側のアノードに分流されない。
ード間に到来した電子は分割電極に捕捉される。その
為、アノード間に形成された絶縁性の高い物質上に電荷
が蓄積されることが防止され、アノード間に到来した電
子は両側のアノードに分流されない。
以下、この発明の一実施例に係る多極型検出用アノー
ド構造を添付図面に基づき説明する。なお、説明におい
て同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略す
る。
ド構造を添付図面に基づき説明する。なお、説明におい
て同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略す
る。
第１図は、一実施例に係る光電子増倍管の多極型検出
用アノード構造を示すものである。同図（ａ）アノード
構造を電子の入射方向から見た平面図、同図（ｂ）はア
ノード構造の同図（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図であ
る。アノード３は、アノード３より絶縁性の高い絶縁性
基板（比較的絶縁性の高い材質）４上に配置されてお
り、アノード３の周囲には分割電極５が一体的に形成さ
れている。この分割電極５は、アノード３と比べて実効
的に同電位あるいは高電位になっている。ここでいう
「実効的に同電位あるいは高電位」とは、電子を効果的
に分離できる程度の電位差があり、かつ、リーク電流が
生じない程度であれば足りる。従って、例えば分割電極
の電位がアノードの電位より一時的に低くなる場合や、
連続的に僅かに小さい場合も含むものである。重要なこ
とは、アノード間に到来する電子が分割電極の存在によ
り積極的に捕捉される点である。
用アノード構造を示すものである。同図（ａ）アノード
構造を電子の入射方向から見た平面図、同図（ｂ）はア
ノード構造の同図（ａ）におけるＢ−Ｂ′線断面図であ
る。アノード３は、アノード３より絶縁性の高い絶縁性
基板（比較的絶縁性の高い材質）４上に配置されてお
り、アノード３の周囲には分割電極５が一体的に形成さ
れている。この分割電極５は、アノード３と比べて実効
的に同電位あるいは高電位になっている。ここでいう
「実効的に同電位あるいは高電位」とは、電子を効果的
に分離できる程度の電位差があり、かつ、リーク電流が
生じない程度であれば足りる。従って、例えば分割電極
の電位がアノードの電位より一時的に低くなる場合や、
連続的に僅かに小さい場合も含むものである。重要なこ
とは、アノード間に到来する電子が分割電極の存在によ
り積極的に捕捉される点である。
第２図は、アノード間に配置された分割電極の接地例
を示す配線図である。アノード３にはオペアンプ６を用
いたI/V変換回路が接続されており、分割電極５はアー
スされている。この接続例によると、オペアンプ6a端子
は仮想的にアースされているので、アノード３と分割電
極５との間にリーク電流は流れない。
を示す配線図である。アノード３にはオペアンプ６を用
いたI/V変換回路が接続されており、分割電極５はアー
スされている。この接続例によると、オペアンプ6a端子
は仮想的にアースされているので、アノード３と分割電
極５との間にリーク電流は流れない。
第３図は、この発明の他の実施例に係る光電子増倍管
のアノードの縦断面図である。同図（ａ）に示すアノー
ドは、絶縁性基板４からの物理的な高さがアノード３よ
り分割電極５の方が高くなっている。その為、広い領域
に亘って到来電子を捕捉することができる。同図（ｂ）
に示すアノードは、絶縁性基板４に対して高い位置に分
割電極５が配置されている点で同図（ａ）に示すアノー
ドと差異はないが、アノード３と分割電極５が絶縁体７
を介して分離されている点で特徴がある。この場合、絶
縁性基板４が表面に露出しないので、到来電子は必ずア
ノード３あるいは分割電極５に捕捉される。
のアノードの縦断面図である。同図（ａ）に示すアノー
ドは、絶縁性基板４からの物理的な高さがアノード３よ
り分割電極５の方が高くなっている。その為、広い領域
に亘って到来電子を捕捉することができる。同図（ｂ）
に示すアノードは、絶縁性基板４に対して高い位置に分
割電極５が配置されている点で同図（ａ）に示すアノー
ドと差異はないが、アノード３と分割電極５が絶縁体７
を介して分離されている点で特徴がある。この場合、絶
縁性基板４が表面に露出しないので、到来電子は必ずア
ノード３あるいは分割電極５に捕捉される。
上記実施例によると、絶縁性基板４に蓄積されるマイ
ナス電荷及びそのチャージを吸収することができ、アノ
ード間のクロストークを防止することができる。
ナス電荷及びそのチャージを吸収することができ、アノ
ード間のクロストークを防止することができる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、アノードの形状、配置、間隔、数量は当該アノード
構造が適用される装置により適切なものが説明されるも
のである。
く、アノードの形状、配置、間隔、数量は当該アノード
構造が適用される装置により適切なものが説明されるも
のである。
例えば、アノードを円周方向に沿って多重に配列し、
これらのアノード間に分割電極を放射方向及び円周方向
に配置してもよい。この場合、分割電極は連続的に一体
構造あるいは不連続的に独立構造で形成することができ
る。
これらのアノード間に分割電極を放射方向及び円周方向
に配置してもよい。この場合、分割電極は連続的に一体
構造あるいは不連続的に独立構造で形成することができ
る。
また、上記実施例ではアノードが絶縁性基板上に形成
された例で説明しているが、アノードより絶縁性の高い
半絶縁性基板や半絶縁性薄膜上に形成されている場合を
含むものである。
された例で説明しているが、アノードより絶縁性の高い
半絶縁性基板や半絶縁性薄膜上に形成されている場合を
含むものである。
さらに、アノード及び分割電極の接地例としては多種
多様のものがあり、アノードの接続ラインと分割電極の
接続ラインは独立でもコモンでもよい。
多様のものがあり、アノードの接続ラインと分割電極の
接続ラインは独立でもコモンでもよい。
なお、この発明に係るアノード構造はガス入二次元比
例計数管にも適用することができる。
例計数管にも適用することができる。
この発明は、以上説明したように構成されているの
で、空間で分流され隣接するアノードに流れ込む成分及
びアノード間の帯電からの漏洩成分を除去・低減するこ
とができ、入射光の位置弁別精度を向上させることがで
きる。
で、空間で分流され隣接するアノードに流れ込む成分及
びアノード間の帯電からの漏洩成分を除去・低減するこ
とができ、入射光の位置弁別精度を向上させることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例に係る光電子増倍管の多極型
検出用アノード構造を示す図、第２図は分割電極の接地
例を示す配線図、第３図は本発明の他の実施例に係る多
極型検出用アノード構造の縦断面図、第４図は従来技術
に係る光電子増倍管の多極型検出用アノード構造を示す
図である。 １……矩形アノード、２……絶縁体基板、３……アノー
ド、４……絶縁性基板（比較的絶縁性の高い材質）、５
……分割電極、６……オペアンプ、７……絶縁体。
検出用アノード構造を示す図、第２図は分割電極の接地
例を示す配線図、第３図は本発明の他の実施例に係る多
極型検出用アノード構造の縦断面図、第４図は従来技術
に係る光電子増倍管の多極型検出用アノード構造を示す
図である。 １……矩形アノード、２……絶縁体基板、３……アノー
ド、４……絶縁性基板（比較的絶縁性の高い材質）、５
……分割電極、６……オペアンプ、７……絶縁体。
Claims (2)
- 【請求項１】電子を出力信号として集収する複数のアノ
ードが比較的絶縁性の高い材質上に形成された多極型検
出用アノード構造であって、 前記アノード間に設けられ、当該アノードより実効的に
同電位又は高電位の分割電極を備えていることを特徴と
する多極型検出用アノード構造。 - 【請求項２】前記分割電極が、前記アノードの周囲に設
けられていることを特徴とする請求項１記載の多極型検
出用アノード構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32102589A JPH0820307B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 多極型検出用アノード構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32102589A JPH0820307B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 多極型検出用アノード構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180725A JPH03180725A (ja) | 1991-08-06 |
| JPH0820307B2 true JPH0820307B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=18127955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32102589A Expired - Fee Related JPH0820307B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 多極型検出用アノード構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820307B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003231505A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and its using method |
| US7476838B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-01-13 | The University Of Tokyo | Photoelectric imaging sensor and two-dimensional output electrode array used therein |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32102589A patent/JPH0820307B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03180725A (ja) | 1991-08-06 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
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