JPH0318067A - 圧力センサ装置 - Google Patents
圧力センサ装置Info
- Publication number
- JPH0318067A JPH0318067A JP15189389A JP15189389A JPH0318067A JP H0318067 A JPH0318067 A JP H0318067A JP 15189389 A JP15189389 A JP 15189389A JP 15189389 A JP15189389 A JP 15189389A JP H0318067 A JPH0318067 A JP H0318067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- sensor device
- gaalas
- gaas
- bridge circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gold ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
不発明は、
（１） 圧力センサのホィット・ストーンブリッジ回
路の抵抗成分をバンドギャップの大きなＧａＡｓあるい
ＦｉＧａＡ７！人ｓ２用いる事により形成した温度特性
の点で安定な圧力センサ装置に関するものである。
路の抵抗成分をバンドギャップの大きなＧａＡｓあるい
ＦｉＧａＡ７！人ｓ２用いる事により形成した温度特性
の点で安定な圧力センサ装置に関するものである。
（２）圧力センサのダイヤフラム部を選択エッチを用い
る事によシ形成する事で感受部の厚さばらつきを小さく
抑え、圧力センサの特性ばらつきを小さく抑えた圧力セ
ンサ装置に関するものである。
る事によシ形成する事で感受部の厚さばらつきを小さく
抑え、圧力センサの特性ばらつきを小さく抑えた圧力セ
ンサ装置に関するものである。
（３） ホィット・ストーンブリッジ回路の抵抗成分
をピエゾ効果の大きい方向に形成することによジ、高感
度な特性金持つ圧力センサ装置に関するものである。
をピエゾ効果の大きい方向に形成することによジ、高感
度な特性金持つ圧力センサ装置に関するものである。
従来の技術
圧力センサは、■金属抵抗を利用するもの■半導体ピエ
ゾ抵抗を利用するもの■Ｐｎ接合を利用するものかあク
、現在■のうちで、Ｓｉの半導体ピエゾ抵抗を用いた圧
力センサが主流である。
ゾ抵抗を利用するもの■Ｐｎ接合を利用するものかあク
、現在■のうちで、Ｓｉの半導体ピエゾ抵抗を用いた圧
力センサが主流である。
Ｓｉ ｛ｉ−用いた圧力センサの場合、ダイヤフラムを
活性層の濃度差あるいは，時間的なエッチングにより形
成を行っていた。
活性層の濃度差あるいは，時間的なエッチングにより形
成を行っていた。
発明が解決しようとする課題
濃度差あるいは、時間的なエッチングだと、濃度差のば
らつきあるいは，エッチングレートのばらつきにより，
エッチングにばらつきが出、厚さぱらつきが，発生し，
これにより、特性ばらつきが出るという問題点があった
。
らつきあるいは，エッチングレートのばらつきにより，
エッチングにばらつきが出、厚さぱらつきが，発生し，
これにより、特性ばらつきが出るという問題点があった
。
又、Ｓｉはバンドギャップが小さい為，濃度により、抵
抗の温度変化率が大きく，濃度差のばらつきにより、温
度変化率のばらつきも大きい。この為，温度ｗＩａ回路
を内蔵しなければならないという不具合があった。
抗の温度変化率が大きく，濃度差のばらつきにより、温
度変化率のばらつきも大きい。この為，温度ｗＩａ回路
を内蔵しなければならないという不具合があった。
課題を解決するための手段
バンドギャップの大きな、ヘテロ接合を用いたウェハで
選択エッチを行うことで感受部を形成させる。これによ
り，厚さばらつきを抑えられる。
選択エッチを行うことで感受部を形成させる。これによ
り，厚さばらつきを抑えられる。
又、温度特性も改善される。又、感受部の抵抗成分の形
成面，方向及び形成方法を指定することで、高感度なば
らつきの小さい感受部を形成させる事が出来る。
成面，方向及び形成方法を指定することで、高感度なば
らつきの小さい感受部を形成させる事が出来る。
作用
この構造によれば
（１） バンドギャップの大きな素材を用いることに
より．温度特性が良好となり，温度補償回路等を内蔵す
る必要がなくなる。
より．温度特性が良好となり，温度補償回路等を内蔵す
る必要がなくなる。
（２）素材による選択エッチを行なうことで、感受部の
厚さぱらつきが小さく抑えられ、圧力と感度の直線性な
どの特性ばらつきが小さくなる。
厚さぱらつきが小さく抑えられ、圧力と感度の直線性な
どの特性ばらつきが小さくなる。
これにより，セットのばらつきも小さく抑えられる。
（３） ピエゾ効果の大きな方位を抵抗成分にする事
により，大きな感度が得られ、セットとしても高感度と
なる。
により，大きな感度が得られ、セットとしても高感度と
なる。
（４１ 抵抗成分金イオン注入により，形成する事に
より、抵抗ぱらつきを小さく抑えられ、オフセット電圧
を小さく抑えることが出来る。
より、抵抗ぱらつきを小さく抑えられ、オフセット電圧
を小さく抑えることが出来る。
実施例
本発明の圧力センサ装置の実施例を第１図の断面図及び
第２図の平面図を参照して説明する。
第２図の平面図を参照して説明する。
第１図の圧力センサ装置は、ＧａＡ４Ａｓ絶縁体基板１
の上にＧａｌｇ絶縁体基板２ｆｔ形成させ、感受部トナ
るホイット・ストーンプリッジ回路の抵抗成分３を第２
図に示す（ １ ００ ）±７°以内のＧａＡｇの面に
Ｓｉ等の選択イオン注入によジ、く０１１〉く０１１〉
方向に形成させアニールを行う。この後、配線６及びワ
イヤボンドの取り出しである電圧電極４を形成させる。
の上にＧａｌｇ絶縁体基板２ｆｔ形成させ、感受部トナ
るホイット・ストーンプリッジ回路の抵抗成分３を第２
図に示す（ １ ００ ）±７°以内のＧａＡｇの面に
Ｓｉ等の選択イオン注入によジ、く０１１〉く０１１〉
方向に形成させアニールを行う。この後、配線６及びワ
イヤボンドの取り出しである電圧電極４を形成させる。
その後ＮＨ４Ｆ系などの選択エッチ液を用いＧａＡｊＡ
ｇ部のみエッチングを行なうことで，ダイヤフラム面６
ｔ−形成させる。
ｇ部のみエッチングを行なうことで，ダイヤフラム面６
ｔ−形成させる。
な訃実施例では、ＧａＡＪＡｓ基板で示したが、これに
限られたわけでなくＳ１よクバンドギャップの大きなヘ
テロ接合が可能な素材であればよい。
限られたわけでなくＳ１よクバンドギャップの大きなヘ
テロ接合が可能な素材であればよい。
発明の効果
本発明の圧力センサ装置によれば，温度特性に優れ、大
きな感度と小さなオフセント電圧をもつ，ぱらつきの小
さなものを得る事が出来、圧力センサ装置を使ったセッ
トの高温動作化，高性能化という効果が奏される。
きな感度と小さなオフセント電圧をもつ，ぱらつきの小
さなものを得る事が出来、圧力センサ装置を使ったセッ
トの高温動作化，高性能化という効果が奏される。
第１図は本発明の圧力セノサの実施例を示す断面図、第
２図は本発明の実施例の平面図である。 １・・・・・・ＧＩＬＡ４ＡＳ絶縁性基板，２・・・・
・・ＧａＡｓ絶−縁性基板、３・・・・・・ｎ型不純物
をドープした活性層，４・・・・・・電圧電極，６・・
・・・・ダイヤフラム、６・・・・・・配線Ｏ
２図は本発明の実施例の平面図である。 １・・・・・・ＧＩＬＡ４ＡＳ絶縁性基板，２・・・・
・・ＧａＡｓ絶−縁性基板、３・・・・・・ｎ型不純物
をドープした活性層，４・・・・・・電圧電極，６・・
・・・・ダイヤフラム、６・・・・・・配線Ｏ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ヘテロ接合を有する事を特徴とする圧力センサ装
置。 （２）ヘテロ接合がＧａＡｓ及びＧａＡｌＡｓよりなる
事を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の圧力セン
サ装置。 （３）ＧａＡｓあるいはＧａＡｌＡｓの抵抗で形成され
るホィット・ストーンブリッジ回路の抵抗成分が＜０１
１＞＜０１＠１＠＞方向である事を特徴とする特許請求
の範囲第２項に記載の圧力センサ装置。 （４）ＧａＡｓあるいはＧａＡｌＡｓのホィット・スト
ーンブリッジ回路の抵抗を形成後、選択エッチによりダ
イヤフラムを形成する事を特徴とする特許請求の範囲第
３項に記載の圧力センサ装置。 （６）ＧａＡｓあるいはＧａＡｌＡｓのホィット・スト
ーンブリッジ回路の抵抗が、（１００）±７゜の面に選
択イオン注入により形成されている事を特徴とする特許
請求の範囲第４項に記載の圧力センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15189389A JPH0318067A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 圧力センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15189389A JPH0318067A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 圧力センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318067A true JPH0318067A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15528502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15189389A Pending JPH0318067A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 圧力センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0318067A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828116A (en) * | 1996-01-22 | 1998-10-27 | Denso Corporation | Semiconductor device with bonded wires |
| US6863597B2 (en) | 2001-06-27 | 2005-03-08 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Chip collecting apparatus for tip dresser |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182276A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-25 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体圧力センサ |
| JPS62185379A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 機械電気変換素子 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15189389A patent/JPH0318067A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182276A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-25 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体圧力センサ |
| JPS62185379A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 機械電気変換素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828116A (en) * | 1996-01-22 | 1998-10-27 | Denso Corporation | Semiconductor device with bonded wires |
| US6863597B2 (en) | 2001-06-27 | 2005-03-08 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Chip collecting apparatus for tip dresser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4771639A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| US4188258A (en) | Process for fabricating strain gage transducer | |
| US5706565A (en) | Method for making an all-silicon capacitive pressure sensor | |
| CA1115857A (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly and method | |
| US5936164A (en) | All-silicon capacitive pressure sensor | |
| JPH0116030B2 (ja) | ||
| JPS59117271A (ja) | 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法 | |
| US4287772A (en) | Strain gage transducer and process for fabricating same | |
| KR20190108076A (ko) | 피에조 저항형 센서 | |
| JPH0818068A (ja) | 半導体感歪センサの製造方法 | |
| WO2000047969A1 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH0318067A (ja) | 圧力センサ装置 | |
| JPS63308390A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH06204408A (ja) | 半導体装置用拡散抵抗 | |
| JP2876617B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2003098025A (ja) | 半導体センサ及びその製造方法 | |
| JPS62266875A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2002050771A (ja) | 集積化センサ | |
| JPS6097677A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2748077B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH03208375A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS61212052A (ja) | 梁構造体を有する半導体装置 | |
| JP3156681B2 (ja) | 半導体歪みセンサ | |
| JPH03262973A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH06347354A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 |