JPH03180071A - カラー固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
カラー固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH03180071A JPH03180071A JP1319531A JP31953189A JPH03180071A JP H03180071 A JPH03180071 A JP H03180071A JP 1319531 A JP1319531 A JP 1319531A JP 31953189 A JP31953189 A JP 31953189A JP H03180071 A JPH03180071 A JP H03180071A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラー固体撮像装置の構造に関し、特に、オン
チップ型カラーフィルタの構造およびその製造方法に関
するものである。
チップ型カラーフィルタの構造およびその製造方法に関
するものである。
第5図は、従来のカラー固体撮像装置の一例であるオン
チップ型カラーフィルタを持つCCDイメージセンサの
概略断面図である。第5図において、lはシリコンなど
の基板、2は基板l上に形成されたフォトダイオード、
3はフォトダイオード2で光入射により発生した電荷を
CCD部へ読み出すためのゲート電極、4はCCD部の
ベリラドチャネル、5はベリノドチャネル4上に配置さ
れたゲート電極であり、ベリラドチャネル4.ゲート電
極5によりCCD部が構成されている。また、6は分離
酸化膜であり、これらの上部には絶縁酸化膜7を介して
A1遮光膜8が形成されている。また、そのさらに上部
にはオンチップ型カラーフィルタ膜10が積層されてお
り、これは透明樹脂材料から威る下地膜1).中間膜1
2.保護膜13と色分解のため着色されたパターンとに
より構成されている。この着色パターンとしては原色系
のものと補色系のものがあるが、この例ではシアンフィ
ルタ21aおよびイエローフィルタ22aとの組合せか
ら成る補色系のカラーフィルタを示している。
チップ型カラーフィルタを持つCCDイメージセンサの
概略断面図である。第5図において、lはシリコンなど
の基板、2は基板l上に形成されたフォトダイオード、
3はフォトダイオード2で光入射により発生した電荷を
CCD部へ読み出すためのゲート電極、4はCCD部の
ベリラドチャネル、5はベリノドチャネル4上に配置さ
れたゲート電極であり、ベリラドチャネル4.ゲート電
極5によりCCD部が構成されている。また、6は分離
酸化膜であり、これらの上部には絶縁酸化膜7を介して
A1遮光膜8が形成されている。また、そのさらに上部
にはオンチップ型カラーフィルタ膜10が積層されてお
り、これは透明樹脂材料から威る下地膜1).中間膜1
2.保護膜13と色分解のため着色されたパターンとに
より構成されている。この着色パターンとしては原色系
のものと補色系のものがあるが、この例ではシアンフィ
ルタ21aおよびイエローフィルタ22aとの組合せか
ら成る補色系のカラーフィルタを示している。
以上のような構造の従来のカラー固体撮像装置において
は、Al遮光膜8は、受光領域であるフォトダイオード
2の上部のみが開口されており、この領域以外たとえば
ベリラドチャネル4およびゲート電極5などのCOD領
域への光入射を防止し、不要電荷の発生を防いでいる。
は、Al遮光膜8は、受光領域であるフォトダイオード
2の上部のみが開口されており、この領域以外たとえば
ベリラドチャネル4およびゲート電極5などのCOD領
域への光入射を防止し、不要電荷の発生を防いでいる。
また、上記Al遮光膜8の開口部へ入射した光は、シア
ンフィルタ21aもしくはイエローフィルタ22aある
いはこれらの積み重ねによるグリーンフィルタ(図示せ
ず)の有無に応じて色分解され、フォトダイオード2へ
入射し、入射光強度に応じた信号電荷を発生している。
ンフィルタ21aもしくはイエローフィルタ22aある
いはこれらの積み重ねによるグリーンフィルタ(図示せ
ず)の有無に応じて色分解され、フォトダイオード2へ
入射し、入射光強度に応じた信号電荷を発生している。
ここで、以上説明したようなオンチップ型カラーフィル
タ膜10を用いた従来のカラー固体撮像装置の製造方法
について若干の説明を行なう。
タ膜10を用いた従来のカラー固体撮像装置の製造方法
について若干の説明を行なう。
第6図(a)〜(f)は従来の製造方法の中でカラーフ
ィルタ膜の形成工程を示す概略断面図である。第6図(
a)はカラーフィルタ膜10が形威される前の状態を示
しており、よく知られているシリコン半導体プロセスに
よりフォトダイオード2、ベリラドチャネル4、ゲート
電極3.5等が形威されている。カラーフィルタ膜10
の形成工程においては、まず第6図ialに示したよう
な基板l上に第6図(b)に示すようにアクリル系樹脂
などの透明材料を例えばスピン塗布法により塗布し下地
膜1)を形成する。この際、下地膜ll自体が紫外線な
どに対し感光性を持っていれば、ポンディングパッドや
ダイシングライン(いずれも図示せず)などの上の不要
な下地膜1)を写真製版法により除去する。続いて、第
6図(C1に示すように、着色パターンの母材となる水
溶性のゼラチンあるいはカゼインなどの天然高分子材料
もしくはPVA (ポリビニルアルコール)などの合成
高分子材料に重クロム酸アンモニウム塩などの添加によ
り例えばネガ型の感光性を付与した材料を塗布し、1色
目のフィルタ膜21を形成する。このフィルタ膜21を
マスク31を用いて紫外線により露光し、続いて現像処
理を施すことにより、第6図(d)に示すように、光の
当たった部分のみ即ちフォトダイオード2上にのみフィ
ルタ膜21が残される。引き続き、これをシアン色の染
料で染色することにより第6図(e)に示すようにシア
ンフィルタ21aが形威される。
ィルタ膜の形成工程を示す概略断面図である。第6図(
a)はカラーフィルタ膜10が形威される前の状態を示
しており、よく知られているシリコン半導体プロセスに
よりフォトダイオード2、ベリラドチャネル4、ゲート
電極3.5等が形威されている。カラーフィルタ膜10
の形成工程においては、まず第6図ialに示したよう
な基板l上に第6図(b)に示すようにアクリル系樹脂
などの透明材料を例えばスピン塗布法により塗布し下地
膜1)を形成する。この際、下地膜ll自体が紫外線な
どに対し感光性を持っていれば、ポンディングパッドや
ダイシングライン(いずれも図示せず)などの上の不要
な下地膜1)を写真製版法により除去する。続いて、第
6図(C1に示すように、着色パターンの母材となる水
溶性のゼラチンあるいはカゼインなどの天然高分子材料
もしくはPVA (ポリビニルアルコール)などの合成
高分子材料に重クロム酸アンモニウム塩などの添加によ
り例えばネガ型の感光性を付与した材料を塗布し、1色
目のフィルタ膜21を形成する。このフィルタ膜21を
マスク31を用いて紫外線により露光し、続いて現像処
理を施すことにより、第6図(d)に示すように、光の
当たった部分のみ即ちフォトダイオード2上にのみフィ
ルタ膜21が残される。引き続き、これをシアン色の染
料で染色することにより第6図(e)に示すようにシア
ンフィルタ21aが形威される。
この後、中間膜工2および2色目のイエローフィルタ2
2aを第6図(b)〜(e)に示した工程と同様の工程
を繰り返して形威し、最後に保護膜13を下地膜1).
中間膜12と同様の方法で形成する。
2aを第6図(b)〜(e)に示した工程と同様の工程
を繰り返して形威し、最後に保護膜13を下地膜1).
中間膜12と同様の方法で形成する。
この際、ポンディングパッドやダイシングライン(共に
図示せず)などの上の不要なこれらの膜は、膜自体が感
光性を有する場合には写真製版法により、また感光性を
持たない場合には、更にこれらの膜の上部にレジスト膜
を形威し、これをマスクとして酸素プラズマなどにより
エツチングして除去し、最後にレジスト膜を除去して第
6図(f)に示すカラーフィルタ膜10を得ていた。
図示せず)などの上の不要なこれらの膜は、膜自体が感
光性を有する場合には写真製版法により、また感光性を
持たない場合には、更にこれらの膜の上部にレジスト膜
を形威し、これをマスクとして酸素プラズマなどにより
エツチングして除去し、最後にレジスト膜を除去して第
6図(f)に示すカラーフィルタ膜10を得ていた。
以上のような方法により製造されていた従来のカラー固
体撮像装置においては、その表面すなわちカラーフィル
タ膜10の保護膜13の表面が緩やかな凹凸はあるもの
の多くの場合滑らかで概ね平らな形状をしている。また
、Al遮光膜8上に積層された下地膜1).中間膜12
および保護膜13は、同時にフォトダイオード2上にも
形成されるため、透明な材料が用いられ、このためA7
!遮光膜8上の領域に入射した光は容易にこれらの膜を
透過するとともに、A1遮光膜8により反射され、光が
減衰されにくいという特徴を有していた。このような反
射光の生成は/l遮光膜8上のみならず、滑らかな表面
形状を持つ保護膜13の表面でも起こっており、これら
の反射光がカラー固体撮像装置の性能低下に結びついて
いた。
体撮像装置においては、その表面すなわちカラーフィル
タ膜10の保護膜13の表面が緩やかな凹凸はあるもの
の多くの場合滑らかで概ね平らな形状をしている。また
、Al遮光膜8上に積層された下地膜1).中間膜12
および保護膜13は、同時にフォトダイオード2上にも
形成されるため、透明な材料が用いられ、このためA7
!遮光膜8上の領域に入射した光は容易にこれらの膜を
透過するとともに、A1遮光膜8により反射され、光が
減衰されにくいという特徴を有していた。このような反
射光の生成は/l遮光膜8上のみならず、滑らかな表面
形状を持つ保護膜13の表面でも起こっており、これら
の反射光がカラー固体撮像装置の性能低下に結びついて
いた。
以下に、この性能低下に関して説明する。
第7図は、パンケージに収納された状態にある従来のカ
ラー固体撮像装置の概略断面図である。
ラー固体撮像装置の概略断面図である。
同図において、40はカラー固体撮像装置チップ、41
はセラミック製パッケージであり、グイボンド樹脂(図
示せず)を介してチップ40がそのセラミック製パンケ
ージ41の内底面上に固定されている。42はパッケー
ジ41に取り付けられたリードであり、ワイヤ43によ
り固体撮像装置チツブ40上のボンディングパソド(図
示せず)と電気的に接続されている。また、パッケージ
41の上部は開口されており、この開口部にはガラス1
44が接着剤(図示せず)により固定されている。
はセラミック製パッケージであり、グイボンド樹脂(図
示せず)を介してチップ40がそのセラミック製パンケ
ージ41の内底面上に固定されている。42はパッケー
ジ41に取り付けられたリードであり、ワイヤ43によ
り固体撮像装置チツブ40上のボンディングパソド(図
示せず)と電気的に接続されている。また、パッケージ
41の上部は開口されており、この開口部にはガラス1
44が接着剤(図示せず)により固定されている。
第8図は、第7図のガラス蓋44と固体撮像装置チップ
40との間の空間を部分的に拡大した部分拡大図である
。以下、第7図および第8図を用いて上記性能低下に関
して説明する。
40との間の空間を部分的に拡大した部分拡大図である
。以下、第7図および第8図を用いて上記性能低下に関
して説明する。
固体撮像装置チップ40の主面すなわちフォトダイオー
ド2の形成されている面の前方より結像光学(図示せず
)を通して入射してくる光45 (第7図)は、主面に
対して垂直な光もあれば、また成る傾きをもって入射し
てくる光もある。これらの入射光のうちAあるいはA’
(第8図)のように直接フォトダイオード2へ入射
するもののみが信号電荷となるのであれば問題ないが、
従来の固体撮像装置においては上述のようにA7!遮光
膜8上で反射された光Bあるいは保護膜13の表面で反
射された光Cがガラス蓋44の下面もしくは上面で反射
されフォトダイオード2へ入射することがあった。同様
に、AI!遮光膜8あるいは保護膜13の表面とガラス
蓋44の下面もしくは上面との間で反射を数回繰り返し
た後フォトダイオード2に入射する光もあった。
ド2の形成されている面の前方より結像光学(図示せず
)を通して入射してくる光45 (第7図)は、主面に
対して垂直な光もあれば、また成る傾きをもって入射し
てくる光もある。これらの入射光のうちAあるいはA’
(第8図)のように直接フォトダイオード2へ入射
するもののみが信号電荷となるのであれば問題ないが、
従来の固体撮像装置においては上述のようにA7!遮光
膜8上で反射された光Bあるいは保護膜13の表面で反
射された光Cがガラス蓋44の下面もしくは上面で反射
されフォトダイオード2へ入射することがあった。同様
に、AI!遮光膜8あるいは保護膜13の表面とガラス
蓋44の下面もしくは上面との間で反射を数回繰り返し
た後フォトダイオード2に入射する光もあった。
以上のような反射によりフォトダイオード2に入射する
光は一種のフレア成分となり、固体撮像装置の分解能等
の性能低下を引き起こすなどの問題を生じていた。
光は一種のフレア成分となり、固体撮像装置の分解能等
の性能低下を引き起こすなどの問題を生じていた。
この対策として、特にA1g光膜8上からの反射を防止
するため、従来は以下のような手法が用いられたことが
ある。
するため、従来は以下のような手法が用いられたことが
ある。
第9図および第10図はそれぞれ従来の対策例を説明す
るための概略断面図である。第9図において、シアンフ
ィルタ21aは、フォトダイオード2上のみならず、イ
エロー用フォトダイオード2上を除<Al遮光膜8上に
も形成されている。
るための概略断面図である。第9図において、シアンフ
ィルタ21aは、フォトダイオード2上のみならず、イ
エロー用フォトダイオード2上を除<Al遮光膜8上に
も形成されている。
同様にイエローフィルタ22aもシアン用フォトダイオ
ード2上を除くすべての領域にまで形成されている。こ
れによりAl遮光膜8上にはシアン、イエローの両フィ
ルタ21a、22aが形成され、Alfl光膜8上へ到
達する光の一部を吸収し、同時に反射光の強度を低下さ
せている。
ード2上を除くすべての領域にまで形成されている。こ
れによりAl遮光膜8上にはシアン、イエローの両フィ
ルタ21a、22aが形成され、Alfl光膜8上へ到
達する光の一部を吸収し、同時に反射光の強度を低下さ
せている。
一方、第10図に示す従来例においては、シアンフィル
タ21a1イエローフイルタ22aとは別にA1遮光膜
8上の位置にブラックフィルタ23aが形成されている
。ブランクフィルタ23aはシアン、イエローの両フィ
ルタと同様の染色法で形成が可能であり、A1遮光膜8
上へ入射してくる光のうちの多くを吸収する。
タ21a1イエローフイルタ22aとは別にA1遮光膜
8上の位置にブラックフィルタ23aが形成されている
。ブランクフィルタ23aはシアン、イエローの両フィ
ルタと同様の染色法で形成が可能であり、A1遮光膜8
上へ入射してくる光のうちの多くを吸収する。
以上のような従来の対策例においては、Al遮光膜8か
らの反射を抑えるためには何れの場合も各色フィルタの
染色濃度を高める必要があり、強い染色条件を必要とし
ていた。しかしながら、第9図の構造のものでは、フォ
トダイオード2上のシアン、イエローの両フィルタ21
a、22aの分光特性にも影響が及ぶため、必要十分な
染色濃度にすることができず若干の反射成分が残り、ま
た第10図の構造のものにおいてもブラックフィルタ2
3aでの光吸収は完全とは言えなかった。
らの反射を抑えるためには何れの場合も各色フィルタの
染色濃度を高める必要があり、強い染色条件を必要とし
ていた。しかしながら、第9図の構造のものでは、フォ
トダイオード2上のシアン、イエローの両フィルタ21
a、22aの分光特性にも影響が及ぶため、必要十分な
染色濃度にすることができず若干の反射成分が残り、ま
た第10図の構造のものにおいてもブラックフィルタ2
3aでの光吸収は完全とは言えなかった。
さらに、このようにAIB光膜8からの反射光強度を低
下させることはできたとしても、保護膜13表面からの
反射光は依然として残っていた。
下させることはできたとしても、保護膜13表面からの
反射光は依然として残っていた。
従来の固体撮像装置は以上のように構成されているため
、固体撮像装置表面の画素領域以外の部分に入射した光
がその上層のカラーフィルタ膜の表面あるいはその下部
のAl遮光膜8やAl配線などの表面で反射され、その
反射光がパッケージ内部でさらに反射されることにより
、これらの反射光が画素領域へ入射するなどして、これ
によりフレア成分を発生し、このため画像のボケを発生
したり、画像全体が白味がかったり、分解能を低下させ
るといった問題を起こしていた。
、固体撮像装置表面の画素領域以外の部分に入射した光
がその上層のカラーフィルタ膜の表面あるいはその下部
のAl遮光膜8やAl配線などの表面で反射され、その
反射光がパッケージ内部でさらに反射されることにより
、これらの反射光が画素領域へ入射するなどして、これ
によりフレア成分を発生し、このため画像のボケを発生
したり、画像全体が白味がかったり、分解能を低下させ
るといった問題を起こしていた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、画素領域以外の領域へ入射した
光がカラーフィルタ膜あるいはAl遮光膜などの表面で
反射されることがなく、不要な光が画素領域に入射する
ことのないカラー固体撮像装置とその製造方法を得るこ
とにある。
の目的とするところは、画素領域以外の領域へ入射した
光がカラーフィルタ膜あるいはAl遮光膜などの表面で
反射されることがなく、不要な光が画素領域に入射する
ことのないカラー固体撮像装置とその製造方法を得るこ
とにある。
このような課題を解決するために本発明の第1の発明は
、基板上に形成されたカラーフィルタ膜の表面に選択的
に微細な凹凸形状を形成するようにしたものである。
、基板上に形成されたカラーフィルタ膜の表面に選択的
に微細な凹凸形状を形成するようにしたものである。
また本発明の第2の発明は、基板上にカラーフィルタ膜
を形成する工程と、カラーフィルタ膜の表面上であって
その下部の画素に対応した位置にある受光部領域にレジ
ストパターンを形成する工程と、氷微粒子をカラーフィ
ルタ膜表面に吹き付ける工程と、レジストパターンを除
去する工程とを含むようにしたものである。
を形成する工程と、カラーフィルタ膜の表面上であって
その下部の画素に対応した位置にある受光部領域にレジ
ストパターンを形成する工程と、氷微粒子をカラーフィ
ルタ膜表面に吹き付ける工程と、レジストパターンを除
去する工程とを含むようにしたものである。
本発明によるカラー固体撮像装置においては、カラーフ
ィルタ膜上に形成された微細な凹凸により、表面での入
射光の正反射を防止すると同時に光を散乱し強度を低下
させる。
ィルタ膜上に形成された微細な凹凸により、表面での入
射光の正反射を防止すると同時に光を散乱し強度を低下
させる。
また、本発明によるカラー固体撮像装置の製造方法にお
いては、レジストパターンが形成された領域以外のカラ
ーフィルタ膜の表面上に氷微粒子を衝突させることによ
り微細な凹凸を表面上に形成する。
いては、レジストパターンが形成された領域以外のカラ
ーフィルタ膜の表面上に氷微粒子を衝突させることによ
り微細な凹凸を表面上に形成する。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図は、本発明の第1の発明によるカラー固体撮像装
置の一実施例を示す概略断面図であり、同図において第
5図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである
。第1図と第5図の相違点はカラーフィルタ膜10の保
護膜13の表面形状にある。
置の一実施例を示す概略断面図であり、同図において第
5図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである
。第1図と第5図の相違点はカラーフィルタ膜10の保
護膜13の表面形状にある。
この保護膜13は受光領域であるフォトダイオード2上
に位置する部分のみが滑らかな表面形状をしており、そ
の他の領域、特にAl遮光膜8上の部分が微細で不規則
な大きさ、形状の凹凸を持っている。その他のカラーフ
ィルタ膜10の各部分は従来のものと変わらない。
に位置する部分のみが滑らかな表面形状をしており、そ
の他の領域、特にAl遮光膜8上の部分が微細で不規則
な大きさ、形状の凹凸を持っている。その他のカラーフ
ィルタ膜10の各部分は従来のものと変わらない。
このようにAl遮光膜8上の保j!1)13の表面に微
細な凹凸を設けることにより、この領域へ入射してきた
光が散乱され、まず保護膜13表面での光の反射が抑制
される。また、入射光はこの位置ですでに一部吸収され
ると共に散乱されているため、光強度が低下し、はじめ
と同一人射角あるいはそれに近い角度でAl返光膜8表
面にまで到達し、ここで反射されたとしても、その反射
光は保護膜13表面の凹凸により更に吸収、散乱される
ことになり、さらに光強度を低下させる。このため、第
7図および第8図を用いて説明したようなガラス蓋44
の下面もしくは上面で反射されてフォトダイオード2に
入射する光は殆ど無くなると共に、その光強度が大きく
低下しているため、フレア成分として作用することがな
くなる。一方、受光領域14においては、このような凹
凸面はフォトダイオード2への入射光の強度低下に繋が
り、固体撮像装置の感度低下を引き起こすため、このよ
うな凹凸形状は設けず、従来同様の滑らかな表面として
いる。
細な凹凸を設けることにより、この領域へ入射してきた
光が散乱され、まず保護膜13表面での光の反射が抑制
される。また、入射光はこの位置ですでに一部吸収され
ると共に散乱されているため、光強度が低下し、はじめ
と同一人射角あるいはそれに近い角度でAl返光膜8表
面にまで到達し、ここで反射されたとしても、その反射
光は保護膜13表面の凹凸により更に吸収、散乱される
ことになり、さらに光強度を低下させる。このため、第
7図および第8図を用いて説明したようなガラス蓋44
の下面もしくは上面で反射されてフォトダイオード2に
入射する光は殆ど無くなると共に、その光強度が大きく
低下しているため、フレア成分として作用することがな
くなる。一方、受光領域14においては、このような凹
凸面はフォトダイオード2への入射光の強度低下に繋が
り、固体撮像装置の感度低下を引き起こすため、このよ
うな凹凸形状は設けず、従来同様の滑らかな表面として
いる。
以上のような構造により、カラー固体撮像装置のその他
の特性に悪影響を及ぼすことなく、フレア成分となる反
射光の発生を防止できる。
の特性に悪影響を及ぼすことなく、フレア成分となる反
射光の発生を防止できる。
次に、上述のようにカラーフィルタ膜lOの表面上に選
択的に微細な凹凸形状を設ける方法について以下説明す
る。
択的に微細な凹凸形状を設ける方法について以下説明す
る。
第2図(a)〜(d)は、本発明の第2の発明によるカ
ラー固体撮像装置の製造方法の一実施例を説明するため
の概略工程図である。同図において、24はレジスト膜
、32はマスク、50は氷微粒子である。
ラー固体撮像装置の製造方法の一実施例を説明するため
の概略工程図である。同図において、24はレジスト膜
、32はマスク、50は氷微粒子である。
本実施例の工程は、第6図(a)〜(f)を用いて説明
した従来の製造方法の工程の後より引き続き実施される
もので、第6図(f)においてオンチップ型カラーフィ
ルタlOが形成された後の工程を示している。第2図(
alに示すように、カラーフィルタ膜10上に例えばフ
ェノール・ノボラック系のポジ型レジストを塗布し、レ
ジスト膜24を形成する。
した従来の製造方法の工程の後より引き続き実施される
もので、第6図(f)においてオンチップ型カラーフィ
ルタlOが形成された後の工程を示している。第2図(
alに示すように、カラーフィルタ膜10上に例えばフ
ェノール・ノボラック系のポジ型レジストを塗布し、レ
ジスト膜24を形成する。
続いて、マスク32を用いてフォトダイオード2上の領
域にレジスト膜が残るように他の領域を紫外線により露
光する。次いで、現像処理を施すと、露光部のレジスト
膜24は溶出し、第2図(b)に示すように、未露光部
のレジスト膜24のみが残る。
域にレジスト膜が残るように他の領域を紫外線により露
光する。次いで、現像処理を施すと、露光部のレジスト
膜24は溶出し、第2図(b)に示すように、未露光部
のレジスト膜24のみが残る。
適当なベータ処理の後、第2図(C1に示すように、純
水の氷の微粒子50を高速でカラーフィルタ膜10の表
面上に衝突させる。氷は純水などの木取外にも、例えば
アルコールなどの有機溶剤あるいは過酸化水素水などの
氷(固体状態にあるもの)を必要に応じて用いてもよい
。また、氷の粒径としては数百nm〜数百μm程度の範
囲のものを用いる。氷微粒子50の衝突入射角はカラー
フィルタ膜10表面に対して垂直に近いほど表面を変形
させる効果が大きくなり、逆に平行に近づけると、カラ
ーフィルタ膜10の材料を除去する効果が増大してくる
。
水の氷の微粒子50を高速でカラーフィルタ膜10の表
面上に衝突させる。氷は純水などの木取外にも、例えば
アルコールなどの有機溶剤あるいは過酸化水素水などの
氷(固体状態にあるもの)を必要に応じて用いてもよい
。また、氷の粒径としては数百nm〜数百μm程度の範
囲のものを用いる。氷微粒子50の衝突入射角はカラー
フィルタ膜10表面に対して垂直に近いほど表面を変形
させる効果が大きくなり、逆に平行に近づけると、カラ
ーフィルタ膜10の材料を除去する効果が増大してくる
。
以上のように、氷微粒子50の高速衝突によりカラーフ
ィルタ膜lOの保護膜13あるいはレジスト膜24の表
面は変形し、微細で不規則な凹凸が形成されるが、レジ
スト膜24下の保護膜13の表面はこの作用を受けない
。
ィルタ膜lOの保護膜13あるいはレジスト膜24の表
面は変形し、微細で不規則な凹凸が形成されるが、レジ
スト膜24下の保護膜13の表面はこの作用を受けない
。
所望時間の氷微粒子衝突処理の後、カラーフィルタ膜1
0表面上に残存した氷微粒子は、常温の水、望ましくは
純水を用いて水洗すれば容易に溶解し、また簡単に乾燥
させることができるので、カラーフィルタ膜10表面上
に不要な残渣を残すことがないという利点がある。
0表面上に残存した氷微粒子は、常温の水、望ましくは
純水を用いて水洗すれば容易に溶解し、また簡単に乾燥
させることができるので、カラーフィルタ膜10表面上
に不要な残渣を残すことがないという利点がある。
以上の処理の後、例えばアルコールやケトンなどの有J
a溶剤を用いてレジスト膜24を除去し、第2図(d)
のような構造のカラー固体撮像装置が得られる。
a溶剤を用いてレジスト膜24を除去し、第2図(d)
のような構造のカラー固体撮像装置が得られる。
なお、上記第1の発明の第1の実施例のカラー固体撮像
装置に限らず、例えば第3図および第4図に示すように
、A1g光膜8上にまでシアンフィルタ21aおよびイ
エローフィルタ22aを伸ばしたような構造のもの、あ
るいはブランクフィルタ23aを形成したものについて
も、第1の実施例のように保護膜13の受光領域以外の
表面上に微細な凹凸を形成しておけば、さらに確実にA
I!遮光膜8上からの反射を防止できるとともに、保護
膜13表面での反射をも防止できる。なお、第4図にお
いて、12a、12bは中間膜である。
装置に限らず、例えば第3図および第4図に示すように
、A1g光膜8上にまでシアンフィルタ21aおよびイ
エローフィルタ22aを伸ばしたような構造のもの、あ
るいはブランクフィルタ23aを形成したものについて
も、第1の実施例のように保護膜13の受光領域以外の
表面上に微細な凹凸を形成しておけば、さらに確実にA
I!遮光膜8上からの反射を防止できるとともに、保護
膜13表面での反射をも防止できる。なお、第4図にお
いて、12a、12bは中間膜である。
更に、上記実施例では、カラーフィルタ膜lOとしてシ
アンフィルタ21a、イエローフィルタ22aの組合せ
からなる補色系のオンチップ型カラーフィルタ10を用
いた例を示したが、さらにマゼンタフィルタ、グリーン
フィルタが付加されたものであってもよく、また原色系
のカラーフィルタであってもよく、フィルタの種類によ
り限定されるものではない。
アンフィルタ21a、イエローフィルタ22aの組合せ
からなる補色系のオンチップ型カラーフィルタ10を用
いた例を示したが、さらにマゼンタフィルタ、グリーン
フィルタが付加されたものであってもよく、また原色系
のカラーフィルタであってもよく、フィルタの種類によ
り限定されるものではない。
さらに、カラーではなく、白黒用の固体撮像装置の上に
保護膜13のみを形成し、受光領域以外の部分に微細な
凹凸を形成すれば同様の効果を得ることができるのは言
うまでもない。
保護膜13のみを形成し、受光領域以外の部分に微細な
凹凸を形成すれば同様の効果を得ることができるのは言
うまでもない。
以上説明したように本発明の第1の発明は、受光領域以
外のカラーフィルタ膜の表面上に微細な凹凸を形成した
ことにより、この部分での入射光の反射を抑えられると
同時にA1g光膜での反射をも防止できるので、フレア
成分の発生を防止でき、分解能の高いものが得られる効
果がある。
外のカラーフィルタ膜の表面上に微細な凹凸を形成した
ことにより、この部分での入射光の反射を抑えられると
同時にA1g光膜での反射をも防止できるので、フレア
成分の発生を防止でき、分解能の高いものが得られる効
果がある。
また、本発明の第2の発明は、受光領域に対応したカラ
ーフィルタ膜上にレジスト膜を設けて氷微粒子を吹き付
けることにより、フォトダイオード上の受光領域のカラ
ーフィルタ膜に何ら損傷を与えることなく、その他の部
分に容易に微細な凹凸を形成できるとともに、表面に残
存した氷微粒子も簡単に洗浄除去でき、欠陥を残すこと
のない方法が得られる効果がある。
ーフィルタ膜上にレジスト膜を設けて氷微粒子を吹き付
けることにより、フォトダイオード上の受光領域のカラ
ーフィルタ膜に何ら損傷を与えることなく、その他の部
分に容易に微細な凹凸を形成できるとともに、表面に残
存した氷微粒子も簡単に洗浄除去でき、欠陥を残すこと
のない方法が得られる効果がある。
第1図は本発明の第1の発明によるカラー固体撮像装置
の第1の実施例を示す概略断面図、第2図は本発明の第
2の発明によるカラー固体撮像装置の製造方法の一実施
例を説明するための概略断面図、第3図および第4図は
本発明の第1の発明の他の実施例を示す概略断面図、第
5図、第9図および第10図は従来のカラー固体撮像装
置を示す概略断面図、第6図は従来のカラーフィルタ膜
の形成工程を示す概略断面図、第7図および第8図は従
来のカラー固体撮像装置の問題点の説明図である。 l・・・基板、2・・・フォトダイオード、3.5・・
・ゲート電極、4・・・ベリラドチャネル、6・・・分
離酸化膜、7・・・絶縁酸化膜、8・・・Al遮光膜、
10・・・カラーフィルタ膜、1)・・・下地膜、12
・・・中間膜、1 3・・・保護膜、 4・・・受光領域、 a・・・シアン フィルタ、 b・・・イエローフィルタ。 代 理 人 大 岩 増 雄 第1図 2ニ アオド ダイオード 1): 下地膜 7: 8: #!参象d窮5イヒj0( At東り暎 21o: シ7ンフィIレグ 21b= イエロー フィrレグ 第2図 (Q) 24: レジスト膜 32: マスク 第2図 (b) 第2図 (C) 第2図 (d) 第3図 第4図 第5図 第6図 (G) 第6図 (C) 第6図 (d) 第6図 (e) 第6図 (f) 第9図 第10図
の第1の実施例を示す概略断面図、第2図は本発明の第
2の発明によるカラー固体撮像装置の製造方法の一実施
例を説明するための概略断面図、第3図および第4図は
本発明の第1の発明の他の実施例を示す概略断面図、第
5図、第9図および第10図は従来のカラー固体撮像装
置を示す概略断面図、第6図は従来のカラーフィルタ膜
の形成工程を示す概略断面図、第7図および第8図は従
来のカラー固体撮像装置の問題点の説明図である。 l・・・基板、2・・・フォトダイオード、3.5・・
・ゲート電極、4・・・ベリラドチャネル、6・・・分
離酸化膜、7・・・絶縁酸化膜、8・・・Al遮光膜、
10・・・カラーフィルタ膜、1)・・・下地膜、12
・・・中間膜、1 3・・・保護膜、 4・・・受光領域、 a・・・シアン フィルタ、 b・・・イエローフィルタ。 代 理 人 大 岩 増 雄 第1図 2ニ アオド ダイオード 1): 下地膜 7: 8: #!参象d窮5イヒj0( At東り暎 21o: シ7ンフィIレグ 21b= イエロー フィrレグ 第2図 (Q) 24: レジスト膜 32: マスク 第2図 (b) 第2図 (C) 第2図 (d) 第3図 第4図 第5図 第6図 (G) 第6図 (C) 第6図 (d) 第6図 (e) 第6図 (f) 第9図 第10図
Claims (2)
- (1)基板上に形成されたカラーフィルタ膜の表面に選
択的に微細な凹凸形状を形成したことを特徴とするカラ
ー固体撮像装置。 - (2)基板上にカラーフィルタ膜を形成する工程と、前
記カラーフィルタ膜の表面上であってその下部の画素に
対応した位置にある受光部領域にレジストパターンを形
成する工程と、氷微粒子を前記カラーフィルタ膜表面に
吹き付ける工程と、前記レジストパターンを除去する工
程とを含むことを特徴とするカラー固体撮像装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1319531A JPH03180071A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | カラー固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1319531A JPH03180071A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | カラー固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03180071A true JPH03180071A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18111282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1319531A Pending JPH03180071A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | カラー固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03180071A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005216897A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子とその製造方法 |
JP2009076629A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319531A patent/JPH03180071A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005216897A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子とその製造方法 |
JP4582290B2 (ja) * | 2004-01-27 | 2010-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子とその製造方法 |
JP2009076629A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP4693827B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
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