JPH03179019A - 封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体装置Info
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- JPH03179019A JPH03179019A JP31854089A JP31854089A JPH03179019A JP H03179019 A JPH03179019 A JP H03179019A JP 31854089 A JP31854089 A JP 31854089A JP 31854089 A JP31854089 A JP 31854089A JP H03179019 A JPH03179019 A JP H03179019A
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 carbon black Chemical compound 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、lvt湿性、半田雨熱性に優れた封止用樹脂
組成物および半導体装置に関する。
組成物および半導体装置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体集積回路の分野において、高集積化、高信
頼性化の技術開発と同時に半導体装置の実装工程の自動
化が推進されている。 例えばフラットパッケージ型の
半導体装置を回路基板に収り付ける場合に、従来リード
ピン毎に半田付けを行っていたが、最近では半田浸漬方
式や半田リフロ一方式が採用されている。
頼性化の技術開発と同時に半導体装置の実装工程の自動
化が推進されている。 例えばフラットパッケージ型の
半導体装置を回路基板に収り付ける場合に、従来リード
ピン毎に半田付けを行っていたが、最近では半田浸漬方
式や半田リフロ一方式が採用されている。
(発明が解決しようとする課題)
従来のノボラック型などのエポキシ樹脂、ノボラック型
フェノール樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物で
封t L、た半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行
うと耐湿性が低下するという欠点があった。 特に吸湿
した半導体装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ
および封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内
部樹脂クラックか生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電
極の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じ、そ
の結果、半導体装置は、長期間のf3頼性を保証するこ
とができないという欠点かあった。
フェノール樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物で
封t L、た半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行
うと耐湿性が低下するという欠点があった。 特に吸湿
した半導体装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ
および封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内
部樹脂クラックか生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電
極の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じ、そ
の結果、半導体装置は、長期間のf3頼性を保証するこ
とができないという欠点かあった。
本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもので
、吸湿の影響が少なく、特に半田浸漬後の耐湿性、半田
画然性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹
脂とリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発
生がなく、また電極の腐食による断線や水分によるリー
ク電流の発生もなく、長期信頼性を保証できる封止用樹
脂組成物および半導体装置を提供しようとするものであ
る。
、吸湿の影響が少なく、特に半田浸漬後の耐湿性、半田
画然性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹
脂とリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発
生がなく、また電極の腐食による断線や水分によるリー
ク電流の発生もなく、長期信頼性を保証できる封止用樹
脂組成物および半導体装置を提供しようとするものであ
る。
[発明の構成1
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、特定のエポキシ樹脂と多官能フェノール樹脂
を用いることによって、Iit湿性、半田画然性に優れ
た半導体装置の封止用樹脂組成物が得られることを見い
だし、本発明を完成したものである。
ねた結果、特定のエポキシ樹脂と多官能フェノール樹脂
を用いることによって、Iit湿性、半田画然性に優れ
た半導体装置の封止用樹脂組成物が得られることを見い
だし、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明の封止用樹脂組成物は、(A)次の式
で示されるエポキシ樹脂 (B)一般式(I)又は(II)で示される多官能フェ
ノール樹脂および 〈但し、式中RはCIN 82ff+ ++を、l、
nは0又は1以上の整数を表す) <C>シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記<C>のシリ
カ粉末を50〜90重量2く含有してなることを特徴と
する。 また、本発明の半導体装置は、この封止用樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴と
する。
で示されるエポキシ樹脂 (B)一般式(I)又は(II)で示される多官能フェ
ノール樹脂および 〈但し、式中RはCIN 82ff+ ++を、l、
nは0又は1以上の整数を表す) <C>シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記<C>のシリ
カ粉末を50〜90重量2く含有してなることを特徴と
する。 また、本発明の半導体装置は、この封止用樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴と
する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる<A)次の式で示されるエポキシ樹脂と
しては、 分子量など特に制限されることはなく、広く使用するこ
とができる。 また、このエポキシ樹脂にノボラック系
エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂を併用すること
ができる。
しては、 分子量など特に制限されることはなく、広く使用するこ
とができる。 また、このエポキシ樹脂にノボラック系
エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂を併用すること
ができる。
本発明に用いる(B)多官能フェノール樹脂としては、
前述の式で示される骨格構造を有するとともに少なくと
も三官能又は四官能のフェノール樹脂であるかぎり、分
子構造、分子量などに特に制限されることはなく広く包
含される。 具体的なフェノール樹脂として、ρIえば 等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用
することができる。 さらに、前記の多官能フェノール
極脂の他に、フェノール、アルキルフェノール等のフェ
ノール類と、ホルムアルデヒドあるいはパラホルムアル
デヒドとを反応させて得られるノボラ・yり型フェノー
ル樹脂およびこれらの変性樹脂を混合して使用すること
ができる。
前述の式で示される骨格構造を有するとともに少なくと
も三官能又は四官能のフェノール樹脂であるかぎり、分
子構造、分子量などに特に制限されることはなく広く包
含される。 具体的なフェノール樹脂として、ρIえば 等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用
することができる。 さらに、前記の多官能フェノール
極脂の他に、フェノール、アルキルフェノール等のフェ
ノール類と、ホルムアルデヒドあるいはパラホルムアル
デヒドとを反応させて得られるノボラ・yり型フェノー
ル樹脂およびこれらの変性樹脂を混合して使用すること
ができる。
本発明に用いる<C>シリカ粉末としては、般に使用さ
れているものが広く使用されるが、それらの中でも不純
物濃度が低く、平均粒径30μm以下のものが好ましい
、 平均粒径が30μmを超えると耐湿性および成形性
が劣り好ましくない。
れているものが広く使用されるが、それらの中でも不純
物濃度が低く、平均粒径30μm以下のものが好ましい
、 平均粒径が30μmを超えると耐湿性および成形性
が劣り好ましくない。
シリカ粉末の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して5
0〜90重量%含有することか好ましい、 その割合か
50重量%未溝では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸
漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり成形性に劣り好ましくない。
0〜90重量%含有することか好ましい、 その割合か
50重量%未溝では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸
漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり成形性に劣り好ましくない。
本発明の封止用樹脂組成物は、前述した特定のエポキシ
樹脂、多官能フェノール樹脂、およびシリカ粉末を必須
成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、
また必要に応じて、例えば天然ワックス類、台底ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エステル類、パ
ラフィンなどの離型剤、三酸化アンチモンなどの難燃剤
、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング
剤、種々の硬化促進剤、ゴム系やシリコーン系の低応力
付与剤等を適宜添加・配合することができる。
樹脂、多官能フェノール樹脂、およびシリカ粉末を必須
成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、
また必要に応じて、例えば天然ワックス類、台底ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エステル類、パ
ラフィンなどの離型剤、三酸化アンチモンなどの難燃剤
、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング
剤、種々の硬化促進剤、ゴム系やシリコーン系の低応力
付与剤等を適宜添加・配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として調製する場
合の一般的方法は、前述のエポキシ樹脂、多官能フェノ
ール樹脂、シリカ粉末その他を配合し、ミキサー等によ
って十分均一に混合した後、更に熱ロールによる溶融混
合処理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却
固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることが
できる。
合の一般的方法は、前述のエポキシ樹脂、多官能フェノ
ール樹脂、シリカ粉末その他を配合し、ミキサー等によ
って十分均一に混合した後、更に熱ロールによる溶融混
合処理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却
固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることが
できる。
この成形材料を用いて半導体素子をセラI−した金型内
にトランスファー注入して硬化させて本発明の半導体装
置を製造することかできる。 成形材料は半導体素子の
封止の池に電子部品、或いは電気部品の封止また被覆・
絶縁等にも使用することができ、それらに優れた特性を
l=を与することができる。
にトランスファー注入して硬化させて本発明の半導体装
置を製造することかできる。 成形材料は半導体素子の
封止の池に電子部品、或いは電気部品の封止また被覆・
絶縁等にも使用することができ、それらに優れた特性を
l=を与することができる。
(作用)
本発明の封止用樹脂組成物は、特定のエポキシ樹脂と多
官能フェノール樹脂を用いることによって、樹脂組成物
のカラス転移温度か上昇し、熱機械的特性と低応力性が
向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラックの発
生がなくなり耐湿性劣化が少なくなるものである。
官能フェノール樹脂を用いることによって、樹脂組成物
のカラス転移温度か上昇し、熱機械的特性と低応力性が
向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂クラックの発
生がなくなり耐湿性劣化が少なくなるものである。
(実施例)
次に本発明の実施例について説明するが、本発明は以下
の実施例に限定されるものではない。
の実施例に限定されるものではない。
以下の実施例および比較例において「%jとは「重量%
」を意味する。
」を意味する。
実施例 l
前述した特定のエポキシ樹脂17%、次式に示した多官
能フェノール樹脂10%、 シリカ粉末72%、硬化促進剤0.3%、エステルワッ
クス0.3%およびシランカンプリング剤0.4%を常
温で混合し、さらに90〜95°Cで混練し、冷却した
後粉砕して成形材料<A)を製造した。
能フェノール樹脂10%、 シリカ粉末72%、硬化促進剤0.3%、エステルワッ
クス0.3%およびシランカンプリング剤0.4%を常
温で混合し、さらに90〜95°Cで混練し、冷却した
後粉砕して成形材料<A)を製造した。
実施例 2
実施例1で用いたエポキシ樹脂9%および多官能フェノ
ール樹脂8%、並びにオルソクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂8%、シリカ粉末74%、硬化促進剤0.3
%、エステルワックス0.3%およびシランカップリン
グ剤0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混
練冷却した後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
ール樹脂8%、並びにオルソクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂8%、シリカ粉末74%、硬化促進剤0.3
%、エステルワックス0.3%およびシランカップリン
グ剤0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混
練冷却した後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
比較例 1
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂17%、ノ
ボラック型フェノール樹脂8%、シリカ粉末74%、硬
化促進剤0.3%、エステル系ワックス0.3%および
シランカッリング剤0.4%を混合し、実施例1と同様
にして成形材料(C)を製造した。
ボラック型フェノール樹脂8%、シリカ粉末74%、硬
化促進剤0.3%、エステル系ワックス0.3%および
シランカッリング剤0.4%を混合し、実施例1と同様
にして成形材料(C)を製造した。
比較例 2
エビビス型エポキシ拉1脂(エポキシ当量450)20
%、ノボラック型フェノール樹脂−5%、シリカ粉末7
4%、硬化促進剤0.3%、エステル系ワックス0.3
%およびシランカップリング剤0.4%を混合し、実施
例1と同様にして成形材料CD)を製造した。
%、ノボラック型フェノール樹脂−5%、シリカ粉末7
4%、硬化促進剤0.3%、エステル系ワックス0.3
%およびシランカップリング剤0.4%を混合し、実施
例1と同様にして成形材料CD)を製造した。
こうして製造した成形材料(A)〜(D)を用いて 1
70℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化
させて半導体素子を封止した半導体装置を製造した。
これらの半導体装置の諸特性を試験したのでその結果を
第1表に示したが、本発明の封止用樹脂組成物および半
導体装置は耐湿性、半田ifl性に優れており、本発明
の顕著な効果を確認することができた。
70℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化
させて半導体素子を封止した半導体装置を製造した。
これらの半導体装置の諸特性を試験したのでその結果を
第1表に示したが、本発明の封止用樹脂組成物および半
導体装置は耐湿性、半田ifl性に優れており、本発明
の顕著な効果を確認することができた。
第
■
表
*1 ニドランスファー成形によって直径50IlN、
厚さ3■の成形品を作り、これを 127°C2,5気
圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増加した重量によ
って測定した。
厚さ3■の成形品を作り、これを 127°C2,5気
圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増加した重量によ
って測定した。
ネ2 :吸水率の場合と同様な成形品を作り、175°
Cで8時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし
、熱機械分析装置を用いて測定しな。
Cで8時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし
、熱機械分析装置を用いて測定しな。
*3 : J I S−に−6911に準じて試験し
た。
た。
*4 :成形材料を用いて、2本以上のアルミニウム配
線を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレ
ームに接着し、175°Cで2分間トランスファー成形
した後、175°C8時間後硬化を行った。 こうして
得た成形品を予め、40℃、90%RH,100時間の
吸湿処理した後、250″Cの半田浴に10秒間浸漬し
た。 その後、127℃、2.5気圧の飽和水蒸気中で
プレッシャークツカーテストを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
線を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレ
ームに接着し、175°Cで2分間トランスファー成形
した後、175°C8時間後硬化を行った。 こうして
得た成形品を予め、40℃、90%RH,100時間の
吸湿処理した後、250″Cの半田浴に10秒間浸漬し
た。 その後、127℃、2.5気圧の飽和水蒸気中で
プレッシャークツカーテストを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
8×81タミーチツプをQ−FP (14x14x
1.4)パッケージに納め成形材料を用いて 175°
Cで2分間トランスファー成形したネ5 : 後、175°C,8時間後硬化を行った。 こうして製
造した半導体装置を85℃、85%。
1.4)パッケージに納め成形材料を用いて 175°
Cで2分間トランスファー成形したネ5 : 後、175°C,8時間後硬化を行った。 こうして製
造した半導体装置を85℃、85%。
24時間の吸湿処理をしだ後240℃の半田浴に1分間
浸漬した。 その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観
察し、外部樹脂クラックの発生の有燕を評価した。
浸漬した。 その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観
察し、外部樹脂クラックの発生の有燕を評価した。
[発明の効果コ
以上の説明および第1表から明らかなように、本発明封
止用樹脂組成物および半導体装置は、耐湿性、半田耐熱
性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流の発生などを著しく低減す
ることができ、しかも長期間にわたって信頼性を保証す
ることができる。
止用樹脂組成物および半導体装置は、耐湿性、半田耐熱
性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流の発生などを著しく低減す
ることができ、しかも長期間にわたって信頼性を保証す
ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1(A)次の式で示されるエポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (B)一般式( I )又は(II)で示される 多官能フェノール樹脂および ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) (但し、式中RはC_mH_2_m_+_1を、m、n
は0又は1以上の整数を表す) (C)シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記 (C)のシリカ粉末を50〜90重量%含有してなるこ
とを特徴とする封止用樹脂組成物。 (A)次の式で示されるエポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (B)一般式( I )又は(II)で示される 多官能フェノール樹脂および ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) (但し、式中RはC_mH_2_m_+_1を、m、n
は0又は1以上の整数を表す) (C)シリカ粉末 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記 (C)のシリカ粉末を50〜90重量%含有する封止用
樹脂組成物によって、半導体素子を封止してなることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31854089A JPH03179019A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31854089A JPH03179019A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03179019A true JPH03179019A (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=18100267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31854089A Pending JPH03179019A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03179019A (ja) |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP31854089A patent/JPH03179019A/ja active Pending
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