JPH0317825A - チタン製磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
チタン製磁気ディスク基板の製造方法Info
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- JPH0317825A JPH0317825A JP15292689A JP15292689A JPH0317825A JP H0317825 A JPH0317825 A JP H0317825A JP 15292689 A JP15292689 A JP 15292689A JP 15292689 A JP15292689 A JP 15292689A JP H0317825 A JPH0317825 A JP H0317825A
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- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
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Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、Ｃ軸配同性に優れたチタン製磁気ディスク
基阪の製造方法に関する。
基阪の製造方法に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］磁気デ
ィスクは、基板とその上に形成された磁気記録層とをＨ
している。磁気ディスクにおいては、近時、層而にｉ！
直な方向の残留磁化を利用して高密度記録を行う垂直磁
化記録か注目されており、この垂直磁化記録を行うため
に、記録層として層而に垂直な方向に磁化容易軸を（ｉ
する磁性材料、例えばＣｏ−Ｃｒ系合金が用いられてい
る。
ィスクは、基板とその上に形成された磁気記録層とをＨ
している。磁気ディスクにおいては、近時、層而にｉ！
直な方向の残留磁化を利用して高密度記録を行う垂直磁
化記録か注目されており、この垂直磁化記録を行うため
に、記録層として層而に垂直な方向に磁化容易軸を（ｉ
する磁性材料、例えばＣｏ−Ｃｒ系合金が用いられてい
る。
このような垂直磁気記録特性を優れたものにするために
は、磁気記録層のＣ軸配向性を向上させればよい。この
Ｃ軸配向性は磁気記録層の下地としての基板に左右され
る。つまり、基板のＣ軸配向性が高まれば磁気記録層の
Ｃ軸配向性も高まるのである。
は、磁気記録層のＣ軸配向性を向上させればよい。この
Ｃ軸配向性は磁気記録層の下地としての基板に左右され
る。つまり、基板のＣ軸配向性が高まれば磁気記録層の
Ｃ軸配向性も高まるのである。
従来、磁気ディスク用基板としてはアルミニウム（ＡＩ
）が用いられているか、その上に磁気記録層を形成して
も垂直磁化記録特性か未だ不十分であり、さらなる垂直
磁化記録特性の向上が望まれている。
）が用いられているか、その上に磁気記録層を形成して
も垂直磁化記録特性か未だ不十分であり、さらなる垂直
磁化記録特性の向上が望まれている。
一方、チタン（Ｔｉ）はＣ軸配向性を有していることが
知られており、磁気ディスク基板としてＴｉを適用する
ことにより、従来よりも良好な垂直磁気記録特性が期待
できる。
知られており、磁気ディスク基板としてＴｉを適用する
ことにより、従来よりも良好な垂直磁気記録特性が期待
できる。
しかしながら、純Ｔｉ板ではＣ軸配向が完全ではなく、
Ｃ軸の（０ ０ ０ ２）が３０乃至４０″傾いた集合
組織を示す。これに対し、ＴｉにＡｊ７を３乃至５重量
％添加して固溶させた合金がＣ袖配同性が良好であるこ
とが知られており、この材料でディスク基板を製造する
ことにより極めて良好な垂直磁気記録か期待できるが、
ＴｉにＡｆ！を添加すると冷間加工性が低下し、磁気デ
ィスク基板用の薄板を得るのが困難である。
Ｃ軸の（０ ０ ０ ２）が３０乃至４０″傾いた集合
組織を示す。これに対し、ＴｉにＡｊ７を３乃至５重量
％添加して固溶させた合金がＣ袖配同性が良好であるこ
とが知られており、この材料でディスク基板を製造する
ことにより極めて良好な垂直磁気記録か期待できるが、
ＴｉにＡｆ！を添加すると冷間加工性が低下し、磁気デ
ィスク基板用の薄板を得るのが困難である。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
冷間加王性を低下させずに優れたＣ軸配向性を維持する
ことができるチタン製磁気ディスクＪＪｔ＆の製遣方法
を提供することを目的とする。
冷間加王性を低下させずに優れたＣ軸配向性を維持する
ことができるチタン製磁気ディスクＪＪｔ＆の製遣方法
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段及び作川］この発明に係る
チタン製磁気ディスク誌板の製造方法は、チタン板の片
面又は両面にアルミニウム層を形成してディスク素材を
作成し、この素材に３００℃以上６６０℃以ドの温度で
３０分間以上拡散熱処理を施し、その後素材からアルミ
ニウム層を除去することを特徴とする。
チタン製磁気ディスク誌板の製造方法は、チタン板の片
面又は両面にアルミニウム層を形成してディスク素材を
作成し、この素材に３００℃以上６６０℃以ドの温度で
３０分間以上拡散熱処理を施し、その後素材からアルミ
ニウム層を除去することを特徴とする。
この発明において、Ｔｉ板の片面又は両面に形成される
ＡＩ層は、次工程の拡散熱処理においてＴｉに１を拡散
させるためのものである。このＡｊ？層の形成方広は特
に限定されるものではないが、冷間圧延によるクラッド
化、溶射等が好適である。
ＡＩ層は、次工程の拡散熱処理においてＴｉに１を拡散
させるためのものである。このＡｊ？層の形成方広は特
に限定されるものではないが、冷間圧延によるクラッド
化、溶射等が好適である。
拡散熱処理は、前述のＡｌ層からＴｉ！２にＡｌｌを拡
散させてＴｉ中に固溶させるために行うものであり、こ
れによりＣ軸配同性に優れたＴｉ−３〜５重量％Ａｌ）
合金を得ることができる。この場合に、熱処理温度は上
述のように３００℃〜６６０℃であり、熱処理時間は３
０分間以上である。温度が３００℃より低く、又は時間
が３０分間より短ければＡｇの拡散及び固溶が不十分で
あるため十分なＣ軸配向を得ることができず、また、熱
処理温度が６６０℃よりも高ければＡｐ層が液状化及び
酸化してしまいＡｇの拡散・固溶の効果を得ることがで
きない。なお、熱処理特開の上限は特性上特に存在せず
、経済性等を考慮して適宜適切な熱処理時間を決定すれ
ばよい。
散させてＴｉ中に固溶させるために行うものであり、こ
れによりＣ軸配同性に優れたＴｉ−３〜５重量％Ａｌ）
合金を得ることができる。この場合に、熱処理温度は上
述のように３００℃〜６６０℃であり、熱処理時間は３
０分間以上である。温度が３００℃より低く、又は時間
が３０分間より短ければＡｇの拡散及び固溶が不十分で
あるため十分なＣ軸配向を得ることができず、また、熱
処理温度が６６０℃よりも高ければＡｐ層が液状化及び
酸化してしまいＡｇの拡散・固溶の効果を得ることがで
きない。なお、熱処理特開の上限は特性上特に存在せず
、経済性等を考慮して適宜適切な熱処理時間を決定すれ
ばよい。
この拡散熱処理の後Ａｇ層を除去するが、これはＡＮ層
が残存していると、Ｔ１阪の優れたＣ軸配同性を６効に
利用することができないからである。隨去方法としては
、ＡＮ層のみを除去することかできるものであればどの
ような方法であってもよいが、Ａｌｌ層のみを溶解する
ことができる酸洗液（例えば、希塩酸）を用いて酸洗す
ることにより容晃に除夫することができる。
が残存していると、Ｔ１阪の優れたＣ軸配同性を６効に
利用することができないからである。隨去方法としては
、ＡＮ層のみを除去することかできるものであればどの
ような方法であってもよいが、Ａｌｌ層のみを溶解する
ことができる酸洗液（例えば、希塩酸）を用いて酸洗す
ることにより容晃に除夫することができる。
このような製逍方ｌ去によれば、拡散熱処理により、Ｃ
輔配向性にすぐれたＴｉ−３〜５％Ａｌ合金を１１多る
ことができるので、冷間加工に困難性を伴うことなく優
れたＣ軸配同性をＧするチタン製磁気ディスク．Ｍ［を
ｉＣることができる。
輔配向性にすぐれたＴｉ−３〜５％Ａｌ合金を１１多る
ことができるので、冷間加工に困難性を伴うことなく優
れたＣ軸配同性をＧするチタン製磁気ディスク．Ｍ［を
ｉＣることができる。
［大砲例］
以下、この発明の夷施例について具体的に説明する。
摩みが０．５ＩＩｍのチタン阪の両側に、冷間圧延によ
りＪｖ．みが５０μｍＡＪ薄膜形成し、この素材を直径
３，５インチのデ，ｆスク状に加工したものを供拭◆４
とした。なお、比較のためＡＩ層を形成しないものも作
成した。これら供試材を種々の条件で処理して磁気ディ
スク基板を作威し、更に磁気記録層として基板上にスパ
ッタリングにより厚み１μｍのＣｏ−Ｃｒ磁性合金膜を
形成した。第１表に各試料のＡ１１層のａ無、製造条件
及び磁性膜のＣ軸分散角を示す。第１表中、実施例とあ
るのは本発明の範囲内のもであり、比較例とあるのは本
発明の範囲から外れるものである。
りＪｖ．みが５０μｍＡＪ薄膜形成し、この素材を直径
３，５インチのデ，ｆスク状に加工したものを供拭◆４
とした。なお、比較のためＡＩ層を形成しないものも作
成した。これら供試材を種々の条件で処理して磁気ディ
スク基板を作威し、更に磁気記録層として基板上にスパ
ッタリングにより厚み１μｍのＣｏ−Ｃｒ磁性合金膜を
形成した。第１表に各試料のＡ１１層のａ無、製造条件
及び磁性膜のＣ軸分散角を示す。第１表中、実施例とあ
るのは本発明の範囲内のもであり、比較例とあるのは本
発明の範囲から外れるものである。
なお、酸洗処理は０．ＩＮの希塩酸にて１０分間行った
。酸洗を行ったものについてはＡｌ層は完全に除去され
ていた。また、Ｃ軸分散角は、Ｘ線集合組ｗ＆測定装置
によりＡ？１定されたロッキング四線の半値幅により求
めた。
。酸洗を行ったものについてはＡｌ層は完全に除去され
ていた。また、Ｃ軸分散角は、Ｘ線集合組ｗ＆測定装置
によりＡ？１定されたロッキング四線の半値幅により求
めた。
この表からわかるように、本発明の範囲内である実施例
１乃至７についてはＣ軸分散角が２．０〜２．３”と極
めて小さく、優れたＣ軸配向性が得られていることが確
認された。これにχ＝ｔ ｔ，、本発明の範凹から外れ
る比較例１〜１０は、Ｃ軸分散角が４．２〜６．２°と
大きく、十分なＣ軸配向性が得られなかった。
１乃至７についてはＣ軸分散角が２．０〜２．３”と極
めて小さく、優れたＣ軸配向性が得られていることが確
認された。これにχ＝ｔ ｔ，、本発明の範凹から外れ
る比較例１〜１０は、Ｃ軸分散角が４．２〜６．２°と
大きく、十分なＣ軸配向性が得られなかった。
［発明の効果］
この発明によれば、拡散熱処理により、Ｃ軸配向性にす
ぐれたＴｉ−３〜５％Ａｐ合金をｉｒｊることかできる
ので、冷間加工に困難性を１＋うことなく優れたＣ軸配
向性を有するチタン製磁気ディスク扶板を得ることがで
きる。
ぐれたＴｉ−３〜５％Ａｐ合金をｉｒｊることかできる
ので、冷間加工に困難性を１＋うことなく優れたＣ軸配
向性を有するチタン製磁気ディスク扶板を得ることがで
きる。
Claims (2)
- （１） チタン板の片面又は両面にアルミニウム層を形
成してディスク素材を作成し、この素材に３００℃以上
６６０℃以下の温度で３０分間以上の拡散熱処理を施し
、その後素材からアルミニウム層を除去することを特徴
とするチタン製磁気ディスク基板の製造方法。 - （２） アルミニウム層の除去は、酸洗処理によって行
われることを特徴とする請求項１に記載のチタン製磁気
ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15292689A JPH0317825A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15292689A JPH0317825A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317825A true JPH0317825A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15551163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15292689A Pending JPH0317825A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | チタン製磁気ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0317825A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100292651B1 (ko) * | 1995-11-08 | 2001-06-15 | 하루타 히로시 | 표면경화티타늄재료와티타늄재료의표면경화방법 |
| US7651794B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15292689A patent/JPH0317825A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100292651B1 (ko) * | 1995-11-08 | 2001-06-15 | 하루타 히로시 | 표면경화티타늄재료와티타늄재료의표면경화방법 |
| US7651794B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
| US7964297B2 (en) | 2005-04-28 | 2011-06-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
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