JPH03177301A - 塩素ガスの乾操方法 - Google Patents
塩素ガスの乾操方法Info
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- JPH03177301A JPH03177301A JP1320118A JP32011889A JPH03177301A JP H03177301 A JPH03177301 A JP H03177301A JP 1320118 A JP1320118 A JP 1320118A JP 32011889 A JP32011889 A JP 32011889A JP H03177301 A JPH03177301 A JP H03177301A
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- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
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Landscapes
- Drying Of Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水分を含有する塩素ガスを硫酸を用いて乾燥
する方法に関する。
する方法に関する。
塩素ガスは主にアルカリ金属塩化物水溶液の電気分解に
より製造されている。この場合、塩素ガスは水分を含有
した湿潤状態で得られるが、塩素ガスを液体塩素、１．
２−ジクロルエタン製造用塩素源等に使用する場合は水
分を除いた乾燥状態であることが望まれる。塩素ガスを
乾燥させる古注として、硫酸乾燥法が公知である。即ち
、硫酸は水分を吸収する性質があるのでこの性質を利用
し、充填塔など周知の気液接触装置を用いて、塩素ガス
を上昇流、硫酸を下降流とする向流接触により塩素ガス
を乾燥する。この乾燥方法において従来は塩素ガスの操
作圧力は一般的に−０，０１〜０、０１ ｋｇ／ｃｄｃ
、であった。
より製造されている。この場合、塩素ガスは水分を含有
した湿潤状態で得られるが、塩素ガスを液体塩素、１．
２−ジクロルエタン製造用塩素源等に使用する場合は水
分を除いた乾燥状態であることが望まれる。塩素ガスを
乾燥させる古注として、硫酸乾燥法が公知である。即ち
、硫酸は水分を吸収する性質があるのでこの性質を利用
し、充填塔など周知の気液接触装置を用いて、塩素ガス
を上昇流、硫酸を下降流とする向流接触により塩素ガス
を乾燥する。この乾燥方法において従来は塩素ガスの操
作圧力は一般的に−０，０１〜０、０１ ｋｇ／ｃｄｃ
、であった。
本発明は、従来行われてきた殆ど大気圧下に塩素ガスを
乾燥する場合の欠点を解消しようとするものである。従
来の方式は、硫酸による脱水効率を高めるため、２基乃
至５基の吸収塔を直列に配置し、塩素ガスの下流の塔に
濃硫酸を供給し、上流の塔に向かって段階的に硫酸濃度
を下げるものであるが、この方式によっても最終塔の出
口ガス中の水分を２０ ｗｔ、ｐｐｍ程度に下げ得るの
みで、１ｗｔ、ρｐ１１１程度に下げることは困難であ
った。
乾燥する場合の欠点を解消しようとするものである。従
来の方式は、硫酸による脱水効率を高めるため、２基乃
至５基の吸収塔を直列に配置し、塩素ガスの下流の塔に
濃硫酸を供給し、上流の塔に向かって段階的に硫酸濃度
を下げるものであるが、この方式によっても最終塔の出
口ガス中の水分を２０ ｗｔ、ｐｐｍ程度に下げ得るの
みで、１ｗｔ、ρｐ１１１程度に下げることは困難であ
った。
塩素ガス中の水分をどの程度まで下げるべきかは、塩素
ガスの用途とその使用条件等により変化するので一概に
は定められないが、塩素ガス中の水分が多いほどガスの
接触する金属材料の腐食が著しくなることはよく知られ
ていることであるから、少ない方が望ましいことは言う
までもない。
ガスの用途とその使用条件等により変化するので一概に
は定められないが、塩素ガス中の水分が多いほどガスの
接触する金属材料の腐食が著しくなることはよく知られ
ていることであるから、少ない方が望ましいことは言う
までもない。
例えば、塩素ガスを液化する方法としては、周知のよう
に低圧法、中圧法、高圧法の３法がある。
に低圧法、中圧法、高圧法の３法がある。
低圧法は温度−２５°Ｃ以下、圧力１．５ｋｇ／ｃｄＧ
以下、中圧法は温度１５〜−２５°Ｃ１圧力２〜７ｋｇ
／ ｃＪ Ｇ 、高圧法は温度２７〜３０°Ｃ１圧カフ
、 ２ ｋｇ／ ｃｉ Ｇ以上の条件で塩素ガスを液化
するが、同一水分を含有する塩素ガスを液化する場合は
、液化圧力が高いほど得られる液体塩素中の水分が多く
なり、腐食性の高いものになる。これは液化時の圧力が
高いほど水蒸気分圧も上昇し、より多くの水分が液体塩
素中に溶けこむためと理解されるが、従来の乾燥方法で
得た塩素ガスを中圧法又は高圧法で液化する場合は、水
分の高い液体塩素となるのでその使用条件に制限が生じ
ることとなり好ましくない、中圧法又は高圧法によって
水分の少ない液体塩素を得るには塩素ガス中の水分を大
幅に下げるのが効果的であるが、従来の乾燥方法ではこ
れを遠戚するのが困難であった０本発明の目的は、従来
法に較べ乾燥度の高い塩素ガスを得る方法を提供するこ
とにある。
以下、中圧法は温度１５〜−２５°Ｃ１圧力２〜７ｋｇ
／ ｃＪ Ｇ 、高圧法は温度２７〜３０°Ｃ１圧カフ
、 ２ ｋｇ／ ｃｉ Ｇ以上の条件で塩素ガスを液化
するが、同一水分を含有する塩素ガスを液化する場合は
、液化圧力が高いほど得られる液体塩素中の水分が多く
なり、腐食性の高いものになる。これは液化時の圧力が
高いほど水蒸気分圧も上昇し、より多くの水分が液体塩
素中に溶けこむためと理解されるが、従来の乾燥方法で
得た塩素ガスを中圧法又は高圧法で液化する場合は、水
分の高い液体塩素となるのでその使用条件に制限が生じ
ることとなり好ましくない、中圧法又は高圧法によって
水分の少ない液体塩素を得るには塩素ガス中の水分を大
幅に下げるのが効果的であるが、従来の乾燥方法ではこ
れを遠戚するのが困難であった０本発明の目的は、従来
法に較べ乾燥度の高い塩素ガスを得る方法を提供するこ
とにある。
硫酸によるガス中の水分の吸収は、化学工学でいうとこ
ろのガス側支配系であり、吸収効率を上げる方策として
、気液接触時間を長くする、気液接触面積を大きくする
、ガス側の水分の液側への拡散速度を高めるなどが有効
であるが、前２つの方策については、公知の気液接触時
間を用いる場合はおのずと限界がある。本発明者らは、
３番目の方策をいかに実現するかを鋭意検討した結果、
塩素ガス圧力を従来法より高く保つことを見い出し、本
発明を完成するに到った。
ろのガス側支配系であり、吸収効率を上げる方策として
、気液接触時間を長くする、気液接触面積を大きくする
、ガス側の水分の液側への拡散速度を高めるなどが有効
であるが、前２つの方策については、公知の気液接触時
間を用いる場合はおのずと限界がある。本発明者らは、
３番目の方策をいかに実現するかを鋭意検討した結果、
塩素ガス圧力を従来法より高く保つことを見い出し、本
発明を完成するに到った。
即ち、本発明は水分を含有する塩素ガスと硫酸を接触さ
せるに際し、塩素ガス圧力を従来法より高く、即ち０．
１ｋｇ／ｃＪＧ以上に保つことを特徴とする塩素ガスの
乾燥方法を内容とするものである。
せるに際し、塩素ガス圧力を従来法より高く、即ち０．
１ｋｇ／ｃＪＧ以上に保つことを特徴とする塩素ガスの
乾燥方法を内容とするものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明は、塩素ガスの圧力を高めることにより水蒸気分
圧も比例して高まり、その結果液側への水分の拡散速度
を高めることができるとの知見に基づいている。塩素ガ
スの圧力は０．１ ｋｇ／ｃｄＧ以上で塩素ガス液化圧
力未満である。塩素ガスの圧力が０．１ ｋｇ／ｃｄＧ
未満の場合は、水分の吸収効率が従来法と殆ど変わらな
いので望ましくない。塩素ガス液化圧力以上にすると塩
素ガスは液化してしまうわけであるが、この液化圧力は
、例えば温度ｌＯ℃で４．０６ ｋｇ／ｃｄ Ｇ、２０
°Ｃで５．７９ｋｇ／ｃ（Ｇ、３０℃で７．９２ｋｇ／
ｃｄＧ、 ４０℃で１０１５１ｋｇ／ｃｊＧといったよ
うに温度により変化する。
圧も比例して高まり、その結果液側への水分の拡散速度
を高めることができるとの知見に基づいている。塩素ガ
スの圧力は０．１ ｋｇ／ｃｄＧ以上で塩素ガス液化圧
力未満である。塩素ガスの圧力が０．１ ｋｇ／ｃｄＧ
未満の場合は、水分の吸収効率が従来法と殆ど変わらな
いので望ましくない。塩素ガス液化圧力以上にすると塩
素ガスは液化してしまうわけであるが、この液化圧力は
、例えば温度ｌＯ℃で４．０６ ｋｇ／ｃｄ Ｇ、２０
°Ｃで５．７９ｋｇ／ｃ（Ｇ、３０℃で７．９２ｋｇ／
ｃｄＧ、 ４０℃で１０１５１ｋｇ／ｃｊＧといったよ
うに温度により変化する。
本発明においては、塩素ガスと硫酸の気液接触方法には
特に制限はなく、各種の充填塔、スプレー塩、段塔など
が使用できる。気液接触を行う場合は、塩素ガスを上昇
流、硫酸を下降流とする向流接触法が操作性等より好ま
しい。
特に制限はなく、各種の充填塔、スプレー塩、段塔など
が使用できる。気液接触を行う場合は、塩素ガスを上昇
流、硫酸を下降流とする向流接触法が操作性等より好ま
しい。
塩素ガスを加圧する方法は特に限定されず、公知のコン
プレッサー等が使用できる。
プレッサー等が使用できる。
硫酸は水分吸収により発熱し温度が上昇するので、公知
の外部冷却器等により冷却し、温度を２０〜２５℃に維
持するのがよい。
の外部冷却器等により冷却し、温度を２０〜２５℃に維
持するのがよい。
本発明によれば、硫酸の水分吸収速度が従来法より高く
なるので、塩素ガスの乾燥度が従来法と同じ程度でよい
場合は、気液接触装置を小型化することもできる０例え
ば、充填塔の場合は、充填材の充填高さを低くしたり、
塔径を小さくする等の小型化が可能である。
なるので、塩素ガスの乾燥度が従来法と同じ程度でよい
場合は、気液接触装置を小型化することもできる０例え
ば、充填塔の場合は、充填材の充填高さを低くしたり、
塔径を小さくする等の小型化が可能である。
本発明の実施態様には特に制限はなく、従来法の如く２
基乃至５基の吸収塔がある場合は、−塔以上の任意の塔
において塩素ガス圧力を０゜１ｋｇ／ｃｊＧ以上に保っ
てもよいし、従来法の吸収塔の出口ガスの一部又は全部
を新たに設けた塩素ガス圧力の高い吸収塔に導いてもよ
い。
基乃至５基の吸収塔がある場合は、−塔以上の任意の塔
において塩素ガス圧力を０゜１ｋｇ／ｃｊＧ以上に保っ
てもよいし、従来法の吸収塔の出口ガスの一部又は全部
を新たに設けた塩素ガス圧力の高い吸収塔に導いてもよ
い。
以下に本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１〜５
鋼製の吸収塔（内径０．５ ｍ ）に充填材Ｓ型テラレ
ットを４ｍの高さに充填し、以下に示す運転条件で塩素
ガスを乾燥した。塩素ガス圧力を変化させた場合の吸収
塔出口ガス中水分を第１表に示す。
ットを４ｍの高さに充填し、以下に示す運転条件で塩素
ガスを乾燥した。塩素ガス圧力を変化させた場合の吸収
塔出口ガス中水分を第１表に示す。
塩素ガス流ｆｉ ： ２０００ ｋｇ／ｌｌｒ吸収塔入
ロ塩素ガス中水分： ３０ｗｔ、ｐｐｍ硫酸維持濃度：
９７．５ｗｔχ 硫酸循環量：３ボ／Ｈｒ 硫酸温度＝２５°Ｃ 第 １ 表 比較例１ 塩素ガス圧力を０− Ｏｋｇ／ｃｔｌＧとした以外は実
施例１〜５と同一の吸収塔と運転条件で塩素ガスを乾燥
した。このときの吸収塔出口ガス中水分は１３．５ｗｔ
、ｐｐｍであった。
ロ塩素ガス中水分： ３０ｗｔ、ｐｐｍ硫酸維持濃度：
９７．５ｗｔχ 硫酸循環量：３ボ／Ｈｒ 硫酸温度＝２５°Ｃ 第 １ 表 比較例１ 塩素ガス圧力を０− Ｏｋｇ／ｃｔｌＧとした以外は実
施例１〜５と同一の吸収塔と運転条件で塩素ガスを乾燥
した。このときの吸収塔出口ガス中水分は１３．５ｗｔ
、ｐｐｍであった。
実施例６〜９
実施例１〜５と同一の吸収塔と運転条件、で充填高さと
塩素ガス圧力を変化させて塩素ガスを乾燥した場合の吸
収塔出口ガス中水分を第２表に示す。
塩素ガス圧力を変化させて塩素ガスを乾燥した場合の吸
収塔出口ガス中水分を第２表に示す。
第 ２ 表
〔作用・効果〕
本発明によれば、塩素ガスの圧力に比例して水蒸気分圧
が高められるので液側への水分の拡ｌｉｔ速度が高めら
れ、その結果、塩素ガス中の水分の除去速度が大幅に高
められる。かくして、従来法の吸収塔によって従来法よ
り乾燥度の高い塩素ガスが得られ、また従来法と同程度
の乾燥度でよい場合は気液接触装置を小型化できる。
が高められるので液側への水分の拡ｌｉｔ速度が高めら
れ、その結果、塩素ガス中の水分の除去速度が大幅に高
められる。かくして、従来法の吸収塔によって従来法よ
り乾燥度の高い塩素ガスが得られ、また従来法と同程度
の乾燥度でよい場合は気液接触装置を小型化できる。
Claims (1)
- １、水分を含有する塩素ガスを塩素ガスの圧力を０．１
ｋｇ／ｃｍ＾２Ｇ以上塩素ガス液化圧力未満に保って硫
酸と接触させることを特徴とする塩素ガスの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320118A JP2761659B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 塩素ガスの乾操方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320118A JP2761659B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 塩素ガスの乾操方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177301A true JPH03177301A (ja) | 1991-08-01 |
| JP2761659B2 JP2761659B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=18117898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1320118A Expired - Lifetime JP2761659B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 塩素ガスの乾操方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761659B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296017A (en) * | 1991-05-28 | 1994-03-22 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Method and apparatus for concentrating chlorine gas |
| WO2001012541A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-22 | The Dow Chemical Company | Production of anhydrous hydrogen chloride from byproduct or waste chlorinated materials |
| WO2021095329A1 (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 株式会社トクヤマ | 塩化水素の脱湿方法 |
| CN114555517A (zh) * | 2019-11-13 | 2022-05-27 | 株式会社德山 | 氯化氢的脱湿方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624426A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 液体乾燥剤の再生方法 |
| JPS62275001A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-11-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 塩素の工業的製造方法 |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1320118A patent/JP2761659B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624426A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 液体乾燥剤の再生方法 |
| JPS62275001A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-11-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 塩素の工業的製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296017A (en) * | 1991-05-28 | 1994-03-22 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Method and apparatus for concentrating chlorine gas |
| WO2001012541A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-22 | The Dow Chemical Company | Production of anhydrous hydrogen chloride from byproduct or waste chlorinated materials |
| WO2021095329A1 (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | 株式会社トクヤマ | 塩化水素の脱湿方法 |
| CN114555517A (zh) * | 2019-11-13 | 2022-05-27 | 株式会社德山 | 氯化氢的脱湿方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2761659B2 (ja) | 1998-06-04 |
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Legal Events
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