JPH03174726A - Heater and washing apparatus - Google Patents

Heater and washing apparatus

Info

Publication number
JPH03174726A
JPH03174726A JP31477089A JP31477089A JPH03174726A JP H03174726 A JPH03174726 A JP H03174726A JP 31477089 A JP31477089 A JP 31477089A JP 31477089 A JP31477089 A JP 31477089A JP H03174726 A JPH03174726 A JP H03174726A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
cleaning
pure water
heating
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31477089A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ihito Takahira
葦人 高比良
Yoshitaka Kasai
笠井 良貴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP31477089A priority Critical patent/JPH03174726A/en
Publication of JPH03174726A publication Critical patent/JPH03174726A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make it possible to realize and efficient heater of an in-line type being free from stay without setting a heating means in supply routes of pure water, gas or others, by constructing the heater basically of a plurality of conduits formed of a chemically stable and heat-resistant material, and of heating wires provided outside these conduits and in proximity thereto respectively. CONSTITUTION:A heater is constructed basically of a plurality of conduits SG 1 to 6 being parallel to each other and formed of a chemically stable and heat-resistant material such as silica glass, and of heating wires HW 1 to 6 wound on the out side of these conduits SG 1 to 6. Thereby an efficient heater of an in-line type being free from so-called stay can be realized without setting a heating means in supply routes of pure water, gas or others. As the result, it is possible to increase the purity of the pure water for washing, the gas for drying or others and to enhance the washing capacity of a washing apparatus provided with the heater.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、加熱器及び洗浄装置に関するもので、例え
ば、洗浄用の純水や乾燥用のガス等を加熱・伝達するイ
ンライン型の加熱器及びこのような加熱器を備える洗浄
装置に利用して有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to a heater and a cleaning device, such as an in-line heater that heats and transmits pure water for cleaning, gas for drying, etc. The present invention also relates to a technique that is effective for use in a cleaning device equipped with such a heater.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体集積回路やコンパクト・ディスク等の製造工程に
おいて、半導体ウェハやコンパクト・ディスクならびに
その容器(キャリア、カセット又はボックス〉等を洗浄
・乾燥させるための洗浄装置がある。また、このような
洗浄装置において、洗浄用の純水や乾燥用のガス等を加
熱することによりその洗浄効果を高める方法が知られて
おり、そのための加熱器がある。
In the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, compact discs, etc., there is cleaning equipment for cleaning and drying semiconductor wafers, compact discs, and their containers (carriers, cassettes, boxes, etc.). 2. Description of the Related Art There is a known method of increasing the cleaning effect by heating pure water for cleaning, gas for drying, etc., and there are heaters for this purpose.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記用途に供される従来の加熱器として、例えば、純水
やガス等を加圧・蓄積するためのタンク等に付随的に設
けられるものや、あるいは、第4図に例示されるように
、ガス等の供給経路にいわゆるインライン形態に設けら
れるもの等がある。
Conventional heaters used for the above purpose include, for example, those attached to a tank for pressurizing and accumulating pure water, gas, etc., or as illustrated in FIG. There are some that are provided in a so-called in-line configuration in the supply path for gas and the like.

第4図の場合、加熱器の入力口INから入力されたガス
等は、加熱室に設けられた電熱線HWによって加熱され
た後、遮断壁SWの外側に設けられた排気室を経て、加
熱器の出力口OUTに出力される。純水やガス等の供給
経路となる各部や電熱線は、例えば弗素樹脂やステンレ
ス等の化学的に安定した材料によって形成される。
In the case of Fig. 4, the gas etc. input from the input port IN of the heater is heated by the heating wire HW provided in the heating chamber, and then passes through the exhaust chamber provided outside the blocking wall SW and is heated. It is output to the output port OUT of the device. Each part serving as a supply path for pure water, gas, etc. and heating wires are made of chemically stable materials such as fluororesin and stainless steel.

ところが、洗浄装置の洗浄能力が高められ、洗浄用の純
水や乾燥用のガス等に要求される純度が高められるにし
たがって、上記のような加熱器には次のような問題点が
あることが本願発明者等によって明らかとなった。すな
わち、加圧・蓄積用のタンク等に付随的に設けられる場
合のように、純水やガス等を一時的に容器内に封入しこ
の容器を加熱しあるいは容器内に加熱手段を設ける加熱
器では、純水やガス等のいわゆる溜りが存在することで
バクテリア等の不純物が発生しやすい。また、第4図の
ように、電熱線等の加熱手段を純水やガス等の供給経路
内に設ける加熱器では、電熱線自体から微細な不純物が
発生しやすくなるとともに、加熱器の各部が弗素樹脂等
の比較的耐熱性に乏しい材料からなることで、加熱温度
に制約を受ける。その結果、加熱器の加熱効率が制限さ
れるとともに、純水やガス等の純度が低下し、洗浄装置
の洗浄能力が低下する。
However, as the cleaning capacity of cleaning equipment increases and the purity required for purified water for cleaning, gas for drying, etc. increases, the above-mentioned heaters have the following problems. was revealed by the inventors of the present application. In other words, a heater that temporarily seals pure water, gas, etc. in a container and heats the container, or provides a heating means within the container, such as when attached to a tank for pressurization and storage. In this case, impurities such as bacteria are likely to occur due to the presence of so-called pools of pure water, gas, etc. In addition, as shown in Figure 4, in a heater in which a heating means such as a heating wire is installed in the supply path for pure water, gas, etc., fine impurities are likely to be generated from the heating wire itself, and each part of the heater is Since it is made of a material with relatively poor heat resistance, such as fluororesin, the heating temperature is restricted. As a result, the heating efficiency of the heater is limited, the purity of pure water, gas, etc. is reduced, and the cleaning ability of the cleaning device is reduced.

この発明の目的は、純水やガス等の溜りをなくしバクテ
リア等の不純物の発生を抑えたインライン型の効率的な
加熱器を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an efficient in-line heater that eliminates the accumulation of pure water, gas, etc., and suppresses the generation of impurities such as bacteria.

この発明の目的は、洗浄用の純水や乾燥用のガス等の純
度を高め洗浄装置の洗浄能力を高めることにある。
An object of the present invention is to increase the purity of purified water for cleaning, gas for drying, etc., and to increase the cleaning ability of a cleaning device.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明INi書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this document and the attached drawings.

〔課題を解決するための手段) 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
[Means for Solving the Problems] A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、半導体ウェハやコンパクト・ディスクならび
にその容器等の洗浄・乾燥に供される洗浄装置において
、洗浄用の純水や乾燥用のガス等を加熱・伝達する加熱
器を、平行しかつ石英ガラス等のように耐熱性に富み化
学的に安定した材料からなる複数の導管と、これらの導
管の外側に巻かれた電熱線を基本として構成する。
In other words, in cleaning equipment used for cleaning and drying semiconductor wafers, compact disks, and their containers, heaters that heat and transmit pure water for cleaning, gas for drying, etc. are installed in parallel and with quartz glass, etc. It basically consists of multiple conduits made of highly heat-resistant and chemically stable materials, such as, and heating wires wound around the outside of these conduits.

〔作 用〕[For production]

上記した手段によれば、純水やガス等の供給経路内に加
熱手段を設置することなく、いわゆる溜りのないインラ
イン型の効率的な加熱器を実現することができる。その
結果、洗浄用の純水や乾燥用のガス等の純度を高め、加
熱器を備えた洗浄装置の洗浄能力を高めることができる
According to the above-mentioned means, an efficient in-line heater without accumulation can be realized without installing a heating means in the supply path of pure water, gas, etc. As a result, the purity of pure water for cleaning, gas for drying, etc. can be increased, and the cleaning ability of a cleaning device equipped with a heater can be increased.

〔実施例〕〔Example〕

第5図には、この発明が適用された洗浄装置の一実施例
の側面断面図が示されている。また、第1図には、第5
図の洗浄装置に含まれる純水加熱1%iWH及びガス加
熱gGHの一実施例のA−A’断面図が示され、第2図
には、その一実施例のBB′断面図が示されている。こ
れらの図をもとに、この実施例の洗浄装置及び加熱器の
構成ならびにその特徴について説明する。
FIG. 5 shows a side sectional view of an embodiment of a cleaning device to which the present invention is applied. Also, in Figure 1, the fifth
A sectional view taken along line AA' of an example of pure water heating 1% iWH and gas heating gGH included in the cleaning device shown in the figure is shown, and FIG. 2 shows a BB' sectional view of the example. ing. Based on these figures, the configuration and features of the cleaning device and heater of this embodiment will be explained.

この実施例の洗浄装置は、特に制限されないが、半導体
集積回路又はコンパクト・ディスク等の製造工程に設置
され、半導体ウェハやコンパクト・ディスク又はその容
器等の洗浄・乾燥に供される。
Although not particularly limited, the cleaning apparatus of this embodiment is installed in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, compact disks, etc., and is used for cleaning and drying semiconductor wafers, compact disks, containers thereof, etc.

この実施例において、半導体ウェハ等の洗浄及びリンス
には、極めて純度の高い純水又は超純水が用いられ、そ
の乾燥には、同様に純度の高い窒素ガス又は圧縮空気等
が用いられる。これらの純水及びガス等は、洗浄装置に
設けられた純水加熱閤WH及びガス加熱NGHにより所
定の温度まで加熱され、これによって洗浄装置の洗浄効
果が高められる。一方、この実施例の洗浄装置では、洗
浄又は乾燥用のノズルN1〜N4等が設けられる洗浄・
乾燥チャンバWDCと、駆動シャフI−MS等の伝達機
構が設けられる駆動チャンバMCとが、仕切りPを隔て
て分離される。そして、この駆動チャンバMCは、排気
バルブEVを含む排気口が設けられることで、洗浄・乾
燥チャンバWDCに対し所定の負圧となるように設定さ
れ、これによって伝達機構の摩擦部から発生するダスト
等による二次汚染が防止される。
In this embodiment, extremely pure water or ultrapure water is used for cleaning and rinsing semiconductor wafers, and similarly highly pure nitrogen gas, compressed air, or the like is used for drying. These pure water, gas, etc. are heated to a predetermined temperature by a pure water heating plate WH and a gas heating NGH provided in the cleaning device, thereby increasing the cleaning effect of the cleaning device. On the other hand, in the cleaning device of this embodiment, cleaning/drying nozzles N1 to N4, etc. are provided.
A drying chamber WDC and a drive chamber MC in which a transmission mechanism such as a drive shaft I-MS is provided are separated by a partition P. The drive chamber MC is provided with an exhaust port including an exhaust valve EV, and is set to have a predetermined negative pressure with respect to the cleaning/drying chamber WDC. Secondary contamination due to etc. is prevented.

第5図において、洗浄装置の各部は、特に制限されない
が、線型のケースC内に搭載され、このケースC内には
、さらに適当に遮蔽処理が施された内部ケースICが収
納される。内部ケースICは、特に制限されないが、仕
切りPにより、洗浄・乾燥チャンバWDC及び駆動チャ
ンバMCに分割される。このうち、洗浄・乾燥チャンバ
WDCの上部には、被洗浄物が搭載されたバスケア)B
をローディングし又はアンローディングするためのチャ
ンバリッドCLが設けられる。ケースCの上部には、洗
浄装置を制御するための操作パネルCPが設けられる。
In FIG. 5, each part of the cleaning device is mounted, although not particularly limited, in a linear case C, and within this case C, an internal case IC which has been appropriately shielded is housed. The inner case IC is divided into a cleaning/drying chamber WDC and a driving chamber MC by a partition P, although this is not particularly limited. Among these, the upper part of the cleaning/drying chamber WDC is equipped with the items to be cleaned (bath care)B.
A chamber lid CL is provided for loading and unloading. An operation panel CP for controlling the cleaning device is provided at the top of the case C.

洗浄装置は、操作パネルcpから指定される一連の洗浄
・乾燥処理を、所定のプログラムに沿って自動的に実行
する。これらの洗浄・乾燥処理の過程において、上記チ
ャンバリントCLは自動的に開閉される。
The cleaning device automatically executes a series of cleaning and drying processes specified from the operation panel CP according to a predetermined program. During these cleaning and drying processes, the chamber lint CL is automatically opened and closed.

駆動チャンバMCの伝達機構は、特に制限されないが、
平行して設けられる駆動シャフトMS及びガイドシャフ
トGSを含む。このうち、駆動シャツI−MSは、例え
ばボールネジによって構成され、エレベータ機構を介し
てアームAに結合される。このアームAは、適当なベア
リングユニットを介して上記ガイドシャフトGSにも結
合され、さらに仕切りPに設けられた狭いスリットを介
して、洗浄・乾燥チャンバWDCに突き出される。
The transmission mechanism of the drive chamber MC is not particularly limited, but
It includes a drive shaft MS and a guide shaft GS that are provided in parallel. Among these, the driving shirt I-MS is configured by, for example, a ball screw, and is coupled to the arm A via an elevator mechanism. This arm A is also connected to the guide shaft GS through a suitable bearing unit and is further projected into the washing and drying chamber WDC through a narrow slit provided in the partition P.

アームAには、上記バスケントBが保持される。Arm A holds the Basket B mentioned above.

これにより、図示されない正逆転モータの回転がブーI
73を介して駆動シャツI−MSに伝達され、結果的に
アームA上に保持されるバスケットBが上下に移動され
る。
As a result, the rotation of the forward/reverse motor (not shown) is
73 to the driving shirt I-MS, and as a result, the basket B held on the arm A is moved up and down.

洗浄・乾燥チャンバWDCには、特に制限されないが、
仕切りPに沿って洗浄ノズルN1及び乾燥ノズルN3が
設置され、仕切りPに対向して洗浄ノズルN2及び乾燥
ノズルN4が設置される。
The cleaning/drying chamber WDC may include, but is not particularly limited to,
A cleaning nozzle N1 and a drying nozzle N3 are installed along the partition P, and a cleaning nozzle N2 and a drying nozzle N4 are installed opposite the partition P.

このうち、洗浄ノズルN1及びN2には、特に制限され
ないが、洗浄装置の外部に設けられる図示されない加圧
タンクから、純水加熱謔WH及び純水バルブWVを介し
て、例えば5 kg / ell 2程度に加圧された
純水又は超純水が供給される。また、乾燥ノズルN3及
びN4には、同様に洗浄装置の外部に設けられる図示さ
れない加圧ポンプから、ガス加熱14GH及びガスバル
ブGVを介して、窒素ガス又は圧縮空気等が供給される
。上記洗浄バルブN1及びN2ならびに乾燥バルブN3
及びN4は、洗浄装置の処理工程に応じて選択的に開閉
され、その間、バスケットBが所定の周期で繰り返し上
下に移動される。
Among these, the cleaning nozzles N1 and N2 are supplied with, for example, 5 kg/ell 2 from a pressurized tank (not shown) provided outside the cleaning device via a pure water heating valve WH and a pure water valve WV, although this is not particularly limited. Pure water or ultrapure water pressurized to a certain degree is supplied. Further, nitrogen gas, compressed air, or the like is supplied to the drying nozzles N3 and N4 from a pressure pump (not shown) similarly provided outside the cleaning device via the gas heating 14GH and the gas valve GV. The above washing valves N1 and N2 and drying valve N3
and N4 are selectively opened and closed according to the processing steps of the cleaning device, and during this period, the basket B is repeatedly moved up and down at a predetermined period.

駆動チャンバMCの裏側には、排気バルブEVを介する
排気口が設けられ、駆動チャンバMC及び洗浄・乾燥チ
ャンバWDCの下部には、ドレインバルブDVを介する
排水口が設けられる。このうち、排気バルブEVを介す
る排気口には、図示されない強制排気装置が結合され、
洗浄装置が動作状態とされる間、排気バルブEVが開か
れて強制排気が行われる。これにより、洗浄・乾燥チャ
ンバWDCが外部の大気圧に対し所定の負圧とされ、さ
らに駆動ヂャンバMCが洗浄・乾燥チャンバWDCに対
し所定の負圧とされる。一方、洗浄工程において、洗浄
ノズルN1及びN2から噴射された純水等は、ドレイン
バルブDVが開かれることで、洗浄・乾燥チャンバWD
C及び駆動チャンバMCの下部からドレインバルブDV
を介して外部に排出される。
An exhaust port via an exhaust valve EV is provided on the back side of the drive chamber MC, and a drain port via a drain valve DV is provided at the lower portions of the drive chamber MC and the cleaning/drying chamber WDC. Among these, a forced exhaust device (not shown) is connected to the exhaust port via the exhaust valve EV,
While the cleaning device is in operation, the exhaust valve EV is opened to perform forced exhaust. As a result, the cleaning/drying chamber WDC is brought to a predetermined negative pressure with respect to the external atmospheric pressure, and the drive chamber MC is also brought to a predetermined negative pressure with respect to the cleaning/drying chamber WDC. On the other hand, in the cleaning process, pure water etc. injected from the cleaning nozzles N1 and N2 are transferred to the cleaning/drying chamber WD by opening the drain valve DV.
C and the drain valve DV from the bottom of the drive chamber MC.
is discharged to the outside through the

この実施例の洗浄装置における洗浄・乾燥処理は、次の
手順に従って行われる。
The cleaning and drying processes in the cleaning apparatus of this embodiment are performed according to the following procedure.

洗浄装置が停止状態とされるとき、アームAはその上限
位置で停止され、チャンバリッドCLが開かれる。そし
て、排気バルブEV及びドレインパルプDVが閉じられ
、さらに純水バルブWV及びガスバルブGVが閉じられ
る。したがって、純水入力口WINから入力された純水
は、純水加熱11WH及び純水出力口WOUTを経て純
水加圧タンクに戻され、ガス入力口GINから入力され
た窒素ガス等は、ガス加熱HGH及びガス出力口GOU
Tを経てガス加圧ポンプに戻される。このとき、純水加
熱HWH及びガス加熱間GHにおける純水及び窒素ガス
の加熱処理は自動的に停止される。これにより、純水や
窒素ガス等の異常な温度上昇が制限されるとともに、淀
みない循環が維持される。アームA上には、開かれたチ
ャンバリッドCLを介して、被洗浄物となる半導体ウェ
ハやコンパクト・ディスク又はその容器等を搭載したバ
スケットBがローディングされる。
When the cleaning device is brought to a halt, arm A is stopped at its upper limit position and chamber lid CL is opened. Then, the exhaust valve EV and the drain pulp DV are closed, and furthermore, the pure water valve WV and the gas valve GV are closed. Therefore, the pure water input from the pure water input port WIN is returned to the pure water pressurizing tank via the pure water heating 11WH and the pure water output port WOUT, and the nitrogen gas etc. input from the gas input port GIN is Heating HGH and gas output port GOU
The gas is returned to the gas pressurization pump via T. At this time, the heat treatment of pure water and nitrogen gas in the pure water heating HWH and the gas heating GH is automatically stopped. This limits abnormal temperature rises of pure water, nitrogen gas, etc., and maintains continuous circulation. A basket B carrying objects to be cleaned, such as semiconductor wafers, compact disks, containers thereof, etc., is loaded onto the arm A via the opened chamber lid CL.

オペレータが、操作パネルCPにより洗浄・乾燥処理を
指定し7、洗浄装置を起動すると、まずチャンバリッド
CLが閉じ、モータが回転する。このため、アームAが
所定の速度で下方に移動するとともに、洗浄ノズルN1
及びN2から所定の温度に加熱された純水又は超純水が
噴射される。その結果、バスケソ)Bに搭載された被洗
浄物の洗浄処理が行われ、汚水はドレインバルブDVか
ら排水口を介して排出される。言うまでもなく、アーム
Aが下限位置に達すると、モータは自動的に逆回転する
。このため、アームAは上方に移動される。同様に、ア
ームAが上限位置に達すると、モータはさらに自動的に
逆回転し、アームAは下方に移動される。これらの動作
は、予め指定された洗浄時間だけ繰り返して行われる。
When the operator specifies the cleaning/drying process using the operation panel CP and starts the cleaning device, first, the chamber lid CL closes and the motor rotates. Therefore, the arm A moves downward at a predetermined speed, and the cleaning nozzle N1
And pure water or ultrapure water heated to a predetermined temperature is injected from N2. As a result, the cleaning process for the objects mounted on the bus queso B is carried out, and the waste water is discharged from the drain valve DV through the drain port. Needless to say, when arm A reaches its lower limit position, the motor automatically rotates in reverse. Therefore, arm A is moved upward. Similarly, when arm A reaches its upper limit position, the motor automatically rotates further in reverse and arm A is moved downward. These operations are repeated for a prespecified cleaning time.

また、この洗浄処理が行われる間、排気バルブEVが開
かれるため、駆動チャンバMCの伝達機構から発生する
微細なダスト等のごみは、排気パルプEVから排気口を
介して排出される。
Furthermore, since the exhaust valve EV is opened while this cleaning process is being performed, fine dust and other foreign matter generated from the transmission mechanism of the drive chamber MC is discharged from the exhaust pulp EV through the exhaust port.

指定された洗浄時間が経過すると、洗浄ノズルN1及び
N2による純水等の噴射が自動的に停止され、ドレイン
バルブDVが閉しる。また、これと同時に、乾燥ノズル
N3及びN4から、所定の温度に加熱された窒素ガス等
が噴出される。洗浄装置のモータは、同様に正逆転動作
を繰り返し、バスケットBを繰り返し上下に移動させる
。これ1 により、バスケントBに搭載された容器の乾燥処理が、
予め指定された乾燥時間だけ繰り返し行われる。また、
この乾燥処理が行われる間、排気パルプEVが開かれる
ため、駆動チャンバMCの伝達機構から発生する微細な
ダスト等のごみは、上記洗浄処理の場合と同様に、排気
パルプEVから排気口を介して排出される。
When the specified cleaning time has elapsed, the injection of pure water etc. by the cleaning nozzles N1 and N2 is automatically stopped, and the drain valve DV is closed. At the same time, nitrogen gas or the like heated to a predetermined temperature is ejected from the drying nozzles N3 and N4. The motor of the cleaning device similarly repeats forward and reverse operations to repeatedly move the basket B up and down. As a result of this 1, the drying process of the containers loaded on Baskent B is
This process is repeated for a pre-specified drying time. Also,
During this drying process, the exhaust pulp EV is opened, so fine dust and other foreign matter generated from the transmission mechanism of the drive chamber MC is removed from the exhaust pulp EV through the exhaust port, as in the case of the cleaning process described above. is discharged.

所定の乾燥時間が経過すると、アームAは上限位置で停
止し、洗浄・乾燥チャンバWDCの上部に設けられたチ
ャンバリッドCLが開かれる。これにより、オペレータ
は、バスケットBをアンローディングし、洗浄済みの被
洗浄物を外部に取り出すことができる。また、次の被洗
浄物が搭載された他のバスケントBをアームA上にロー
ディングし、洗浄装置を再起動することで、上記のよう
な洗浄・乾燥処理が繰り返される。
When a predetermined drying time has elapsed, the arm A stops at the upper limit position, and the chamber lid CL provided at the top of the cleaning/drying chamber WDC is opened. Thereby, the operator can unload the basket B and take out the cleaned items to the outside. Further, by loading another bus Kent B carrying the next object to be cleaned onto the arm A and restarting the cleaning device, the above-described cleaning and drying process is repeated.

ところで、この実施例の洗浄装置に設けられる純水加熱
間WH及びガス加熱蒲GHは、特に制限されないが、第
1図及び第2図に例示されるように、ヒーターカバーH
Cの内部に設けられた6本2 の石英管(導管)SGI〜SG6と、これらの石英管の
外側に近接して巻かれた電熱線HWI〜HW6を基本と
して構成される。
By the way, the pure water heating WH and gas heating GH provided in the cleaning device of this embodiment are not particularly limited, but as illustrated in FIGS. 1 and 2, the heater cover H
It is basically constructed of six quartz tubes (conduits) SGI to SG6 provided inside C and heating wires HWI to HW6 wound close to the outside of these quartz tubes.

このうち、石英管SGI〜SG6は、特に制限されない
が、石英等のように耐熱性に富みかつ化学的に安定した
材料を主成分とするガラス管からなり、その両端は、特
に制限されないが、弗素樹脂からなるヒーターホルダー
HHI及びHI3によって保持される。これらのヒータ
ーホルダーは、ヒーターカバーHCのホルダーを兼ね、
その外側には、配管接続用のフランジFLI及びFL2
がそれぞれ取り付けられる。この実施例において、石英
管SGI〜SG6の断面積の合計は、特に制限されない
が、加熱間の前後に設けられる配管の断面積に比較して
大きくされ、これによって、各石英管内での純水又は窒
素ガス等の伝達速度が意図的に遅くされる。
Among these, the quartz tubes SGI to SG6 are made of glass tubes whose main component is a highly heat-resistant and chemically stable material such as quartz, although there are no particular restrictions. It is held by heater holders HHI and HI3 made of fluororesin. These heater holders also serve as holders for the heater cover HC.
On the outside are flanges FLI and FL2 for piping connections.
are installed respectively. In this example, the total cross-sectional area of the quartz tubes SGI to SG6 is, although not particularly limited, made larger than the cross-sectional area of the piping provided before and after the heating period. Or the transmission speed of nitrogen gas or the like is intentionally slowed down.

一方、電熱線HWI〜HW6の外側は、所定の絶縁材に
よって保護され、これらの電熱線とヒーターカバーHC
との間には、断熱材SHが充填される。電熱線HWI〜
HW6は、特に制限されないが、第3図に例示されるよ
うに、それぞれ2個ずつの組み合わせでデルタ結合され
、その共通結合されたノードは、入力端子U−Wとして
コネクタCNに結合される。コネクタCNには、特に制
限されないが、洗浄装置の処理工程や純水又は窒素ガス
等の加熱温度に応じてコントロールされた3相200V
の交流電源が供給される。
On the other hand, the outside of the heating wires HWI to HW6 is protected by a predetermined insulating material, and these heating wires and the heater cover HC
A heat insulating material SH is filled between the two. Heating wire HWI~
Although not particularly limited, the HWs 6 are delta-coupled in combinations of two HWs, as illustrated in FIG. 3, and the commonly-coupled nodes are coupled to the connector CN as input terminals UW. Although not particularly limited, the connector CN has a 3-phase 200V voltage that is controlled according to the processing process of the cleaning equipment and the heating temperature of pure water or nitrogen gas, etc.
AC power is supplied.

純水加熱HWH又はガス加熱器GHの入力口■Nから入
力された純水又は窒素ガス等は、各加熱器のフランジF
LIを経た後、6本の石英管S01〜SG6に分流され
、その伝達速度が意図的に遅くされる。そして、各石英
管の外側に巻かれた電熱線HWI〜I(W6によってそ
の温度が次第に高められ、各加熱器の出力口OUTにお
いて設定された所定の温度とされる。これらの純水及び
窒素ガス等は、対応する純水バルブWv又はガスバルブ
GVを経て洗浄ノズルN1及びN2あるいはN3及びN
4から噴射される。
Pure water or nitrogen gas, etc. input from the input port N of the pure water heating HWH or gas heater GH is connected to the flange F of each heater.
After passing through the LI, the flow is divided into six quartz tubes S01 to SG6, and its transmission speed is intentionally slowed down. Then, the temperature is gradually raised by heating wires HWI to I (W6) wound around the outside of each quartz tube, and the temperature is set at a predetermined temperature at the output port OUT of each heater. Gas, etc. passes through the corresponding pure water valve Wv or gas valve GV to the cleaning nozzles N1 and N2 or N3 and N.
It is injected from 4.

これらのことから、この実施例の純水加熱HwH及びガ
ス加熱器GHでは、純水又は窒素ガス等の供給経路から
いわゆる溜りがなくされ、バクテリア等の不純物の発生
が極めて少なくされる。また、電熱線等の加熱手段によ
る加熱処理が、純水又は窒素ガス等の供給経路すなわち
石英管SGI〜SG6の外部から間接的に行われること
で、電熱線自体による不純物の発生が防止されるととも
に、導管が耐熱性に富む石英ガラス管からなることで、
加熱温度が高められ、加熱器の加熱効率が高められる。
For these reasons, in the pure water heating HwH and gas heater GH of this embodiment, so-called accumulations are eliminated from the pure water, nitrogen gas, etc. supply path, and the generation of impurities such as bacteria is extremely reduced. In addition, since the heat treatment using a heating means such as a heating wire is performed indirectly from the supply path of pure water or nitrogen gas, that is, from the outside of the quartz tubes SGI to SG6, the generation of impurities due to the heating wire itself is prevented. At the same time, the conduit is made of quartz glass tube with high heat resistance,
The heating temperature is increased and the heating efficiency of the heater is increased.

その結果、−fンライン型の効率的な加熱器を実現でき
るとともに、純水及び窒素ガス等の純度が高められ、純
水及び窒素ガス等が加熱されること自体の効果もあいま
って、洗浄装置の洗浄能力が著しく高められる。
As a result, it is possible to realize a -f-line type efficient heater, and the purity of pure water and nitrogen gas is increased, which, combined with the effect of heating pure water and nitrogen gas, improves cleaning equipment. The cleaning ability of the product is significantly improved.

以上のように、この実施例の洗浄装置では、駆動シャツ
)MS等の伝達機構が設けられる駆動チャンバMCが、
洗浄又は乾燥用のノズルN1〜N4等が設けられる洗浄
・乾燥チャンバWDCと仕切りPを隔てて分離されると
ともに、洗浄用の純水や乾燥用の窒素ガス等を加熱する
ための純水加5 熱HWH及びガス加熱HGHが設けられる。この実施例
において、純水加熱器WH及びガス加熱器GHは、平行
して設けられかつ石英等のように耐熱性に富み化学的に
安定した材料を主成分とするガラス管等からなる6本の
石英管SGI〜SG6と、これらの石英管の外側に近接
して巻かれる電熱線HWI〜HW6を基本として構威さ
れる。その結果、この実施例の洗浄装置では、伝達機構
の摩擦部等から発生する微細なダスト等による二次汚染
が防止されるとともに、純水及び窒素ガス等の供給経路
の溜りがなくされしかも電熱線による加熱処理が石英管
の外側から間接的に行われることで、純水及び窒素ガス
等の純度が高められ、洗浄装置の洗浄能力が高められる
As described above, in the cleaning apparatus of this embodiment, the drive chamber MC in which the transmission mechanism such as the drive shirt MS is provided,
A cleaning/drying chamber WDC in which cleaning or drying nozzles N1 to N4, etc. are provided is separated by a partition P, and a pure water adder 5 for heating pure water for cleaning, nitrogen gas, etc. for drying. A thermal HWH and a gas heated HGH are provided. In this embodiment, the pure water heater WH and the gas heater GH are provided in parallel and consist of six glass tubes etc. whose main component is a highly heat-resistant and chemically stable material such as quartz. It is basically constructed of quartz tubes SGI to SG6 and heating wires HWI to HW6 wound close to the outside of these quartz tubes. As a result, the cleaning device of this embodiment prevents secondary contamination caused by fine dust generated from the friction parts of the transmission mechanism, eliminates accumulation in the supply path of pure water, nitrogen gas, etc., and eliminates electricity. By indirectly performing heat treatment using a hot wire from the outside of the quartz tube, the purity of pure water, nitrogen gas, etc. is increased, and the cleaning ability of the cleaning device is increased.

以上の本実施例に示されるように、この発明を半導体ウ
ェハやコンパクト・ディスク又はその容器等の洗浄・乾
燥に供される洗浄装置あるいはこれらの洗浄装置に含ま
れる加熱器に適用することで、次のような効果が得られ
る。すなわち、(11半導体ウェハやコンパクト・ディ
スク又はその6 容器等の洗浄・乾燥に供される洗浄装置において、洗浄
用の純水や乾燥用のガス等を加熱するための加#Hを、
石英ガラス等のように耐熱性に富みかつ化学的に安定し
た材料からなる導管と、上記導管の外側に設けられた電
熱線を基本として構威することで、純水やガス等の供給
経路内に加熱手段を設置することなく、いわゆる溜りの
ないインライン型の効率的な加熱器を実現することがで
きるという効果が得られる。
As shown in the above embodiment, by applying the present invention to a cleaning device used for cleaning and drying semiconductor wafers, compact disks, or their containers, or a heater included in these cleaning devices, The following effects can be obtained. In other words, (11) In a cleaning device used for cleaning and drying containers, etc., of semiconductor wafers, compact disks, etc., heating water for heating pure water for cleaning, gas for drying, etc.
By basically constructing a conduit made of a highly heat-resistant and chemically stable material such as quartz glass, and a heating wire installed outside the conduit, the supply route for pure water, gas, etc. The effect is that it is possible to realize a so-called in-line efficient heater without a stagnation without installing a heating means therein.

(2)上記(11項において、導管を、平行しかつそれ
ぞれの外側に電熱線が近接して設けられる複数の導管に
より構威し、これらの導管の断面積の合計が加熱器の前
後に設けられる配管の断面積より大きくなるように設計
することで、純水やガス等の伝達速度を遅くし、加熱器
の加熱効率を高めることができるという効果が得られる
(2) In the above (paragraph 11), the conduit is constituted by a plurality of conduits in which heating wires are installed in parallel and close to each other on the outside, and the total cross-sectional area of these conduits is provided before and after the heater. By designing the cross-sectional area to be larger than the cross-sectional area of the piping, it is possible to reduce the transmission speed of pure water, gas, etc., and increase the heating efficiency of the heater.

(3)上記(11項及び(2)項により、溜りにおける
バクテリアの発生や電熱線等の加熱手段自体による不純
物の発生を抑え、純水やガス等の純度を高めることがで
きるという効果が得られる。
(3) The above items (11 and (2)) have the effect of suppressing the generation of bacteria in the pool and the generation of impurities due to the heating means itself such as heating wires, and increasing the purity of pure water, gas, etc. It will be done.

(4)上記(11項〜(3)項により、加熱器を備えた
洗浄装置の洗浄能力を著しく高めることができるという
効果が得られる。
(4) Items (11 to (3)) above provide the effect that the cleaning ability of a cleaning device equipped with a heater can be significantly improved.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、第1図及び第
2図において、純水及びガス等を加熱・伝達する導管は
、6本を超えて分岐されることもよいし、例えば螺旋状
の形態とされることもよい。この場合、導管は、耐熱性
に富みかつ化学的に安定した材料からなり、各導管の外
側にはそれぞれ近接して電熱線が設けられることを必要
条件とする。電熱線の加熱力が大きい場合、あるいは導
管に充分な長さが得られる場合、導管を複数に分岐する
必要はない。導管の外側に設けられる電熱線は、例えば
帯状のものであってもよいし、導管の外側−面に蒸着さ
れた面状のものであってもよい。第3図において、電熱
線は、デルタ結合される必要はないし、その加熱電源は
任意の電圧値を採ることができる。第4図において、洗
浄装置は、バスケラ)B等を水平方向に移動するもので
あってもよいし、その伝達機構は、ポールネジに代えて
他の伝達機構を用いるものであってもよい。また、被洗
浄物の洗浄・リンスに用いられる液体は、純水又は超純
水以外のものであってもよいし、その乾燥に用いられる
気体は、窒素ガス及び圧縮空気以外のものであってもよ
い。加熱器は、洗浄用の純水あるいは乾燥用の気体のい
ずれか一方に対してのみ設けてよい。さらに、第1図及
び第2図に示される加熱器ならびに第5図に示される洗
浄装置の具体的な構成やその接続方広ならびに洗浄・乾
燥処理の手順等、種々の実施形態を採りうる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, in FIGS. 1 and 2, the conduits for heating and transmitting pure water, gas, etc. may be branched into more than six, or may have a spiral shape, for example. In this case, the conduits are made of a highly heat-resistant and chemically stable material, and heating wires are required to be provided close to each other on the outside of each conduit. If the heating power of the heating wire is high or if the conduit has sufficient length, there is no need to branch the conduit into multiple parts. The heating wire provided on the outside of the conduit may be, for example, in the form of a strip or in the form of a sheet deposited on the outside surface of the conduit. In FIG. 3, the heating wires do not need to be delta-coupled, and the heating power source can have any voltage value. In FIG. 4, the cleaning device may be one that moves the Vascera) B or the like in the horizontal direction, and its transmission mechanism may be one that uses another transmission mechanism instead of the pole screw. Furthermore, the liquid used for cleaning and rinsing the object to be cleaned may be something other than pure water or ultrapure water, and the gas used for drying the object may be something other than nitrogen gas or compressed air. Good too. The heater may be provided only for either pure water for cleaning or gas for drying. Furthermore, various embodiments may be adopted, such as the specific configuration of the heater shown in FIGS. 1 and 2 and the cleaning device shown in FIG. 5, their connection method, and the procedure of cleaning and drying processing.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハやコン
パクト・ディスクあるいはその容器等を洗浄・乾燥する
ための洗浄装置ならびにその加熱器に適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、例え
ば、薬液や塗9 料等の各種の液体や気体を加熱するために単体で用いら
れる加熱器や、このような加熱器を備える各種の洗浄装
置にも適用できる。本発明は、少なくとも流体を加熱・
伝達するためのインライン型加熱器ならびにこのような
加熱器を備える洗浄装置に広く適用できる。
The above explanation mainly concerns the case where the invention made by the present inventor is applied to a cleaning device and a heater for cleaning and drying semiconductor wafers, compact disks, containers thereof, etc., which are the field of application that formed the background of the invention. Although described above, the present invention is not limited thereto, and includes, for example, heaters used alone to heat various liquids and gases such as chemical solutions and paints, and various cleaning devices equipped with such heaters. It can also be applied to The present invention provides heating and heating of at least a fluid.
It is widely applicable to in-line heaters for transmission and cleaning equipment equipped with such heaters.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。すなわち、半導体ウェハやコンパクト・ディスク又
はその容器等の洗浄・乾燥に供される洗浄装置において
、洗浄用の純水や乾燥用のガス等を加熱するための加熱
器を、平行しかつ石英ガラス等のように耐熱性に富み化
学的に安定した材料からなる複数の導管と、これらの導
管の外側にそれぞれ近接して設けられる電熱線を基本と
して構成することで、純水やガス等の供給経路内に加熱
手段を設置することなく、いわゆる溜りのないインライ
ン型の効率的な加熱器を実現できる。その結果、溜りに
おけるバクテリアの発0 生や電熱線等の加熱手段自体による不純物の発生を抑え
、純水やガス等の純度を高めることができるため、加熱
型を備えた洗浄装置の洗浄能力を著しく高めることがで
きる。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. In other words, in a cleaning device used for cleaning and drying semiconductor wafers, compact disks, or their containers, a heater for heating pure water for cleaning, gas for drying, etc. is installed in parallel and with a heater made of quartz glass, etc. By basically configuring multiple conduits made of highly heat-resistant and chemically stable materials such as , and heating wires installed close to the outside of these conduits, the supply route for pure water, gas, etc. It is possible to realize an efficient in-line type heater without so-called stagnation without installing a heating means inside. As a result, the generation of bacteria in the pool and the generation of impurities due to the heating means itself, such as electric heating wires, can be suppressed, and the purity of pure water and gas can be increased, so the cleaning ability of cleaning equipment equipped with heating type can be improved. can be significantly increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明が通用された加熱器の一実施例を示
すA−A’断面図、 第2図は、第1図の加熱型の一実施例を示すB−B”断
面図、 第3図は、第1図の加熱器の一実施例を示す結線図、 第4図は、従来の加熱器の一例を示す構造図、第5図は
、この発明が適用された洗浄装置の一実施例を示す側面
断面図である。 HC・・・ヒーターカバー、HHI〜HH2・・・ヒー
ターホルダー、FLI〜FL2・・・フランジ、SGI
〜SG6・・・石英管、HWI〜HW6・・・電熱線、
SH・・・断熱材、CN・・・コネクタ、SW・・・遮
断壁。 C・−・ケース、IC−・・内部ケース、cp・・・操
作パネル、CL・・・チャンバリッド、WDC・・・洗
浄・乾燥チャンバ、MC・・・駆動チャンバ、MS・・
・駆動シャフト、GS・・・ガイドシャフト、S・・・
プーリ、A・・・アーム、B・・・バスケット、P・・
・仕切り、N1−N2・・・洗浄ノズル、N3〜N4・
・・乾燥ノズル、Wv・・・純水バルブ、WH・・・純
水加熱線、GV・・・ガスバルブ、GH・・・ガス加熱
型、EV・・・排気バルブ、DV・・・ドレインバルブ
FIG. 1 is an AA' sectional view showing an embodiment of a heater to which the present invention is applied; FIG. 2 is a BB" sectional view showing an embodiment of the heating type shown in FIG. 1; 3 is a wiring diagram showing an embodiment of the heater shown in FIG. 1, FIG. 4 is a structural diagram showing an example of a conventional heater, and FIG. 5 is a diagram of a cleaning device to which the present invention is applied. It is a side sectional view showing one example.HC...Heater cover, HHI-HH2...Heater holder, FLI-FL2...Flange, SGI
~SG6...Quartz tube, HWI~HW6...Heating wire,
SH...insulation material, CN...connector, SW...blocking wall. C...Case, IC-...Internal case, cp...Operation panel, CL...Chamber lid, WDC...Cleaning/drying chamber, MC...Drive chamber, MS...
・Drive shaft, GS...Guide shaft, S...
Pulley, A...arm, B...basket, P...
・Partition, N1-N2...Cleaning nozzle, N3-N4・
...Drying nozzle, Wv...Pure water valve, WH...Pure water heating line, GV...Gas valve, GH...Gas heating type, EV...Exhaust valve, DV...Drain valve.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、耐熱性に富みかつ化学的に安定した所定の材料から
なる導管と、上記導管の外側に近接して設けられる電熱
線とを具備することを特徴とする加熱器。 2、上記導管は、石英を主成分とするガラス管からなる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の加熱器。 3、上記加熱器は、所定の洗浄装置に洗浄用の純水ある
いは乾燥用の気体を加熱・伝達するためのものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
加熱器。 4、上記導管は、平行しかつそれぞれの外側に上記電熱
線が近接して設けられる複数の導管に分岐されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記
載の加熱器。 5、石英を主成分とするガラス管からなる導管と上記導
管の外側に近接して設けられる電熱線とを備える加熱器
を具備することを特徴とする洗浄装置。 6、上記洗浄装置は、被洗浄物を移動させる伝達機構が
、洗浄チャンバ及び乾燥チャンバと実質的に独立して設
けられる駆動チャンバに設置されるものであることを特
徴とする特許請求の範囲第5項記載の洗浄装置。
[Scope of Claims] 1. A heater characterized by comprising a conduit made of a predetermined material that is highly heat resistant and chemically stable, and a heating wire provided close to the outside of the conduit. 2. The heater according to claim 1, wherein the conduit is made of a glass tube whose main component is quartz. 3. The heating device according to claim 1 or 2, wherein the heater is for heating and transmitting pure water for cleaning or gas for drying to a predetermined cleaning device. Heater. 4. The above-mentioned conduit is branched into a plurality of conduits that are parallel to each other and each of which has the heating wire close to its outside. heater. 5. A cleaning device comprising a heater comprising a conduit made of a glass tube containing quartz as a main component and a heating wire provided close to the outside of the conduit. 6. The cleaning device is characterized in that the transmission mechanism for moving the object to be cleaned is installed in a drive chamber that is provided substantially independently of the cleaning chamber and the drying chamber. The cleaning device according to item 5.
JP31477089A 1989-12-04 1989-12-04 Heater and washing apparatus Pending JPH03174726A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31477089A JPH03174726A (en) 1989-12-04 1989-12-04 Heater and washing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31477089A JPH03174726A (en) 1989-12-04 1989-12-04 Heater and washing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03174726A true JPH03174726A (en) 1991-07-29

Family

ID=18057378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31477089A Pending JPH03174726A (en) 1989-12-04 1989-12-04 Heater and washing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03174726A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626345B1 (en) * 1999-01-14 2006-09-20 삼성전자주식회사 Cleaning liquid thermal treatment apparatus and cleaning apparatus for using the same
JP2010141260A (en) * 2008-12-15 2010-06-24 Teoss Corp Drying apparatus for silicon
JP2013055292A (en) * 2011-09-06 2013-03-21 Tdk Corp Cleaning dryer
JP2013206927A (en) * 2012-03-27 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate drying device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626345B1 (en) * 1999-01-14 2006-09-20 삼성전자주식회사 Cleaning liquid thermal treatment apparatus and cleaning apparatus for using the same
JP2010141260A (en) * 2008-12-15 2010-06-24 Teoss Corp Drying apparatus for silicon
JP2013055292A (en) * 2011-09-06 2013-03-21 Tdk Corp Cleaning dryer
JP2013206927A (en) * 2012-03-27 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate drying device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0526245B1 (en) An automatic cleaning apparatus for wafers
US6374837B2 (en) Single semiconductor wafer processor
TWI525687B (en) Liquid processing device and liquid processing method
JP2019176125A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7220537B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
TW477006B (en) Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
JPS59500035A (en) Method and device for decontamination for semiconductor wafer handling equipment
JP2009267167A (en) Substrate-treating device
JP2009231710A (en) Substrate processing device
JPH03174726A (en) Heater and washing apparatus
US7005010B2 (en) Multi-process system
JPH10154689A (en) Cleaning device and cleaning method
JP2002343759A (en) Liquid treatment apparatus and method therefor
TWI649780B (en) Pipe cleaning method of substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
JP3892687B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW202002053A (en) Substrate processing device and substrate processing method
US20040025901A1 (en) Stationary wafer spin/spray processor
TW546172B (en) Systems and methods for processing workpieces
JP2020155649A (en) Substrate processing device, and pipe cleaning method for substrate processing device
TWI839024B (en) Substrate processing apparatus
JP2920584B2 (en) Substrate cleaning device
JPH06112184A (en) Cleaning apparatus
JP3032116B2 (en) Substrate automatic processing drying equipment
JPH09129580A (en) Cleaning device
JPH10163158A (en) Cleaning apparatus for sheetlike body